JP2016503890A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 試料上に基準マークを形成する方法であって、
   第１のミリング操作のために、第２の角度と実質的に直交する第１の角度で荷電粒子ビームが前記試料に導かれるように前記試料を配置すること、
   前記荷電粒子ビームに対して実質的に平行な前記試料上の面をミリングするために、前記試料に荷電粒子ビームを導くこと、
   前記荷電粒子ビームに対して実質的に平行な前記試料上の面をミリングすること、
   前記試料の前記ミリングされた面に基準マークを形成すること、
   第２のミリング操作のために、前記第２の角度で前記荷電粒子ビームが前記試料に導かれるように前記試料を配置し、前記第２の角度が、前記試料の表面に対して１０度以下であること
   を含む方法。
2. 前記第２の角度が、前記試料の表面に対して５度以下である、請求項１に記載の方法。
3. 前記第２の角度が、前記試料の表面に対して１度以下である、請求項１または請求項２に記載の方法。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の方法を実行するシステムであって、
   集束イオン・ビーム・システムと、
   電子顕微鏡と、
   試料を支持する試料ステージと
   を備えるシステム。
5. 微小な３次元構造体を分析する方法であって、
   加工物上の関心領域の位置を特定すること、
   前記加工物に特定の角度でトレンチを切削することであって、前記トレンチが関心の特徴部分を露出させ、
   前記トレンチの縁と前記関心の特徴部分の間の水平距離を決定すること、
   前記特定の角度および前記水平距離から、前記加工物の表面の平面からの前記関心の特徴部分の深さを決定すること
   をさらに含む方法。
6. 前記トレンチの縁と前記関心の特徴部分の間の水平距離を決定することが、基準マークと前記関心の特徴部分の間の水平距離を決定すること、および前記基準マークと前記トレンチの縁の間の水平距離を決定することを含む、請求項５に記載の方法。
7. 集束イオン・ビームを使用して、前記関心領域に隣接した位置に基準マークをミリングすることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記基準マークが、前記加工物上の既存の特徴部分である、請求項６に記載の方法。
9. 前記水平距離から決定された特定の深さにおいて前記加工物を処理することをさらに含む、請求項５から８のいずれか一項に記載の方法。
10. 請求項５から９のいずれか一項に記載の方法を実行するシステムであって、
    集束イオン・ビーム・システムと、
    電子顕微鏡と、
    試料を支持する試料ステージと
    を備えるシステム。