JP2016503890A - 荷電粒子ビームを用いた傾斜ミリングまたは視射角ミリング操作用の基準マーク設計 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 荷電粒子ビームを用いて試料を分析する方法であって、
試料の第1の表面に向かって荷電粒子ビームを導くこと、
前記試料の第2の表面を露出させるために前記第1の表面をミリングすることであり、イオン源から遠い方の前記第2の表面の端部が、イオン源に近い方の前記第1の表面の端部よりも、基準の深さに対してより深い深さまでミリングされること、
前記第2の表面の1つまたは複数の画像を形成するために、前記第2の表面に向かって前記荷電粒子ビームを導くこと、
前記電子ビームと前記第2の表面との間の相互作用を検出することによって、隣接する複数の関心の特徴部分の断面の画像を形成すること、
前記断面の前記画像を組み立てて、前記関心の特徴部分のうちの1つまたは複数の関心の特徴部分の3次元モデルにすること
を含む方法。 - 前記試料内において前記第2の表面よりも深い第3の表面を露出させるために前記第2の表面をミリングすること、
前記第3の表面の1つまたは複数の画像を形成するために、前記第3の表面に向かって前記荷電粒子ビームを導くこと、
前記電子ビームと前記第3の表面との間の相互作用を検出することによって、前記隣接する複数の関心の特徴部分の前記断面の画像を形成すること
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2の表面から形成された前記画像および前記第3の表面から形成された前記画像が、前記関心の特徴部分のうちの1つまたは複数の関心の特徴部分の3次元モデルを形成すると仮定する、請求項2に記載の方法。
- 前記ミリングが、イオン・ビームによって実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記画像が、電子ビームを用いて形成される、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法を実行するシステムであって、
集束イオン・ビーム・システムと、
電子顕微鏡と、
試料を支持する試料ステージと
を備えるシステム。 - 試料上に基準マークを形成する方法であって、
第1のミリング操作のために、第2の角度と実質的に直交する第1の角度で荷電粒子ビームが前記試料に導かれるように前記試料を配置すること、
前記荷電粒子ビームに対して実質的に平行な前記試料上の面をミリングするために、前記試料に荷電粒子ビームを導くこと、
前記荷電粒子ビームに対して実質的に平行な前記試料上の面をミリングすること、
前記試料の前記ミリングされた面に基準マークを形成すること、
第2のミリング操作のために、前記第2の角度で前記荷電粒子ビームが前記試料に導かれるように前記試料を配置し、前記第2の角度が、前記試料の表面に対して10度以下であること
を含む方法。 - 前記第2の角度が、前記試料の表面に対して5度以下である、請求項7に記載の方法。
- 前記第2の角度が、前記試料の表面に対して1度以下である、請求項7に記載の方法。
- 請求項7に記載の方法を実行するシステムであって、
集束イオン・ビーム・システムと、
電子顕微鏡と、
試料を支持する試料ステージと
を備えるシステム。 - 微小な3次元構造体を分析する方法であって、
加工物上の関心領域の位置を特定すること、
前記加工物に特定の角度でトレンチを切削することであって、前記トレンチが関心の特徴部分を露出させ、
前記トレンチの縁と前記関心の特徴部分の間の水平距離を決定すること、
前記特定の角度および前記水平距離から、前記加工物の表面の平面からの前記関心の特徴部分の深さを決定すること
をさらに含む方法。 - 前記トレンチの縁と前記関心の特徴部分の間の水平距離を決定することが、基準マークと前記関心の特徴部分の間の水平距離を決定すること、および前記基準マークと前記トレンチの縁の間の水平距離を決定することを含む、請求項11に記載の方法。
- 集束イオン・ビームを使用して、前記関心領域に隣接した位置に基準マークをミリングすることをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記基準マークが、前記加工物上の既存の特徴部分である、請求項12に記載の方法。
- 前記水平距離から決定された特定の深さにおいて前記加工物を処理することをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 請求項11に記載の方法を実行するシステムであって、
集束イオン・ビーム・システムと、
電子顕微鏡と、
試料を支持する試料ステージと
を備えるシステム。
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