JP2000097823A - マーキング方法、マーキングしたマークの除去方法、並びにマークを利用した加工方法及び被加工物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料をエッチング（あるいは破壊）しないで
マークを形成することが可能で、使用後に除去可能なマ
ークを形成することが可能で、且つ試料の表裏の両面か
ら容易に見えるマークを形成することが可能なマーキン
グ方法の提供。 【解決手段】 ガス雰囲気中において集束させたイオ
ンビームを試料上に照射することにより、試料上に形成
された堆積物をマークとして使用するマーキング方法、
このマーキング方法によって形成されたマーク上に、集
束させたイオンビームを照射することによって、該マー
クをエッチングして除去するマーキングしたマークの除
去方法、及びこのマーキング方法によってマークを形成
後、試料の表裏に微細加工を施すマークを利用した加工
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マーキング方法、
マーキングしたマークの除去方法、並びにマークを利用
した加工方法及び被加工物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年試料の一部（特に微小部）にマーキ
ングを行なうことが必要な場合が増えている。例えばデ
バイスは年々微細化しており、同一パターンの繰り返し
の中から目的箇所（例えば故障箇所など）を選択するこ
とは困難になっている。そのために目的箇所の選択を容
易にする方法の１つとして、デバイスの目的箇所の周囲
にマーキングを行ない、このマークを頼りにして目的箇
所を選択する方法が採られている。

【０００３】また例えば微細加工において試料の両面か
ら加工を行なう場合に、試料の表裏の位置合わせをする
ためにマーキングを行なうことも必要になってきてい
る。

【０００４】従来、試料上でマーキングを行なう方法と
しては、被マーク部にイオンビームあるいはレーザービ
ームを照射して、エッチング（あるいは破壊）すること
によりマーキングを行なう方法が採られていた。

【０００５】図１２にイオンビーム照射によるエッチン
グ加工によるマーキングに用いられる集束イオンビーム
加工装置の一構成例の該略図を示す。

【０００６】図１２中、１はイオン光学系で、イオン源
（不図示）で発生させたイオンをこのイオン光学系１で
集束してイオンビーム２とし、試料３の加工部４にイオ
ンビーム２を走査して試料３の加工部４をエッチング加
工するものである。また６は２次電子検出系であり、イ
オンビーム２の試料３への照射時に加工部４から発生す
る２次電子７を検出するものである。ここでイオンビー
ム２の各走査位置において２次電子検出系６で検出され
た信号を用いて走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）像を形成す
ることが可能であり、このＳＩＭ像を用いて試料３の観
察を行なったり、加工部４の位置を選択したりすること
ができる。なおこれらは通常、真空チャンバー（不図
示）内に配置されている。なお、２０は装置の制御系で
ある。

【０００７】図８にイオンビーム照射によるエッチング
加工によるマーキング方法の一例を示す。まず図１２の
装置を用いて、図８（ａ）に示すようにＳＩＭ像を参照
して試料３の目的箇所５０の周囲に被マーク部５を選択
する。次に図８（ｂ）に示すように試料３の被マーク部
５にイオンビーム２を走査する。すると図８（ｃ）に示
すように、被マーク部５は深さ方向にエッチングされて
エッチング孔１１が形成され、これをマークとして使用
することができる。

【０００８】一方、レーザービーム照射によるエッチン
グ加工によるマーキングに用いられるレーザービーム加
工装置は、光学顕微鏡により試料の加工部を選択し、こ
の位置にレーザービームを照射して試料の加工部をエッ
チング加工するという構成になっている。またレーザー
ビーム照射によるエッチング加工によるマーキング方法
は、光学顕微鏡像より試料の目的箇所の周囲に被マーク
部を選択し、この被マーク部にレーザービームを照射し
てエッチング部を形成してやり、これをマークとして使
用するものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の方法においては、マーキング時に試料をエッチン
グ（あるいは破壊）するので、目的箇所の周囲といえど
も試料の一部をエッチング（あるいは破壊）してしま
い、その後に追加の作業を行なおうとしたときに好まし
くない場合があった。

【００１０】また、かかる従来の方法においては、マー
キング時に試料をエッチング（あるいは破壊）するの
で、目的箇所の周囲ではなくて目的箇所そのものにイオ
ンビームあるいはレーザーを誤って照射してしまった場
合には、目的箇所をエッチング（あるいは破壊）してし
まうこととなり、作業のやり直しは不可能であった。

【００１１】また、かかる従来の方法においては、マー
キング時に試料をエッチング（あるいは破壊）するの
で、マーキングして必要な作業を行なった後にマークを
除去することは不可能であった。

【００１２】さらに、かかる従来の方法においては、マ
ーキング時に試料をエッチングするので、試料の表裏の
両面から見えるようなマーキングを行なうことは不可能
であった。

【００１３】本発明は、従来技術のかかる問題点に鑑
み、マーキング時に試料をエッチング（あるいは破壊）
しないマーキング方法を提供することを目的とする。

【００１４】また、従来の方法では困難であったマーク
の除去が可能なマーキング方法を提供することを目的と
する。

【００１５】また、従来の方法では困難であった、試料
の表裏から容易に見えるマークを形成することが可能な
マーキング方法を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。

【００１７】すなわち本発明の要旨とするところは、
（１） ガス雰囲気中において集束させたイオンビーム
を試料上に照射することにより、試料上に形成された堆
積物をマークとして使用することを特徴とするマーキン
グ方法、（２） 上記（１）のマーキング方法によって
形成されたマーク上に、集束させたイオンビームを照射
することによって、該マークをエッチングして除去する
ことを特徴とするマーキングしたマークの除去方法、
（３） 上記（１）のマーキング方法によってマークを
形成後、試料の表裏に微細加工を施すことを特徴とする
マークを利用した加工方法、（４） 上記（３）のマー
クを利用した加工が終了した後に、上記（２）のマーキ
ングしたマークの除去方法によってマークを除去するこ
とを特徴とするマークを利用した加工方法、（５） 上
記（３）又は（４）のマークを利用した加工方法におけ
る微細加工が集束イオンビーム加工であることを特徴と
するマークを利用した加工方法、（６） 上記（３）、
（４）又は（５）のマークを利用した加工方法を用いて
加工した被加工物、にある。

【００１８】本発明により、マーキング時に試料をエッ
チング（あるいは破壊）することなく、形成されたマー
クが除去可能で、且つ形成されたマークが試料の表裏か
ら容易に見えるマーキング方法が提供される。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。

【００２０】図１及び図2は、本発明のマーキング方
法、及びマーキングしたマークの除去方法の一実施態様
を示す概略見取り図である。

【００２１】ここで本発明は、その構成の概略を図３に
示す集束イオンビーム加工装置、すなわち堆積部形成用
ガス９を試料３の近傍に供給するガス供給系８が付加さ
れていること以外は図１２に示すものと同様な集束イオ
ンビーム加工装置を用いて実施する。

【００２２】まずマーキング方法について説明する。ま
ず図３の集束イオンビーム加工装置を用いて、図１
（ａ）に示すようにＳＩＭ像を参照して試料３の目的箇
所５０の周囲に被マーク部５を選択する。次に図１
（ｂ）に示すように、ガス供給系８より堆積物形成用ガ
ス９を試料３の近傍に供給している状態で、被マーク部
５にイオンビーム２を走査する。すると図１（ｃ）に示
すように被マーク部５に堆積物１０が形成されて、これ
をマークとして使用することができる。

【００２３】次にマーキングしたマーク除去方法につい
て説明する。まず図１（ｃ）に示すようにＳＩＭ像を参
照して試料３の被マーク部５、すなわち堆積物１０を選
択する。次に図２（ａ）に示すように試料３の堆積物１
０にイオンビーム２を走査する。すると図２（ｂ）に示
すように、堆積物１０は深さ方向にエッチングされて除
去される、すなわちマークが除去される。

【００２４】尚、本発明による堆積物形成用ガスとして
は、ピレンガス、フエナントレンガスのような炭化水素
ガスや、タングステンカルボニルやモリブデンカルボニ
ルのような金属カルボニルを蒸発させたガスなどが挙げ
られるが、イオンビーム照射による堆積物の形成に不都
合がなければ、特に制限されるものではない。

【００２５】尚、本発明によるマーク除去時のイオンビ
ームの照射方向としては、堆積物に対して垂直方向、水
平方向などが挙げられるが、イオンビーム照射による堆
積物の除去に不都合がなければ、特に制限されるもので
はない。

【００２６】更に、本発明による目的箇所と被マーク部
との位置関係としては、目的箇所と被マーク部が同一面
内にある場合や、目的箇所と被マーク部が互いに直交す
る場合などが挙げられるが、被マーク部に形成した堆積
物を用いての目的箇所の選択に不都合がなければ、特に
制限されるものではない。

【００２７】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例に依って限定され
るものではない。

【００２８】［実施例１］本実施例は、ＦＩＢ−ＴＥＭ
観察用試料作製のために本発明のマーキング方法を適用
したものであり、図１（斜めから見た概略見取り図）、
図４（上方から見た概略平面図）を用いて説明する。

【００２９】図３に示したのと同様な集束イオンビーム
加工装置を用いた。ここでイオンビームのイオン種はＧ
ａイオンであった。またイオンビームの加速電圧は３０
ｋＶであった。

【００３０】図１（ａ）に示すように、試料３としてＬ
ＳＩを用い、試料３の上面にある目的箇所５０の周囲に
被マーク部５を形成することにした。

【００３１】まず、図１（ａ）に示すように、ＳＩＭ像
を参照して試料３の目的箇所５０の周囲に被マーク部５
を選択した。ここで被マーク部のサイズは３０×３０μ
ｍ程度とした。次に図１（ｂ）に示すように、ガス供給
系８より堆積物形成用ガス９を試料３の近傍に供給して
いる状態で、被マーク部５にイオンビーム２を走査し
た。ここで、堆積物形成用ガス９として、蒸発させたタ
ングステンカルボニルを用いた。

【００３２】このイオンビームの走査を繰り返すと、図
１（ｃ）に示すように、被マーク部５に堆積物１０が形
成された。ここで堆積物１０のサイズは３０×３０×
０．５μｍ程度であった。この堆積物１０は光学顕微鏡
で観察可能であり、この堆積物１０を用いて目的箇所５
０の位置を容易に探すことが可能であった。すなわち、
マークとして使用することが可能であった。また図１
（ｃ）を上方からみると、図４（ａ）のようになる。

【００３３】次にこの堆積物１０をマークとして使用し
て、図４（ｂ）に示すように、目的箇所５０を含むよう
に試料をダイシングすることが可能であった。さらにこ
の堆積物１０をマークとして使用して、図４（ｃ）に示
すように、目的箇所５０を含むように集束イオンビーム
加工により薄片化を行ない、目的箇所５０の断面ＴＥＭ
観察用試料を作製することが可能であった。

【００３４】ところが、その後の調査によって被マーク
部５を断面ＴＥＭ観察する必要が生じた。ここで図４
（ｃ）に示すように、堆積物１０の下の被マーク部５は
破壊されていないので、図４（ｄ）に示すように、被マ
ーク部５を含むように集束イオンビーム加工により薄片
化を行ない、被マーク部の断面ＴＥＭ観察用試料を作製
することが可能であった。

【００３５】［比較例１］本比較例は、ＦＩＢ−ＴＥＭ
観察用試料作製のために従来の技術のマーキング方法を
適用したものであり、図８（斜めから見た概略見取り
図）、図９（上方から見た概略平面図）を用いて説明す
る。

【００３６】図１２に示したのと同様な構成の集束イオ
ンビーム加工装置を用いた。ここでイオンビームのイオ
ン種はＧａイオンであった。またイオンビームの加速電
圧は３０ｋＶであった。

【００３７】図８（ａ）に示すように、試料３としてＬ
ＳＩを用い、試料３の上面にある日的箇所５０の周囲に
被マーク部５を形成することにした。

【００３８】まず図８（ａ）に示すようにＳＩＭ像を参
照して試料３の目的箇所５０の周囲に被マーク部５を選
択した。ここで被マーク部のサイズは３０×３０μｍ程
度とした。次に図８（ｂ）に示すように試料３の被マー
ク部５にイオンビーム２を走査した。イオンビームの走
査を繰り返すと、図８（ｃ）に示すように、被マーク部
５は深さ方向にエッチングされてエッチング孔１１が形
成された。ここでエッチング孔１１のサイズは３０×３
０×０．５μｍ程度であった。このエッチング孔１１は
光学顕微鏡で観察可能であり、このエッチング孔１１を
用いて目的箇所５０の位置を探すことが可能であった。
すなわちマークとして使用することが可能であった。ま
た図８（ｃ）を上方からみると、図９（ａ）のようにな
る。

【００３９】次にこのエッチング孔１１をマークとして
使用して、図９（ｂ）に示すように、目的箇所５０を含
むように試料をダイシングすることが可能であった。さ
らにこのエッチング孔１１を使用して、図９（ｃ）に示
すように、目的箇所５０を含むように集束イオンビーム
加工により薄片化を行ない、目的箇所５０の断面ＴＥＭ
観察用試料を作製することが可能であった。

【００４０】ところが、その後の調査によって被マーク
部５を断面ＴＥＭ観察する必要が生じた。しかしながら
図９（ｃ）に示すように、被マーク部５は破壊されてエ
ッチング孔１１が形成されてしまっており、被マーク部
５の断面ＴＥＭ観察用試料を作製することは不可能であ
った。

【００４１】［実施例２］本実施例も、ＦＩＢ−ＴＥＭ
観察用試料作製のために本発明のマーキング方法を適用
したものであり、図１（斜めから見た概略見取り図）、
図４（上方から見た概略平面図）を用いて説明する。

【００４２】図３に示したのと同様な集束イオンビーム
加工装置を用いた。ここでイオンビームのイオン種はＧ
ａイオンであった。またイオンビームの加速電圧は３０
ｋＶであった。

【００４３】図１（ａ）に示すように、試料３としてＬ
ＳＩを用い、試料３の上面にある日的箇所５０の周囲に
被マーク部５を形成することにした。

【００４４】まず、図１（ａ）に示すように、ＳＩＭ像
を参照して試料３の目的箇所５０の周囲に被マーク部５
を選択した。ここで被マーク部のサイズは３０×３０μ
ｍ程度とした。次に図１（ｂ）に示すように、ガス供給
系８より堆積物形成用ガス９を試料３の近傍に供給して
いる状態で、被マーク部５にイオンビーム２を走査し
た。ここで、堆積物形成用ガス９として、蒸発させたタ
ングステンカルボニルを用いた。

【００４５】このイオンビームの走査を繰り返すと、図
１（ｃ）に示すように、被マーク部５に堆積物１０が形
成された。ここで堆積物１０のサイズは３０×３０×
０．５μｍ程度であった。この堆積物１０は光学顕微鏡
で観察可能であり、この堆積物１０を用いて目的箇所５
０の位置を容易に探すことが可能であった。すなわち、
マークとして使用することが可能であった。また図１
（ｃ）を上方からみると、図４（ａ）のようになる。

【００４６】次にこの堆積物１０をマークとして使用し
て、図４（ｂ）に示すように、目的箇所５０を含むよう
に試料をダイシングすることが可能であった。ところ
が、このとき目的箇所５０と被マーク部５とを取り違え
ており、本来ＴＥＭ観察すべき箇所は被マーク部５であ
ることが判明した。このとき堆積物１０の下の被マーク
部５は破壊されていないので、この堆積物１０をマーク
として使用して、図４（ｃ'）に示すように、被マーク
部５（本来の目的箇所）を含むように集束イオンビーム
加工により薄片化を行ない、被マーク部５（本来の目的
箇所）の断面ＴＥＭ観察用試料を作製することが可能で
あった。

【００４７】［比較例２］本比較例は、ＦＩＢ−ＴＥＭ
観察用試料作製のために従来の技術のマーキング方法を
適用したものであり、図８（斜めから見た概略見取り
図）、図９（上方から見た概略平面図）を用いて説明す
る。

【００４８】図１２に示したのと同様な構成の集束イオ
ンビーム加工装置を用いた。ここでイオンビームのイオ
ン種はＧａイオンであった。またイオンビームの加速電
圧は３０ｋＶであった。

【００４９】図８（ａ）に示すように、試料３としてＬ
ＳＩを用い、試料３の上面にある日的箇所５０の周囲に
被マーク部５を形成することにした。

【００５０】まず図８（ａ）に示すようにＳＩＭ像を参
照して試料３の目的箇所５０の周囲に被マーク部５を選
択した。ここで被マーク部のサイズは３０×３０μｍ程
度とした。次に図８（ｂ）に示すように試料３の被マー
ク部５にイオンビーム２を走査した。イオンビームの走
査を繰り返すと、図８（ｃ）に示すように、被マーク部
５は深さ方向にエッチングされてエッチング孔１１が形
成された。ここでエッチング孔１１のサイズは３０×３
０×０．５μｍ程度であった。このエッチング孔１１は
光学顕微鏡で観察可能であり、このエッチング孔１１を
用いて目的箇所５０の位置を探すことが可能であった。
すなわちマークとして使用することが可能であった。ま
た図８（ｃ）を上方からみると、図９（ａ）のようにな
る。

【００５１】ところが、このとき目的箇所５０と被マー
ク部５を取り違えており、本来ＴＥＭ観察すべき箇所は
被マーク部５であることが判明した。しかしながら図９
（ｃ）に示すように、被マーク部５は破壊されてエッチ
ング孔１１が形成されてしまっており、被マーク部５の
断面ＴＥＭ観察用試料を作製することは不可能であっ
た。

【００５２】［実施例３］本実施例は、試料の表裏の両
面から見えるようなマーキングを行ない、このマークを
利用して試料の表裏からエッチング加工を行ない、貰通
孔を形成するものであり、図５及び６（斜めから見た概
略見取り図）、図７（上方、表面、裏面から見た概略平
面図及び概略側面図）を用いて説明する。

【００５３】図３に示したのと同様な集束イオンビーム
加工装置を用いた。ここでイオンビームのイオン種はＧ
ａイオンであった。またイオンビームの加速電圧は３０
ｋＶであった。

【００５４】図５（ａ）に示すように、試料３として縦
１０００×横２５００×厚さ１００μｍのＳｉを用い、
目的箇所５１、５２は試料の縦×横面内にあり、試料３
の表面の目的箇所を５１、裏面の目的箇所を５２とし、
被マーク部５は試料の端面とした。

【００５５】まず、図５（ａ）に示すように、ＳＩＭ像
を参照して試料３の目的箇所５１、５２の周囲に被マー
ク部５を選択した。ここで被マーク部のサイズは５×５
μｍ程度とした。次に図５（ｂ）に示すように、ガス供
給系８より堆積物形成用ガス９を試料３の近傍に供給し
ている状態で、被マーク部５にイオンビーム２を走査し
た。ここで、堆積物形成用ガス９として、蒸発させたタ
ングステンカルボニルを用いた。

【００５６】このイオンビームの走査を繰り返すと、図
５（ｃ）に示すように、被マーク部５に堆積物１０が形
成された。ここで堆積物１０のサイズは５×５×１μｍ
程度であった。また図５（ｃ）を上方からみると、図７
（ａ）のようになる。

【００５７】次に図７（ｂ）に示すように、試料を９０
度回転して試料３の表側をＳＩＭ像で観察したところ、
この堆積物１０が観察可能であり、この堆積物１０を用
いて目的箇所５１の位置を容易に探すことが可能であっ
た。すなわち、マークとして使用することが可能であっ
た。

【００５８】次に図７（ｃ）に示すように、試料を裏返
して試料３の裏側をＳＩＭ像で観察したところ、この堆
積物１０が観察可能であり、この堆積物１０を用いて目
的箇所５２の位置を容易に探すことが可能であった。す
なわち、マークとして使用することが可能であった。し
たがって、この堆積物１０を試料の表裏の両側から観察
可能なマークとして使用することが可能であった。

【００５９】次にこの堆積物１０をマークとして使用し
て、表面の目的箇所５１の１０×１０μｍの領域にイオ
ンビームを走査して厚さの半分程度の深さまでエッチン
グを行なった。次にこの堆積物１０をマークとして使用
して、表面の目的箇所５１の１０×１０μｍの領域にイ
オンビームを走査してエッチングを行ない、図６（ａ）
に示すように貰通孔１２を形成した。この貫通孔１２は
表側と裏側の孔の位置ずれがほとんどない良好なもので
あった。

【００６０】次に貰通孔の形成後にはマークとして使用
した堆積物１０は不必要になったので、堆積物１０の除
去を行なった。まず、図６（ｂ）に示すように、試料３
の堆積物１０にイオンビーム２を走査した。すると、図
６（ｃ）に示すように、堆積物１０は深さ方向にエッチ
ングされて除去された。すなわちマークを除去すること
が可能であった。

【００６１】［比較例３］本比較例は、試料の表裏の両
面から見えるようなマーキングを行ない、このマークを
利用して試料の表裏からエッチング加工を行ない、賞通
孔を形成するものであり、図１０（斜めから見た概略見
取り図）、図１１（上方、表面、裏面から見た概略平面
図及び概略側面図）を用いて説明する。

【００６２】図１２に示したのと同様な構成の集束イオ
ンビーム加工装置を用いた。ここでイオンビームのイオ
ン種はＧａイオンであった。またイオンビームの加速電
圧は３０ｋＶであった。

【００６３】図１０（ａ）に示すように、試料３として
縦１０００×横２５００×厚さ１００μｍのＳｉを用
い、目的箇所５１、５２は試料の縦×横面内にあり、試
料３の表面の目的箇所を５１、裏面の目的箇所を５２と
し、被マーク部５は試料の端面とした。

【００６４】まず、図１０（ａ）に示すように、ＳＩＭ
像を参照して試料３の目的箇所５１、５２の周囲に被マ
ーク部５を選択した。ここで被マーク部のサイズは５×
５μｍ程度とした。次に図１０（ｂ）に示すように、試
料３の被マーク部５にイオンビーム２を走査した。イオ
ンビームの走査を繰り返すと、図１０（ｃ）に示すよう
に、被マーク部５は深さ方向にエッチングされてエッチ
ング孔１１が形成された。ここでエッチング孔１１のサ
イズは５×５×１μｍ程度であった。また図１０（ｃ）
を上方からみると、図１１（ａ）のようになる。

【００６５】次に図１１（ｂ）に示すように、試料を９
０度回転して試料３の表側をＳＩＭ像で観察したとこ
ろ、このエッチング孔１１は観察が困難であり、このエ
ッチング孔１１を用いて目的箇所５１の位置を探すこと
が困難であった。すなわち、マークとして使用すること
が困難であった。

【００６６】次に図１１（ｃ）に示すように、試料を裏
返して試料３の裏側をＳＩＭ像で観察したところ、この
エッチング孔１１が観察が困難であり、このエッチング
孔１１を用いて目的箇所５２の位置を探すことが困難で
あった。すなわち、マークとして使用することが不可能
であった。

【００６７】したがって、このエッチング孔１１を試料
の表裏の両側から観察可能なマークとして使用すること
が困難であった。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、上記のように構成した
ことにより、試料をエッチング（あるいは破壊）しない
でマークを形成することが可能であり、また、使用後に
除去可能なマークを形成することが可能であり、更に、
試料の表裏の両面から容易に見えるマークを形成するこ
とが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のマーキング方法の一実施態様を示す概
略見取り図である。

【図２】本発明のマーキングしたマークの除去方法の一
実施態様を示す概略見取り図である。

【図３】本発明で使用する集束イオンビーム加工装置の
一構成例の概略を示す図面である。

【図４】本発明のマーキング方法を断面ＴＥＭ観察用試
料作製に適用した実施例を上方か見た概略平面図であ
る。

【図５】本発明のマーキング方法を試料の表裏からのエ
ッチング加工に適用した実施例の概略（マークの形成ま
で）を示す斜めから見た概略見取り図である。

【図６】本発明のマーキング方法及びマーク除去方法を
試料の表裏からのエッチング加工に適用した実施例の概
略（マークを利用してのエッチング加工、及びマークの
除去工程）を示す斜めから見た概略見取り図である。

【図７】本発明のマーキング方法を試料の表裏からのエ
ッチング加工に適用した実施例を上方、表面、及び裏面
から見た概略平面図及び概略側面図である。

【図８】従来のマーキング方法を示す斜めから見た概略
見取り図である。

【図９】従来のマーキング方法を断面ＴＥＭ観察用試料
作製に適用した例を上方から見た概略平面図である。

【図１０】従来のマーキング方法を試料の表裏からのエ
ッチング加工に適用した例の概略を示す斜めから見た概
略見取り図である。

【図１１】従来のマーキング方法を試料の表裏からのエ
ッチング加工に適用した例を上方、表面、及び裏面から
見た概略平面図及び概略側面図である。

【図１２】従来のマーキング方法で使用する集束イオン
ビーム加工装置の一構成例の概略を示す図面である。

【符号の説明】

１ イオン光学系 ２ イオンビーム ３ 試料 ４ 加工部 ５ 被マーク部 ６ ２次電子検出系 ７ ２次電子 ８ ガス供給系 ９ 堆積物形成用ガス １０ 堆積物 １１ エッチング孔 １２ 貰通孔 ２０ 装置の制御系 ５０、５１、５２ 目的箇所

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０１Ｎ 23/225 Ｇ０１Ｎ 23/225 1/28 Ｆ Ｇ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガス雰囲気中において集束させたイオン
   ビームを試料上に照射することにより、試料上に形成さ
   れた堆積物をマークとして使用することを特徴とするマ
   ーキング方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のマーキング方法によっ
   て形成されたマーク上に、集束させたイオンビームを照
   射することによって、該マークをエッチングして除去す
   ることを特徴とするマーキングしたマークの除去方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のマーキング方法によっ
   てマークを形成後、試料の表裏に微細加工を施すことを
   特徴とするマークを利用した加工方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載のマークを利用した加工
   が終了した後に、請求項２に記載のマーキングしたマー
   クの除去方法によってマークを除去することを特徴とす
   るマークを利用した加工方法。
5. 【請求項５】 請求項３又は４に記載のマークを利用し
   た加工方法における微細加工が集束イオンビーム加工で
   あることを特徴とするマークを利用した加工方法。
6. 【請求項６】 請求項３、４又は５に記載のマークを利
   用した加工方法を用いて加工した被加工物。