JP4564760B2 - 物体運搬方法、物体運搬装置 - Google Patents
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Description
本発明の物体運搬方法及び装置は、物体のピックアップ、物体の運搬、物体のリフトオフを確実に行なえるものとして広い範囲で利用可能であり、特にサイズの小さい物体の運搬に係わるものである。
物体を運搬する技術は、古くから機械製品の組み立て時などに使用されており、工学的な製造物を作製する上での必須技術の１つとなっている。さらに近年はＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）やＮＥＭＳ（Ｎａｎｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）技術の進展に伴ない、サイズの小さい物体を運搬する技術が注目を集めつつある。すなわちＭＥＭＳあるいはＮＥＭＳ技術においては、ｍｍ、μｍあるいはｎｍオーダーのサイズの小さい物体に、μｍあるいはｎｍオーダーの微細加工などを行ない、新規デバイスなどを作製することを目指しているが、このときにｍｍ、μｍあるいはｎｍオーダーのサイズの小さい物体を運搬する技術が必須技術の１つとなっている。
またサイズの小さい物体を運搬するにあたっては、各種顕微鏡（光学顕微鏡、電子顕微鏡、イオン顕微鏡、プローブ顕微鏡、超音波顕微鏡など）下において被運搬物体を観察しながらの物体のピックアップ工程、物体の運搬工程、物体のリフトオフ工程を少なくとも有する方法を用いて行なった方がより確実に作業を行なうことができる。
従来のサイズの小さい物体を運搬する技術としては、（１）静電気力を用いたマニュピレーション技術（２）ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、集束イオンビーム）を用いたマニュピレーション技術などが挙げられる。
（１）においては、被運搬物体に絶縁体部を有する物体搬送手段を近づけて静電気力により吸着させて被運搬物体をピックアップし、被運搬物体を物体運搬手段を用いて運搬した後に、物体搬送手段を除電するなどして静電気力による吸着力を減少させることなどにより被運搬物体のリフトオフを行なう。
例えば特許文献１では、ＦＩＢにより作製したＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、透過電子顕微鏡）観察用試料薄片を、絶縁体棒からなるマイクロピペットを使って半導体基板上から取り出した後にＴＥＭ用観察メッシュ上に落とす技術が提案されている。
（２）においては、被運搬物体に物体搬送手段を近づけてから堆積物形成用ガス中でＦＩＢを所望の個所に照射して接着するための堆積物を形成してから被運搬物体をピックアップし、被運搬物体を物体運搬手段を用いて運搬した後に、ＦＩＢを所望の個所に照射してエッチングすることにより、被運搬物体のリフトオフを行なう。
例えば特許文献２では、ＴＥＭ観察用試料作製の一工程として、固定用デポ工程によりＴＥＭ観察用試料をプローブに固定してから摘出した後に、固定用デポ工程によりＴＥＭ観察用試料をＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュに固定してからプローブを切断する技術が提案されている。
特開２００１−２７２３１６公報
特開平１１−２５８１３０号公報
しかしながら従来の物体運搬技術のうち（１）静電気力を用いたマニュピレーション技術においては、被運搬物体に物体搬送手段を近づけて静電気力により吸着させる時に、いつも物体搬送手段の特定位置に特定の方向で被運搬物体を吸着させることが困難であるために、被運搬物体を所望の状態（位置、方向など）でリフトオフすることの確実性があまり高くなかった。さらに被運搬物体のリフトオフ時において物体搬送手段の除電などが充分に行なわれないことなどにより、静電気力による吸着力を充分に減少させることができないために、被運搬物体が物体搬送手段にくっついたままになってしまい、被運搬物体のリフトオフが不可能になる場合もあった。
また従来の物体運搬技術のうち（２）ＦＩＢを用いたマニュピレーション技術においては、接着するための堆積物を使用しているので、被運搬物体のピックアップ及びリフトオフを、（１）静電気力を用いたマニュピレーション技術に比べて、より確実に行なうことが可能であるが、以下のような課題があった。
この方法は、ＴＥＭ観察用試料のサンプリングのように、被運搬物がＦＩＢ照射によるダメージを受けたり、被運搬物に運搬手段の一部が残ったりしても、本来の目的であるＴＥＭ観察を行なう上で問題にならない場合には、それはそれで支障を生じない。
しかしながら、被運搬物が微細な部品である場合などには、このようなダメージや残存物の存在は大きな問題になる場合が少なくなかった。
またこの方法では、運搬作業毎に運搬手段の一部を失っていくので、被運搬物の運搬を何度か繰り返すうちに運搬手段の再加工や交換する必要が生じてしまうという問題もあった。
本発明者は、上記の目的を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完成した。
本発明は第１に、被運搬物体を運搬手段に付与する工程と、
前記運搬手段を用いて被運搬物体を所定の位置まで運搬する工程と、
前記運搬手段から前記被運搬物体を離す工程と
を有する物体運搬方法であって、
前記被運搬物体を前記運搬手段に付与する工程が、前記被運搬物体と前記運搬手段を近づけた状態で、ピレンガス中で電子ビーム又はイオンビームを付与されるべき箇所に照射して、主要な成分としてカーボンを含んでいる堆積物を形成する工程を含むものであり、
前記運搬手段から前記運搬物体を離す工程が、Ｈ ２ Ｏガス中で、イオンビームを前記堆積物のある箇所に照射して、前記堆積物を選択的にエッチングする工程を含むものである
ことを特徴とする物体運搬方法に関する。
前記運搬手段を用いて被運搬物体を所定の位置まで運搬する工程と、
前記運搬手段から前記被運搬物体を離す工程と
を有する物体運搬方法であって、
前記被運搬物体を前記運搬手段に付与する工程が、前記被運搬物体と前記運搬手段を近づけた状態で、ピレンガス中で電子ビーム又はイオンビームを付与されるべき箇所に照射して、主要な成分としてカーボンを含んでいる堆積物を形成する工程を含むものであり、
前記運搬手段から前記運搬物体を離す工程が、Ｈ ２ Ｏガス中で、イオンビームを前記堆積物のある箇所に照射して、前記堆積物を選択的にエッチングする工程を含むものである
ことを特徴とする物体運搬方法に関する。
また、本発明は、被運搬物体を運搬手段に付与する手段と、運搬手段と、前記運搬手段から前記被運搬物体を離す手段を少なくとも有する物体運搬装置であって、
前記被運搬物体を運搬手段に付与する手段は、被運搬物体と運搬手段を近づけた状態に保持する手段と、ピレンガス中で電子ビーム又はイオンビームを付与されるべき箇所に照射して、主要な成分としてカーボンを含んでいる堆積物を堆積させる手段とを含み、
前記運搬手段から前記被運搬物体を離す手段は、Ｈ ２ Ｏ中で、イオンビームを前記堆積物のある箇所に照射して、前記堆積物を選択的にエッチングする手段を有することを特徴とする物体運搬装置に関する。
前記被運搬物体を運搬手段に付与する手段は、被運搬物体と運搬手段を近づけた状態に保持する手段と、ピレンガス中で電子ビーム又はイオンビームを付与されるべき箇所に照射して、主要な成分としてカーボンを含んでいる堆積物を堆積させる手段とを含み、
前記運搬手段から前記被運搬物体を離す手段は、Ｈ ２ Ｏ中で、イオンビームを前記堆積物のある箇所に照射して、前記堆積物を選択的にエッチングする手段を有することを特徴とする物体運搬装置に関する。
（作用）
本発明の物体運搬方法及び装置は、接着するための堆積物を使用しているので、被運搬物体のピックアップ及びリフトオフを、より確実に行なうことが可能である。
本発明の物体運搬方法及び装置は、接着するための堆積物を使用しているので、被運搬物体のピックアップ及びリフトオフを、より確実に行なうことが可能である。
また本発明の物体運搬方法及び装置は、接着するための堆積物を選択的にエッチングすることができるので、リフトオフ時における被運搬物のダメージの発生を抑制したり、リフトオフ後に被運搬物に運搬手段の一部が残ることを抑制することができる。
さらに本発明の物体運搬方法及び装置は、接着するための堆積物を選択的にエッチングすることができるので、運搬作業毎に運搬手段の一部を失っていくことを抑制できるので、被運搬物の運搬を何度か繰り返すうちに運搬手段の再加工や交換する必要性も抑制することができる。
以上説明したように、本発明には以下のような効果がある。
（１）接着するための堆積物を使用しているので、被運搬物体のピックアップ及びリフトオフを、より確実に行なうことが可能である。
（２）接着するための堆積物を選択的にエッチングすることができるので、リフトオフ時における被運搬物のダメージの発生を抑制したり、リフトオフ後に被運搬物に運搬手段の一部が残ることを抑制することができる。
（３）接着するための堆積物を選択的にエッチングすることができるので、運搬作業毎に運搬手段の一部を失っていくことを抑制できるので、被運搬物の運搬を何度か繰り返すうちに運搬手段の再加工や交換する必要性も抑制することができる。
（１）接着するための堆積物を使用しているので、被運搬物体のピックアップ及びリフトオフを、より確実に行なうことが可能である。
（２）接着するための堆積物を選択的にエッチングすることができるので、リフトオフ時における被運搬物のダメージの発生を抑制したり、リフトオフ後に被運搬物に運搬手段の一部が残ることを抑制することができる。
（３）接着するための堆積物を選択的にエッチングすることができるので、運搬作業毎に運搬手段の一部を失っていくことを抑制できるので、被運搬物の運搬を何度か繰り返すうちに運搬手段の再加工や交換する必要性も抑制することができる。
（実施態様）
以下、図１〜図３を用いて、本発明の物体運搬方法の実施態様の一例について説明する。図１から図３の順に追って説明する。以下の工程ａ）〜ｃ）は、それぞれ図１、図２および図３に対応する。
以下、図１〜図３を用いて、本発明の物体運搬方法の実施態様の一例について説明する。図１から図３の順に追って説明する。以下の工程ａ）〜ｃ）は、それぞれ図１、図２および図３に対応する。
なお図１から図３において、１は第一の粒子線、２は第二の粒子線、３は被運搬物体、４は基材Ｉ、５は基材ＩＩ、６は接着するための堆積物、７は運搬手段、８は運搬手段の物体取り付け箇所、９は第一のガス（堆積物形成用ガス）、１０は第二のガス（ガスアシストエッチング用ガス）である。
本実施態様では、被運搬物体を基材Ｉの位置Ｉから基材ＩＩの位置ＩＩへ運搬手段を用いて運搬することについて説明する。ここで基材Ｉと基材ＩＩは同一物でも、同一物でなくても、どちらでも構わない。また基材Ｉと基材ＩＩは同一物の場合には、位置Ｉと位置ＩＩは異なっている方が一般的であるが、位置Ｉと位置ＩＩがほぼ同じ位置でも構わない。後者の場合としては、運搬の前後で被運搬物の相対的位置（向きなど）が異なっている場合などが挙げられる。
また本発明の物体運搬方法の工程ａ）〜ｃ）のいずれかのうちのいくつかあるいはすべてにおいて、物体及び／あるいは基材及び／あるいは運搬手段の状態などを観察する工程を少なくとも有する方が、物体運搬工程を円滑に確実に行なう上で望ましいことが多い。
ａ）被運搬物体を運搬手段に付与する工程
基材Ｉ４の位置Ｉにある被運搬物体３に運搬手段７を近づけ、次に両者を近づけた状態で、堆積物形成用ガス９中で第一の粒子線１を所望の個所に照射して被運搬物体３と運搬手段７を接着するための堆積物６を形成する。
基材Ｉ４の位置Ｉにある被運搬物体３に運搬手段７を近づけ、次に両者を近づけた状態で、堆積物形成用ガス９中で第一の粒子線１を所望の個所に照射して被運搬物体３と運搬手段７を接着するための堆積物６を形成する。
本発明の被運搬物体の形状としては、直方体状、球状、円柱状、らせん状、歯車状など任意の形状のものが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。また本発明の被運搬物体の表面形状としては、平滑なものに限らず、曲面を有するもの、表面にある程度の凹凸や段差を有するものなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の被運搬物体の材質としては、金属、セラミック、有機物など任意の材質のものが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。また上記の被運搬物体の材質は単一のものでも、複数以上の材質を組み合わせたものでも、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の被運搬物体と基材との（運搬前の）固定状態としては、被運搬物体が基材とは固定されていないもの、被運搬物体が基材と固定されているもの、被運搬物体が基材の一部を加工して形成したものなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。このうち被運搬物体が基材の一部を加工して形成されたものとしては、前記ＴＥＭ観察用試料なども含まれる。さらに被運搬物体が基材の一部を加工して形成されたものとしては、基材の一部を形成する、密着性の低い膜状物質あるいは、剥離層を有する膜状物質を加工して形成されたものなども含まれる。ここで被運搬物体を形成するために基材の一部を加工する方法としては、フォトリソグラフィーによる加工方法、電子線リソグラフィーによる加工方法、ＦＩＢ照射による加工方法などが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。このうちＦＩＢ照射による加工方法を用いる場合には、被運搬物体の形成、運搬、組み立てなどの一連の製造工程を、同一装置内で行なうことも可能になる。さらに被運搬物体が基材と固定されているもの、被運搬物体が基材の一部を加工して形成したものなどの場合には被運搬物体の運搬を可能ならしめるために、被運搬物体を運搬手段に付与する工程の後（あるいは前）に、被運搬物体を基材から離す工程を行なう必要が生じる場合がある。このときの被運搬物体を基材から離す工程としては、被運搬物体と基材との固定部に粒子線を照射してエッチングすることにより被運搬物体を基材から離すこと、運搬手段に力を加えて被運搬物体を基材から離すこと、あるいはそれらを組み合わせたものなどが挙げられるが、被運搬物体の運搬などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。このうち被運搬物体が、基材の一部を形成する、剥離層を有する膜状物質を加工して形成したものである場合には、運搬手段に力を加えて被運搬物体を基材から離すことを行なったときに、剥離層が基材側に残る場合、剥離層が被運搬物体側に残る場合、剥離層の一部が基材側に一部が被運搬物体側に残る場合が起こりうるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の運搬手段としては、堆積物を形成することにより被運搬物体を付与する個所（物体取り付け個所）と、運搬するための駆動機構を少なくとも有するものなどが挙げられるが、被運搬物体の運搬、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の運搬手段の材質としては、金属、セラミック、有機材料など任意の材質のものが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。また上記の運搬手段の材質は単一のものでも、複数以上の材質を組み合わせたものでも、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。ただし堆積物のガスアシスト選択エッチングにおいて、選択エッチングされにくい材質を、運搬手段の物体取り付け個所の近傍に選択していることが望ましい。例えば、堆積物の主要な成分と、運搬手段の物体取り付け個所の近傍の主要な成分が同じではない方が望ましい。
本発明の堆積物形成用ガスのガス種としては、有機金属（例えば、Ｗ（ＣＯ）６、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｃ５Ｈ５Ｐｔ（ＣＨ３）３、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２など）、有機化合物（ピレン、スチレン、フェナントレンなど）、シラン化合物（ＴＥＯＳ、ＴＭＣＴＳなど）、金属フッ化物（ＷＦ６など）などが挙げられるが、堆積物の形成などに不都合がなければ、特に制限されるものではない。またこれらの堆積物形成用ガスは単独で用いても、他のガスと混合して用いても良く、堆積物の形成などに不都合がなければ、特に制限されるものではない。例えば、ＴＥＯＳ、ＴＭＣＴＳなどはＯ２、Ｏ３などと混合して用いることが多い。
ｂ）運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する工程
運搬手段７を用いて基材Ｉ４の位置Ｉから基材ＩＩ５の位置ＩＩへ被運搬物体３を運搬する。
運搬手段７を用いて基材Ｉ４の位置Ｉから基材ＩＩ５の位置ＩＩへ被運搬物体３を運搬する。
運搬とは物を運び移すことであるが、ここでは運搬する工程を、被運搬物体の付いた運搬手段をピックアップした後に被運搬手段を移動するということで説明する。
本発明の運搬する工程の方法としては、被運搬物体の付いた運搬手段をピックアップした後に運搬手段を移動させる方法、被運搬物体の付いた運搬手段をピックアップした後に基材を移動させる方法、被運搬物体の付いた運搬手段をピックアップした後に基材を交換する方法、あるいはこれらを組み合わせた方法などが挙げられるが、被運搬物体の運搬などに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
本発明の運搬手段の運動の種類としては、Ｘ方向の並進運動、Ｙ方向の並進運動、Ｚ方向の並進運動、ある軸の周りの回転運動、あるいはそれらを組み合わせたものなどの任意の運動が挙げられるが挙げられるが、被運搬物体の運搬などに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
ｃ）運搬手段から被運搬物体を離す工程
基材ＩＩ５の位置ＩＩにある被運搬物体３の所望の個所に、ガスアシストエッチング用ガス１０中で、第二の粒子線２を照射して前記接着するための堆積物６を選択的にエッチングすることにより、運搬手段７から被運搬物体３をリフトオフする。
基材ＩＩ５の位置ＩＩにある被運搬物体３の所望の個所に、ガスアシストエッチング用ガス１０中で、第二の粒子線２を照射して前記接着するための堆積物６を選択的にエッチングすることにより、運搬手段７から被運搬物体３をリフトオフする。
本発明の被運搬物体と基材との（運搬後の）固定状態としては、被運搬物体が基材とは完全に固定されていないもの、被運搬物体が基材とは完全に固定されているもの、被運搬物体が基材に拘束されているがその拘束範囲内では動くことが可能なものなどが挙げられるが、選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明のガスアシストエッチング用ガスのガス種としては、ハロゲン系ガス（例えば、ＸｅＦ２、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｉ２，Ｂｒ２など）やＨ２Ｏなどが挙げられるが、堆積物の選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。またこれらのガスアシストエッチング用ガスは単独で用いても、他のガスと混合して用いても良く、堆積物の選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
また本発明の堆積物形成用ガスとガスアシストエッチング用ガスの選択とこのときの堆積物の主要な成分の組み合わせとしては、例えば（１）堆積物形成用ガスのガス種としてピレン、ガスアシストエッチング用ガスのガス種としてＨ２Ｏの組み合わせのときの堆積物の主要な成分としてのカーボン、（２）堆積物形成用ガスのガス種としてＷ（ＣＯ）６、ガスアシストエッチング用ガスのガス種としてＸｅＦ２の組み合わせのときの堆積物の主要な成分としてのタングステン、（３）堆積物形成用ガスのガス種としてＴＭＣＴＳ（＋Ｏ２）、ガスアシストエッチング用ガスのガス種としてＸｅＦ２の組み合わせのときの堆積物の主要な成分としての酸化シリコンなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
以上において本発明では、堆積物形成時に第一の粒子線を、ガスアシストエッチング時に第二の粒子線を、観察時に第三の粒子線を照射するが、ここで第一の粒子線、第二の粒子線および第三の粒子線すべてが同一のものでも、２つが同一で１つが異なるものでも、すべてが異なるものでも良く、堆積物の形成、選択エッチング及び観察などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
またそれに伴ない、第一の粒子線、第二の粒子線および第三の粒子線の照射のための粒子線照射系はすべてが同一のものでも、２つが同一で１つが異なるものでも、すべてが異なるものでも良く、堆積物の形成、選択エッチング及び観察などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
さらに第一の粒子線、第二の粒子線および第三の粒子線の照射のための粒子線照射系は、単一のものでも、複数個以上のものでも良く、堆積物の形成、選択エッチング及び観察などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の粒子線の照射方法としては、絞ったビームを所望の領域で走査しながら照射する方法、ある程度の広がったビームを所望の領域に照射する方法、あるいはそれらを組み合わせた方法などが挙げられるが、堆積物の形成、選択エッチング及び観察などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の粒子線としては、イオンビーム、電子ビーム、光子ビームなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。また上記の粒子線は単独のものとして用いても、複数以上を組み合わせたものとしても用いても、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。さらに複数以上の粒子線を組み合わせて用いる場合において、粒子線を同時に用いても、粒子線を順番に用いても、これらを組み合わせても、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
次に本発明の粒子線がイオンビームである場合における、イオンビームのイオン種としては、液体金属イオン源である、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｓ、Ｎｂ、Ｃｕなどや、電界電離ガスイオン源であるＯ、Ｎ、Ｈ、Ｈｅ、Ａｒなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。ただし実際には扱いやすさなどの理由から、イオンビームのイオン種としてＧａを使用することが多い。
また本発明の粒子線が電子ビームである場合における、電子の形成方法としては、熱電子放出によるもの、電界放出によるもの、トンネル電子放出によるもの、光電子放出によるものなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
さらに本発明の粒子線が光子ビームである場合における、光子ビームの光子の種類としては、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線などが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。また実際には扱いやすさなどの理由から、レーザービームを使用することが多い。
次に、図４から図６を用いて、本発明の物体運搬装置の実施態様の一例について説明する。以下のａ）〜ｃ）の説明は、図４から図６に対応する。
本発明の物体運搬装置は、ａ）被運搬物体を運搬手段に付与する手段と、ｂ）被運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する機能と、ｃ）運搬手段から被運搬物体を離す手段を少なくとも有する構成となっている。
また本発明の物体運搬装置は、第三の粒子線によって被運搬物体及び／あるいは基材及び／あるいは運搬手段の状態を観察する手段を少なくとも有する構成となっている方が、物体運搬工程を円滑に確実に行なう上で望ましいことが多い。
なお本実施態様では、以下では特に明示（説明、図示など）はしない場合があるが、第三の粒子線を照射して発生する信号を検出することにより、被運搬物体、基材、運搬手段、堆積物の状態などを観察する手段を使用する工程も適宜含んでいるものとする。
なお図４〜図６において、５１は第一の粒子線の照射系、５２は第二の粒子線の照射系、５３は第一の粒子線を照射したときに発生する信号の検出系、５４は第二の粒子線を照射したときに発生する信号の検出系、５５は第一の粒子線、５６は第二の粒子線、５７は被運搬物体、５８は基材Ｉ、５９は基材ＩＩ、６０は接着するための堆積物、６１は試料ステージ、６２は運搬手段、６３は運搬手段の物体取り付け箇所、６４は運搬手段の駆動部、６５は堆積物形成用ガス導入系、６６はガスアシストエッチング用ガス導入系、６７は堆積物形成用ガス、６８はガスアシストエッチング用ガス、６９は制御系、７０は観察表示系である。なお以上のものは必要に応じて真空容器（不図示）内に配置されており、真空排気系（不図示）により真空排気されている。さらに制御系６９は、第一の粒子線の照射系５１、第二の粒子線の照射系５２、第一の粒子線を照射したときに発生する信号の検出系５３、第二の粒子線を照射したときに発生する信号の検出系５４、試料ステージ６１、運搬手段６２、運搬手段の駆動部６４、堆積物形成用ガス導入系６５、ガスアシストエッチング用ガス導入系６６、観察表示系７０、真空制御系（不図示）などと信号をやりとりすることにより、物体運搬装置の制御、運転などを行なっている。
ここで照射系５１を制御することにより、第一の粒子線５５を照射し、また照射したときに発生する信号の検出系５３を用いることにより、観察表示系７０において第一の粒子線５５の照射位置の確認などを行なうことができる。同様に照射系５２を制御することにより、第二の粒子線５６を照射し、また照射したときに発生する信号の検出系５４を用いることにより、観察表示系７０において第二の粒子線５６の照射位置の確認などを行なうことができる。
また試料ステージ６１は、被運搬物体５７、基材Ｉ５８、基材ＩＩ５９などをのせており、試料ステージ６１を制御することにより、試料ステージ６１、と同時に被運搬物体５７、基材Ｉ５８、基材ＩＩ５９などの移動などが行なわれる。
さらに運搬手段６２は、運搬手段の物体取り付け箇所６３と運搬手段の駆動部６４を少なくとも有し、運搬手段の駆動部６４を制御することにより運搬などが行なわれる。
また堆積物形成用ガス導入系６５を制御することにより、堆積物形成用ガス６７の導入などが行なわれる。さらに堆積物形成用ガス６７の導入中に、第一の粒子線３５を所望の位置に照射することにより、所望の位置に堆積物６０を形成することができる（図４）。
同様にガスアシストエッチング用ガス導入系６６を制御することにより、ガスアシストエッチング用ガス６８の導入などが行なわれる。さらにガスアシストエッチング用ガス６８の導入中に、第二の粒子線５６を所望の位置（前記堆積物６０が形成されている位置）に照射することにより、所望の位置ある前記堆積物６０を選択的にエッチングすることができる（図６）。
以下では、ａ）被運搬物体を運搬手段に付与する手段、ｂ）被運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する機能、ｃ）運搬手段から被運搬物体を離す手段について、順番に説明していく。
ａ）被運搬物体を運搬手段に付与する手段
ここで被運搬物体を運搬手段に付与する手段は、被運搬物体と運搬手段を近づけた状態で、堆積物形成用ガス中で第一の粒子線を所望の個所に照射して被運搬物体と運搬手段を接着するための堆積物を形成する手段を含んでいる。
ここで被運搬物体を運搬手段に付与する手段は、被運搬物体と運搬手段を近づけた状態で、堆積物形成用ガス中で第一の粒子線を所望の個所に照射して被運搬物体と運搬手段を接着するための堆積物を形成する手段を含んでいる。
図４を用いてより詳しく説明すると、試料ステージ６１上に基材Ｉ５８、被運搬物体５７が保持されており、基材Ｉ５８の位置Ｉにある被運搬物体５７に運搬手段６２を近づけた状態になるように運搬手段の駆動部６４を制御した後に、堆積物形成用ガス導入系６５を制御して堆積物形成用ガス６７を導入した状態で、照射系５１を制御して、第一の粒子線５５を所望の個所（被運搬物体５７と一部と運搬手段の物体取り付け箇所５３の近傍）に照射して被運搬物体５７と運搬手段６２を接着するための堆積物６０を形成する。
本発明の被運搬物体の形状としては、直方体状、球状、円柱状、らせん状、歯車状など任意の形状のものが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。また本発明の被運搬物体の表面形状としては、平滑なものに限らず、曲面を有するもの、表面にある程度の凹凸や段差を有するものなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の被運搬物体の材質としては、金属、セラミック、有機物など任意の材質のものが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。また上記の被運搬物体の材質は単一のものでも、複数以上の材質を組み合わせたものでも、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の被運搬物体と基材との（運搬前の）固定状態としては、被運搬物体が基材とは固定されていないもの、被運搬物体が基材と固定されているもの、被運搬物体が基材の一部を加工して形成したものなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。このうち被運搬物体が基材の一部を加工して形成されたものとしては、ＴＥＭ観察用試料なども含まれる。さらに被運搬物体が基材と固定されているもの、被運搬物体が基材の一部を加工して形成したものなどの場合には被運搬物体の運搬を可能ならしめるために、被運搬物体を運搬手段に付与する工程の後（あるいは前）に、被運搬物体を基材から離す工程を行なう必要が生じる場合がある。このときの被運搬物体を基材から離す工程としては、被運搬物体と基材との固定部に粒子線を照射してエッチングすることにより被運搬物体を基材から離すこと、運搬手段に力を加えて被運搬物体を基材から離すこと、あるいはそれらを組み合わせたものなどが挙げられるが、被運搬物体の運搬などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の運搬手段としては、堆積物を形成することにより被運搬物体を付与する個所（物体取り付け個所）と、運搬するための駆動機構を少なくとも有するものなどが挙げられるが、被運搬物体の運搬、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の運搬手段の材質としては、金属、セラミック、有機材料など任意の材質のものが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。また上記の運搬手段の材質は単一のものでも、複数以上の材質を組み合わせたものでも、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。ただし堆積物のガスアシスト選択エッチングにおいて、選択エッチングされにくい材質を、運搬手段の物体取り付け個所の近傍に選択していることが望ましい。例えば、堆積物の主要な成分と、運搬手段の物体取り付け個所の近傍の主要な成分が同じではない方が望ましい。
本発明の堆積物形成用ガスのガス種としては、有機金属（例えば、Ｗ（ＣＯ）６、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｃ５Ｈ５Ｐｔ（ＣＨ３）３、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２など）、有機化合物（ピレン、スチレン、フェナントレンなど）、シラン化合物（ＴＥＯＳ、ＴＭＣＴＳなど）、金属フッ化物（ＷＦ６など）などが挙げられるが、堆積物の形成などに不都合がなければ、特に制限されるものではない。またこれらの堆積物形成用ガスは単独で用いても、他のガスと混合して用いても良く、堆積物の形成などに不都合がなければ、特に制限されるものではない。例えば、ＴＥＯＳ、ＴＭＣＴＳなどはＯ２、Ｏ３などと混合して用いることが多い。
ｂ）被運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する機能
被運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する機能は、運搬手段を用いて基材Ｉの位置Ｉから基材ＩＩの位置ＩＩへ被運搬物体を運搬する機能を含んでいる。
被運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する機能は、運搬手段を用いて基材Ｉの位置Ｉから基材ＩＩの位置ＩＩへ被運搬物体を運搬する機能を含んでいる。
図５を用いてより詳しく説明すると、運搬手段６２の駆動部６４を制御して、また試料ステージ６１を制御して、試料ステージ６１上の基材Ｉ５８の位置Ｉから、ステージ６１上の基材ＩＩ５９の位置ＩＩへ被運搬物体５７を運搬する。
運搬とは物を運び移すことであるが、ここでは運搬する工程を、被運搬物体の付いた運搬手段をピックアップした後に被運搬手段を移動するということで説明する。
本発明の運搬する工程の方法としては、被運搬物体の付いた運搬手段をピックアップした後に運搬手段を移動させる方法、被運搬物体の付いた運搬手段をピックアップした後に基材を移動させる方法、被運搬物体の付いた運搬手段をピックアップした後に基材を交換する方法、あるいはこれらを組み合わせた方法などが挙げられるが、被運搬物体の運搬などに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
本発明の運搬手段の運動の種類としては、Ｘ方向の並進運動、Ｙ方向の並進運動、Ｚ方向の並進運動、ある軸の周りの回転運動、あるいはそれらを組み合わせたものなどの任意の運動が挙げられるが挙げられるが、被運搬物体の運搬などに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
ｃ）運搬手段から被運搬物体を離す手段
ここで運搬手段から被運搬物体を離す手段は、ガスアシストエッチング用ガス中で第二の粒子線を所望の個所に照射して前記接着するための堆積物を選択的にエッチングする手段を含んでいる。
ここで運搬手段から被運搬物体を離す手段は、ガスアシストエッチング用ガス中で第二の粒子線を所望の個所に照射して前記接着するための堆積物を選択的にエッチングする手段を含んでいる。
図６を用いてより詳しく説明すると、試料ステージ６１上の基材ＩＩ５９の位置ＩＩにある被運搬物体５７及び運搬手段６２の所望の個所（接着するための堆積物６０を形成した箇所）に、ガスアシストエッチング用ガス導入系６６を制御してガスアシストエッチング用ガス６８を導入した状態で、照射系５２を制御して、第二の粒子線５６を照射することにより、前記接着するための堆積物６０を選択的にエッチングすることにより、運搬手段６２から被運搬物体５７をリフトオフする。
本発明の被運搬物体と基材との（運搬後の）固定状態としては、被運搬物体が基材とは完全に固定されていないもの、被運搬物体が基材とは完全に固定されているもの、被運搬物体が基材に拘束されているがその拘束範囲内では動くことが可能なものなどが挙げられるが、選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明のガスアシストエッチング用ガスのガス種としては、ハロゲン系ガス（例えば、ＸｅＦ２、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｉ２，Ｂｒ２など）やＨ２Ｏなどが挙げられるが、堆積物の選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。またこれらのガスアシストエッチング用ガスは単独で用いても、他のガスと混合して用いても良く、堆積物の選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
また本発明の堆積物形成用ガスとガスアシストエッチング用ガスの選択とこのときの堆積物の主要な成分の組み合わせとしては、例えば（１）堆積物形成用ガスのガス種としてピレン、ガスアシストエッチング用ガスのガス種としてＨ２Ｏの組み合わせのときの堆積物の主要な成分としてのカーボン、（２）堆積物形成用ガスのガス種としてＷ（ＣＯ）６、ガスアシストエッチング用ガスのガス種としてＸｅＦ２の組み合わせのときの堆積物の主要な成分としてのタングステン、（３）堆積物形成用ガスのガス種としてＴＭＣＴＳ（＋Ｏ２）、ガスアシストエッチング用ガスのガス種としてＸｅＦ２の組み合わせのときの堆積物の主要な成分としての酸化シリコンなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
以上において本発明では、堆積物形成時に第一の粒子線を、ガスアシストエッチング時に第二の粒子線を、観察時に第三の粒子線を照射するが、ここで第一の粒子線、第二の粒子線および第三の粒子線はすべてが同一のものでも、２つが同一で１つが異なるものでも、すべてが異なるものでも良く、堆積物の形成、選択エッチング及び観察などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
またそれに伴ない、第一の粒子線、第二の粒子線および第三の粒子線の照射のための粒子線照射系はすべてが同一のものでも、２つが同一で１つが異なるものでも、すべてが異なるものでも良く、堆積物の形成、選択エッチング及び観察などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
さらに第一の粒子線、第二の粒子線および第三の粒子線の照射のための粒子線照射系は、単一のものでも、複数個以上のものでも良く、堆積物の形成、選択エッチング及び観察などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の粒子線の照射方法としては、絞ったビームを所望の領域で走査しながら照射する方法、ある程度の広がったビームを所望の領域に照射する方法、あるいはそれらを組み合わせた方法などが挙げられるが、堆積物の形成、選択エッチング及び観察などに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
本発明の粒子線としては、イオンビーム、電子ビーム、光子ビームなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。また上記の粒子線は単独のものとして用いても、複数以上を組み合わせたものとしても用いても、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。さらに複数以上の粒子線を組み合わせて用いる場合において、粒子線を同時に用いても、粒子線を順番に用いても、これらを組み合わせても、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に限定されるものではない。
次に本発明の粒子線がイオンビームである場合における、イオンビームのイオン種としては、液体金属イオン源である、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｓ、Ｎｂ、Ｃｕなどや、電界電離ガスイオン源であるＯ、Ｎ、Ｈ、Ｈｅ、Ａｒなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。ただし実際には扱いやすさなどの理由から、イオンビームのイオン種としてＧａを使用することが多い。
また本発明の粒子線が電子ビームである場合における、電子の形成方法としては、熱電子放出によるもの、電界放出によるもの、トンネル電子放出によるもの、光電子放出によるものなどが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。
さらに本発明の粒子線が光子ビームである場合における、光子ビームの光子の種類としては、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線などが挙げられるが、堆積物の形成及び選択エッチングなどに不都合がなければ、特に制限されるものではない。また実際には扱いやすさなどの理由から、レーザービームを使用することが多い。
以下に実施例をあげて、本発明を説明する。
（実施例１）
本実施例では、歯車状部品を、本発明の物体運搬方法を用いて、軸受け部に運搬する例について、図７〜図１５を用いて説明する。
本実施例では、歯車状部品を、本発明の物体運搬方法を用いて、軸受け部に運搬する例について、図７〜図１５を用いて説明する。
なお図７〜１５において、１１は第一の粒子線である電子ビーム、１２は第二の粒子線であるイオンビーム、１３は被運搬物体である歯車状部品、１４は基材Ｉ、１５は基材ＩＩ、１６は接着するための堆積物（主要な成分としてカーボンを含んでいる）、１７は運搬手段、１８は運搬手段の物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル、１９は堆積物形成用ガスであるピレンガス、２０はガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス、２１は歯車状部品と基材Ｉとの固定部、２２は基材ＩＩに有されている軸受け部、２３は運搬手段の駆動機構、２４は歯車状部品の孔部である。
なお本実施例では、以下では特に明示はしないが、電子ビームを走査して照射したときに発生する２次電子を検出すること（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、走査電子顕微鏡法）により、被運搬物体、基材、運搬手段、堆積物の状態などを観察する工程も適宜含んでいるものとする。
ａ）被運搬物体を運搬手段に付与する工程
図７に示すように、被運搬物体として歯車状部品１３を準備する。なおこの歯車状部品１３は基材Ｉ１４と固定部２１を介して固定されている。
図８に示すように、運搬手段１７を歯車状部品１３に近づける。ここで運搬手段１７は、先端近傍が物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル１８、駆動機構２３などから形成されている。
図９に示すように、運搬手段１７と歯車状部品１３を近づけた状態で、ピレンガス１９中で電子ビーム１１を所望の個所に照射して歯車状部品１３とタングステン製のニードル１８を接着するための堆積物１６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を形成する。
図１０に示すように、歯車状部品１３と基材Ｉ１４を固定している固定部２１にイオンビーム１２を照射してエッチングすることにより、歯車状部品１３と基材Ｉ１４を離す。
図７に示すように、被運搬物体として歯車状部品１３を準備する。なおこの歯車状部品１３は基材Ｉ１４と固定部２１を介して固定されている。
図８に示すように、運搬手段１７を歯車状部品１３に近づける。ここで運搬手段１７は、先端近傍が物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル１８、駆動機構２３などから形成されている。
図９に示すように、運搬手段１７と歯車状部品１３を近づけた状態で、ピレンガス１９中で電子ビーム１１を所望の個所に照射して歯車状部品１３とタングステン製のニードル１８を接着するための堆積物１６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を形成する。
図１０に示すように、歯車状部品１３と基材Ｉ１４を固定している固定部２１にイオンビーム１２を照射してエッチングすることにより、歯車状部品１３と基材Ｉ１４を離す。
ｂ）運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する工程
図１１に示すように、歯車状部品１３の付いた運搬手段１７をピックアップする。
図１２に示すように、歯車状部品１３が固定されていた基材Ｉ１４を、軸受け部２２を有する基材ＩＩ１５に交換する。
図１３に示すように、歯車状部品１３の付いた運搬手段１７を運動させて、歯車状部品の孔部２４を基材ＩＩ１５にある軸受け部２２にはめる。
図１１に示すように、歯車状部品１３の付いた運搬手段１７をピックアップする。
図１２に示すように、歯車状部品１３が固定されていた基材Ｉ１４を、軸受け部２２を有する基材ＩＩ１５に交換する。
図１３に示すように、歯車状部品１３の付いた運搬手段１７を運動させて、歯車状部品の孔部２４を基材ＩＩ１５にある軸受け部２２にはめる。
ｃ）運搬手段から被運搬物体を離す工程
図１４に示すように、所望の個所（歯車状部品１３と運搬手段１７を接着するための堆積物１６を形成した箇所）に、Ｈ２Ｏガス２０中で、イオンビーム１２を照射して前記接着するための堆積物１６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を選択的にエッチングすることにより、運搬手段１７から歯車状部品１３をリフトオフする。
図１５に示すように、被運搬物体から運搬手段を遠ざける。
図１４に示すように、所望の個所（歯車状部品１３と運搬手段１７を接着するための堆積物１６を形成した箇所）に、Ｈ２Ｏガス２０中で、イオンビーム１２を照射して前記接着するための堆積物１６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を選択的にエッチングすることにより、運搬手段１７から歯車状部品１３をリフトオフする。
図１５に示すように、被運搬物体から運搬手段を遠ざける。
以上の図７〜図１５に示したように、本発明の物体運搬方法を用いることにより、歯車状部品の軸受け部への運搬を確実に行なうことができた。
評価
その後、ＳＥＭにより被運搬物（歯車状部品）を観察したところ、歯車状部品におけるダメージの発生は少ない、歯車状部品に運搬手段の一部（ニードルの先端部）が残っていないことがわかった。またＳＥＭにより物体取り付け個所であるニードルの先端部を観察したところ、ニードル先端部が失われることが抑制されていることがわかった。
その後、ＳＥＭにより被運搬物（歯車状部品）を観察したところ、歯車状部品におけるダメージの発生は少ない、歯車状部品に運搬手段の一部（ニードルの先端部）が残っていないことがわかった。またＳＥＭにより物体取り付け個所であるニードルの先端部を観察したところ、ニードル先端部が失われることが抑制されていることがわかった。
（実施例２）
本実施例では、ＴＥＭ観察用試料を、本発明の物体運搬方法を用いて、ＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュに運搬する例について、図１６〜図２５を用いて説明する。
本実施例では、ＴＥＭ観察用試料を、本発明の物体運搬方法を用いて、ＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュに運搬する例について、図１６〜図２５を用いて説明する。
なお図１６〜図２５において、３１は第一及び第二の粒子線を兼ねるイオンビーム、３３は被運搬物体であるＴＥＭ観察用試料、３４は基材Ｉ、３５は基材ＩＩであるＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ、３６は接着するための堆積物（主要な成分としてカーボンを含んでいる）、３７は運搬手段、３８は運搬手段の物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル、３９は堆積物形成用ガスであるピレンガス、４０はガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス、４１はＴＥＭ観察用試料と基材Ｉとの固定部、４２はＴＥＭ観察用試料とＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュを接着するための堆積物（主要な成分としてカーボンを含んでいる）、４３は運搬手段の駆動機構である。
なお本実施例では、以下では特に明示はしないが、イオンビームを走査して照射したときに発生する２次電子を検出すること（ＳＩＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｉｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、走査イオン顕微鏡法）により、被運搬物体、基材、運搬手段、堆積物の状態などを観察する工程も適宜含んでいるものとする。ここで上記の観察時においては、イオンビームのドーズは最小限に抑えられている。
ａ）被運搬物体を運搬手段に付与する工程
図１６に示すように、被運搬物体としてＴＥＭ観察用試料３３を準備する。なおこのＴＥＭ観察用試料はＦＩＢ加工により基材Ｉ３４上に形成されたものであり、ＴＥＭ観察用試料３３は基材Ｉ３４と固定部４１を介して固定されている。
図１７に示すように、運搬手段３７をＴＥＭ観察用試料３３に近づける。ここで運搬手段３７は、先端近傍が物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル３８、駆動機構４３などから形成されている。
図１８に示すように、運搬手段３７とＴＥＭ観察用試料３３を近づけた状態で、ピレンガス３９中でイオンビーム３１を所望の個所に照射してＴＥＭ観察用試料３３と運搬手段３７を接着するための堆積物３６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を形成する。
図１９に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３と基材Ｉ３４を固定している固定部４１にイオンビーム３１を照射してエッチングすることにより、ＴＥＭ観察用試料３３と基材Ｉ３４を離す。
図１６に示すように、被運搬物体としてＴＥＭ観察用試料３３を準備する。なおこのＴＥＭ観察用試料はＦＩＢ加工により基材Ｉ３４上に形成されたものであり、ＴＥＭ観察用試料３３は基材Ｉ３４と固定部４１を介して固定されている。
図１７に示すように、運搬手段３７をＴＥＭ観察用試料３３に近づける。ここで運搬手段３７は、先端近傍が物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル３８、駆動機構４３などから形成されている。
図１８に示すように、運搬手段３７とＴＥＭ観察用試料３３を近づけた状態で、ピレンガス３９中でイオンビーム３１を所望の個所に照射してＴＥＭ観察用試料３３と運搬手段３７を接着するための堆積物３６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を形成する。
図１９に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３と基材Ｉ３４を固定している固定部４１にイオンビーム３１を照射してエッチングすることにより、ＴＥＭ観察用試料３３と基材Ｉ３４を離す。
ｂ）運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する工程
図２０に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３の付いた運搬手段３７をピックアップする。
図２１に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３が形成されていた基材Ｉ３４を、ＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ３５に交換する。
図２２に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３の付いた運搬手段３７を運動させて、ＴＥＭ観察用試料３３をＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ３５に近づける。
図２３に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３とＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ３５を近づけた状態で、ピレンガス３９中でイオンビーム３１を所望の個所に照射してＴＥＭ観察用試料３３とＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ３５を接着するための堆積物４２を形成する。
図２０に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３の付いた運搬手段３７をピックアップする。
図２１に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３が形成されていた基材Ｉ３４を、ＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ３５に交換する。
図２２に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３の付いた運搬手段３７を運動させて、ＴＥＭ観察用試料３３をＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ３５に近づける。
図２３に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３とＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ３５を近づけた状態で、ピレンガス３９中でイオンビーム３１を所望の個所に照射してＴＥＭ観察用試料３３とＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ３５を接着するための堆積物４２を形成する。
ｃ）運搬手段から被運搬物体を離す工程
図２４に示すように、所望の個所（ＴＥＭ観察用試料３３と運搬手段３７を接着するための堆積物３６を形成した箇所）に、Ｈ２Ｏガス４０中で、イオンビーム３１を照射して前記接着するための堆積物３６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を選択的にエッチングすることにより、運搬手段３７からＴＥＭ観察用試料３３をリフトオフする。
図２５に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３から運搬手段３７を遠ざける。
図２４に示すように、所望の個所（ＴＥＭ観察用試料３３と運搬手段３７を接着するための堆積物３６を形成した箇所）に、Ｈ２Ｏガス４０中で、イオンビーム３１を照射して前記接着するための堆積物３６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を選択的にエッチングすることにより、運搬手段３７からＴＥＭ観察用試料３３をリフトオフする。
図２５に示すように、ＴＥＭ観察用試料３３から運搬手段３７を遠ざける。
評価
以上の図１６〜図２５に示したように、本発明の物体運搬方法を用いることにより、ＴＥＭ観察用試料のＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュへの運搬を確実に行なうことができた。その後、ＳＥＭにより被運搬物（ＴＥＭ観察用試料）を観察したところ、ＴＥＭ観察用試料におけるダメージの発生は少ない、ＴＥＭ観察用試料に運搬手段の一部（ニードルの先端部）が残っていないことがわかった。またＳＥＭにより物体取り付け個所であるニードルの先端部を観察したところ、ニードル先端部が失われることが抑制されていることがわかった。
以上の図１６〜図２５に示したように、本発明の物体運搬方法を用いることにより、ＴＥＭ観察用試料のＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュへの運搬を確実に行なうことができた。その後、ＳＥＭにより被運搬物（ＴＥＭ観察用試料）を観察したところ、ＴＥＭ観察用試料におけるダメージの発生は少ない、ＴＥＭ観察用試料に運搬手段の一部（ニードルの先端部）が残っていないことがわかった。またＳＥＭにより物体取り付け個所であるニードルの先端部を観察したところ、ニードル先端部が失われることが抑制されていることがわかった。
（実施例３）
本実施例では、本発明の物体運搬装置について、図２６〜図２８を用いて説明する。
本実施例では、本発明の物体運搬装置について、図２６〜図２８を用いて説明する。
ここで図２６〜図２８において、８１は第一の粒子線である電子ビームの照射系、８２は第二の粒子線であるイオンビームの照射系、８３は第一の粒子線である電子ビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系、８４は第二の粒子線であるイオンビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系、８５は第一の粒子線である電子ビーム、８６は第二の粒子線であるイオンビーム、８７は被運搬物体、８８は基材Ｉ、８９は基材ＩＩ、９０は接着するための堆積物（主要な成分としてカーボンを含んでいる）、９１は試料ステージ、９２は運搬手段、９３は運搬手段の物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル、９４は運搬手段の駆動部、９５は堆積物形成用ガスであるピレンガス導入系、９６はガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス導入系、９７は堆積物形成用ガスであるピレンガス、９８はガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス、９９は制御系、１００は観察表示系である。なお以上のものは必要に応じて真空容器（不図示）内に配置されており、真空排気系（不図示）により真空排気されている。
さらに制御系９９は、電子ビームの照射系８１、イオンビームの照射系８２、電子ビームを照射したときに発生する２次電子の検出系８３、イオンビームを照射したときに発生する２次電子の検出系８４、試料ステージ９１、運搬手段９２、運搬手段の駆動部９４、堆積物形成用ガスであるピレンガス導入系９５、ガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス導入系９６、観察表示系１００、真空制御系（不図示）などと信号をやりとりすることにより、物体運搬装置の制御、運転などを行なっている。
ここで照射系８１を制御することにより、電子ビーム８５を照射し、また照射したときに発生する信号である２次電子の検出系８３を用いることにより、観察表示系１００において電子ビーム８５の照射位置の確認などを行なうことができる。同様に照射系８２を制御することにより、イオンビーム８６を照射し、また照射したときに発生する信号である２次電子の検出系８４を用いることにより、観察表示系１００においてイオンビーム８６の照射位置の確認などを行なうことができる。
また試料ステージ８１は、被運搬物体８７、基材Ｉ８８、基材ＩＩ８９などをのせており、試料ステージ８１を制御することにより、試料ステージ８１、と同時に被運搬物体８７、基材Ｉ８８、基材ＩＩ８９などの移動などが行なわれる。
さらに運搬手段８２は、運搬手段の物体取り付け箇所８３と運搬手段の駆動部８４を少なくとも有し、運搬手段の駆動部を制御することにより運搬などが行なわれる。
またピレンガス導入系９５を制御することにより、ピレンガス９７の導入などが行なわれる。さらにピレンガス９７の導入中に、電子ビーム８５を所望の位置に照射することにより、所望の位置に堆積物９０（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を形成することができる（図２６）。
同様にＨ２Ｏガス導入系９６を制御することにより、Ｈ２Ｏガス９８の導入などが行なわれる。さらにＨ２Ｏガス９８の導入中に、イオンビーム８６を所望の位置（前記堆積物９０が形成されている位置）に照射することにより、所望の位置ある前記堆積物９０（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を選択的にエッチングすることができる（図２８）。
さらに電子ビーム８５を走査して照射したときに発生する２次電子の検出系８３を用いること（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、走査電子顕微鏡法）により、被運搬物体、基材、運搬手段、堆積物の状態などを適宜観察することもできる。
評価
本実施例の物体運搬装置を使用することにより、実施例１（歯車状部品を軸受け部に運搬する）の作業を行なったところ、実施例１の作業を達成することができた。
本実施例の物体運搬装置を使用することにより、実施例１（歯車状部品を軸受け部に運搬する）の作業を行なったところ、実施例１の作業を達成することができた。
（実施例４）
本実施例では、本発明の物体運搬装置について、図２９〜図３１を用いて説明する。
本実施例では、本発明の物体運搬装置について、図２９〜図３１を用いて説明する。
ここで図２９〜図３１において、１１１は第一の粒子線と第二の粒子線を兼ねるイオンビームの照射系、１１３は第一の粒子線と第二の粒子線を兼ねるイオンビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系、１１５は第一の粒子線と第二の粒子線を兼ねるイオンビーム、１１７は被運搬物体、１１８は基材Ｉ、１１９は基材ＩＩ、１２０は接着するための堆積物（主要な成分としてカーボンを含んでいる）、１２１は試料ステージ、１２２は運搬手段、１２３は運搬手段の物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル、１２４は運搬手段の駆動部、１２５は堆積物形成用ガスであるピレンガス導入系、１２６はガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス導入系、１２７は堆積物形成用ガスであるピレンガス、１２８はガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス、１２９は制御系、２００は観察表示系である。なお以上のものは必要に応じて真空容器（不図示）内に配置されており、真空排気系（不図示）により真空排気されている。
さらに制御系１２９は、イオンビームの照射系１１１、イオンビームを照射したときに発生する２次電子の検出系１１３、試料ステージ１２１、運搬手段１２２、運搬手段の駆動部１２４、堆積物形成用ガスであるピレンガス導入系１２５、ガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス導入系１２６、観察表示系２００、真空制御系（不図示）などと信号をやりとりすることにより、物体運搬装置の制御、運転などを行なっている。
ここで照射系１１１を制御することにより、イオンビーム１１５を照射し、また照射したときに発生する信号である２次電子の検出系１１３を用いることにより、観察表示系２００においてイオンビーム１１５の照射位置の確認などを行なうことができる。
また試料ステージ１２１は、被運搬物体１１７、基材Ｉ１１８、基材ＩＩ１１９などをのせており、試料ステージ１２１を制御することにより、試料ステージ１２１、と同時に被運搬物体１１７、基材Ｉ１１８、基材ＩＩ１１９などの移動などが行なわれる。
さらに運搬手段１２２は、運搬手段の物体取り付け箇所１２３と運搬手段の駆動部１２４を少なくとも有し、運搬手段の駆動部を制御することにより運搬などが行なわれる。
またピレンガス導入系１２５を制御することにより、ピレンガス１２７の導入などが行なわれる。さらにピレンガス１２７の導入中に、イオンビーム１１５を所望の位置に照射することにより、所望の位置に堆積物１２０（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を形成することができる（図２９）。
同様にＨ２Ｏガス導入系１２６を制御することにより、Ｈ２Ｏガス１２８の導入が行なわれる。さらにＨ２Ｏガス１２８の導入中に、イオンビーム１１５を所望の位置（前記堆積物１２０が形成されている位置）に照射することにより、所望の位置ある前記堆積物１２０（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を選択的にエッチングすることができる（図２９）。
さらにイオンビーム１１５を走査して照射したときに発生する２次電子の検出系１１３を用いること（ＳＩＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｉｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、走査イオン顕微鏡法）により、被運搬物体、基材、運搬手段、堆積物の状態などを適宜観察することもできる。ここで上記の観察時においては、イオンビームのドーズは最小限に抑えられていることが望ましい場合がある。
評価
本実施例の物体運搬装置を使用することにより、実施例２（ＴＥＭ観察用試料をＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュに運搬する）の作業を行なったところ、実施例２の作業を達成することができた。
本実施例の物体運搬装置を使用することにより、実施例２（ＴＥＭ観察用試料をＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュに運搬する）の作業を行なったところ、実施例２の作業を達成することができた。
（実施例５）
本実施例では、複数以上の歯車状部品を、本発明の製造方法を用いて、複数以上の軸受け部に運搬して、歯車状部品の集合体を製造する例について、図３２〜図４３を用いて説明する。
本実施例では、複数以上の歯車状部品を、本発明の製造方法を用いて、複数以上の軸受け部に運搬して、歯車状部品の集合体を製造する例について、図３２〜図４３を用いて説明する。
なお図３２〜４３において、１５１は第一の粒子線である電子ビーム、１５２は第二の粒子線であるイオンビーム、１５３は被運搬物体である歯車状部品、１５４は基材Ｉ、１５５は基材ＩＩ、１５６は接着するための堆積物（主要な成分としてカーボンを含んでいる）、１５７は運搬手段、１５８は運搬手段の物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル、１５９は堆積物形成用ガスであるピレンガス、１６０はガスアシストエッチング用ガスであるＨ２Ｏガス、１６１は基材Ｉの一部を形成する膜状物質、１６２は基材Ｉの一部を形成し、かつ膜状物質の下にある剥離層、１６３は基材ＩＩに有されている軸受け部、１６４は運搬手段の駆動機構、１６５は歯車状部品の孔部である。
なお本実施例では、以下では特に明示はしないが、電子ビームを走査して照射したときに発生する２次電子を検出すること（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、走査電子顕微鏡法）により、被運搬物体、基材、運搬手段、堆積物の状態などを観察する工程も適宜含んでいるものとする。
さらに本実施例では、実施例３の物体運搬装置を使用することに基づいて説明を行なう。
ａ）被運搬物体を運搬手段に付与する工程
図３２に示すように、膜状物質１４５およびその下に剥離層１４６を有する基材Ｉ１５４を準備する。
図３３に示すように、基材Ｉ１５４にイオンビーム５２を照射して加工を行なう。なおここでは、イオンビーム１５２が基材Ｉ１５４の真上から照射されるように、試料ステージ（不図示）および基材Ｉ１５４を傾斜させた状態で加工を行なっている。
図３４に示すように、図３３に示す工程により、３個の歯車状部品１５３が基材Ｉ１５４の一部に形成され、被運搬物体として歯車状部品１５３を準備が終了する。
図３５に示すように、運搬手段１５７を歯車状部品１５３に近づける。ここで運搬手段１５７は、先端近傍が物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル１５８、駆動機構１６４などから形成されている。なおここでは、試料ステージ（不図示）および基材Ｉ１５４の傾斜がない状態にもどして行なっている。
図３６に示すように、運搬手段１５７と歯車状部品１５３を近づけた状態で、ピレンガス１５９中で電子ビーム１１を所望の個所に照射して歯車状部品１５３とタングステン製のニードル１５８を接着するための堆積物１５６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を形成する。
図３７および図３８に示すように、歯車状部品１５３の付いた運搬手段１５７に上方に力を加えることにより、ピックアップを行なう。ここで剥離層１６２の効果により、主に膜状物質１６１から形成された歯車状部品１５３のピックアップを、確実に行なうことが可能である。
図３７に示すように、歯車状部品１５３の付いた運搬手段１５７に上方に力を加えることにより、歯車状部品１５３の基材Ｉ１５４からの切り離しを行なう。ここで剥離層１６２の効果により、主に膜状物質１６１から形成された歯車状部品１５３の基材Ｉ１５４からの切り離しを、確実に行なうことが可能である。
図３２に示すように、膜状物質１４５およびその下に剥離層１４６を有する基材Ｉ１５４を準備する。
図３３に示すように、基材Ｉ１５４にイオンビーム５２を照射して加工を行なう。なおここでは、イオンビーム１５２が基材Ｉ１５４の真上から照射されるように、試料ステージ（不図示）および基材Ｉ１５４を傾斜させた状態で加工を行なっている。
図３４に示すように、図３３に示す工程により、３個の歯車状部品１５３が基材Ｉ１５４の一部に形成され、被運搬物体として歯車状部品１５３を準備が終了する。
図３５に示すように、運搬手段１５７を歯車状部品１５３に近づける。ここで運搬手段１５７は、先端近傍が物体取り付け箇所であるタングステン製のニードル１５８、駆動機構１６４などから形成されている。なおここでは、試料ステージ（不図示）および基材Ｉ１５４の傾斜がない状態にもどして行なっている。
図３６に示すように、運搬手段１５７と歯車状部品１５３を近づけた状態で、ピレンガス１５９中で電子ビーム１１を所望の個所に照射して歯車状部品１５３とタングステン製のニードル１５８を接着するための堆積物１５６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を形成する。
図３７および図３８に示すように、歯車状部品１５３の付いた運搬手段１５７に上方に力を加えることにより、ピックアップを行なう。ここで剥離層１６２の効果により、主に膜状物質１６１から形成された歯車状部品１５３のピックアップを、確実に行なうことが可能である。
図３７に示すように、歯車状部品１５３の付いた運搬手段１５７に上方に力を加えることにより、歯車状部品１５３の基材Ｉ１５４からの切り離しを行なう。ここで剥離層１６２の効果により、主に膜状物質１６１から形成された歯車状部品１５３の基材Ｉ１５４からの切り離しを、確実に行なうことが可能である。
ｂ）運搬手段を用いて被運搬物体を運搬する工程
図３８に示すように、歯車状部品１５３の付いた運搬手段１５７をピックアップする。 図３９に示すように、歯車状部品１５３が固定されていた基材Ｉ１５４を、３個の軸受け部１６３を有する基材ＩＩ１５５に交換する。
図４０に示すように、歯車状部品１５３の付いた運搬手段１５７を運動させて、歯車状部品の孔部２４を基材ＩＩ１５にある軸受け部１６５にはめる。
図３８に示すように、歯車状部品１５３の付いた運搬手段１５７をピックアップする。 図３９に示すように、歯車状部品１５３が固定されていた基材Ｉ１５４を、３個の軸受け部１６３を有する基材ＩＩ１５５に交換する。
図４０に示すように、歯車状部品１５３の付いた運搬手段１５７を運動させて、歯車状部品の孔部２４を基材ＩＩ１５にある軸受け部１６５にはめる。
ｃ）運搬手段から被運搬物体を離す工程
図４１に示すように、所望の個所（歯車状部品１５３と運搬手段１５７を接着するための堆積物１５６を形成した箇所）に、Ｈ２Ｏガス１６０中で、イオンビーム１５２を照射して前記接着するための堆積物１５６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を選択的にエッチングすることにより、運搬手段１７７から歯車状部品１５３をリフトオフする。
図４２に示すように、被運搬物体から運搬手段を遠ざける。
図３５〜４２に示したような工程を２回繰り返すことにより、図４３に示すように、３個の歯車状部品１５３を運搬され、歯車状部品１５３の集合体を製造される。
図４１に示すように、所望の個所（歯車状部品１５３と運搬手段１５７を接着するための堆積物１５６を形成した箇所）に、Ｈ２Ｏガス１６０中で、イオンビーム１５２を照射して前記接着するための堆積物１５６（主要な成分としてカーボンを含んでいる）を選択的にエッチングすることにより、運搬手段１７７から歯車状部品１５３をリフトオフする。
図４２に示すように、被運搬物体から運搬手段を遠ざける。
図３５〜４２に示したような工程を２回繰り返すことにより、図４３に示すように、３個の歯車状部品１５３を運搬され、歯車状部品１５３の集合体を製造される。
以上の図３２〜図４３に示したように、本発明の製造方法を用いることにより、歯車状部品の集合体の製造を確実に行なうことができた。
評価
その後、ＳＥＭにより被運搬物（歯車状部品）を観察したところ、歯車状部品におけるダメージの発生は少ない、歯車状部品に運搬手段の一部（ニードルの先端部）が残っていないことがわかった。またＳＥＭにより物体取り付け個所であるニードルの先端部を観察したところ、ニードル先端部が失われることが抑制されていることがわかった。
その後、ＳＥＭにより被運搬物（歯車状部品）を観察したところ、歯車状部品におけるダメージの発生は少ない、歯車状部品に運搬手段の一部（ニードルの先端部）が残っていないことがわかった。またＳＥＭにより物体取り付け個所であるニードルの先端部を観察したところ、ニードル先端部が失われることが抑制されていることがわかった。
１ 第一の粒子線
２ 第二の粒子線
３ 被運搬物体
４ 基材Ｉ
５ 基材ＩＩ
６ 接着するための堆積物
７ 運搬手段
８ 運搬手段の物体取り付け箇所
９ 堆積物形成用ガス
１０ ガスアシストエッチング用ガス
１１ 電子ビーム
１２ イオンビーム
１３ 歯車状部品
１４ 基材Ｉ
１５ 基材ＩＩ
１６ 接着するための堆積物
１７ 運搬手段
１８ タングステン製のニードル
１９ ピレンガス
２０ Ｈ２Ｏガス
２１ 歯車状部品と基材Ｉとの固定部
２２ 基材ＩＩに有されている軸受け部
２３ 運搬手段の駆動機構
２４ 歯車状部品の孔部
３１ イオンビーム
３３ ＴＥＭ観察用試料
３４ 基材Ｉ
３５ ＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ
３６ 接着するための堆積物
３７ 運搬手段
３８ タングステン製のニードル
３９ ピレンガス
４０ Ｈ２Ｏガス
４１ ＴＥＭ観察用試料と基材Ｉとの固定部
４２ ＴＥＭ観察用試料とＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュを接着するための堆積物
４３ 運搬手段の駆動機構
５１ 第一の粒子線の照射系
５２ 第二の粒子線の照射系
５３ 第一の粒子線を照射したときに発生する信号の検出系
５４ 第二の粒子線を照射したときに発生する信号の検出系
５５ 第一の粒子線
５６ 第二の粒子線
５７ 被運搬物体、
５８ 基材Ｉ
５９ 基材ＩＩ
６０ 接着するための堆積物
６１ 試料ステージ
６２ 運搬手段
６３ 運搬手段の物体取り付け箇所
６４ 運搬手段の駆動部
６５ 堆積物形成用ガス導入系
６６ ガスアシストエッチング用ガス導入系
６７ 堆積物形成用ガス
６８ ガスアシストエッチング用ガス
６９ 制御系
７０ 観察表示系
８１ 電子ビームの照射系
８２ イオンビームの照射系
８３ 電子ビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系
８４ イオンビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系
８５ 電子ビーム
８６ イオンビーム
８７ 被運搬物体
８８ 基材Ｉ
８９ 基材ＩＩ
９０ 接着するための堆積物
９１ 試料ステージ
９２ 運搬手段
９３ タングステン製のニードル
９４ 運搬手段の駆動部
９５ ピレンガス導入系
９６ Ｈ２Ｏガス導入系
９７ ピレンガス
９８ Ｈ２Ｏガス
９９ 制御系
１００ 観察表示系
１１１ イオンビームの照射系
１１３ イオンビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系
１１５ イオンビーム
１１７ 被運搬物体
１１８ 基材Ｉ
１１９ 基材ＩＩ
１２０ 接着するための堆積物
１２１ 試料ステージ
１２２ 運搬手段
１２３ タングステン製のニードル
１２４ 運搬手段の駆動部
１２５ ピレンガス導入系
１２６ Ｈ２Ｏガス導入系
１２７ ピレンガス
１２８ Ｈ２Ｏガス
１２９ 制御系
１５１ 電子ビーム
１５２ イオンビーム
１５３ 歯車状部品
１５４ 基材Ｉ
１５５ 基材ＩＩ
１５６ 接着するための堆積物
１５７ 運搬手段
１５８ タングステン製のニードル
１５９ ピレンガス
１６０ Ｈ２Ｏガス
１６１ 基材Ｉの一部を形成する膜状物質
１６２ 基材Ｉの一部を形成し、かつ膜状物質の下にある剥離層
１６３ 基材ＩＩに有されている軸受け部
１６４ 運搬手段の駆動機構
１６５ 歯車状部品の孔部
２００ 観察表示系
２ 第二の粒子線
３ 被運搬物体
４ 基材Ｉ
５ 基材ＩＩ
６ 接着するための堆積物
７ 運搬手段
８ 運搬手段の物体取り付け箇所
９ 堆積物形成用ガス
１０ ガスアシストエッチング用ガス
１１ 電子ビーム
１２ イオンビーム
１３ 歯車状部品
１４ 基材Ｉ
１５ 基材ＩＩ
１６ 接着するための堆積物
１７ 運搬手段
１８ タングステン製のニードル
１９ ピレンガス
２０ Ｈ２Ｏガス
２１ 歯車状部品と基材Ｉとの固定部
２２ 基材ＩＩに有されている軸受け部
２３ 運搬手段の駆動機構
２４ 歯車状部品の孔部
３１ イオンビーム
３３ ＴＥＭ観察用試料
３４ 基材Ｉ
３５ ＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュ
３６ 接着するための堆積物
３７ 運搬手段
３８ タングステン製のニードル
３９ ピレンガス
４０ Ｈ２Ｏガス
４１ ＴＥＭ観察用試料と基材Ｉとの固定部
４２ ＴＥＭ観察用試料とＦＩＢ−ＴＥＭ観察用メッシュを接着するための堆積物
４３ 運搬手段の駆動機構
５１ 第一の粒子線の照射系
５２ 第二の粒子線の照射系
５３ 第一の粒子線を照射したときに発生する信号の検出系
５４ 第二の粒子線を照射したときに発生する信号の検出系
５５ 第一の粒子線
５６ 第二の粒子線
５７ 被運搬物体、
５８ 基材Ｉ
５９ 基材ＩＩ
６０ 接着するための堆積物
６１ 試料ステージ
６２ 運搬手段
６３ 運搬手段の物体取り付け箇所
６４ 運搬手段の駆動部
６５ 堆積物形成用ガス導入系
６６ ガスアシストエッチング用ガス導入系
６７ 堆積物形成用ガス
６８ ガスアシストエッチング用ガス
６９ 制御系
７０ 観察表示系
８１ 電子ビームの照射系
８２ イオンビームの照射系
８３ 電子ビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系
８４ イオンビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系
８５ 電子ビーム
８６ イオンビーム
８７ 被運搬物体
８８ 基材Ｉ
８９ 基材ＩＩ
９０ 接着するための堆積物
９１ 試料ステージ
９２ 運搬手段
９３ タングステン製のニードル
９４ 運搬手段の駆動部
９５ ピレンガス導入系
９６ Ｈ２Ｏガス導入系
９７ ピレンガス
９８ Ｈ２Ｏガス
９９ 制御系
１００ 観察表示系
１１１ イオンビームの照射系
１１３ イオンビームを照射したときに発生する信号である２次電子の検出系
１１５ イオンビーム
１１７ 被運搬物体
１１８ 基材Ｉ
１１９ 基材ＩＩ
１２０ 接着するための堆積物
１２１ 試料ステージ
１２２ 運搬手段
１２３ タングステン製のニードル
１２４ 運搬手段の駆動部
１２５ ピレンガス導入系
１２６ Ｈ２Ｏガス導入系
１２７ ピレンガス
１２８ Ｈ２Ｏガス
１２９ 制御系
１５１ 電子ビーム
１５２ イオンビーム
１５３ 歯車状部品
１５４ 基材Ｉ
１５５ 基材ＩＩ
１５６ 接着するための堆積物
１５７ 運搬手段
１５８ タングステン製のニードル
１５９ ピレンガス
１６０ Ｈ２Ｏガス
１６１ 基材Ｉの一部を形成する膜状物質
１６２ 基材Ｉの一部を形成し、かつ膜状物質の下にある剥離層
１６３ 基材ＩＩに有されている軸受け部
１６４ 運搬手段の駆動機構
１６５ 歯車状部品の孔部
２００ 観察表示系
Claims (4)
- 被運搬物体を運搬手段に付与する工程と、
前記運搬手段を用いて被運搬物体を所定の位置まで運搬する工程と、
前記運搬手段から前記被運搬物体を離す工程と
を有する物体運搬方法であって、
前記被運搬物体を前記運搬手段に付与する工程が、前記被運搬物体と前記運搬手段を近づけた状態で、ピレンガス中で電子ビーム又はイオンビームを付与されるべき箇所に照射して、主要な成分としてカーボンを含んでいる堆積物を形成する工程を含むものであり、
前記運搬手段から前記運搬物体を離す工程が、Ｈ ２ Ｏガス中で、イオンビームを前記堆積物のある箇所に照射して、前記堆積物を選択的にエッチングする工程を含むものである
ことを特徴とする物体運搬方法。 - 第三の粒子線を照射することによって前記被運搬物体、基材、運搬手段の少なくとも一つ以上の状態を観察する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の物体運搬方法。
- 前記運搬手段が、タングステン製のニードルであることを特徴とする請求項１又は２に記載の物体運搬方法。
- 被運搬物体を運搬手段に付与する手段と、運搬手段と、前記運搬手段から前記被運搬物体を離す手段を少なくとも有する物体運搬装置であって、
前記被運搬物体を運搬手段に付与する手段は、被運搬物体と運搬手段を近づけた状態に保持する手段と、ピレンガス中で電子ビーム又はイオンビームを付与されるべき箇所に照射して、主要な成分としてカーボンを含んでいる堆積物を堆積させる手段とを含み、
前記運搬手段から前記被運搬物体を離す手段は、Ｈ ２ Ｏ中で、イオンビームを前記堆積物のある箇所に照射して、前記堆積物を選択的にエッチングする手段を有することを特徴とする物体運搬装置。
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