JP2001021467A - 集束イオンビームを用いた試料加工方法、及び集束イオンビーム加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、リデポ現象の防止，衝撃に対して更
に安定した強い固定，チャージアップ防止、そして試料
をＴＥＭホルダに対し、垂直に固定することによる方位
合わせの容易性を実現することを目的とする。 【解決手段】１．ＴＥＭホルダへ直接深穴を加工し、摘
出した試料を本深穴に挿入した後、各種デポジション膜
で固定する。２．試料を摘出部のみ持ち上げて分析目的
部のみ突出させる形状とし、各種デポジション膜でバル
ク試料面と固定させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属材料や各種デ
バイス等の試料を集束イオンビームで加工する方法、及
び装置に係り、特に透過型電子顕微鏡用試料のような薄
膜加工を必要とする試料を作成するのに好適な集束イオ
ンビームを用いた試料加工方法、及び集束イオンビーム
加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来では得られなかった特定部の構造観
察がＦＩＢにより容易に可能になったため、更にその部
分でのＸ線を利用した元素分析も盛んに行われ、微小構
造解析の突破口技術としてＦＩＢは脚光を浴びている。

【０００３】しかしＸ線を利用した元素分析において
は、従来のイオンシニングによる試料加工法と比較した
場合、分析精度の上で問題が残されていた。

【０００４】つまり従来のＦＩＢ法で作製した薄膜試料
は、図２の様に構造解析目的部は薄片化されており問題
ないが、薄片化されていない部分で約５０μｍの厚さが
あり、薄膜部で励起されたＸ線が薄片化されていない部
分にもぶっかり、更にＸ線を励起してしまう。これによ
り本来の解析部にはない物質が重畳されたピークとして
検出されるため、分析精度を落とす要因とされていた。

【０００５】本現象を軽減するには、従来のイオンシニ
ングによる試料加工法で作製された試料（図３参照）の
様に薄片化されていない部分も、薄くなっていれば薄膜
部からのＸ線が他の部分にぶっかることがなく、分析の
精度を向上させることができる。

【０００６】しかし、薄片化されない部分を薄膜にする
には、従来の技術同様、ＦＩＢ加工前処理として機械加
工により実施する必要がある。現在の５０μｍ以下の厚
さにすると応力に対し弱い試料等は機械加工の応力によ
り歪みが入る。これにより構造，欠陥解析をする上でこ
の歪みが本来よりある物か、あるいは応力により発生し
た物かを判断する必要があり、解析を大変難しくしてい
た。

【０００７】これはＦＩＢ加工の有用性を充分に生かし
きれない大きな問題である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の問題を解決し、様々な試料において好適に薄膜化を実
現できる技術を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するために以下のような構成を有することを特
徴とする。

【００１０】第１に、集束イオンビームを用いた試料加
工方法において、試料の特定部分を集束イオンビームを
用いて切り出すステップと、前記切り出した特定部分を
前記試料の他の部分より持ち上げるステップと、前記特
定部分を持ち上げた状態で、当該特定部分と前記試料の
他の部分とを固定するステップを備えたことを特徴とす
る集束イオンビームを用いた試料加工方法を提供する。

【００１１】第２に、集束イオンビームを用いた試料加
工方法において、試料の特定部分を集束イオンビームを
用いて切り出すステップと、前記切り出した特定部分
を、当該特定部分を挿入可能な凹部まで搬送するステッ
プと、当該凹部より前記特定部分を突出させた状態で、
前記凹部の一部に前記特定部分を固定するステップを備
えたことを特徴とする集束イオンビームを用いた試料加
工方法を提供する。

【００１２】第３に、集束イオンビームを照射するため
の集束イオンビーム光学系と、試料から発生した二次荷
電粒子を検出する検出器と、当該検出器で得られた二次
荷電粒子に基づいて試料像を形成する表示装置を備えた
集束イオンビーム加工装置において、先端に試料を支持
するプローブと、当該プローブを駆動する駆動手段と、
デポジション用のガスを供力するガス源と、前記表示装
置上で前記集束イオンビームによる加工領域を設定する
手段とを備え、当該設定手段による領域設定に基づい
て、前記イオンビーム光学系による試料の特定部分の切
り出しを行い、切り出した特定部分を前記プローブを用
いて前記試料の他の部分より持ち上げ、前記特定部分を
持ち上げた状態で、当該特定部分と前記試料の他の部分
を接続するように、前記イオンビームを照射し前記ガス
を放出するように制御する制御手段を備えたことを特徴
とする集束イオンビーム加工装置を提供する。

【００１３】第４に、集束イオンビームを照射するため
の集束イオンビーム光学系と、試料から発生した二次荷
電粒子を検出する検出器と、当該検出器で得られた二次
荷電粒子に基づいて試料像を形成する表示装置を備えた
集束イオンビーム加工装置において、先端に試料を支持
するプローブと、当該プローブを駆動する駆動手段と、
デポジション用のガスを供力するガス源と、前記表示装
置上で前記集束イオンビームによる加工領域を設定する
手段とを備え、当該設定手段による領域設定に基づい
て、前記イオンビーム光学系による試料の特定部分の切
り出しを行い、切り出した特定部分を前記プローブを用
いて、前記特定部分を挿入可能な凹部まで搬送し、当該
凹部より前記特定部分を突出させた状態で、前記凹部の
一部に前記特定部分を接続するように、前記イオンビー
ムを照射し前記ガスを放出するように制御する制御手段
を備えたことを特徴とする集束イオンビーム加工装置を
提供する。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の前提となる技術は、ＦＩ
Ｂ加工前の前処理を一切機械加工を使わずに、前処理も
ＦＩＢで行う技術、つまり応力レスでサンプリングでき
る技法である。

【００１５】具体的には、ある特定個所をＦＩＢにて任
意の形に切り出した後、マイクロプローブを使用して試
料より摘出し、例えば、透過電子顕微鏡用試料支持台
（以下ＴＥＭホルダと略す。）に固定する技法である。

【００１６】以下にマイクロプローブを使用して試料よ
り特定個所を摘出する技術（以下マイクロサンプリング
法とする）について説明する。

【００１７】特定個所を試料より摘出するためには、直
方体では摘出することが困難であり、図４の様な楔状の
形状１で摘出することとなる。

【００１８】そして本形状の試料をＴＥＭホルダに固定
するために本発明実施例で採用されるマイクロサンプリ
ング法では図５の様な固定を行う。

【００１９】本固定法は最も容易に作業を進められ、本
作業に要する時間も短時間で済む等有用な特徴を持って
いる。しかし試料両端部の楔形の尖った部位を各種のデ
ポジション膜等でＴＥＭホルダへ固定を行うため、楔形
の突起部とＴＥＭホルダ間の隙間から二次イオンが回り
込み、リデポ現象による試料面汚染。両端２点での固定
のため、衝撃に対し弱い。またガラス等（絶縁物）を基
板とした積層膜試料において、チャージアップが懸念さ
れる等、実際の試料を加工する上で改良が望まれる。

【００２０】マイクロサンプリング法により解析目的部
を薄膜化した試料をＸ線分析した場合、下記のような有
用な特徴を持っている。

【００２１】・周辺の物質に左右されることなく高精度
に分析ができる。

【００２２】・応力レスでサンプリングができる。

【００２３】これらの特徴を様々な試料に適用させる上
で、マイクロサンプリング法で改良が望まれている物と
して下記の点が上げられる。

【００２４】１）摘出された試料の固定が図５の様な両
端２個所を点で固定しているため、接地部の楔形突起部
とＴＥＭホルダ表面には若干の隙間（図５の１４）が生
じる。この隙間より加工した際発生する二次イオンが回
り込み、加工面の反対側にリデポされる。

【００２５】これにより作製された薄膜は本来の構造を
観察することができなくなる。 ２）試料ホルダをＴＥＭおよびＦＩＢへ装着する際の衝
撃，搬送時の衝撃に対して弱く、固定した試料が落下し
紛失する可能性がある。

【００２６】３）図６の様なガラス等（絶縁物）を基板
とした積層膜試料においての試料のチャージアップ現
象。

【００２７】４）ＴＥＭホルダへの試料の垂直な固定の
困難さ。（図５参照） 試料の垂直な固定ができないとＴＥＭによる所定の方位
合わせが困難となる。

【００２８】なお、後述する本発明実施例によれば以下
の効果を得ることができる。

【００２９】１）点から面への固定に変更したことによ
り、二次イオンの回り込みを完全に遮断することが可能
となり、加工面の反対側へのリデポ現象を防止すること
が可能となる。

【００３０】２）図７のような固定をするため、従来の
方法と比較して固定面積が広く、強度的に安定した固定
ができる。これにより衝撃に対しての安定が得られる。 ３）図８に示す様な絶縁物を基板とした積層膜試料であ
っても、絶縁層部を穴の中に埋めてしまい解析する目的
の層のみＴＥＭホルダ上面より突出させ、導電性のある
層とＴＥＭホルダ上面を各種デポジション膜をつなぐこ
とにより、チャージアップの問題は解消される。

【００３１】４）摘出した試料をＴＥＭホルダ上面に対
し、垂直に加工した穴に沿って挿入できるため、試料は
試料台の上面に対し垂直に固定が可能となる。

【００３２】以下により具体的にマイクロプローブの微
小試料摘出機構を利用したマイクロサンプリング法の概
要を説明する。

【００３３】図９〜図１１にマイクロサンプリング法の
実施例を示す。

【００３４】先ず図９は解析部を含む領域を試料から摘
出するためのＦＩＢ加工による穴加工する工程である。
（本加工はＦＩＢに組み込まれている任意形状ソフトに
より自動で加工される。）構成としては摘出される楔型
試料１，ＦＩＢによる加工穴２，試料表面８，摘出する
ための搬送用マイクロプローブ９、および楔型試料支持
部１０からなる。

【００３５】工程としては次の通りである。試料表面８
に微小試料１を摘出するため、図に示したような形状の
加工穴２を加工させる。この加工においては試料から微
小試料を分離する必要があるため傾斜加工が必要とな
る。これにより試料から分離された楔形試料はマイクロ
プローブ９に固定される。ここで固定には接触部に形成
させる各種デポジション膜により行われる。その後支持
部１０をＦＩＢで切断することで目的部の楔形試料１が
摘出される。

【００３６】次に図１０は摘出した試料を搬送し、ＴＥ
Ｍホルダ上に固定する工程である。構成としては摘出さ
れた楔形試料１，ＴＥＭホルダ３，試料を固定するため
の各種デポジション膜５そしてマイクロプローブ９から
なる。

【００３７】工程としては次の通りである。マイクロプ
ローブ９に固定された楔形試料１をＴＥＭホルダ３上に
搬送し、固定を行う。ＴＥＭホルダと楔形試料の固定に
は、マイクロプローブと同様に各種デポジション膜を用
いる。その後、マイクロプローブ固定部の各種デポジシ
ョン膜をＦＩＢで切断してマイクロプローブを分離する
ことでＴＥＭホルダ上へ楔形試料を独立して固定でき
る。

【００３８】次に図１１は、固定された試料をＦＩＢに
よりＴＥＭ試料用に薄片化する通常通りの工程である。
構成は、薄片化される部分１０，イオンビーム１１そし
てＴＥＭホルダ３からなる。工程としては、摘出した試
料を収束されたイオンビーム１１により加工しＴＥＭ用
の薄片化された部分１０を作製する。以上がマイクロサ
ンプリングの工程である。

【００３９】以下本発明の実施例を更に詳細に述べる。
本発明は上述の図９，図１０の試料固定に関する機能を
更にＦＩＢに持たせたものであり、図１２に第１の実施
例を示す。図１２に示す実施例はバルクホルダを使用し
た例であり、摘出される楔形試料１，ＦＩＢによる加工
穴２，バルクホルダに載せられる程度の大きさ（数mm
角）に切り出した試料８そしてバルクホルダ１２から構
成される。本技法の実施例は上記図９で説明した例と全
く同じであり省略するが、この場合には機械加工により
試料を５０μｍ程度まで薄片化する必要がなく、バルク
状態のまま試料を取り扱える容易さに特徴がある。つま
り５０μｍ程度までの機械加工が必要ないために、多層
膜試料において表面が剥がれ易い試料等に対して、応力
を軽減したサンプリングができる効果がある。その後、
図１に示した例の如く試料を固定する工程を実施する。
本実施例について説明する。先ずマイクロプローブ９を
切り出した楔形試料１と接触させ、接触部を各種デポジ
ション膜で固定させる。その後マイクロプローブで楔形
試料を持ち上げる。ここで試料を完全に摘出されるので
なく、持ち上げる程度にとどめる。つまり解析目的部の
み、元の試料面８より突出させる様な状態で持ち上げ
る。ここで言うマイクロプローブによる持ち上げ方法
は、垂直上昇方向である。その後、持ち上げた楔形試料
１と元の試料面８を各種デポジション膜５で両側面を固
定され、マイクロプローブと楔形試料の固定部をＦＩＢ
で切り離し、試料面へ独立して固定ができる。これによ
り、点から面での固定になるため、従来の隙間は完全に
遮断され、二次イオンの回り込みを防止できリデポの影
響による試料面の汚れを解消できた。またＴＥＭホルダ
を使用しないため、同試料面内での作業が可能であり、
マイクロプローブによるＴＥＭホルダまでの搬送の手間
が省く効果が得られる。そして試料を完全に摘出せず、
垂直方向に持ち上げるだけなので、試料面に対し、目的
試料が容易に垂直固定が可能な効果が得られる等の３つ
の有用な特徴が得られた。

【００４０】そして本実施例は図１３に示す従来法のＴ
ＥＭホルダでも応用が可能である。つまり５０μｍ程度
の薄膜表面内で上記と同様の技法を行うことにより、同
様の効果が得られた。

【００４１】ここでマイクロプローブによる試料の持ち
上げ方向について、前記では垂直方向に持ち上げたが、
もう一つの方法として図１４のように楔部に沿って同角
度（２０゜）で持ち上げれば、持ち上げ方向の裏側の面
にスペース（図１４の５）が生まれ、本部分をＷデポジ
ション膜により試料両端面と一緒に固定してやれば更に
強度的に安定した固定が得られた。

【００４２】次に第２の実施例を図４に示す。構成とし
ては摘出した楔形試料１，ＴＥＭホルダ上面に加工した
直方体の深穴２，ＴＥＭホルダ上面３そしてマイクロプ
ローブ４である。工程として先ずマイクロプローブで試
料を持ち上げるまでは上記で説明した物と全く同じであ
りここでは省略する。

【００４３】上記の手法との違いは、マイクロプローブ
楔形試料を元の試料面より完全に摘出させ、ＦＩＢ試料
室内の別な位置にあるＴＥＭホルダ上面まで搬送し、Ｔ
ＥＭホルダ上にあらかじめ加工しておいた深穴にマイク
ロプローブを制御し、挿入させることである。

【００４４】従来法では図５に示すような楔の尖った部
分の両端の点でしかＴＥＭホルダに対し固定できなかっ
た物が本方法では図７の様な面での固定となり、前記同
様の有用な特徴を得ることができた。また更に本方法に
おいては、ガラス材の上に積まれた層構造の試料等にお
いても、従来法では固定される部分が絶縁層であるた
め、チャージアップが懸念された。しかし本固定を応用
し、図８の様な絶縁層のみをＴＥＭホルダ上の深穴に挿
入し、解析を目的とする層のみをＴＥＭホルダの上面よ
り突出させ、これをＷデポジション膜でＴＥＭホルダ上
面とつないでやればチャージアップの問題も解決され
る。

【００４５】更にＴＥＭホルダへの試料の垂直な固定に
ついて、ＴＥＭホルダに対して垂直に掘られた深穴に沿
って試料を挿入するため、垂直な固定が容易に可能とな
る。上述したＴＥＭホルダ上面への深穴は直方体であっ
たが、この形状を図１５の様な摘出した試料形状と同形
の楔形の深穴で固定すれば上述した物より、さらに強度
的に安定した物が得られる。

【００４６】ここで上述のＴＥＭホルダへの深穴加工の
形状について、深穴の形状はほぼ一定であり、ＦＩＢ装
置内のソフトで摘出したサンプルの形状（大きさ）に合
わせて、ソフトで自動設定することが可能である。例え
ば図１６のように摘出した試料のＸ１，Ｙ１の大きさが
判れば、実際に掘る穴の横方向Ｘ２をＸ２＝Ｘ１×１.
５ 、そして縦方向Ｙ２をＹ２＝Ｙ１×０.７ 程度とし
ておき、深穴の加工深さＴ２も任意に設定できるように
する。つまりＸ２，Ｙ２，Ｔ２を自動設定できるように
すればより容易に本方法の実施が可能となる。

【００４７】ここで上述したこれらの方法を実施する上
で、ＴＥＭホルダ上面の平坦度が問題となる。つまりＴ
ＥＭホルダ上面から頭を出す解析目的部はせいぜい数１
０μｍであり、ＴＥＭホルダ上面にそれ以上の凹凸があ
ると目的部をＴＥＭで透過することができなくなる。

【００４８】よって、本方法を実施するにあたり、ＴＥ
Ｍホルダ上面の平坦度は数μｍ以下が必要となる。

【００４９】図１７は、本発明の集束イオンビーム加工
装置の一例を示す図である。

【００５０】本装置は、半導体ウエハや半導体チップ等
の基板２を載置する可動の試料台２３と、基板２２の分
析しようとする位置を特定するため試料台２３の位置を
制御する位置制御装置２９と、プローブ３１を基板２２
の分析位置近傍に移動させ、プローブ３１を試料台３と
独立に駆動するプローブ駆動手段２４と、基板２２の分
析位置近傍にイオンビーム３３を照射し、基板２２の分
析位置を含む試料片の成形加工をするイオンビーム光学
系２１と、基板２２，プローブ３１又は試料片ホルダ３
９（以下ＴＥＭホルダと略称）の近傍を観察する観察手
段を構成する電子源３４と偏向レンズ３５により形成さ
れる電子ビーム３６で基板２２表面を走査し、基板２２
からの２次電子を検出する２次電子検出器３２と、ＩＢ
ＡＤ用ガス（以下デポガスと略す）を供給するためのデ
ポガス源２８とをもつ。デポガス源２８はプローブ３１
の先端部と基板２２の分析位置近傍部を接続したり、試
料片とＴＥＭホルダ３９とを固定するために使用するた
めの固定接続手段を構成する。イオンビーム光学系２１
の駆動装置２７，デポガス源制御装置２８′，位置制御
装置２９，電子ビーム駆動装置３０，表示装置（ＣＲ
Ｔ）２５，マニュピュレータ駆動装置２４′などは、中
央処理装置（ＣＰＵ）２６により制御される。また、プ
ローブ駆動手段２４はマニュピュレータを構成する。試
料台２３，イオンビーム光学系２１等は真空容器内に配
置され、プローブ駆動手段２４は真空容器外部から操作
される。

【００５１】試料台２３は、基板２２を載置する試料カ
セット３７と試料カセット３７を固定する試料カセット
ホルダ３８から構成されている。また、試料カセット３
７は分離摘出した試料片を固定するＴＥＭホルダ３９を
載置するためのホルダ留め４０をもつ。試料カセットホ
ルダ３８は、位置制御装置２９によって、３次元方向の
位置及び基板２２の平面の角度が制御される。すなわち
イオンビーム光学系２１の開口パターン投射位置（即
ち、加工位置）を決め、基板２２表面に対し、任意の角
度でイオンビーム３３を照射させる。

【００５２】上記観察手段は、プローブ３１と基板２２
への接触確認，試料片の基板２２からの分離確認，試料
片のＴＥＭホルダ３９への接触確認，試料片とプローブ
３１の分離確認を２次電子検出器３２から得られる２次
電子像の電位コントラストの変化から検知する。また、
上記接触確認及び分離確認は、プローブ３１と試料台２
３間の接触抵抗の変化を検出することによって行うよう
にしてもよい。また、摘出する試料片の大きさが、１０
μｍ〜１００μｍ程度であるので、光学顕微鏡を表面観
察手段に用いるようにしてもよい。また、２次電子像
は、イオンビームを試料に走査した結果得られる２次電
子に基づいて形成しても良い。

【００５３】上記固定接続手段は、デポガス源２８から
デポガス、例えば、ヘキサカルボニルタングステン(Ｗ
(ＣＯ)₆）を流し、イオンビーム３３をプローブ３１先
端部に照射することによって、照射部にタングステン膜
（以下Ｗ膜と略す）を形成する。Ｗ膜によりプローブ３
１と試料片，試料片とＴＥＭホルダ３９を固定する。

【００５４】Ｗ膜により接続されたプローブ３１と試料
片を分離するためには、イオンビームを照射し、イオン
ビームスパッタ加工を行う。

【００５５】図１７に示す集束イオンビーム加工装置に
は、これまで説明した加工を自動で行うためのシーケン
スが組み込まれている。表示装置２５には、その表示画
面上でＦＩＢ加工領域を設定する機能が設けられてい
る。好適には、ポインティングデバイス等で、楔形試料
１を切り出す領域を設定可能であり、当該加工領域の設
定の後、図９〜図１１で説明した行程を自動で行うよう
に構成することが望ましい。また、楔形試料の楔部分の
傾斜角を任意の角度に設定する機能を備えても良い。

【００５６】

【発明の効果】１）楔形突起部とＴＥＭホルダ表面間の
隙間がなくなったため２次イオンの回り込みがなくな
り、リデポ現象を防止することができた。

【００５７】２）固定面積が広く、強度的に安定した固
定ができるため、衝撃に対して強い固定ができた。

【００５８】３）最下層が絶縁層でその上に層構造があ
るチャージアップし易い試料においても、絶縁層を穴の
中に挿入してしまうことにより、構造解析目的部のみを
頭を出させることとなり、これを各種デポジション膜で
ＴＥＭホルダとつなぐことでチャージアップを解消する
ことが可能となった。

【００５９】４）ＴＥＭホルダ上に垂直に加工した穴に
沿って試料を挿入するため、垂直な固定が容易に可能と
なった。

【図面の簡単な説明】

【図１】バルクホルダでの試料マウント法。

【図２】従来ＦＩＢ法。

【図３】従来イオンシニング法。

【図４】ＴＥＭホルダへの試料挿入法。

【図５】従来マイクロサンプリング法。

【図６】ガラスを基板とした積層膜試料。

【図７】試料挿入後の試料固定法。

【図８】絶縁物（ガラス等）を基板とした積層膜試料の
チャージアップ防止法。

【図９】マイクロサンプリング法（摘出時）。

【図１０】マイクロサンプリング法（固定時）。

【図１１】マイクロサンプリング法（薄片化）。

【図１２】バルクホルダでの実施例。

【図１３】ＴＥＭホルダでの応用例。

【図１４】マイクロプローブによる持ち上げ方向例。

【図１５】ＴＥＭホルダへの加工穴形状例。

【図１６】深穴加工の自動設定。

【図１７】集束イオンビーム加工装置の一例を示す図で
ある。

【符号の説明】

１…摘出試料、２…ＦＩＢによる加工穴、３…ＴＥＭホ
ルダ、４，９…マイクロプローブ、５…各種デポジショ
ン膜、６…導電性膜、７…絶縁膜(ガラス等)、８…試料
表面、１０…試料支持部、１１…イオンビーム、１２…
バルクホルダ、１３…試料持ち上げ方向、１４…隙間。

フロントページの続き (72)発明者 伊藤 勝治 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 沼尾 義紀 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 岩本 寛 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器事業部内 (72)発明者 富松 聡 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 梅村 馨 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 4E066 AA01 BA13 BC02 BC08

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】集束イオンビームを用いた試料加工方法に
   おいて、 試料の特定部分を集束イオンビームを用いて切り出すス
   テップと、 前記切り出した特定部分を前記試料に他の部分より持ち
   上げるステップと、 前記特定部分を持ち上げた状態で、当該特定部分と前記
   試料の他の部分とを固定するステップを備えたことを特
   徴とする集束イオンビームを用いた試料加工方法。
2. 【請求項２】集束イオンビームを用いた試料加工方法に
   おいて、 試料の特定部分を集束イオンビームを用いて切り出すス
   テップと、 前記切り出した特定部分を、当該特定部分を挿入可能な
   凹部まで搬送するステップと、 当該凹部より前記特定部分を突出させた状態で、前記凹
   部の一部に前記特定部分を固定するステップを備えたこ
   とを特徴とする集束イオンビームを用いた試料加工方
   法。
3. 【請求項３】集束イオンビームを照射するための集束イ
   オンビーム光学系と、試料から発生した二次荷電粒子を
   検出する検出器と、当該検出器で得られた二次荷電粒子
   に基づいて試料像を形成する表示装置を備えた集束イオ
   ンビーム加工装置において、 先端に試料を支持するプローブと、当該プローブを駆動
   する駆動手段と、デポジション用のガスを供給するガス
   源と、前記表示装置上で前記集束イオンビームによる加
   工領域を設定する手段とを備え、当該設定手段による領
   域設定に基づいて、前記イオンビーム光学系による試料
   の特定部分の切り出しを行い、切り出した特定部分を前
   記プローブを用いて前記試料の他の部分より持ち上げ、
   前記特定部分を持ち上げた状態で、当該特定部分と前記
   試料の他の部分を接続するように、前記イオンビームを
   照射し前記ガスを放出するように制御する制御手段を備
   えたことを特徴とする集束イオンビーム加工装置。
4. 【請求項４】集束イオンビームを照射するための集束イ
   オンビーム光学系と、試料から発生した二次荷電粒子を
   検出する検出器と、当該検出器で得られた二次荷電粒子
   に基づいて試料像を形成する表示装置を備えた集束イオ
   ンビーム加工装置において、 先端に試料を支持するプローブと、当該プローブを駆動
   する駆動手段と、デポジション用のガスを供給するガス
   源と、前記表示装置上で前記集束イオンビームによる加
   工領域を設定する手段とを備え、当該設定手段による領
   域設定に基づいて、前記イオンビーム光学系による試料
   の特定部分の切り出しを行い、切り出した特定部分を前
   記プローブを用いて、前記特定部分を挿入可能な凹部ま
   で搬送し、当該凹部より前記特定部分を突出させた状態
   で、前記凹部の一部に前記特定部分を接続するように、
   前記イオンビームを照射し前記ガスを放出するように制
   御する制御手段を備えたことを特徴とする集束イオンビ
   ーム加工装置。