JP2006234835A - 試料作製方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。
【選択図】図1
Description
また、注目する所望の欠陥について電子顕微鏡を用いて詳細に解析しようとしても、以下の問題点のために所望の欠陥を的確に解析することは困難であった。
OSDA装置によれば短時間にウェハの広範囲にわたって表面近傍欠陥の数や分布などの情報が得られるものの、欠陥の種類や形状までは同定できない。そのため、複数種ある欠陥のうち特定の欠陥種についての発生原因の追及や、それらを低減させるための対策が打てないという問題点を抱えている。
OSDA装置による計測の空間分解能が10μm程度であるため、OSDA装置によって検出された欠陥を高分解能のTEMで解析しようとしても、サブμmの大きさの注目する表面近傍欠陥の位置をうまく特定することができない。特にOSDAで評価するウェハ表面は何ら印やパターンのない平滑面であるため、OSDAによって欠陥のおおよその位置が明らかになっても、TEM試料にするための手がかりがない。
本実施例では、特に表面近傍欠陥検出部によって検出したウェハの欠陥のうち、所望の欠陥をウェハ面からTEM観察するための試料、いわゆる平面TEM試料の試料作製方法について説明する。
つまり、表面近傍欠陥の近傍にマーキングしようとしてもSEM像やSIM像からは正確な位置の判断がつかない。また、欠陥の寸法が0.1μm程度と小さく、手作業でのメカニカルなポインティングによるマーキングでは位置出しの精度が全くない。一方、FIB走査での観察は高倍率で観察でき、その場で加工が可能なことから、欠陥座標が明らかであればマーキングの手段としてFIBを用いることができる。
図4は光学顕微鏡用の大マーク43と欠陥との相対位置を示すためのマーク41の位置関係の例を示す。この大マーク43はウェハ5を割断して小片5Aとする際の目印となるもので、数10μm程度の大きさでよい。また、大マーク43自体は、試料に適度の深さの凹部を形成するだけで光学顕微鏡では光の反射の仕方で明確に確認できる。
本実施例は、実施例1で作製した平面TEM試料をTEM観察して検出した注目する表面近傍欠陥について、さらに断面方向からもTEM観察するための試料作製方法である。この方法については、上記実施例1に継続する工程として説明する。
プローブ66は微小試料の移送手段の先端に固定したもので、移送手段の駆動部(図示せず)には、不注意なプローブ66の押し付けによるカンチレバー65やプローブ66の破損を避けるために、プローブ66が試料に接触した時点で+Z方向駆動を停止させる機能を有している。プローブ66の接触後、プローブ66をカンチレバー65に固定するために、プローブ66がカンチレバー65に接触した状態でプローブ66先端を含む約2μm平方の領域にデポジション膜67を形成する。デポジション膜67は保護膜63と同じ方法で形成し、同じ成分でよい。こうようにしてプローブ66とカンチレバー65(摘出すべき試料)とが接続できる(図6(f))。
本実施例は、上記試料作製方法を実現するための試料作製装置に関する実施例である。
また、FIB照射光学系のかわりに、投射イオンビーム光学系を用いてもよい。
いずれの方法でもTEM観察では欠陥と人工的なマークとの区別がつくので、欠陥の位置を特定し易く好適である。
図9を用いて欠陥検査部2で検出した欠陥のうち、注目する欠陥を含むμmレベルの微小試料を摘出し、断面方向からTEM観察するための試料に加工する装置を説明する。
実施例3では、欠陥検出部2とマーキング部3をまとめて備えた試料作製装置を示し、実施例4ではマーキング部を兼ねた試料作製部23と欠陥検出部2を有した試料作製装置としたが、図10のように、専らウェハ5の表面近傍欠陥を検出する表面近傍欠陥検出装置80と、専らウェハ5にマークを施すマーキング装置81が機械的に独立した構成としてもよい。本実施例の場合、表面近傍欠陥検出装置80とマーキング装置81の座標系を共通化し、それぞれの座標情報を共有し、各々の装置の試料ステージの駆動系を制御する命令を出したり、ウェハ5の情報を蓄える計算処理機82を有し、各々の装置とネットワーク83で結合された構成とする。
本実施例は、半導体ウェハの表面近傍欠陥を製造の初期段階で検出し、その検出結果をもとに、そのウェハが半導体装置の製造に使用できるか否かを判定する、すなわちスクリーニングを行なう半導体ウェハ管理方法に関するものである。
Claims (8)
- 電子ビームを照射してウェハ内の欠陥を特定する工程と、
当該特定された欠陥の近傍に、第一のプローブにより押し当てまたは引っ掻きによりマークを形成するマーキング工程、
上記ウェハにイオンビームを照射して、上記マークをもとに上記欠陥を含む微小試料を分離し、第二のプローブにより当該微小試料を上記ウェハから摘出する工程と、
当該微小試料に対して上記イオンビームを照射して上記欠陥の観察、計測、または分析を行うための試験片を作成する工程を備えることを特徴とする試料作製方法。 - 電子ビームを照射してウェハ内の欠陥を特定する工程と、
プローブにより上記特定した欠陥の近傍にマークを付けるマーキング工程と、
上記マークをもとに上記欠陥の観察、計測または分析のいずれかを行うのに適した試験片に上記ウェハを加工する加工工程を含むことを特徴とする試料作製方法。 - ウェハの表面近傍の欠陥を検出する欠陥検出工程と、
上記検出した欠陥を電子ビームを走査して特定し、当該欠陥の近傍にプローブによる押し当てまたは引っ掻きによりマークを形成するマーキング工程と、
上記マークをもとに上記欠陥の観察、計測または分析のいずれかを行うのに適した試験片に上記ウェハを加工する加工工程を含むことを特徴とする試料作製方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載の試料作製方法において、
上記加工工程が、上記マークを基準にして上記ウェハの欠陥を含む微小試料を少なくともイオンビーム加工により上記ウェハから摘出する工程と、
上記微小試料を観察、計測または分析のための試料ホルダに移送して固定する工程と、
上記微小試料に対してさらに上記イオンビームによる加工を施して観察、計測または分析に適した形状に仕上げる工程とを含むことを特徴とする試料作製方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載の試料作製方法において、
上記試験片は透過電子顕微鏡または走査透過電子顕微鏡による観察、計測または分析のための試験片であることを特徴とする試料作製方法。 - 請求項3に記載の試料作製方法において、
上記欠陥検出工程において上記欠陥の座標情報を記憶し、当該座標情報に基づいて上記欠陥近傍にマークを形成することを特徴とする試料作製方法。 - ウェハ内の欠陥を検出する欠陥検出装置と、
上記欠陥検出装置によって検出した欠陥を特定する電子ビーム光学系と、当該欠陥の近傍にマークを付けるプローブとを有するマーキング部と、上記ウェハにイオンビームを照射して、上記欠陥を含む微小試料を上記ウェハより分離、摘出し、分析、観察または計測の少なくともいずれかを行うのに適した試験片に加工する試料加工部とを有する試料作製装置とを少なくとも備えることを特徴とする試料作製システム。 - 請求項7に記載の試料作製システムにおいて、
上記試料加工部は、
上記欠陥を含む上記ウェハの微小領域にイオンビームを照射するイオンビーム照射光学系と、
上記イオンビームを上記微小領域に照射して上記ウェハより分離した微小試料を摘出するプローブと、
上記摘出された上記微小試料を載せる試料ホルダとを少なくとも備えることを特徴とする試料作製システム。
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