JP4353962B2 - 試料解析方法及び試料作製方法 - Google Patents
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Description
(2)試料作製の問題:ウエハ検査装置や検査SEMによるウエハ全面もしくは一部の検査の結果、ある位置に不良箇所を検出しても、ウエハから解析試料片を作製する時に、解析の目的とする微小異物が無くなったり変質したり、又は、別の損傷を引き起こし重畳して本来の目的とする不良箇所の原因究明ができなくなることがある。これは従来の試料作製方法が試料の切断や研磨、へき開など機械的や化学的な手法に依っていたためで、当初の不良箇所をそのまま状態で分析装置に導入して的確な解析結果を得る歩留りは高いものではなかった。また、このような的確な解析が長時間に及ぶために最終的な製品に不良品が続発して多大の損害をもたらす場合すらある。
(3)ウエハ破損の問題:製造途中のある工程での仕上がりを監視するために、ウエハの特定部のみの継続的な検査においては、定期的に定量数毎に、たった数点の検査箇所に対してウエハを分断して、検査箇所以外はすべて廃棄している。最近ではウエハ径が200mmとなり、さらに300mm、またそれ以上に大口径化する傾向にあるため、付加価値が高いデバイスが数多く搭載されたウエハを数箇所の検査のために切断や劈開で分離して、廃棄処分することは非常に不経済であった。
特に、上記検査手段が光学式ウエハ検査装置、ウエハ検査用走査電子顕微鏡、レーザ走査顕微鏡、光学式顕微鏡のうちの少なくともいずれかを用いる。
以下に、その具体的実施形態例を示す。
図1は、本発明による試料解析方法を実現するための試料解析装置の一実施例を示す概略構成図である。
試料解析装置100は、ウエハ検査部101と試料作製部102が機械的に連結されている。ウエハ検査部101はウエハ外観検査装置や検査SEM、プローバ装置に該当する。ウエハ検査によって不良箇所を検出して解析の必要がある場合、ウエハ検査部101と試料作製部102の間に設置したバルブ106を開いて、ウエハ12を試料作製部102へ搬送できる。試料作製部102で加工作製された試料片は別にあるTEM, SEMなど観察装置や分析装置や計測装置などに搬入して不良箇所を解析する。逆に、ウエハ検査の結果、異常がない場合にはウエハ12は試料作製部102に送る必要はなく、次の製造工程の装置に搬送する。
なお、集束イオンビーム装置にレーザー顕微鏡を備えた装置については、特開平9-134699号公報『集束イオンビーム装置』(公知例3)に示されているが、試料基板12の特定領域部分を摘出する移送手段8の存在については一切記載されていない。
上記実施形態例1では、ウエハ検査部101と試料作製部102を機械的に結合させ、試料基板12であるウエハを両装置間で搬走させる例を説明した。本実施形態例2は図8のようにウエハ検査部101と試料作製部102が機械的に独立していて、不良箇所の座標情報が両者の計算処理装置17、17’を往来する例である。試料基板であるウエハ12は小型で真空状態にできる搬送用容器107に封入して運搬する。ウエハ検査部101での座標情報などは計算処理装置17’から情報伝達手段110を通じて試料作製部102の計算処理装置17に伝達できる。このような構成により、ウエハ検査部101で検出したウエハ12の不良箇所は試料作製部102において、各種解析装置で解析し易い形状に加工作製する。
次に、本発明による試料解析方法の一実施形態を説明する。ここでは、試料の例としてTEM観察すべき試料片の作製方法を取り上げ、ウエハ観察から試料片加工、TEM観察までの試料解析方法の具体的説明を行なう。また、手順を明確にするために以下にいくつかの工程に分割して、図を用いて説明する。
(1)外観検査工程:
まず、検査すべきウエハの全面もしくはその一部について異常の有無を検査する。検査内容は、光(レーザ)によるウエハ検査装置や電子ビームによる検査SEMなどの外観検査や、プローブ装置による電気回路検査などである。この検査によって異物や欠陥、配線異常など不良箇所の位置を知ることができる。この時、ウエハに予め設置した目印(ウエハマーク)を基準にして上記不良箇所の該当デバイス座標と、その該当デバイスに予め設置したマークを基準にした座標情報として計算処理装置に記憶する。
(a)マーキング工程:
上記ウエハを試料作製部に導入して、まず、先の該当デバイスの目印(デバイスマーク)を探し出す。ここで、デバイスマークは試料作製部に設置したレーザ顕微鏡で探す。さらに詳しい探索によって上記不良箇所を探し出すが、このとき、FIB照射による二次電子像によって探索すると、試料表面はFIBによってスパッタされるため表面損傷を受け、最悪の場合、所望の解析すべき不良物が無くなってしまうことが生じる。従って、ウエハ検査時のウエハマークとデバイスマークと不良箇所の座標および、試料作製部内でのウエハマークとデバイスマークの座標をもとに、試料作製装置内での不良箇所の座標を計算により導出した後、不良箇所が確認できるように複数ヵ所にFIBによってマークをつける。
上記2個のマーク80を結ぶ直線上で、2個のマークの両側にFIB81によって2個の矩形穴82を設けた。開口寸法は例えば10×7ミクロン、深さ15ミクロン程度で、両矩形穴の間隔を30ミクロンとした。いずれも、短時間に完了させるために直径0.15ミクロン程度で電流約10nAの大電流FIBで加工した。加工時間はおよそ5分であった。
次に、図9bのように上記マーク80を結ぶ直線より約2ミクロン 隔てて、かつ、一方の矩形穴82と交わるように、他方の矩形穴には交わらないように幅約2ミクロン、長さ約30ミクロン、深さ約10ミクロンの細長垂直溝83を形成する。ビームの走査方向は、FIBが試料を照射した時に発生するスパッタ粒子が形成した垂直溝や大矩形穴を埋めることがないようにする。一方の矩形穴82と交わらない小さな領域は、後に摘出すべき試料を支える支持部84になる。
上記(b)(c)工程の後、試料面を小さく傾斜(本実施例では20°)させる。ここで、上記2個のマーク80を結ぶ直線は試料ステージの傾斜軸に平行に設定している。そこで、図9cのように上記マーク80を結ぶ直線より約2ミクロン隔てて、かつ、上記細長垂直溝83とは反対側に、上記両矩形穴82を結ぶように、幅約2ミクロン、長さ約32ミクロン 、深さ約15ミクロンの溝を形成する。FIB照射によるスパッタ粒子が形成した矩形穴82を埋めることがないようにする。試料基板面に対して斜めから入射したFIB81によって細長傾斜溝85が形成され、先に形成した細長垂直溝83と交わる。(b)から(d)の工程によって、支持部84を残してマーク80を含み、頂角が70°の直角三角形断面のクサビ型摘出試料が片持ち梁の状態で保持されている状態になる。
次に、図9dのように試料ステージを水平に戻し、摘出すべき試料86の支持部84とは反対の端部に移送手段先端のプローブ87を接触させる。接触は試料とプローブとの導通や両者間の容量変化によって感知することができる。また、不注意なプローブ87の押し付けによって、摘出すべき試料86やプローブ87の破損を避けるために、プローブが試料に接触した時点で+Z方向駆動を停止させる機能を有している。次に、摘出すべき試料86にプローブ87を固定するために、プローブ先端を含む約2ミクロン平方の領域に、デポジション用ガスを流出させつつFIBを走査させる。このようにしてFIB照射領域にデポ膜88が形成され、プローブ87と摘出すべき試料86とは接続される。
摘出試料を試料基板から摘出するために、支持部84にFIB照射してスパッタ加工することで、支持状態から開放される。支持部84は試料面上から見て2ミクロン平方、深さ約10ミクロンであるため2〜3分のFIB走査で除去できる。(図9e, f)
(g)摘出試料搬送(試料ステージ移動)工程:
プローブ87の先端に接続されて摘出した摘出試料89は試料ホルダに移動させるが、実際には試料ステージを移動させ、FIB走査領域内に試料ホルダ90を移動させる。このとき、不意の事故を避けるために、プローブを+Z方向に退避させておくとよい。(図9g)
(h)摘出試料固定工程:
FIB走査領域内に試料ホルダ90が入ってくると試料ステージ移動を停止し、プローブをーZ方向に移動させ、試料ホルダ90に接近させる。摘出試料89が試料ホルダ90に接触した時、デポガスを導入しつつ摘出試料89と試料ホルダ90と接触部にFIBを照射する。この操作によって摘出試料は試料ホルダに接続できる。本実施例では摘出試料89の長手方向の端面にデポ膜92を形成した。FIB照射領域は3ミクロン平方程度で、デポ膜92の一部は試料ホルダ90に、一部は摘出試料側面に付着し、両者が接続される。(図9h)
(i)プローブ切断工程:
次に、デポ用のガスの導入を停止した後、プローブ87と摘出試料89を接続しているデポ膜にFIB81を照射してスパッタ除去することで、プローブ87を摘出試料89から分離でき、摘出試料89は試料ホルダ90に自立する。(図9i)
(j)試料片加工工程(ウオール加工):
最後に、FIB照射して、最終的に観察領域を厚さが100nm以下程度のウォール93になるように薄く仕上げ加工を施してTEM試料とする。このとき、摘出試料の長手方向の側面の一方が垂直面であるため、ウォール加工のためにFIB照射領域を決定する際、この垂直面を基準にすることで試料基板89表面にほぼ垂直なウォール93を形成することができる。また、FIB照射に先立ち、ウォール面をより平面的に加工するために、ウォール形成領域を含む上面にFIBデポ膜を形成しておくとよい。この方法は既によく知られている。上述の加工の結果、横幅約15ミクロン、深さ約10ミクロンのウォールが形成でき、TEM観察領域ができあがる。以上、マーキングからウォール加工完成まで、約1時間30分で、従来のTEM試料作製方法に比べて数分の1に時間短縮できた。(図9j)
(3)解析工程(TEM観察):
ウォール加工後、試料ホルダを、TEMの試料室に導入する。このとき、電子線経路と、ウォール面が垂直に交わるようにTEMステージを回転させて挿入する。その後のTEM観察技術についてはよく知られているので、ここでは省略する。
切り出された分離試料58は、接続されたプローブ54で支持された状態になる(図10(g))。この分離試料58を、上記第2の従来手法と同様にFIBで加工し、観察しようとする領域をウォール加工するとTEM試料(図示せず)となる。
このように、本発明による試料作製工程と公知例2による試料分離方法と大きく異なる点は、(1)試料の摘出(分離)に際してのビーム照射方法が全く異なり、摘出試料をなるべく薄くするためと、底面の分離を簡便に、また、試料ステージの傾斜をなるべく小さくするために長手方向(TEM観察面に平行方向)の側面を傾斜加工したこと、(2)摘出した試料は移送手段とは別の部材である試料ホルダに固定することにあり、ウエハからも試料片が摘出できる試料作製装置と試料作製方法を提供している。
上記実施形態例の試料解析工程はTEM解析に限らず、他の観察手法、分析手法や観察手法に用いることも可能である。
Claims (58)
- 検査装置にて試料基板の全面又は一部を検査し;
検出された所望箇所の座標情報を前記検査装置の計算処理装置に記憶し;
集束イオンビーム照射光学系を備える試料作製装置の試料室内に前記試料基板を導入し;
前記試料作製装置の計算処理装置に前記座標情報を伝達し;
前記座標情報に基づいて、集束イオンビームによる加工を利用して、前記試料基板から、前記所望箇所を含む試料片を摘出し;
移送手段により、前記試料室内に設置されている試料ホルダに、前記試料片を移送し;
デポジションにより前記試料片を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して該試料片の形状を加工し;
透過型電子顕微鏡の試料室に、前記試料片を固定した前記試料ホルダを導入し;
前記試料片を透過型電子顕微鏡観察する、試料解析方法。 - 集束イオンビーム照射光学系を備える試料作製装置の試料室内に試料基板を導入し;
検査装置にて前記試料基板の全面又は一部を検査して検出された所望箇所の座標情報を、前記試料作製装置の計算処理装置に伝達し;
前記座標情報に基づいて、集束イオンビームによる加工を利用して、前記試料基板から、前記所望箇所を含む試料片を摘出し;
移送手段により、前記試料室内に設置されている試料ホルダに、前記試料片を移送し;
デポジションにより前記試料片を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して該試料片の形状を加工し;
透過型電子顕微鏡の試料室に、前記試料片を固定した前記試料ホルダを導入し;
前記試料片を透過型電子顕微鏡観察する、試料解析方法。 - 検査装置にて試料基板の全面又は一部を検査し;
検出された所望箇所の座標情報を前記検査装置の計算処理装置に記憶し;
集束イオンビーム照射光学系を備える試料作製装置の試料室内に前記試料基板を導入し;
前記試料作製装置の計算処理装置に前記座標情報を伝達し;
前記座標情報に基づいて、前記試料基板に集束イオンビームを照射して前記所望箇所の周囲に溝を形成し;
移送手段により、前記試料基板から摘出された前記所望箇所を含む試料片を、前記試料室内に設置されている試料ホルダに移送し;
デポジションにより前記試料片を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して該試料片の形状を加工し;
透過型電子顕微鏡の試料室に、前記試料片を固定した前記試料ホルダを導入し;
前記試料片を透過型電子顕微鏡観察する、試料解析方法。 - 集束イオンビーム照射光学系を備える試料作製装置の試料室内に試料基板を導入し;
検査装置にて前記試料基板の全面又は一部を検査して検出された所望箇所の座標情報を、前記試料作製装置の計算処理装置に伝達し;
前記座標情報に基づいて、前記試料基板に集束イオンビームを照射して前記所望箇所の周囲に溝を形成し;
移送手段により、前記試料基板から摘出された前記所望箇所を含む試料片を、前記試料室内に設置されている試料ホルダに移送し;
デポジションにより前記試料片を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して該試料片の形状を加工し;
透過型電子顕微鏡の試料室に、前記試料片を固定した前記試料ホルダを導入し;
前記試料片を透過型電子顕微鏡観察する、試料解析方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料基板が、半導体ウェハである試料解析方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料基板が、半導体チップである試料解析方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記検査装置が、試料基板の不良箇所を検査する試料解析方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記検査装置が、試料基板に付着した異物や、試料基板に形成された回路パターンの欠陥、を検査する試料解析方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記検査装置が、光や電子線を用いたウェハ外観検査装置である試料解析方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記検査装置が、光学式ウェハ検査装置である試料解析方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記検査装置が、ウェハ検査用走査電子顕微鏡である試料解析方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記検査装置が、レーザ走査顕微鏡である試料解析方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記検査装置が、光学式顕微鏡である試料解析方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して該試料片の形状を加工する際に、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射し、該試料片を薄片化する試料解析方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して該試料片の形状を加工する際に、前記試料ホルダに自立した前記試料片に集束イオンビームを照射し、該試料片をウォール加工する試料解析方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して該試料片の形状を加工する際に、前記試料ホルダに自立した前記試料片に集束イオンビームを照射し、該試料片を薄く仕上げ加工する試料解析方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して該試料片の形状を加工する際に、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に、集束イオンビーム照射による薄壁加工を施す試料解析方法。
- 請求項1〜17のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料ホルダが、複数の試料片を固定する試料解析方法。
- 請求項1〜18のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料ホルダが、試料片を固定する固定面を備えている試料解析方法。
- 請求項1〜18のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料ホルダが、試料片を固定するシリコンウェハ面を備えている試料解析方法。
- 請求項1〜18のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料ホルダが、試料片を固定するへき開面を備えている試料解析方法。
- 請求項1〜21のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記移送手段が、プローブを含む試料解析方法。
- 請求項1〜22のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料作製装置の計算処理装置が、当該計算処理装置に伝達された前記座標情報に基づいて前記試料作製装置内での所望箇所の座標情報を導出し、その後、前記試料基板から前記試料片を摘出する試料解析方法。
- 請求項1〜23のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記試料作製装置の計算処理装置が、当該計算処理装置に伝達された前記検査装置により検出されたウェハマーク、デバイスマーク、及び所望箇所の座標、並びに、前記試料作製装置内でのウェハマーク、及びデバイスマークの座標から、前記試料作製装置内での所望箇所の座標を計算し、その後、前記試料基板から前記試料片を摘出する試料解析方法。
- 請求項1〜24のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記計算処理装置に前記座標情報が伝達された後、前記試料作製装置において、前記所望箇所が確認できるように、集束イオンビームにより、前記試料基板にマークをつけ、その後、前記試料基板から前記試料片を摘出する試料解析方法。
- 請求項1〜24のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記計算処理装置に前記座標情報が伝達された後、前記試料作製装置において、集束イオンビームにより、前記所望箇所を挟んだ2個のマークを前記試料基板に施し、その後、前記試料基板から前記試料片を摘出する試料解析方法。
- 検査装置にて試料基板の全面又は一部を検査し;
検出された所望箇所の座標情報を前記検査装置の計算処理装置に記憶し;
集束イオンビーム照射光学系を備える試料作製装置の試料室内に前記試料基板を導入し;
前記試料作製装置の計算処理装置に前記座標情報を伝達し;
前記座標情報に基づいて、集束イオンビームによる加工を利用して、前記試料基板から、前記所望箇所を含む試料片を摘出し;
移送手段により、前記試料室内に設置されている試料ホルダに、前記試料片を移送し;
デポジションにより前記試料片を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡観察用の試料片を作製する、試料作製方法。 - 集束イオンビーム照射光学系を備える試料作製装置の試料室内に試料基板を導入し;
検査装置にて前記試料基板の全面又は一部を検査して検出された所望箇所の座標情報を、前記試料作製装置の計算処理装置に伝達し;
前記座標情報に基づいて、集束イオンビームによる加工を利用して、前記試料基板から、前記所望箇所を含む試料片を摘出し;
移送手段により、前記試料室内に設置されている、透過型電子顕微鏡の試料室に導入可能な試料ホルダに、前記試料片を移送し;
デポジションにより前記試料片を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡観察用の試料片を作製する、試料作製方法。 - 検査装置にて試料基板の全面又は一部を検査し;
検出された所望箇所の座標情報を前記検査装置の計算処理装置に記憶し;
集束イオンビーム照射光学系を備える試料作製装置の試料室内に前記試料基板を導入し;
前記試料作製装置の計算処理装置に前記座標情報を伝達し;
前記座標情報に基づいて、前記試料基板に集束イオンビームを照射して前記所望箇所の周囲に溝を形成し;
移送手段により、前記試料基板から摘出された前記所望箇所を含む試料片を、前記試料室内に設置されている試料ホルダに移送し;
デポジションにより前記試料片を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡観察用の試料片を作製する、試料作製方法。 - 集束イオンビーム照射光学系を備える試料作製装置の試料室内に試料基板を導入し;
検査装置にて前記試料基板の全面又は一部を検査して検出された所望箇所の座標情報を、前記試料作製装置の計算処理装置に伝達し;
前記座標情報に基づいて、前記試料基板に集束イオンビームを照射して前記所望箇所の周囲に溝を形成し;
移送手段により、前記試料室内に設置されている、透過型電子顕微鏡の試料室に導入可能な試料ホルダに、前記試料基板から摘出された前記所望箇所を含む試料片を移送し;
デポジションにより前記試料片を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡観察用の試料片を作製する、試料作製方法。 - 請求項27〜30のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料基板が、半導体ウェハである試料作製方法。
- 請求項27〜30のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料基板が、半導体チップである試料作製方法。
- 請求項27〜32のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記検査装置が、試料基板の不良箇所を検査する試料作製方法。
- 請求項27〜32のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記検査装置が、試料基板に付着した異物や、試料基板に形成された回路パターンの欠陥、を検査する試料作製方法。
- 請求項27〜32のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記検査装置が、光や電子線を用いたウェハ外観検査装置である試料作製方法。
- 請求項27〜32のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記検査装置が、光学式ウェハ検査装置である試料作製方法。
- 請求項27〜32のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記検査装置が、ウェハ検査用走査電子顕微鏡である試料作製方法。
- 請求項27〜32のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記検査装置が、レーザ走査顕微鏡である試料作製方法。
- 請求項27〜32のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記検査装置が、光学式顕微鏡である試料作製方法。
- 請求項27〜39のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡観察用の試料片を作製する際に、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射し、該試料片を薄片化する試料作製方法。
- 請求項27〜39のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡観察用の試料片を作製する際に、前記試料ホルダに自立した前記試料片に集束イオンビームを照射し、該試料片をウォール加工する試料作製方法。
- 請求項27〜39のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡観察用の試料片を作製する際に、前記試料ホルダに自立した前記試料片に集束イオンビームを照射し、該試料片を薄く仕上げ加工する試料作製方法。
- 請求項27〜39のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡観察用の試料片を作製する際に、前記試料ホルダに固定されている前記試料片に、集束イオンビーム照射による薄壁加工を施す試料作製方法。
- 請求項27〜43のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料ホルダが、複数の試料片を固定する試料作製方法。
- 請求項27〜44のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料ホルダが、試料片を固定する固定面を備えている試料作製方法。
- 請求項27〜44のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料ホルダが、試料片を固定するシリコンウェハ面を備えている試料作製方法。
- 請求項27〜44のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料ホルダが、試料片を固定するへき開面を備えている試料作製方法。
- 請求項27〜47のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記移送手段が、プローブを含む試料作製方法。
- 請求項27〜48のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料作製装置の計算処理装置が、当該計算処理装置に伝達された前記座標情報に基づいて前記試料作製装置内での所望箇所の座標情報を導出し、その後、前記試料基板から前記試料片を摘出する試料作製方法。
- 請求項27〜49のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記試料作製装置の計算処理装置が、当該計算処理装置に伝達された前記検査装置により検出されたウェハマーク、デバイスマーク、及び所望箇所の座標、並びに、前記試料作製装置内でのウェハマーク、及びデバイスマークの座標から、前記試料作製装置内での所望箇所の座標を計算し、その後、前記試料基板から前記試料片を摘出する試料作製方法。
- 請求項27〜50のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記計算処理装置に前記座標情報が伝達された後、前記試料作製装置において、前記所望箇所が確認できるように、集束イオンビームにより、前記試料基板にマークをつけ、その後、前記試料基板から前記試料片を摘出する試料作製方法。
- 請求項27〜50のいずれか1項に記載の試料作製方法であって、前記計算処理装置に前記座標情報が伝達された後、前記試料作製装置において、集束イオンビームにより、前記所望箇所を挟んだ2個のマークを前記試料基板に施し、その後、前記試料基板から前記試料片を摘出する試料作製方法。
- 集束イオンビーム装置の試料室内にウェハを導入し;
光学式ウェハ検査装置、又はウェハ検査用走査電子顕微鏡により検出された前記ウェハの不良箇所の座標情報を、前記集束イオンビーム装置の計算処理装置に伝達し;
前記座標情報に基づいて、集束イオンビームにより、前記ウェハから、前記不良箇所を含む摘出試料を摘出し;
前記試料室内に設置され、透過型電子顕微鏡の試料室に導入可能な試料ホルダに、前記摘出試料をプローブにより移送し;
デポジションにより前記摘出試料を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記摘出試料に集束イオンビームを照射して該摘出試料を薄片化する、試料解析方法。 - 集束イオンビーム装置の試料室内にウェハを導入し;
光学式ウェハ検査装置、又はウェハ検査用走査電子顕微鏡により検出された前記ウェハの不良箇所の座標情報を、前記集束イオンビーム装置の計算処理装置に伝達し;
前記座標情報に基づいて、前記ウェハに集束イオンビームを照射して前記所望箇所の周囲に溝を形成し;
前記試料室内に設置され、透過型電子顕微鏡の試料室に導入可能な試料ホルダに、前記ウェハから摘出された前記不良箇所を含む摘出試料を、プローブにより移送し;
デポジションにより前記摘出試料を前記試料ホルダに固定し;
前記試料ホルダに固定されている前記摘出試料に集束イオンビームを照射して該摘出試料を薄片化する、試料解析方法。 - 請求項53又は54に記載の試料解析方法であって、前記試料作製装置の計算処理装置が、当該計算処理装置に伝達された前記座標情報に基づいて前記試料作製装置内での不良箇所の座標情報を導出し、その後、前記ウェハから前記摘出試料を摘出する試料解析方法。
- 請求項53又は54に記載の試料解析方法であって、前記試料作製装置の計算処理装置が、当該計算処理装置に伝達されたウェハ検査時のウェハマーク、デバイスマーク、及び不良箇所の座標、並びに、前記試料作製装置内でのウェハマーク、及びデバイスマークの座標から、前記試料作製装置内での不良箇所の座標を計算し、その後、前記ウェハから前記摘出試料を摘出する試料解析方法。
- 請求項53〜56のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記計算処理装置に前記座標情報が伝達された後、前記集束イオンビーム装置において、前記不良箇所が確認できるように、集束イオンビームにより、前記ウェハに目印をつけ、その後、前記ウェハから前記摘出試料を摘出する試料解析方法。
- 請求項53〜56のいずれか1項に記載の試料解析方法であって、前記計算処理装置に前記座標情報が伝達された後、前記集束イオンビーム装置において、集束イオンビームにより、前記不良箇所を挟んだ2個のマークを前記ウェハに施し、その後、前記ウェハから前記摘出試料を摘出する試料解析方法。
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