CN112419486A - 一种光刻胶形貌的三维重建方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种光刻胶形貌的三维重建方法，本发明通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像使得其无需破坏晶圆进行制样，消除了样品的成本，还使得其不会出现由于切片造成的光刻胶图形出现移位、拉伸、改变原本形貌等问题，从而提高了测量精度，同时，在获取第一二维图像和第二二维图像时，均通过机器自动完成，无需通过人工操作，因此不存在人员测量差异，还降低了人工的成本。并通过本发明的方法使得重建的所述采集区域的光刻胶线条的三维图像的过程通过软件实现，其也是机器自动完成，无需通过人工操作，大幅度缩短检测周期，加快了工艺研发进度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺领域，特别是涉及一种光刻胶形貌的三维重建方法。
背景技术
光刻(photolithography)工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。光刻胶线条的侧壁倾角、驻波、顶部圆角(top-rounding)与底部圆角(footing)是光刻工艺性能的四大重要评价指标，而他们均可以通过光刻胶线条的侧壁形貌表现出来。
通常获取光刻胶线条形貌的方法为：首先，制备具有光刻胶线条的晶圆样品，其中，所述光刻胶线条是光刻胶层经过光刻工艺后得到的；接着，切片处理所述晶圆样品，以获取具有光刻胶线条的切片；接着，通过电子显微镜扫描所述光刻胶线条的切片，以获取光刻胶线条的侧壁形貌；接着，定量测量光刻胶线条的侧壁倾角、驻波、顶部圆角与底部圆角等数据，以确认光刻工艺性能。然而，该方法存在以下问题：
a、上述方法属于有损测量，其需要破坏晶圆进行制样，且单个切片样品只能观察单个图形的单个截面，使得单次测量成本较高；
b、在制样过程中，容易出现光刻胶线条出现移位、拉伸、改变原本形貌等问题，从而降低了测量精度；
c、电子显微镜扫描在扫描所述光刻胶切片时，扫描样品质量依赖检测工程师的操作技能，因此，存在人员测量误差；
d、测量周期长，一般需要一天才能反馈结果，拉长光刻工艺研发周期。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种光刻胶形貌的三维重建方法，包括以下步骤：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个光刻胶线条，所述半导体衬底置于承载平台上，且所述半导体衬底包括采集区域，所述采集区域包括至少一条光刻胶线条；
通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像，以及在第二倾角下的第二二维图像，
其中，所述第一倾角的角度与第二倾角的角度不同；
获取所述第一二维图像的第一图像灰度值和所述第二二维图像的第二图像灰度值，并通过所述第一图像灰度值和第二图像灰度值获得需重建三维图像中的二维图像数据；
经过所述二维图像数据计算需重建三维图像的每个像素点的角度，以重建所述采集区域的光刻胶线条的三维图像。
可选的，所述无损测量方式包括微距测量扫描式电子显微镜测量方式。
进一步的，获取所述第一二维图像的第一图像灰度值和所述第二二维图像的第二图像灰度值包括：
通过计算机读取并进行滤波处理所述第一二维图像，以获得第一图像灰度值；
通过计算机读取并进行滤波处理所述第二二维图像，以获得第二图像灰度值。
进一步的，所述第一图像灰度值由所述第一二维图像中的光刻胶线条的所有像素点的像素灰度值组成。
进一步的，所述第二图像灰度值由所述第二二维图像中的光刻胶线条的所有像素点的像素灰度值组成。
可选的，所述二维图像数据包括采集区域的每个像素点对应的a和k，
k满足以下公式：k＝cos(θ)·(P2-P1)/(1-cos(θ))！
a满足以下公式：a＝P1-k
其中，θ为第二图像对应的倾角；P1为第一图像无光刻胶区域像素点的平均灰度值；P2为第二图像无光刻胶区域像素点的平均灰度值。
进一步的，每个所述像素点的角度θ满足公式：
其中，s为重建后的三维图像中的每个像素点的灰度值；a、k为重建三维图像中的二维图像数据。
可选的，所述承载平台用于承载所述半导体衬底，同时所述承载平台承载所述半导体衬底进行后续的无损测量。
可选的，所述承载平台的倾角包括0°倾角和5°倾角。
可选的，所述第一倾角的角度为0°，所述第二倾角的角度为5°。
与现有技术相比存在以下有益效果：
本发明提供一种光刻胶形貌的三维重建方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个光刻胶线条，所述半导体衬底置于承载平台上，且所述半导体衬底包括采集区域，所述采集区域包括至少一条光刻胶线条；通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像，以及在第二倾角下的第二二维图像，其中，所述第一倾角的角度与第二倾角的角度不同；获取所述第一二维图像的第一图像灰度值和所述第二二维图像的第二图像灰度值，并通过所述第一图像灰度值和第二图像灰度值获得需重建三维图像中的二维图像数据；经过所述二维图像数据计算需重建三维图像的每个像素点的角度，以重建所述采集区域的光刻胶线条的三维图像。本发明通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像使得其无需破坏晶圆进行制样，消除了样品的成本，还使得其不会出现由于切片造成的光刻胶图形出现移位、拉伸、改变原本形貌等问题，从而提高了测量精度，同时，在获取第一二维图像和第二二维图像时，均通过机器自动完成，无需通过人工操作，因此不存在人员测量差异，还降低了人工的成本。并通过本发明的方法使得重建的所述采集区域的光刻胶线条的三维图像的过程通过软件实现，其也是机器自动完成，无需通过人工操作，大幅度缩短检测周期，加快了工艺研发进度。
附图说明
图1为本发明一实施例的一种光刻胶形貌的三维重建方法的流程示意图；
图2为本发明一实施例的第一二维图像的示意图；
图3为本发明一实施例的第二二维图像的示意图；
图4为本发明一实施例的采集区域在重建后的光刻胶线条的剖面形貌曲线示意图；
图5为本发明一实施例的采集区域在重建后的光刻胶线条的立体形貌示意图。
附图标记说明：
A-0°倾角下的光刻胶线条剖面上的各像素点的灰度值曲线；B-5°倾角下的光刻胶线条剖面上的各像素点的灰度值曲线；C-采集区域的光刻胶线条在重建后的剖面形貌曲线；D-采集区域的光刻胶线条在剖面方向上的各个像素点对应的灰度值的曲线。
具体实施方式
以下将对本发明的一种光刻胶形貌的三维重建方法作进一步的详细描述。下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图1为本实施例的一种光刻胶形貌的三维重建方法的流程示意图。如图1所示，本实施例提供了一种光刻胶形貌的三维重建方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个光刻胶线条，所述半导体衬底置于承载平台上，且所述半导体衬底包括采集区域，所述采集区域包括至少一条光刻胶线条；
步骤S2：通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像，以及在第二倾角下的第二二维图像，
其中，所述第一倾角的角度与第二倾角的角度不同；
步骤S3：获取所述第一二维图像的第一图像灰度值和所述第二二维图像的第二图像灰度值，并通过所述第一图像灰度值和第二图像灰度值获得需重建三维图像中的二维图像数据；
步骤S4：经过所述二维图像数据计算需重建三维图像的每个像素点的角度，以重建所述采集区域的光刻胶线条的三维图像。
下面结合图1-5对本发明实施例所提供的光刻胶形貌的三维重建方法进行详细介绍。
首先执行步骤S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个光刻胶线条，所述半导体衬底置于晶圆承载平台上，且所述半导体衬底包括采集区域，所述采集区域包括至少一条光刻胶线条。
所述半导体衬底可为后续工艺提供操作平台，其可以是本领域技术人员熟知的任何用以承载半导体集成电路组成元件的底材，可以是裸片，也可以是经过外延生长工艺处理后的晶圆，详细的，所述半导体衬底例如是绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)基底、体硅(bulk silicon)基底、锗基底、锗硅基底、磷化铟(InP)基底、砷化镓(GaAs)基底或者绝缘体上锗基底等。多个所述光刻胶线条例如是光刻胶层通过旋涂、曝光、显影等光刻工艺后形成的。
为了取得更好的刻蚀性能，一般要求在光刻工艺后的所述光刻胶线条的侧壁倾角(光刻胶线条在其延伸方向的两侧的表面与半导体衬底表面之间的夹角)在85°～90°之间。在光刻胶工艺之后，需要经过光刻胶线条的三维图像来测量该侧壁倾角以判断其是否在上述范围内。在本实施例中，所述采集区域包括一条光刻胶线条，且采集区域的该光刻胶线条为部分长度的原光刻胶线条。
所述承载平台用于承载所述半导体衬底，同时所述承载平台可以承载所述半导体衬底进行后续的无损测量。在本实施例中，所述承载平台的倾角可以包括0°倾角和5°倾角，在其他实施例中，所述承载平台的倾角包括0°倾角、5°倾角，以及1°倾角、2°倾角、3°倾角、4°倾角、6°倾角等等。
为了得到可以测量光刻胶线条的侧壁倾角，接着执行步骤S2，通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像，以及在第二倾角下的第二二维图像，其中，所述第一倾角的角度与第二倾角的角度不同。所述无损测量方式使得其无需破坏晶圆进行制样，消除了样品的成本，还使得其不会出现由于切片造成的光刻胶图形出现移位、拉伸、改变原本形貌等问题，从而提高了测量精度，同时，在获取第一二维图像和第二二维图像时，均通过机器自动完成，无需通过人工操作，因此不存在人员测量差异，还降低了人工的成本。具体的，通过微距测量扫描式电子显微镜(Critical DimensionScanning Electronic Microscope，CD-SEM)测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像，以及在第二倾角下的第二二维图像。
所述微距测量扫描式电子显微镜常用于快速抓取光刻胶图形的俯视的检测图像，并精确测量光刻胶线条的线宽尺寸，并通过检测图像的白边来定性评价侧壁性能，但是光刻胶线条的侧壁倾角、顶部圆角与底部圆角在检测图像中均可以形成白边，这就使得该CD-SEM不能区分获取该三项侧壁性能指标。本实施例通过CD-SEM俯视扫描所述光刻胶线条的表面，以获取第一二维图像和第二二维图像，增加了CD-SEM的可测试项目，提高了CD-SEM的功能性，还有利于解决现有工艺中有损测量带来的各种问题。由于第一二维图像和第二二维图像均为二维图像，因此，需要所述二维图像重建为三维图形才可以实现光刻胶线条的侧壁形貌的三维重建，进而才能测量光刻胶线条的侧壁倾角。
图2为本实施例的第一二维图像的示意图。其中，x坐标为第一二维图像的宽度，y坐标为第一二维图像的长度，A为0°倾角下的光刻胶线条剖面上的各像素点的灰度值曲线。
图3为本实施例的第二二维图像的示意图。其中，x坐标为第二二维图像的宽度，y坐标为第二二维图像的长度；B为5°倾角下的光刻胶线条剖面上的各像素点的灰度值曲线。
如图2和3所示，在本实施例中，所述第一倾角可以为0°倾角，所述第二倾角可以为5°倾角，可见在不同倾角下的第一二维图像和第二二维图像，以及光刻胶线条的灰度值曲线A和B均是不同。
在其他实施例中，所述第一倾角和第二倾角可以为0°倾角、5°倾角、1°倾角、2°倾角、3°倾角、4°倾角、6°倾角等等中任两个。在另一实施例中，还可以通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第三倾角下的第三二维图像至第N倾角下的第N二维图像，其中，N为正整数，且N≥3。
为了三维重建，需先进行二维图像重建，因此，接着执行步骤S3，获取所述第一二维图像的第一图像灰度值和所述第二二维图像的第二图像灰度值，并通过所述第一图像灰度值和第二图像灰度值获得需重建三维图像中的二维图像数据。
具体的，
首先，通过计算机读取并处理所述第一二维图像，进一步的，通过计算机读取并进行滤波处理所述第一二维图像，以获得第一图像灰度值；通过计算机读取并处理所述第二二维图像，进一步的，通过计算机读取并进行滤波处理所述第二二维图像，以获得第二图像灰度值。
其中，所述第一图像灰度值由所述第一二维图像中的光刻胶线条的所有像素点的像素灰度值组成；所述第二图像灰度值由所述第二二维图像中的光刻胶线条的所有像素点的像素灰度值组成。
接着，通过所述第一图像灰度值和第二图像灰度值得到需重建三维图像中的二维图像数据。所述二维图像数据包括采集区域的每个像素点对应的a和k，采集区域的所有像素点的a和k组成了需重建三维图像的xy平面。
其中，
k满足以下公式：k＝cos(θ)·(P2-P1)/(1-cos(θ))！
a满足以下公式：a＝P1-k
其中，θ为第二图像对应的倾角；P1为第一图像无光刻胶区域像素点的平均灰度值；P2为第二图像无光刻胶区域像素点的平均灰度值。
接着执行步骤S5，经过所述二维图像数据计算需重建三维图像的每个像素点的角度，以重建所述采集区域的光刻胶线条的三维图像，从而实现了采集区域的三维图像。本步骤每个像素点的角度实现了z方向上的重建，从而实现了采集区域的光刻胶线条的三维图像的重建。
本实施例通过重建所述采集区域的光刻胶线条的三维图像不仅可以测量光刻胶线条的侧壁倾角，还可以测量光刻胶线条的驻波、顶部圆角与底部圆角等数据，以快速确认光刻工艺性能；并通过步骤S3和步骤S4使得重建的所述采集区域的光刻胶线条的三维图像的过程通过软件实现，其也是机器自动完成，无需通过人工操作，大幅度缩短检测周期，加快了工艺研发进度。
每个所述像素点的角度θ满足公式：
其中，s为重建后的三维图像中的每个像素点的灰度值；a、k为重建三维图像中的二维图像数据。
图4为本实施例的采集区域在重建后的光刻胶线条的剖面形貌曲线示意图。其中，x轴为采集区域的光刻胶线条在剖面方向上的长度。虚线D为图2在y方向某一位置沿x方向像素点的灰度值，代入公式(1)得到每个像素点角度，从而得到像素点在z方向的微分量，对其进行积分得到每个像素点的高度值，结果如图4实线C所示。对y方向每个点执行上述算法，得到采集区域立体形貌示意图，结果如图5所示。如图4和图5所示，在本实施例中，所述采集区域的光刻胶线条经过本步骤的处理得到的C为采集区域的光刻胶线条在重建后的剖面形貌曲线，D为光刻胶线条在剖面方向上的各个像素点对应的灰度值的曲线，从而实现了采集区域的光刻胶线条的三维图像的重建。
综上所述，本发明提供一种光刻胶形貌的三维重建方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个光刻胶线条，所述半导体衬底置于承载平台上，且所述半导体衬底包括采集区域，所述采集区域包括至少一条光刻胶线条；通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像，以及在第二倾角下的第二二维图像，其中，所述第一倾角的角度与第二倾角的角度不同；获取所述第一二维图像的第一图像灰度值和所述第二二维图像的第二图像灰度值，并通过所述第一图像灰度值和第二图像灰度值获得需重建三维图像中的二维图像数据；经过所述二维图像数据计算需重建三维图像的每个像素点的角度，以重建所述采集区域的光刻胶线条的三维图像。本发明通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像使得其无需破坏晶圆进行制样，消除了样品的成本，还使得其不会出现由于切片造成的光刻胶图形出现移位、拉伸、改变原本形貌等问题，从而提高了测量精度，同时，在获取第一二维图像和第二二维图像时，均通过机器自动完成，无需通过人工操作，因此不存在人员测量差异，还降低了人工的成本。并通过本发明的方法使得重建的所述采集区域的光刻胶线条的三维图像的过程通过软件实现，其也是机器自动完成，无需通过人工操作，大幅度缩短检测周期，加快了工艺研发进度。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种光刻胶形貌的三维重建方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个光刻胶线条，所述半导体衬底置于承载平台上，且所述半导体衬底包括采集区域，所述采集区域包括至少一条光刻胶线条；
通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像，以及在第二倾角下的第二二维图像，
其中，所述第一倾角的角度与第二倾角的角度不同；
获取所述第一二维图像的第一图像灰度值和所述第二二维图像的第二图像灰度值，并通过所述第一图像灰度值和第二图像灰度值获得需重建三维图像中的二维图像数据；
经过所述二维图像数据计算需重建三维图像的每个像素点的角度，以重建所述采集区域的光刻胶线条的三维图像。
2.如权利要求1所述的三维重建方法，其特征在于，所述无损测量方式包括微距测量扫描式电子显微镜测量方式。
3.如权利要求2所述的三维重建方法，其特征在于，获取所述第一二维图像的第一图像灰度值和所述第二二维图像的第二图像灰度值包括：
通过计算机读取并进行滤波处理所述第一二维图像，以获得第一图像灰度值；
通过计算机读取并进行滤波处理所述第二二维图像，以获得第二图像灰度值。
4.如权利要求3所述的三维重建方法，其特征在于，所述第一图像灰度值由所述第一二维图像中的光刻胶线条的所有像素点的像素灰度值组成。
5.如权利要求3所述的三维重建方法，其特征在于，所述第二图像灰度值由所述第二二维图像中的光刻胶线条的所有像素点的像素灰度值组成。
6.如权利要求1所述的三维重建方法，其特征在于，所述二维图像数据包括采集区域的每个像素点对应的a和k，
k满足以下公式：k＝cos(θ)·(P2-P1)/(1-cos(θ))！
a满足以下公式：a＝P1-k
其中，θ为第二图像对应的倾角；P1为第一图像无光刻胶区域像素点的平均灰度值；P2为第二图像无光刻胶区域像素点的平均灰度值。
7.如权利要求6所述的三维重建方法，其特征在于，每个所述像素点的角度θ满足公式：
其中，s为重建后的三维图像中的每个像素点的灰度值；a、k为重建三维图像中的二维图像数据。
8.如权利要求1所述的三维重建方法，其特征在于，所述承载平台用于承载所述半导体衬底，同时所述承载平台承载所述半导体衬底进行后续的无损测量。
9.如权利要求1所述的三维重建方法，其特征在于，所述承载平台的倾角包括0°倾角和5°倾角。
10.如权利要求1所述的三维重建方法，其特征在于，所述第一倾角的角度为0°，所述第二倾角的角度为5°。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117195607A (zh) * | 2023-11-08 | 2023-12-08 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种微纳空气孔三维模型的重建方法 |
| CN117234043A (zh) * | 2023-11-13 | 2023-12-15 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 一种驻波检测方法及装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050048780A1 (en) * | 2003-06-13 | 2005-03-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus for inspecting three dimensional shape of a specimen and method of watching an etching process using the same |
| US20090310852A1 (en) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | National Cheng Kung University | Method for Constructing Three-Dimensional Model and Apparatus Thereof |
| CN101692286A (zh) * | 2009-09-15 | 2010-04-07 | 上海交通大学 | 医学图像三视图获取方法 |
| CN102047405A (zh) * | 2008-05-28 | 2011-05-04 | 朗姆研究公司 | 使用聚焦离子束装置和扫描电子显微镜创建半导体结构的三维图像的方法 |
| CN104361315A (zh) * | 2014-10-27 | 2015-02-18 | 浙江工业大学 | 基于单目多视角立体机器视觉的3d指纹识别装置 |
| CN107607548A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-01-19 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 | 通过三维图像检测光伏组件的隐裂缺陷的方法 |
| CN110596146A (zh) * | 2014-10-14 | 2019-12-20 | 科磊股份有限公司 | 用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量 |
-
2020
- 2020-12-02 CN CN202011401381.6A patent/CN112419486A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050048780A1 (en) * | 2003-06-13 | 2005-03-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus for inspecting three dimensional shape of a specimen and method of watching an etching process using the same |
| CN102047405A (zh) * | 2008-05-28 | 2011-05-04 | 朗姆研究公司 | 使用聚焦离子束装置和扫描电子显微镜创建半导体结构的三维图像的方法 |
| US20090310852A1 (en) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | National Cheng Kung University | Method for Constructing Three-Dimensional Model and Apparatus Thereof |
| CN101692286A (zh) * | 2009-09-15 | 2010-04-07 | 上海交通大学 | 医学图像三视图获取方法 |
| CN110596146A (zh) * | 2014-10-14 | 2019-12-20 | 科磊股份有限公司 | 用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量 |
| CN104361315A (zh) * | 2014-10-27 | 2015-02-18 | 浙江工业大学 | 基于单目多视角立体机器视觉的3d指纹识别装置 |
| CN107607548A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-01-19 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 | 通过三维图像检测光伏组件的隐裂缺陷的方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117195607A (zh) * | 2023-11-08 | 2023-12-08 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种微纳空气孔三维模型的重建方法 |
| CN117195607B (zh) * | 2023-11-08 | 2024-02-27 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种微纳空气孔三维模型的重建方法 |
| CN117234043A (zh) * | 2023-11-13 | 2023-12-15 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 一种驻波检测方法及装置 |
| CN117234043B (zh) * | 2023-11-13 | 2024-01-30 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 一种驻波检测方法及装置 |
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