JP2011519156A5

JP2011519156A5 -

Info

Publication number: JP2011519156A5
Application number: JP2011505407A
Authority: JP
Filing date: 2009-04-16
Publication date: 2012-06-07
Anticipated expiration: 2029-04-16

Description

[0006] 本発明の一実施形態の一態様では、請求項に明記されたリソグラフィ装置が提供される。

[0007] 本発明の一実施形態の一態様では、請求項に明記されたデバイス製造方法が提供される。

【０００９】
[0008]
【図面の簡単な説明】

[0009] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。

[0011] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 [0012] 図２は、本発明の一実施形態に係るクリーニングシステムを示す。

【００１２】
【図３】 [0013] 図３は、本発明の一実施形態に係るクリーニングシステムを示す。
【図４】 [0014] 図４は、本発明の一実施形態に係るクリーニングシステムを示す。
【発明を実施するための形態】

[0015] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビーム１５（例えば紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）１２を支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイス１２によって放射ビーム１５に付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。

[0026] 放射ビーム１５は、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク１２）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスク１２を通り抜けた後、放射ビーム１５は投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビーム１５の経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスク１２を放射ビーム１５の経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスク１２および基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスク１２上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

Claims

放射ビーム（１５）、またはＥＵＶ放射ビームを調整する照明システムと、
パターニングデバイス（１２）を支持するサポート構造であって、前記パターニングデバイスが前記放射ビーム（１５）にパターンを付与する、サポート構造（ＭＴ）と、パターニングデバイス（１２）によってパターン付けされた前記放射ビーム（１５）を基板（Ｗ）に投影する投影システム（ＰＳ）とを備え、
当該リソグラフィ装置は、前記パターニングデバイス（１２）に隣接したガス中に前記放射ビーム（１５）を通過させてプラズマを生成し、汚染物質粒子は前記プラズマの形成中に遊離した電子により帯電されることを特徴とし、
当該リソグラフィ装置は、さらに、前記パターニングデバイス（１２）上にあり、かつ前記放射ビーム（１５）により前記プラズマが生成され、帯電された汚染物質粒子に対し、前記汚染物質粒子を前記パターニングデバイスから除去するために、静電気力を提供するパターニングデバイスクリーニングシステムと、
を備えるリソグラフィ装置。
前記パターニングデバイスクリーニングシステムは、前記パターニングデバイスが前記サポート構造（ＭＴ）により支持されている時に前記パターニングデバイス（１２）に接続され、かつ前記放射ビーム（１５）により帯電された汚染物質粒子が静電的に前記パターニングデバイスからはね返されるように前記パターニングデバイスに電荷を与える電圧源（１３）を備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
前記電圧源（１３）は、前記リソグラフィ装置の動作中、前記パターニングデバイス（１２）とグランドとの間にパルス状の電圧差を提供し、電圧差の前記パルスは、前記パターニングデバイス上に入射する前記放射ビーム（１５）のパルスと同期される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
前記電圧源（１３）は、前記リソグラフィ装置の動作中、前記パターニングデバイス（１２）とグランドとの間に一定の電圧差を提供し、
前記電圧源は、前記パターニングデバイスとグランドとの間に負の電圧差を提供する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
前記パターニングデバイスクリーニングシステムは、クリーニング電極（１０；２５、２６）と、前記クリーニング電極に接続された電圧源（１３）とを備え、前記電圧源は、前記放射ビームにより帯電された汚染物質粒子が前記クリーニング電極へと静電的に引き付けられるように前記クリーニング電極（１０；２５、２６）に電荷を与える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
前記クリーニング電極（１０；２５、２６）は、前記リソグラフィ装置の動作中、前記放射ビーム（１５）が前記パターニングデバイス（１２）上に入射する領域に直接隣接した位置において、前記パターニングデバイスに隣接し、
前記リソグラフィ装置は、前記リソグラフィ装置の動作中、前記放射ビームが前記パターニングデバイス（１２）の異なる複数の領域に入射するように前記パターニングデバイスが前記放射ビーム（１５）に対して移動され、前記クリーニング電極（１０；２５、２６）は、前記放射ビームに対する前記パターニングデバイス（１２）の移動中、前記放射ビームが入射する領域に直接隣接したまま維持されるべく前記放射ビーム（１５）に対して実質的に静止状態である、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
前記クリーニング電極（１０；２５、２６）は、少なくとも部分的に接着剤（４３）で覆われ、前記接着剤は、前記クリーニング電極に引き付けられた汚染物質粒子を付着する、請求項５または６に記載のリソグラフィ装置。
前記電圧源（１３）は、前記リソグラフィ装置の動作中、前記クリーニング電極（１０；２５、２６）と前記パターニングデバイス（１２）および／またはグランドとの間にパルス状の電圧差を提供し、前記電圧差のパルスは、前記パターニングデバイス上に入射する前記放射ビーム（１５）のパルスと同期される、請求項５〜７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
前記電圧源（１３）は、前記リソグラフィ装置の動作中、前記クリーニング電極と前記パターニングデバイス（１２）および／またはグランドとの間に一定の電圧差を提供し、
前記電圧源は、前記クリーニング電極（１０；２５、２６）と前記パターニングデバイス（１２）および／またはグランドとの間に、正の電圧差を提供する、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
さらなるクリーニング電極（２５、２６）をさらに備え、前記さらなるクリーニング電極は、前記リソグラフィ装置の動作中、前記放射ビーム（１５）が前記パターニングデバイス（１２）上に入射する領域に直接隣接した位置において前記パターニングデバイスに隣接し、前記電圧源（１３）は、前記パターニングデバイスと前記さらなるクリーニング電極との間に電圧差を提供する、請求項５〜９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
前記パターニングデバイス（１２）および前記クリーニング電極（１０；２５、２６）を含むチャンバ（３０）と、前記チャンバ内のガスの圧力を、前記リソグラフィ装置の周囲環境の圧力未満に減圧するガス制御システム（３１）と、をさらに備える、請求項５〜１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
前記ガス制御システム（３１）は、前記チャンバ（３０）内のガスの圧力をおよそ３Ｎ／ｍ^２まで減圧する、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
前記ガス制御システム（３１）は、前記チャンバ（３０）へと不活性ガスを提供する、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
ガス源（１７）に接続され、かつ前記パターニングデバイスクリーニングシステムにより前記パターニングデバイス（１２）から除去された汚染物質粒子を、前記パターニングデバイスから離れる方向へ搬送するために、前記パターニングデバイスへとガス流（１８）を提供するガス出口（１６）をさらに備える、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
パターニングデバイス（１２）を使用して放射ビーム（１５）、またはＥＵＶ放射ビームにパターンを形成することと、
パターニングデバイス（１２）によってパターン付けされた前記放射ビーム（１５）を基板（Ｗ）に投影することと、
前記パターニングデバイス（１２）に隣接したガス中に前記放射ビーム（１５）を通過させてプラズマを生成することを特徴とし、汚染物質粒子は前記プラズマの形成中に遊離した電子により帯電され、前記放射ビーム（１５）により前記プラズマが生成され、帯電された汚染物質粒子に静電気力を印加することにより前記パターニングデバイス（１２）から前記汚染物質粒子を除去することと、
を含む、デバイス製造方法。