JP2011518954A - 蒸着システム - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
従って、異なる蒸着材料による蒸着の間に潜在する能率や制限が改善された必要に応じた蒸着システムを提供する、
本発明は、本発明は、多くの異なる態様について具体的に表現しているが、これ以降に設定した実施形態に制限されて解釈されるものではない。むしろ、これらの実施形態は、徹底的且つ完全のために提供し、当業者に本発明の適用範囲を完全に伝達する。
Claims (15)
- 真空チャンバと、
蒸着材料を充填するためのルツボと、
基板を装着するための基板ホルダと、
前記基板上に堆積させる前記蒸着材料を加熱するための電子ビーム源と、
を具備し、
前記真空チャンバ内側に、前記基板ホルダとルツボと供に、前記電子ビーム源が配置され、前記電子ビーム源は電界放射電子ビーム源であり、
さらに、前記蒸着材料を蒸着させる加熱を行う、前記電界放射電子ビーム源により放射された電子の飛翔方向を制御する制御ユニットを備えることを特徴とする蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
異なる蒸着材料を装填するための複数のルツボを備え、
前記複数のルツボ内に、それぞれに配置された異なる蒸着材料を連続的に加熱するために、前記電界放射電子ビーム源により、放射された電子の飛翔方向が制御ユニットにより調整されることを特徴とする請求項1に記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
制御アノード電極と前記電界放射電子ビーム源との間の電界の向きと電界強度を制御する前記制御ユニットと協同するための制御電極を備えることを特徴とする請求項1及び2のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
前記制御ユニットに制御されて、前記基板と前記電界放射電子ビーム源の少なくとも一方を覆うためのシャッタを備えることを特徴とする請求項1乃至3のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
前記基板上に堆積される蒸着材料の膜厚を検出するためのセンサを備えることを特徴とする請求項1乃至4のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
前記ルツボは、冷却処理部を備えることを特徴とする請求項1乃至5のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
前記真空チャンバは、10−7〜10−4mPaの範囲内の真空度あることを特徴とする請求項1乃至6のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
混合チャンバと、
前記混合チャンバ内の前記蒸着される蒸着部材に混入する酸化ガスを導入する手段と、を備えることを特徴とする請求項1乃至7のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
前記電界放射電子ビーム源は、導電体支持部材と、
前記支持部材の少なくとも一部を覆う炭化固体混合フォームと、
を備えることを特徴とする請求項1乃至8のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
前記炭化固体混合フォームは、連続的な多孔性構造を有していることを特徴とする請求項9に記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、さらに、
前記炭化固体混合フォームは、前記炭化固体混合フォームの表面に配置された複数の鋭利な放射エッジを備えていることを特徴とする請求項9または10に記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、
前記電界放射電子ビーム源は、第1端部と第2端部を有する複数のZnOナノ構造部位を備え、前記ZnOナノ構造部位が互いから電気的に絶縁するように配置され、ZnOナノ構造部位の選択された前記第2端部に電気的導体部材が接続され、
支持構造部位は電気的導体部材上に配置され、
前記電界放射電子ビーム源の前記第1端部が、ZnOナノ構造部位が噴出規定表面から延出を許可された端部であり、
前記電界放射電子ビーム源の前記第1端部が露呈することを特徴とする請求項1乃至8のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、
前記ルツボは、複数の蒸着材料がそれぞれに装填されるためのマルチルツボ部材であることを特徴とする請求項1乃至12のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 前記蒸着システムにおいて、
前記蒸着システムは、電界放射分子線エピタキシャル成長装置であることを特徴とする請求項1乃至13のうちのいずれか1つに記載の蒸着システム。 - 蒸着システムのための電子ビーム源であって、
前記蒸着システムは、
真空チャンバと、
蒸着材料を充填するためのルツボと、
基板を装着するための基板ホルダと、
を具備し、
前記基板上に堆積させる前記蒸着材料を加熱するために提供される電子ビーム源と、
前記真空チャンバ内側に配置された前記基板ホルダとルツボと供に、前記電子ビーム源が配置され、
前記電子ビーム源は電界放射電子ビーム源であり、
前記蒸着システムは、さらに、前記電界放射電子ビーム源により放射された、蒸着材料を加熱する電子の飛翔方向を制御するための制御ユニットを備えることを特徴とする蒸着システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP08155286A EP2113584A1 (en) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | Evaporation system |
EP08155286.1 | 2008-04-28 | ||
PCT/EP2009/002755 WO2009132769A1 (en) | 2008-04-28 | 2009-04-15 | Evaporation system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011518954A true JP2011518954A (ja) | 2011-06-30 |
Family
ID=39684551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011506590A Pending JP2011518954A (ja) | 2008-04-28 | 2009-04-15 | 蒸着システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110101245A1 (ja) |
EP (1) | EP2113584A1 (ja) |
JP (1) | JP2011518954A (ja) |
CN (1) | CN102046834A (ja) |
TW (1) | TWI397595B (ja) |
WO (1) | WO2009132769A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2009-04-10 TW TW098112096A patent/TWI397595B/zh active
- 2009-04-15 JP JP2011506590A patent/JP2011518954A/ja active Pending
- 2009-04-15 US US12/736,643 patent/US20110101245A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-15 WO PCT/EP2009/002755 patent/WO2009132769A1/en active Application Filing
- 2009-04-15 CN CN2009801150732A patent/CN102046834A/zh active Pending
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US20110101245A1 (en) | 2011-05-05 |
WO2009132769A1 (en) | 2009-11-05 |
TWI397595B (zh) | 2013-06-01 |
CN102046834A (zh) | 2011-05-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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