JP2011516733A - Contact device - Google Patents

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Abstract

本発明は、液体に沈んでいる間、ウェーハと接触する装置に関する。装置は、移送装置に取り付けられる本体、ウェーハと接触する電気接点、および電気接点をウェーハに向けて押しつける圧力要素を備える。  The present invention relates to an apparatus that contacts a wafer while submerged in a liquid. The apparatus comprises a body attached to the transfer device, an electrical contact that contacts the wafer, and a pressure element that presses the electrical contact toward the wafer.

Description

本発明は、太陽電池ウェーハと接触する装置に関する。   The present invention relates to an apparatus in contact with a solar cell wafer.

英国特許出願第0709619.1号には、太陽電池ウェーハを液体に曝す装置が記載されており、この装置は、液体で満たされている容器、ウェーハを液体中で移送する移送装置、および移送装置と共にウェーハを担持するキャリア装置を備える。   British Patent Application No. 0709619.1 describes an apparatus for exposing a solar cell wafer to a liquid, the apparatus being a container filled with liquid, a transfer apparatus for transferring a wafer in liquid, and a wafer along with the transfer apparatus. Is provided.

英国特許出願第0719805.4号には、液体に少なくとも部分的に沈められるウェーハに電力を供給する装置が示されている。装置は、液体で満たされている液体容器、ウェーハキャリア装置を有する少なくとも部分的に沈められるウェーハを液体中で移送する移送装置、および電力をウェーハに供給する電源装置を備える。   British Patent Application 0719805.4 shows an apparatus for supplying power to a wafer that is at least partially submerged in a liquid. The apparatus comprises a liquid container filled with liquid, a transfer device for transferring at least partially submerged wafers in liquid with a wafer carrier device, and a power supply for supplying power to the wafer.

これらの刊行物は、例えばNi、Cu、Snおよび/またはAgがウェーハに付着される、例えば電気めっきプロセスで使用される。   These publications are used, for example, in electroplating processes where, for example, Ni, Cu, Sn and / or Ag are deposited on the wafer.

このプロセスにおける課題は、ウェーハにその破損を引き起こす恐れがある強い機械力を加えることなくウェーハとの電気的接触を実現することである。さらに、太陽電池の大規模生産のためにプロセス速度を改善することが必要である。このことは、電気めっきでは、ウェーハ表面上に析出する金属原子の数がウェーハに流される電流に直接比例するので、ウェーハに流される電流密度を増大することによってなされる。しかし、限界拡散電流密度(limiting diffusion current density) IL (IL=(nFDOXcb)/δ)と呼ばれる電流密度の上限がある(M Paunovic、M. Schlesinger、「Fundamentals of Electrochemical Deposition 第2版」、97頁、John Wiley and Sons、2006年、97頁参照)。ILは、電極/溶液界面へのイオンの質量の輸送が総反応率の制限要因になり始めるときの電流値である。溶液/電極界面における攪拌を増大することによって、ネルンスト拡散層δはより小さくなる。その結果として、これは、ILが増大し、理論上の金属析出率が増大され得ることを意味する。 The challenge in this process is to achieve electrical contact with the wafer without applying strong mechanical forces that can cause damage to the wafer. Furthermore, it is necessary to improve the process speed for large scale production of solar cells. This is done in electroplating by increasing the current density applied to the wafer because the number of metal atoms deposited on the wafer surface is directly proportional to the current applied to the wafer. However, there is an upper limit of current density called limiting diffusion current density I L (I L = (nFD OX c b ) / δ) (M Paunovic, M. Schlesinger, `` Fundamentals of Electrochemical Deposition 2nd Edition ", p. 97, John Wiley and Sons, 2006, p. 97). IL is the current value when the transport of the mass of ions to the electrode / solution interface begins to become a limiting factor for the total reaction rate. By increasing the agitation at the solution / electrode interface, the Nernst diffusion layer δ becomes smaller. Consequently, this means that IL increases and the theoretical metal deposition rate can be increased.

英国特許出願第0709619.1号UK Patent Application No. 070919.1 英国特許出願第0719805.4号UK patent application 0719805.4

M Paunovic、M. Schlesinger、「Fundamentals of Electrochemical Deposition 第2版」、97頁、John Wiley and Sons、2006年M Paunovic, M. Schlesinger, "Fundamentals of Electrochemical Deposition 2nd Edition", p. 97, John Wiley and Sons, 2006

本発明の目的は、上記の条件が満たされ得るようにウェーハとの電気的接触を改善することである。具体的には、装置は、ウェーハが同時にプロセスを通って連続的に先に移動している間に、接点がウェーハに接触されるのと同じ側から、乱流攪拌することを可能にする。 The object of the present invention is to improve the electrical contact with the wafer so that the above conditions can be met. In particular, the apparatus allows turbulent agitation from the same side where the contacts are in contact with the wafer, while the wafer is continuously moving forward through the process at the same time.

本発明は、液体に沈んでいる間ウェーハと接触する装置であって、
- 移送装置に取り付けられる本体と、
- ウェーハと接触する電気接点と、
- 電気接点をウェーハに向けて押しつける圧力要素と
を備える装置に関する。 The present invention is an apparatus that contacts a wafer while submerged in a liquid,
-A body attached to the transfer device;
-Electrical contacts in contact with the wafer;
The invention relates to an apparatus comprising a pressure element for pressing electrical contacts against a wafer;

本発明の一態様では、電気接点は、圧力要素上に設けられる。   In one aspect of the invention, the electrical contact is provided on the pressure element.

本発明の一態様では、圧力要素は、本体に移動可能に連結される。   In one aspect of the invention, the pressure element is movably connected to the body.

本発明の一態様では、圧力要素は、浮動要素を含む。   In one aspect of the invention, the pressure element includes a floating element.

本発明の一態様では、本体は、ウェーハの端部を受けるように構成されるグルーブを含む。   In one aspect of the invention, the body includes a groove configured to receive the edge of the wafer.

本発明の一態様では、電気接点は、上に突き出た接点を含む。   In one aspect of the invention, the electrical contact includes a contact protruding above.

本発明の一態様では、上に突き出た接点は、バスバーと接続するバスコネクタに接続される。   In one aspect of the present invention, the contact protruding upward is connected to a bus connector connected to the bus bar.

本発明の一態様では、上に突き出た接点は、電線によってバスコネクタに接続される。   In one aspect of the present invention, the contact protruding above is connected to the bus connector by an electric wire.

本発明の一態様では、装置は、独立浮動要素を有する独立して移動可能ないくつかの圧力要素を備える。   In one aspect of the invention, the apparatus comprises a number of independently movable pressure elements having independent floating elements.

次に、添付の図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

2枚のウェーハを保持する3つの保持装置の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of three holding devices that hold two wafers. 図1の側面図である。FIG. 2 is a side view of FIG. 図2の保持装置のうちの1つの拡大側面図である。FIG. 3 is an enlarged side view of one of the holding devices of FIG. 図2の保持装置のうちの1つの下からの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view from below of one of the holding devices of FIG. いくつかの部品が省かれた、図2の保持装置の側面図である。FIG. 3 is a side view of the holding device of FIG. 2 with some parts omitted. 図5の保持装置の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of the holding device of FIG. 保持装置の第2の実施形態の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a second embodiment of a holding device. 第2の実施形態の側面図である。FIG. 6 is a side view of a second embodiment. 第2の実施形態の浮動要素の図である。FIG. 6 is a diagram of a floating element according to the second embodiment. 第2の実施形態の正面図である。FIG. 6 is a front view of a second embodiment. 保持装置およびバスバーの第3の実施形態の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a third embodiment of a holding device and a bus bar. 図8aの保持装置およびバスバーの側面図である。FIG. 8b is a side view of the holding device and the bus bar of FIG. 8a. 図8aの保持装置およびバスバーの正面図である。FIG. 8b is a front view of the holding device and the bus bar of FIG. 8a. 本体が取り除かれた、第3の実施形態の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a third embodiment with the body removed. 本体の正面図である。It is a front view of a main body. 第4の実施形態の半透視斜視図である。FIG. 6 is a semi-transparent perspective view of a fourth embodiment. 第5の実施形態の半透視斜視図である。FIG. 10 is a semi-transparent perspective view of a fifth embodiment. 図10aの第5の実施形態の側面図である。FIG. 10b is a side view of the fifth embodiment of FIG. 10a.

次に、3つの保持装置10a、10b、10cが示される、図1、2を参照する。保持装置は、例えば上述の刊行物に記載されるもののような、移送装置(図示せず)上に取り付けられる。保持装置10aと保持装置10bの間で1つの太陽電池ウェーハ1aが保持され、保持装置10bと保持装置10cの間で1つの太陽電池ウェーハ1bが保持される。したがって、保持装置は、両側でウェーハの一方の端部を保持するようにされている。保持装置へのウェーハのロードおよびアンロードについても上述の刊行物に記載されている。   Reference is now made to FIGS. 1 and 2, in which three holding devices 10a, 10b, 10c are shown. The holding device is mounted on a transfer device (not shown), for example as described in the above-mentioned publications. One solar cell wafer 1a is held between the holding device 10a and the holding device 10b, and one solar cell wafer 1b is held between the holding device 10b and the holding device 10c. Therefore, the holding device is adapted to hold one end of the wafer on both sides. The loading and unloading of wafers into the holding device is also described in the above-mentioned publications.

上述の刊行物には、保持装置10が連続移送装置に取り付けられ、ウェーハが移送装置の第1の端部で2つの保持装置の間に連続的に受容され、一方他のウェーハが移送装置の第2の端部で移送装置から連続的に解放されることが述べられていることに留意されたい。ウェーハは、第1の端部から第2の端部に移送中、液体に沈められ、電気めっきされるなどのプロセスを受ける。第1の保持装置は、ウェーハの前方端部を受容かつ保持し、一方第2の保持装置は、ウェーハの後方端部を受容かつ保持する。ここで、「前方」および「後方」という用語は、移送方向を指している。したがって、各ウェーハは2つの保持装置10の間で保持される。   In the above-mentioned publication, the holding device 10 is attached to a continuous transfer device, and a wafer is continuously received between two holding devices at the first end of the transfer device, while the other wafer is in the transfer device. Note that it is stated that it is continuously released from the transfer device at the second end. During transfer from the first end to the second end, the wafer undergoes a process such as being submerged in a liquid and electroplated. The first holding device receives and holds the front end of the wafer, while the second holding device receives and holds the rear end of the wafer. Here, the terms “front” and “back” refer to the direction of transport. Accordingly, each wafer is held between the two holding devices 10.

次に、保持装置10a、10b、10cのうちの1つに対応する保持装置10を示す図3、4を参照する。   Reference is now made to FIGS. 3 and 4, which show a holding device 10 corresponding to one of the holding devices 10a, 10b, 10c.

保持装置10は、それぞれの側部に実質的に楔形の開口14a、14bがある本体12を備える。実質的に楔形の開口14a、14bは、図2に示されるように、ウェーハ1の端部を受容するように構成される。保持装置10を移送装置に固定するように、グルーブ16が本体12の下側部分に設けられる。   The holding device 10 comprises a body 12 with substantially wedge-shaped openings 14a, 14b on each side. The substantially wedge-shaped openings 14a, 14b are configured to receive the edge of the wafer 1, as shown in FIG. A groove 16 is provided in the lower part of the main body 12 so as to fix the holding device 10 to the transfer device.

本体12は、図4に示されるように、回転軸I-Iを画定する長手方向開口18を備える。開口18は、本体12の下側部分に設けられる。   The body 12 includes a longitudinal opening 18 that defines an axis of rotation II, as shown in FIG. The opening 18 is provided in the lower part of the main body 12.

圧力要素20は、回転軸I-Iまわりに枢動され得るように、本体12に設けられるグルーブ内で開口18に移動可能すなわち枢動するように連結される。図4では、圧力要素20aが左側に、圧力要素20bが右側に設置される、3対の圧力要素20a、20bが本体12の下側部分に設置されることが示される。圧力要素20の枢動連結は、例えば、円筒形のピン18aによって行われ得る。円筒形のピン18aは、本体12の開口18および圧力要素20の対応する開口(図6参照)を通って挿入される。図示のように、ピン18aは、圧力要素20a、20bの両方に共通である。   The pressure element 20 is movably connected to the opening 18 in a groove provided in the main body 12 so that it can be pivoted about a rotation axis II. 4 shows that the pressure element 20a is installed on the left side and the pressure element 20b is installed on the right side, and three pairs of pressure elements 20a, 20b are installed on the lower part of the main body 12. In FIG. The pivotal connection of the pressure element 20 can be effected, for example, by a cylindrical pin 18a. Cylindrical pin 18a is inserted through opening 18 in body 12 and corresponding opening in pressure element 20 (see FIG. 6). As shown, the pin 18a is common to both pressure elements 20a, 20b.

圧力要素20は、正の浮力を有する材料で作製される浮動要素30を備える。図面では、浮動要素30は、外側の開口に設けられる(すなわちピン18aから離れて設けられる)別個の円筒形浮動要素30として設けられる。浮動要素30は、両端が封じられしたがって正の浮力を最大にするように空気を含む中空の円筒である。構造20a、20bは、好ましくは、めっき液(例えばポリプロピレン)に関して正の浮力を有する材料で作製される。接点からウェーハへの所望の力に達するように、浮動要素30の寸法は変更可能であり、および/または浮動要素30の、軸18までの距離は変えられ得る。別法として、浮動要素30は、全ての圧力要素20aについて1つの共通浮動要素、および全ての圧力要素20bについて1つの共通浮動要素として設けられてもよい。別法として、浮動要素は、圧力要素20の一部として組み込まれてもよい(すなわち、圧力要素が正の浮力を有する材料で作製される)。   The pressure element 20 comprises a floating element 30 made of a material having a positive buoyancy. In the drawing, the floating element 30 is provided as a separate cylindrical floating element 30 provided in the outer opening (ie, provided away from the pin 18a). The floating element 30 is a hollow cylinder that is sealed at both ends and thus contains air so as to maximize positive buoyancy. The structures 20a, 20b are preferably made of a material that has a positive buoyancy with respect to the plating solution (eg, polypropylene). The dimensions of the floating element 30 can be varied and / or the distance of the floating element 30 to the axis 18 can be varied to reach the desired force from the contacts to the wafer. Alternatively, the floating element 30 may be provided as one common floating element for all pressure elements 20a and one common floating element for all pressure elements 20b. Alternatively, the floating element may be incorporated as part of the pressure element 20 (ie, the pressure element is made of a material having positive buoyancy).

ウェーハと接触するように、上に突き出た電気接点40が各圧力要素20上に設けられる。図3では、液体に沈められるとき浮動要素30により生じる正の浮力によって圧力要素20が上方(矢印Aの方向)に枢動されると、上に突き出た電気接点40が、ウェーハを実質的に楔形の開口14の上面に向かって押しつけることになることが見られる。   An electrical contact 40 protruding above is provided on each pressure element 20 to contact the wafer. In FIG. 3, when the pressure element 20 is pivoted upward (in the direction of arrow A) by the positive buoyancy generated by the floating element 30 when submerged in the liquid, the protruding electrical contact 40 substantially pushes the wafer. It can be seen that it will press against the upper surface of the wedge-shaped opening 14.

したがって、圧力要素がこの上方すなわち閉位置にあるとき、保持装置は、ウェーハを保持するだけでなく、同時に、ウェーハとの電気的接触ももたらす。圧力要素がその下方すなわち開位置にあるとき、ウェーハは、保持装置に受容またはそれから解放され得る。   Thus, when the pressure element is in this upper or closed position, the holding device not only holds the wafer but at the same time provides electrical contact with the wafer. When the pressure element is in its lower or open position, the wafer can be received in or released from the holding device.

上に突き出た電気接点40は、電流伝導材料で作製されるプレート42に連結される。プレート42は、圧力要素20に取り付けられる。   The electrical contacts 40 protruding above are connected to a plate 42 made of a current conducting material. The plate 42 is attached to the pressure element 20.

バスコネクタ44は、本体12の頂部に設けられる。バスコネクタ44は、本体12内の溝(図示せず)に設置される電線46によって、プレート42および電気接点40と電気的に接触する。電線46は、圧力要素20の運動を可能にするように可撓性である。バスコネクタ44は、電源に接続されるバスバー(図示せず)と電気的に接触するように構成される。バスコネクタ44は、バスバーに沿った妨げられない摺動を可能にするように、横に向いたU字形またはV字形の形状である。   The bus connector 44 is provided on the top of the main body 12. The bus connector 44 is in electrical contact with the plate 42 and the electrical contact 40 by an electric wire 46 installed in a groove (not shown) in the main body 12. The wire 46 is flexible to allow movement of the pressure element 20. The bus connector 44 is configured to be in electrical contact with a bus bar (not shown) connected to a power source. The bus connector 44 is U-shaped or V-shaped facing sideways to allow unhindered sliding along the bus bar.

図5、6では、バスコネクタ44が右側圧力要素20aと左側圧力要素20bの両方の電気接点40に接続されることが示される。もちろん、6個全ての圧力要素に1つの共通のバスコネクタを有することも可能である。   5 and 6, it is shown that the bus connector 44 is connected to the electrical contacts 40 of both the right pressure element 20a and the left pressure element 20b. Of course, it is possible to have one common bus connector for all six pressure elements.

もちろん、ウェーハの各側面に3つより多い接点40を使用することによって電気的接触をもたらす、および/またはそれらの間の距離を調整することができる。   Of course, electrical contact can be provided and / or the distance between them can be adjusted by using more than three contacts 40 on each side of the wafer.

ウェーハの一面について、1つの連続する電気接点が3つの個別の電気接点40に取って代わることも可能である。   It is also possible for one continuous electrical contact on one side of the wafer to replace three individual electrical contacts 40.

第2の実施形態
図7a〜7dでは、保持装置の第2の実施形態が示される。この保持装置は参照番号110で示される。第2の実施形態に関する多くの詳細は、上述のものと同様であるので、ここでは詳しく説明しない。 Second Embodiment In FIGS. 7a-7d, a second embodiment of a holding device is shown. This holding device is indicated by reference numeral 110. Many details regarding the second embodiment are similar to those described above and will not be described in detail here.

第1の実施形態を参照して詳細に述べたように、装置110は、それぞれの側部に実質的に楔形の開口114a、114bがある本体112を備える。   As described in detail with reference to the first embodiment, the device 110 comprises a body 112 with substantially wedge-shaped openings 114a, 114b on each side.

本体112は、その下側部分に設けられる長手方向開口118を備える。圧力要素120は開口118に設置され、圧力要素120が矢印Bの方向に実質的に直線運動で上方に移動できるようにする。圧力要素120は、浮動材料すなわち使用される液体中で正の浮力を有する材料で作製される。あるいは、圧力要素120は、例えば、圧力要素の本体に組み込まれた浮動要素(図示せず)を備える。理想的には、圧力要素120には浮動要素が組み込まれ、圧力要素120の材料が使用される液体に関して正の浮力を有する材料で作製される。   The main body 112 includes a longitudinal opening 118 provided in a lower portion thereof. The pressure element 120 is installed in the opening 118 and allows the pressure element 120 to move upward in a substantially linear motion in the direction of arrow B. The pressure element 120 is made of a floating material, ie a material that has a positive buoyancy in the liquid used. Alternatively, the pressure element 120 comprises, for example, a floating element (not shown) incorporated into the body of the pressure element. Ideally, the pressure element 120 incorporates a floating element, and the material of the pressure element 120 is made of a material that has a positive buoyancy with respect to the liquid in which it is used.

次に、図7cを参照すると、図では、圧力要素120が、実質的に垂直の中央部材150および実質的に水平の交差部材152を備える実質的にT字形(逆T字形、すなわち上下逆さまのT字形)であることが示される。   Referring now to FIG. 7c, where the pressure element 120 is substantially T-shaped (inverted T-shaped, i.e. upside down) comprising a substantially vertical central member 150 and a substantially horizontal cross member 152. T-shaped).

図7b、7cで見ることができるように、浮動要素120は、上に突き出た実質的にT字形の要素121を備える。T字形の要素121は、開口118内における圧力要素120の上方向の移動のみならず下方向の移動も制限する。実質的にT字形の要素121は、圧力要素120の実質的に垂直の中央部材150に対応する。   As can be seen in FIGS. 7b, 7c, the floating element 120 comprises a substantially T-shaped element 121 protruding above. The T-shaped element 121 limits not only upward movement of the pressure element 120 but also downward movement within the opening 118. The substantially T-shaped element 121 corresponds to the substantially vertical central member 150 of the pressure element 120.

ウェーハと接触するように、上に突き出た電気接点140は、圧力要素120の実質的に水平の交差部材152上に設けられる。これらは、上述の実施形態を参照して述べたように、バスコネクタ(図示せず)と電気的に接触する。実質的に水平の交差部材152によって、各ウェーハは、実質的に楔形の開口114a、114bの上面に向けて、実質的に垂直の中央部材150に平行な方向に押しつけられる。   An electrical contact 140 protruding above is provided on the substantially horizontal cross member 152 of the pressure element 120 so as to contact the wafer. These are in electrical contact with a bus connector (not shown) as described with reference to the above embodiment. With the substantially horizontal cross member 152, each wafer is pressed in a direction parallel to the substantially vertical central member 150 toward the upper surface of the substantially wedge-shaped openings 114a, 114b.

圧力要素120が液体に沈められると、その正の浮力によって圧力要素が矢印Bの方向に上方に動かされ、したがって、電気接点140が実質的に楔形の開口114a、114bに設置されるウェーハと接触することになる。   When the pressure element 120 is submerged in the liquid, its positive buoyancy causes the pressure element to move upward in the direction of arrow B, so that the electrical contacts 140 are in contact with the wafer installed in the substantially wedge-shaped openings 114a, 114b. Will do.

したがって、圧力要素がこの上方すなわち閉位置にあるとき、保持装置はウェーハを保持するだけでなく、同時に、ウェーハとの電気的接触ももたらす。圧力要素がその下方すなわち開位置にあるとき、ウェーハは、保持装置に受容またはそれから解放され得る。   Thus, when the pressure element is in this upper or closed position, the holding device not only holds the wafer, but at the same time provides electrical contact with the wafer. When the pressure element is in its lower or open position, the wafer can be received in or released from the holding device.

第3の実施形態
図8a〜8dでは、保持装置の第3の実施形態が示される。この保持装置は、参照番号210で示される。第3の実施形態に関する多くの詳細は、上述のものと同様であるので、ここでは詳しく説明しない。 Third Embodiment In FIGS. 8a-8d, a third embodiment of a holding device is shown. This holding device is indicated by reference numeral 210. Many details regarding the third embodiment are similar to those described above and will not be described in detail here.

第1の実施形態を参照して詳細に述べたように、装置210は、それぞれの側部に実質的に楔形の開口214a、214bがある本体212を備える。   As described in detail with reference to the first embodiment, the device 210 comprises a body 212 with substantially wedge-shaped openings 214a, 214b on each side.

くぼみすなわち開口218は本体212の下側部分に設けられる(図8e参照)。圧力要素220は開口218に設置される。本体212内には、図8cにおいて破線で示されるような3つの実質的に円筒形の溝219が設けられる。3つの実質的に円筒形のポール222がそれぞれの溝219に設置される。ポール222は、それらの下側端部で圧力要素220に取り付けられる。ポール222は、それらの上側端部に、電流伝導材料で作製されるバスコネクタすなわちノブ244を備える。ノブ244は、実質的に球形を有し、ポール222よりも大きな直径を有する。図8b、8cに見られるように、ポール222は、溝219よりも長い。   A recess or opening 218 is provided in the lower portion of the body 212 (see FIG. 8e). The pressure element 220 is installed in the opening 218. Within the body 212 are provided three substantially cylindrical grooves 219 as indicated by the dashed lines in FIG. 8c. Three substantially cylindrical poles 222 are installed in each groove 219. The poles 222 are attached to the pressure element 220 at their lower end. The poles 222 have bus connectors or knobs 244 made of a current conducting material at their upper ends. The knob 244 has a substantially spherical shape and has a larger diameter than the pole 222. As can be seen in FIGS. 8b and 8c, the pole 222 is longer than the groove 219. FIG.

したがって、圧力要素220は、ポール222およびノブ244と共に、矢印Cの方向に実質的に直線運動で上下に移動することができる。運動は、溝219よりも大きなノブ244、および本体212の下側部分に衝突する圧力要素220によって制限される。   Thus, the pressure element 220 can move up and down with the pole 222 and knob 244 in a substantially linear motion in the direction of arrow C. Movement is limited by a knob 244 that is larger than the groove 219 and a pressure element 220 that impacts the lower portion of the body 212.

ウェーハと接触するように、上に突き出た電気接点240は、圧力要素220上に設けられる。これらは、ノブ244と電気的に接触する。本実施形態では、バスバー248は、間隔を置いて配置される2本のバーの複数の対を含む。各バーの間の距離はポール222がその間を通れるようにする。さらに、バスバー248は、傾斜端部249を有する。   An electrical contact 240 protruding above is provided on the pressure element 220 so as to contact the wafer. These are in electrical contact with the knob 244. In this embodiment, bus bar 248 includes a plurality of pairs of two bars spaced apart. The distance between each bar allows the pole 222 to pass between them. Further, the bus bar 248 has an inclined end 249.

本実施形態においても、圧力要素は、実質的に垂直の中央部材250および実質的に水平の交差部材252を備える実質的にT字形であるとみなされてよい(図8d参照)。ここでは、実質的に垂直の中央部材250はポール222に対応する。実質的に水平の交差部材252は、接点240が取り付けられる圧力要素に対応する。   Again, the pressure element may be considered to be substantially T-shaped with a substantially vertical central member 250 and a substantially horizontal cross member 252 (see FIG. 8d). Here, the substantially vertical central member 250 corresponds to the pole 222. The substantially horizontal cross member 252 corresponds to the pressure element to which the contact 240 is attached.

ここでもやはり、実質的に水平の交差部材252によって、各ウェーハは、実質的に楔形の開口214a、214bの上面に向けて、実質的に垂直の中央部材に平行な方向に押しつけられる。   Again, the substantially horizontal cross member 252 pushes each wafer toward the top surface of the substantially wedge-shaped openings 214a, 214b in a direction parallel to the substantially vertical central member.

したがって、圧力要素がこの上方すなわち閉位置にあるとき、保持部材はウェーハを保持するだけでなく、同時に、ウェーハとの電気的接触ももたらす。圧力要素がその下方すなわち開位置にあるとき、ウェーハは、保持装置に受容またはそれから解放され得る。第3の実施形態では、圧力要素220の運動をもたらすのは浮力ではない。はじめに、圧力要素220はその下方位置にある。バスバー248の端部249に近づくと、ポール222はバーの間を通り、一方ノブ244は傾斜端部249のために上方に案内すなわち押されることになる。その結果として、ポールおよび圧力要素は、矢印Cの方向に上方に案内されることになり、電気接点240はウェーハの表面と接触することになる。もちろん、バスバー248は、液体の上の適当な位置に配置されることになる。   Thus, when the pressure element is in this upper or closed position, the holding member not only holds the wafer, but also provides electrical contact with the wafer. When the pressure element is in its lower or open position, the wafer can be received in or released from the holding device. In the third embodiment, it is not buoyancy that causes the movement of the pressure element 220. Initially, the pressure element 220 is in its lower position. As the end 249 of the bus bar 248 is approached, the pole 222 will pass between the bars while the knob 244 will be guided or pushed upward for the inclined end 249. As a result, the pole and pressure element will be guided upwards in the direction of arrow C, and the electrical contacts 240 will be in contact with the surface of the wafer. Of course, the bus bar 248 will be placed in a suitable position above the liquid.

圧力要素220、ポール222およびノブ244は、圧力要素の圧力および運動を抑えるばね機構(図示せず)を備えることができる。別法として、ポール222が可撓性材料で作製されてもよく、またはバスバーがばね機構を備えてもよい。   The pressure element 220, the pole 222, and the knob 244 can include a spring mechanism (not shown) that reduces the pressure and movement of the pressure element. Alternatively, the pole 222 may be made of a flexible material, or the bus bar may include a spring mechanism.

上述の詳細な説明は、特に、本発明の好ましい実施形態を例示しかつ説明するために提供される。しかし、この説明は、決して本発明を特定の実施形態に限定しない。   The above detailed description is provided in order to illustrate and describe the preferred embodiments of the present invention in particular. However, this description in no way limits the invention to the specific embodiments.

第4の実施形態
図9では、保持装置の第4の実施形態が示される。この保持装置は、参照番号310で示される。第4の実施形態に関する多くの詳細は、上述のものと同様であるので、ここでは詳しく説明しない。 Fourth Embodiment FIG. 9 shows a fourth embodiment of the holding device. This holding device is indicated by reference numeral 310. Many details regarding the fourth embodiment are similar to those described above and will not be described in detail here.

第1の実施形態を参照して詳細に述べたように、装置310は、それぞれの側部に実質的に楔形の開口314a、314bがある本体312を備える。   As described in detail with reference to the first embodiment, the device 310 comprises a body 312 with substantially wedge-shaped openings 314a, 314b on each side.

2つのくぼみすなわち開口318は本体312の下側部分に設けられる。2つの実質的に円筒形の溝319は、本体312内に下側部分から上側部分まで実質的に垂直に設けられる。実質的に垂直の中央部材350および実質的に水平の交差部材352をそれぞれが備える、2つの実質的にT字形の圧力要素320が設置される。実質的に垂直の中央部材350は、実質的に円筒形の溝319を通って設置されるポール322を備える。実質的に水平の交差部材352は、各ポール322に連結される。各交差部材352の先端は、上を向き、電気接点340を形成する。   Two indentations or openings 318 are provided in the lower portion of the body 312. Two substantially cylindrical grooves 319 are provided in the body 312 substantially vertically from the lower portion to the upper portion. Two substantially T-shaped pressure elements 320 are installed, each comprising a substantially vertical central member 350 and a substantially horizontal cross member 352. The substantially vertical central member 350 includes a pole 322 that is installed through a substantially cylindrical groove 319. A substantially horizontal cross member 352 is coupled to each pole 322. The tip of each cross member 352 faces upward to form an electrical contact 340.

したがって、実質的に水平の交差部材352によって、各ウェーハは、実質的に楔形の開口314a、314bの上面に向けて、実質的に垂直の中央部材に平行な方向に押しつけられる。   Thus, the substantially horizontal cross member 352 forces each wafer toward the top surface of the substantially wedge-shaped openings 314a, 314b in a direction parallel to the substantially vertical central member.

本実施形態では、実質的に水平の交差部材352だけでなく実質的に垂直の中央部材350も電流伝導性であり、電源との電気的接続を形成する。   In this embodiment, not only the substantially horizontal cross member 352 but also the substantially vertical central member 350 is current conducting and forms an electrical connection with the power source.

ポール322は、それらの上側端部において、各溝319から突き出し、1つの共通の磁気バスコネクタ344を備える。磁気バスコネクタ344は、保持装置が磁気バス348の下で移動すると、上方に引き寄せられるように設けられる。やはりまた磁気バスコネクタ344および磁気バス348も圧力要素320と電源の間に電気的接触をもたらす。   The poles 322 protrude from each groove 319 at their upper end and include one common magnetic bus connector 344. The magnetic bus connector 344 is provided to be pulled upward when the holding device moves under the magnetic bus 348. Again, the magnetic bus connector 344 and the magnetic bus 348 also provide electrical contact between the pressure element 320 and the power source.

したがって、保持装置がバス348の下で移動すると、圧力要素320が実質的に直線運動で上方に移動されることになる。したがって、圧力要素がこの上方すなわち閉位置にあるとき、保持装置はウェーハを保持するだけでなく、同時に、ウェーハとの電気的接触ももたらす。圧力要素がその下側すなわち開位置にあるとき、ウェーハは、保持装置に受容またはそれから解放され得る。   Thus, as the retainer moves under the bath 348, the pressure element 320 is moved upward in a substantially linear motion. Thus, when the pressure element is in this upper or closed position, the holding device not only holds the wafer, but at the same time provides electrical contact with the wafer. When the pressure element is in its lower or open position, the wafer can be received in or released from the holding device.

第5の実施形態
図10a、10bでは、保持装置の第5の実施形態が示される。この保持装置は、参照番号410で示される。第5の実施形態に関する多くの詳細は、上述のものと同様であるので、ここでは詳しく説明しない。 Fifth Embodiment In FIGS. 10a and 10b, a fifth embodiment of the holding device is shown. This holding device is indicated by reference numeral 410. Many details regarding the fifth embodiment are similar to those described above and will not be described in detail here.

第1の実施形態を参照して詳細に述べたように、装置410は、それぞれの側部に実質的に楔形の開口414a、414bがある本体412を備える。   As described in detail with reference to the first embodiment, the device 410 comprises a body 412 with substantially wedge-shaped openings 414a, 414b on each side.

開口418は本体412に設けられる。開口418は、第4の実施形態の開口と第2の実施形態の開口の組合せである。開口418は、本体の下側部分の長手方向に設けられる長手方向開口418a、および長手方向開口を横切るように設けられる2つの開口418bを含む。   The opening 418 is provided in the main body 412. The opening 418 is a combination of the opening of the fourth embodiment and the opening of the second embodiment. The opening 418 includes a longitudinal opening 418a provided in the longitudinal direction of the lower portion of the main body and two openings 418b provided so as to cross the longitudinal opening.

本実施形態では、圧力要素420は、第4の実施形態の圧力要素と同様であり、ここでは詳しく説明しない。圧力要素は、本体の横向き開口418bに設置される。さらに、圧力要素420は、長手方向開口418aに設置される浮力要素422を含む。浮力要素422は、実質的に垂直の中央部材450またはポール422に取り付けられ、かつ開口418a内において垂直方向に移動可能である。したがって、保持装置が液体に沈められると、浮力要素422が上方に押され、圧力装置がウェーハに向けて押しつけられることになる。保持装置が液体から上がると、浮力要素422が下方に動くことになり、ウェーハが保持装置から解放され得る。   In this embodiment, the pressure element 420 is the same as the pressure element of the fourth embodiment and will not be described in detail here. The pressure element is installed in the transverse opening 418b of the body. In addition, the pressure element 420 includes a buoyancy element 422 installed in the longitudinal opening 418a. The buoyancy element 422 is attached to a substantially vertical central member 450 or pole 422 and is vertically movable within the opening 418a. Thus, when the holding device is submerged in the liquid, the buoyancy element 422 is pushed upward and the pressure device is pushed toward the wafer. When the holding device rises from the liquid, the buoyancy element 422 will move downward and the wafer may be released from the holding device.

本実施形態では、実質的に水平の交差部材452だけでなく実質的に垂直の中央部材450も電流伝導性であり、電源との電気的接続を形成する。   In this embodiment, not only the substantially horizontal cross member 452 but also the substantially vertical central member 450 is current conducting and forms an electrical connection with the power source.

したがって、圧力要素がこの上方すなわち閉位置にあるとき、保持装置はウェーハを保持するだけでなく、同時に、ウェーハとの電気的接触ももたらす。圧力要素がその下方すなわち開位置にあるとき、ウェーハは、保持装置に受容またはそれから解放され得る。   Thus, when the pressure element is in this upper or closed position, the holding device not only holds the wafer, but at the same time provides electrical contact with the wafer. When the pressure element is in its lower or open position, the wafer can be received in or released from the holding device.

上述の実施形態では、圧力要素は、本体に対して移動可能である。より具体的には、圧力要素は、ウェーハを受容/解放する開位置と、ウェーハを保持しかつそれと接触する閉位置との間で移動可能である。閉位置において、ウェーハは、本体と圧力要素の間で保持される。   In the embodiment described above, the pressure element is movable relative to the body. More specifically, the pressure element is movable between an open position for receiving / releasing the wafer and a closed position for holding and contacting the wafer. In the closed position, the wafer is held between the body and the pressure element.

1 ウェーハ
10 保持装置
12 本体
14a 開口
14b 開口
16 グルーブ
18 開口
18a ピン
20 圧力要素
30 浮動要素
40 電気接点
42 プレート
44 バスコネクタ
46 電線
110 保持装置
112 本体
114a 開口
114b 開口
118 開口
120 圧力要素、浮動要素
121 要素
140 電気接点
150 中央部材
152 交差部材
210 保持装置
212 本体
214a 開口
214b 開口
218 開口
219 溝
220 圧力要素
222 ポール
240 電気接点
244 バスコネクタ、ノブ
248 バスバー
249 傾斜端部
250 中央部材
252 交差部材
310 保持装置
312 本体
314a 開口
314b 開口
318 開口
319 溝
320 圧力要素
322 ポール
340 電気接点
344 磁気バスコネクタ
348 磁気バス
350 中央部材
352 交差部材
410 保持装置
412 本体
414a 開口
414b 開口
418 開口
420 圧力要素
422 浮力要素、ポール
450 中央部材
452 交差部材 1 wafer
10 Holding device
12 Body
14a opening
14b opening
16 groove
18 opening
18a pin
20 Pressure element
30 floating elements
40 Electrical contacts
42 plates
44 Bus connector
46 Electric wire
110 Holding device
112 body
114a opening
114b opening
118 opening
120 Pressure element, floating element
121 elements
140 Electrical contacts
150 Central part
152 Crossing member
210 Holding device
212 body
214a opening
214b opening
218 opening
219 groove
220 Pressure element
222 Paul
240 electrical contacts
244 Bus connector, knob
248 Busbar
249 Inclined end
250 Central part
252 Cross members
310 Holding device
312 body
314a opening
314b opening
318 opening
319 groove
320 Pressure element
322 Paul
340 electrical contacts
344 Magnetic bus connector
348 Magnetic bus
350 Central member
352 Cross members
410 Holding device
412 body
414a opening
414b opening
418 opening
420 Pressure element
422 Buoyancy element, pole
450 Central part
452 Cross members

Claims (15)

液体の中でウェーハを移送する移送装置であって、前記移送装置は、第1の端部でウェーハを連続的に受容し、かつウェーハを解放する前に第2の端部までそれらを実質的に水平に移送するために設けられており、前記移送装置は、液体の中を移送中、各ウェーハを少なくとも2つの接触装置の間で保持しかつそれと電気的に接触する少なくとも2つの保持装置(10;110;210)を備え、各保持装置が、
各ウェーハの端部を受容する、実質的に楔形の開口(14a、14b;114a、114b;214a、214b)を備える、本体(12;112;212)と、
各ウェーハの前記端部と接触する、電源に接続される電気接点(40;140;240)と、
前記電気接点(40;140;240)を各ウェーハの前記端部に向かって押しつける、前記本体に移動可能に連結される圧力要素(20;120;220)と
を備える、移送装置。 A transfer device for transferring wafers in a liquid, said transfer device continuously receiving wafers at a first end and substantially transferring them to a second end before releasing the wafer. At least two holding devices that hold and electrically contact each wafer between at least two contact devices during transfer through the liquid. 10; 110; 210), each holding device is
A body (12; 112; 212) comprising substantially wedge-shaped openings (14a, 14b; 114a, 114b; 214a, 214b) for receiving the edge of each wafer;
An electrical contact (40; 140; 240) connected to a power source in contact with said end of each wafer;
A transfer device comprising a pressure element (20; 120; 220) movably connected to the body for pressing the electrical contacts (40; 140; 240) towards the end of each wafer. 前記本体が、各側部に1つの実質的に楔形の開口(14a、14b;114a、114b;214a、214b)を備える、請求項1に記載の移送装置。   The transfer device according to claim 1, wherein the body comprises one substantially wedge-shaped opening (14a, 14b; 114a, 114b; 214a, 214b) on each side. 前記電気接点(40;140;240)が、前記圧力要素(20;120;220)上に設けられる、請求項1または2に記載の移送装置。   Transfer device according to claim 1 or 2, wherein the electrical contact (40; 140; 240) is provided on the pressure element (20; 120; 220). 前記圧力要素が、各ウェーハを前記実質的に楔形の開口(14a、14b;114a、114b;214a、214b)の上面に向かって押しつけるようにされている、請求項1から3のいずれか一項に記載の移送装置。   4.The pressure element according to any one of claims 1 to 3, wherein the pressure element is adapted to press each wafer against the upper surface of the substantially wedge-shaped opening (14a, 14b; 114a, 114b; 214a, 214b). The transfer device described in 1. 前記圧力要素が、実質的に垂直の中央部材と実質的に水平の交差部材を備える実質的にT字形であり、前記実質的に水平の交差部材が、各ウェーハを、前記実質的に楔形の開口(14a、14b;114a、114b;214a、214b)の前記上面に向けて、前記実質的に垂直の中央部材に平行な方向に押しつけるようにされている、請求項4に記載の移送装置。   The pressure element is substantially T-shaped with a substantially vertical central member and a substantially horizontal cross member, wherein the substantially horizontal cross member causes each wafer to be substantially wedge-shaped. 5. The transfer device according to claim 4, wherein the transfer device is adapted to press in a direction parallel to the substantially vertical central member toward the upper surface of the opening (14a, 14b; 114a, 114b; 214a, 214b). 前記実質的に垂直の中央部材が、前記本体内を通る溝に移動可能に設置される、請求項5に記載の移送装置。   6. The transfer device according to claim 5, wherein the substantially vertical central member is movably installed in a groove passing through the body. 前記圧力要素(20)が、前記本体の開口(18)に挿入されるピン(18a)によって前記本体に枢動可能に連結される、請求項4に記載の移送装置。 5. Transfer device according to claim 4, wherein the pressure element (20) is pivotally connected to the body by means of a pin (18a) inserted into the opening (18) of the body. 前記電気接点(40;140;240)が、バスバーと接続するバスコネクタによって電源に接続される、請求項1に記載の移送装置。   The transfer device according to claim 1, wherein the electrical contact (40; 140; 240) is connected to a power source by a bus connector connected to a bus bar. 前記電気接点(40;140;240)が、前記本体内を通る溝に設置される電気導体によって前記バスコネクタに接続される、請求項8に記載の移送装置。   9. Transfer device according to claim 8, wherein the electrical contact (40; 140; 240) is connected to the bus connector by an electrical conductor installed in a groove passing through the body. 前記電気接点(40;140;240)が、上に突き出ている、請求項3に記載の移送装置。   4. Transfer device according to claim 3, wherein the electrical contacts (40; 140; 240) protrude above. 前記圧力要素が、前記本体の開口(18;118;218)に設置される、請求項1に記載の移送装置。   The transfer device according to claim 1, wherein the pressure element is installed in an opening (18; 118; 218) of the body. 前記圧力要素が、浮力による前記圧力要素の前記本体に対する移動をもたらす浮動要素を備える、請求項1に記載の移送装置。   The transfer device of claim 1, wherein the pressure element comprises a floating element that provides movement of the pressure element relative to the body by buoyancy. 前記圧力要素が、磁気力による前記圧力要素の前記本体に対する移動をもたらす磁石を備える、請求項1に記載の移送装置。   The transfer device of claim 1, wherein the pressure element comprises a magnet that provides movement of the pressure element relative to the body by a magnetic force. 前記圧力要素(220)が、前記本体内の溝(219)に移動可能に設置されるポール(222)に連結される、請求項1に記載の装置。   The apparatus of claim 1, wherein the pressure element (220) is coupled to a pole (222) movably installed in a groove (219) in the body. 前記ポール(222)よりも大きい直径を有するバスコネクタ(244)が前記ポール(222)の端部に連結され、前記圧力要素(220)の移動が前記バスコネクタ(244)を案内する傾斜バスバーによって引き起こされる、請求項14に記載の装置。   A bus connector (244) having a diameter larger than that of the pole (222) is connected to an end of the pole (222), and the movement of the pressure element (220) is performed by an inclined bus bar that guides the bus connector (244). 15. The device of claim 14, wherein the device is caused.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB709619A (en) 1951-12-14 1954-05-26 Metro Cutanit Ltd Improvements in or relating to securing a steel or other metallic part to another part of hard and difficult to work material, such as a shaft to a turbine wheel
GB719805A (en) 1952-03-12 1954-12-08 Babcock & Wilcox Ltd Improvements in or relating to tubular heat exchanger walls
JPH0586498A (en) * 1991-09-27 1993-04-06 Olympic Co Ltd Plating device
JPH08236605A (en) * 1995-02-28 1996-09-13 Komatsu Electron Metals Co Ltd Semiconductor wafer case
US6251235B1 (en) * 1999-03-30 2001-06-26 Nutool, Inc. Apparatus for forming an electrical contact with a semiconductor substrate
JP3284496B2 (en) * 2000-08-09 2002-05-20 株式会社荏原製作所 Plating apparatus and plating solution removal method
JP2002256498A (en) * 2001-02-26 2002-09-11 Tokyo Electron Ltd Plating device and plating method
US6558750B2 (en) * 2001-07-16 2003-05-06 Technic Inc. Method of processing and plating planar articles
US20040140217A1 (en) * 2003-01-22 2004-07-22 Applied Materials, Inc. Noble metal contacts for plating applications
DE102004025827B3 (en) * 2004-05-24 2005-06-30 Höllmüller Maschinenbau GmbH Electrical contacting device for circuit board or conductor foil passed through electrolytic cell using contacts alternating with transport rollers along each side edge
GB2449309A (en) * 2007-05-18 2008-11-19 Renewable Energy Corp Asa A method for exposing a solar cell wafer to a liquid
GB2453560A (en) * 2007-10-10 2009-04-15 Renewable Energy Corp Asa Wafer electroplating apparatus

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