JPH0586498A - Plating device - Google Patents

Plating device

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Publication number
JPH0586498A
JPH0586498A JP24812091A JP24812091A JPH0586498A JP H0586498 A JPH0586498 A JP H0586498A JP 24812091 A JP24812091 A JP 24812091A JP 24812091 A JP24812091 A JP 24812091A JP H0586498 A JPH0586498 A JP H0586498A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
wafer
cassette
plated
liquid tank
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP24812091A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadao Isono
忠雄 礒野
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Olympic Co Ltd
Original Assignee
Olympic Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Olympic Co Ltd filed Critical Olympic Co Ltd
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Publication of JPH0586498A publication Critical patent/JPH0586498A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

PURPOSE:To precisely control a plating thickness by surely controlling the current flowing through a material to be plated. CONSTITUTION:Fixing means consisting of cathode pins 14a, 14b, 14c, retaining springs 15a, 15b, 15c, and a retaining ring 16 are provided in a cassette 12. The resist film on the surface of an IC wafer 1 is punctured by such fixing means and is held into pressurized contact with the cathode pins 14a, 14b, 14c and the IC wafer 1 is fixed in this state. The cassette 13 is held by cassette insertion grooves 17a, 17b of a cap 6. The contact state of the IC wafer and the cathode pins can be visually checked before plating is executed by holding the cassette in the prescribed position within a liquid tank 2. The respective cathode pins are coated with flexible tubes so as not to be stuck with the plating.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は被めっき材の表面に突起
状めっきを施すめっき装置に関し、特に噴流式の電気め
っき装置の液槽内に被めっき材を取り付ける機構を改良
しためっき装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating apparatus for performing projection plating on the surface of a material to be plated, and more particularly to a plating apparatus having an improved mechanism for mounting the material to be plated in a liquid tank of a jet type electroplating apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、集積回路基板(ICウェハ
ー)等に精密な突起状めっき(バンプめっき)を施すた
めに、図4(A)に示すような噴流式の電気めっき装置
が使用されていた。ここでは、被めっき材(ワーク)と
してのICウェハー1が、表面を下に向けてめっき液を
収容した液槽2内の所定位置で、ワークホルダ3によっ
て保持されている。液槽2内の噴流筒4に一定流量でめ
っき液5が供給されると、めっき液5がワークホルダ3
上に保持されたICウェハー1の表面に接触する。液槽
2の蓋6には押え具7が設けられていて、液槽2の蓋6
が閉じられた状態で、ICウェハー1はこの押え具7に
より、カソードピン8a,8b に圧接される。こうしてIC
ウェハー1を一方の電極として、噴流筒4内のアノード
メッシュ9との間で通電され、ポンプ10によって噴流
筒4に一定流量で供給されためっき液で電気めっきが施
されるように構成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a jet type electroplating apparatus as shown in FIG. 4 (A) has been used for performing precise projection plating (bump plating) on an integrated circuit substrate (IC wafer) or the like. It was Here, an IC wafer 1 as a material (work) to be plated is held by a work holder 3 at a predetermined position in a liquid tank 2 containing a plating solution with its surface facing downward. When the plating liquid 5 is supplied to the jet cylinder 4 in the liquid tank 2 at a constant flow rate, the plating liquid 5 is supplied to the work holder 3
It contacts the surface of the IC wafer 1 held above. The lid 6 of the liquid tank 2 is provided with a retainer 7, and the lid 6 of the liquid tank 2 is provided.
The IC wafer 1 is pressed against the cathode pins 8a and 8b by the retainer 7 in the closed state. Thus IC
The wafer 1 is used as one of the electrodes to be electrically connected to the anode mesh 9 in the jet cylinder 4 and electroplated with the plating solution supplied to the jet cylinder 4 at a constant flow rate by the pump 10. There is.

【0003】ところでICウェハー1の表面には、バン
プめっきが均一なめっき厚で安定して形成されなくては
ならない。そのためには、図4(B)に拡大して示すよ
うに、レジスト膜11を形成したICウェハー1の表面
と接触するめっき液の流量を制御する必要がある。そこ
で、噴流筒4に送り込まれるめっき液の量をポンプ10
で確実に制御すると同時に、ICウェハー1に接触した
めっき液を噴流筒4の上部の周縁部分からオーバーフロ
ーさせて、液槽2に戻すように構成している。また、カ
ソードピン8a,8b には、めっき液の余分な付着を防ぐた
めにテフロン被膜等のコーティング層12による絶縁加
工がされている。
By the way, bump plating must be stably formed on the surface of the IC wafer 1 with a uniform plating thickness. For that purpose, it is necessary to control the flow rate of the plating solution which comes into contact with the surface of the IC wafer 1 on which the resist film 11 is formed, as enlargedly shown in FIG. Therefore, the amount of the plating solution sent to the jet cylinder 4 is controlled by the pump 10
At the same time, the plating solution in contact with the IC wafer 1 is made to overflow from the peripheral portion of the upper portion of the jet tube 4 and returned to the solution tank 2. Further, the cathode pins 8a and 8b are insulated by a coating layer 12 such as a Teflon coating in order to prevent the plating solution from being excessively attached.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このように、ワークホ
ルダ3によって固定されたICウェハー1は、ICウェ
ハー1自体を負電極としてめっき液と接触して、その表
面に突起状めっきが施される。その場合、ICウェハー
1の表面にレジスト膜11が形成されているために、カ
ソードピン8a,8b は鋭利な先端部分を有していて、液槽
2の蓋6を閉じた時点でレジスト膜11を突き抜いてカ
ソードピン8a,8b がICウェハー1と接触し、通電され
る。
As described above, the IC wafer 1 fixed by the work holder 3 is brought into contact with the plating solution using the IC wafer 1 itself as a negative electrode, and the surface of the IC wafer 1 is plated with protrusions. .. In that case, since the resist film 11 is formed on the surface of the IC wafer 1, the cathode pins 8a and 8b have sharp tip portions, and the resist film 11 is formed when the lid 6 of the liquid tank 2 is closed. And the cathode pins 8a and 8b come into contact with the IC wafer 1 and are energized.

【0005】ところが、従来のめっき装置では一旦液槽
2の蓋6が閉じられてしまえば、カソードピン8a,8b の
先端がICウェハー1と確実に接触しているかどうかは
目視できない。このため、カソードピン8a,8b と噴流筒
4内のアノードメッシュ9との間で通電したときに、I
Cウェハー1自体が負電極として作用しているのか、そ
れともカソードピン8a,8b の先端付近のめっき液によっ
て通電しているだけなのかの判別が困難であった。
However, in the conventional plating apparatus, once the lid 6 of the liquid tank 2 is closed, it cannot be visually inspected whether the tips of the cathode pins 8a, 8b are in contact with the IC wafer 1 reliably. Therefore, when electricity is applied between the cathode pins 8a, 8b and the anode mesh 9 in the jet cylinder 4, I
It was difficult to determine whether the C wafer 1 itself was acting as a negative electrode, or whether it was only energized by the plating solution near the tips of the cathode pins 8a, 8b.

【0006】したがって、従来のめっき装置の構造で
は、カソードピン8a,8b とICウェハー1との接触状態
によっては、めっき液の流量だけを制御しても被めっき
材への通電制御が確実に行えない。このために、被めっ
き材の表面に精密な突起状めっきを施せないという問題
点があった。
Therefore, in the structure of the conventional plating apparatus, depending on the contact state between the cathode pins 8a, 8b and the IC wafer 1, even if only the flow rate of the plating solution is controlled, it is possible to reliably control the energization of the material to be plated. Absent. For this reason, there has been a problem in that the surface of the material to be plated cannot be precisely plated with protrusions.

【0007】また、カソードピン8a,8b の先端部分以外
にはコーティング層12による絶縁加工がなされている
が、繰り返して使用するうちにテフロン被膜が破れるな
ど絶縁性が低下する。そして、カソードピン8a,8b にめ
っきが付着してくると、ICウェハー1との接触が十分
でなくなり、特に複数のピンを使用する場合に、被めっ
き材へのバンプめっきが均一なめっき厚で形成されなく
なるという問題もあった。
In addition, the insulating layer is coated with the coating layer 12 except for the tip portions of the cathode pins 8a, 8b, but the insulating property is deteriorated by repeated breakage of the Teflon coating. When the plating adheres to the cathode pins 8a and 8b, the contact with the IC wafer 1 becomes insufficient, and especially when using a plurality of pins, bump plating on the material to be plated has a uniform plating thickness. There was also the problem that it would not be formed.

【0008】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、被めっき材に流れる電流を確実に制御して、
めっき厚を精密に制御できるめっき装置を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and it is possible to reliably control the current flowing through the material to be plated,
An object of the present invention is to provide a plating apparatus capable of precisely controlling the plating thickness.

【0009】また、本発明の他の目的は、被めっき材と
接触するピンにめっきが付着しないようにしためっき装
置を提供することである。
Another object of the present invention is to provide a plating apparatus in which the plating does not adhere to the pins that come into contact with the material to be plated.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、めっき液を収容した液槽内で、被めっき
材を電極としてめっき液と接触させて、その表面に突起
状めっきを施すめっき装置において、前記被めっき材の
導体部分に接触する複数のピンを備え、前記液槽内の所
定位置に着脱自在に保持される板状部材と、前記被めっ
き材の導体部分が前記複数のピンに圧接された状態で、
前記被めっき材を前記板状部材に固定する固定手段と、
を有することを特徴とするめっき装置が、提供される。
In the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, a material to be plated is brought into contact with a plating solution as an electrode in a solution tank containing the plating solution, and projection plating is applied to the surface thereof. In the plating apparatus for applying, a plate-shaped member that includes a plurality of pins that come into contact with a conductor portion of the material to be plated and is detachably held at a predetermined position in the liquid tank, and a plurality of conductor portions of the material to be plated While pressed against the pin of
Fixing means for fixing the plated material to the plate-shaped member,
There is provided a plating apparatus having:

【0011】[0011]

【作用】板状部材には、固定手段によって被めっき材の
導体部分が複数のピンに圧接された状態で固定される。
その後に板状部材は液槽内の所定位置に保持される。す
なわち、めっきを施す以前にピンと被めっき材との接触
状態を目視で確認でき、したがって被めっき材に流れる
電流を確実に制御できる。
The conductor portion of the material to be plated is fixed to the plate member by the fixing means while being pressed against the plurality of pins.
After that, the plate-shaped member is held at a predetermined position in the liquid tank. That is, the contact state between the pin and the material to be plated can be visually confirmed before plating, and therefore the current flowing through the material to be plated can be reliably controlled.

【0012】また、板状部材の各ピンをフレキシブルチ
ューブで被覆しておけば、ピンにめっきが付着しない。
しかも透明のチューブを使用することにより、ピンの被
めっき材との接触状態を目視するうえで障害にならな
い。
Further, if each pin of the plate member is covered with a flexible tube, plating does not adhere to the pin.
Moreover, by using a transparent tube, there is no obstacle in visually observing the contact state of the pin with the plated material.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1は本発明のめっき装置の液槽部分の概略構
成を示している。液槽2内の所定位置に保持されるIC
ウェハー1は、板状部材で構成されたカセット13によ
って支持されている。この点で、このめっき装置は従来
のものと大きく異なる。噴流筒4には一定流量でめっき
液が供給され、ICウェハー1を一方の電極として、噴
流筒4内のアノードメッシュ9との間で通電される。し
たがって、被めっき材であるICウェハー1に電気めっ
きを施すための基本構成は、図4(A)に示す従来装置
と同様であって、対応する部分には同一の参照番号を付
けている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a liquid tank portion of the plating apparatus of the present invention. IC held at a predetermined position in the liquid tank 2
The wafer 1 is supported by a cassette 13 composed of a plate-shaped member. In this respect, this plating apparatus is very different from the conventional one. The plating liquid is supplied to the jet cylinder 4 at a constant flow rate, and the IC wafer 1 is used as one electrode to be electrically connected to the anode mesh 9 in the jet cylinder 4. Therefore, the basic structure for electroplating the IC wafer 1 as the material to be plated is the same as that of the conventional apparatus shown in FIG. 4 (A), and corresponding parts are designated by the same reference numerals.

【0014】ICウェハー1を支持するカセット13
は、噴流筒4内のアノードメッシュ9に対向して配置さ
れる面に3本のカソードピン14a,14b,14c(ただし、図に
はカソードピン14c は示されていない。)を備え、IC
ウェハー1は押えリング16を介して押えばね15a,15b,
15cによってこれらカソードピン14a,14b,14c に上から
押圧固定されている。すなわち、これらカソードピン14
a,14b,14c がICウェハー1の導体部分に接触して電気
的な接続をとり、噴流筒4内のアノードメッシュ9との
間で所定の電流値に通電されるように構成される。
A cassette 13 for supporting the IC wafer 1.
Is provided with three cathode pins 14a, 14b, 14c (however, the cathode pin 14c is not shown in the drawing) on the surface of the jet cylinder 4 facing the anode mesh 9, and the IC
The wafer 1 is pressed through the pressing ring 16 to the pressing springs 15a, 15b,
The cathode pin 14a, 14b, 14c is pressed and fixed from above by 15c. That is, these cathode pins 14
The a, 14b, and 14c are configured to contact the conductor portion of the IC wafer 1 to make electrical connection, and to be electrically connected to the anode mesh 9 in the jet cylinder 4 at a predetermined current value.

【0015】液槽2の蓋6の下面には、互いに並行する
カセット挿入溝17a,17b を形成した2枚の突き出し板18
a,18b が設けられている。図2に示すように、カセット
13のほぼ中央部分にはICウェハー1の直径よりやや
大きめの穴13aが形成されている。そこにICウェハ
ー1が上記押えリング16とともに嵌め込まれ、3つの
押えばね15a,15b,15c を回動させて押えリング16を穴
13aに固定することによって、ICウェハー1はカセ
ット13のほぼ中央部分で固定される。
On the lower surface of the lid 6 of the liquid tank 2, two ejection plates 18 having cassette insertion grooves 17a, 17b parallel to each other are formed.
a and 18b are provided. As shown in FIG. 2, a hole 13 a that is slightly larger than the diameter of the IC wafer 1 is formed in a substantially central portion of the cassette 13. The IC wafer 1 is fitted therein together with the pressing ring 16, and the three pressing springs 15a, 15b, 15c are rotated to fix the pressing ring 16 in the hole 13a, so that the IC wafer 1 is almost in the central portion of the cassette 13. Fixed in.

【0016】カセット13は、ICウェハー1を固定し
た後、カソードピン14a,14b,14c の側を下にして蓋6の
突き出し板18a,18b のカセット挿入溝17a,17b に挿入さ
れる。したがって液槽2の上部で蓋6が閉じられた状態
では、カセット13は液槽2内の所定位置に保持され、
そこに固定されたICウェハー1は液槽2の噴流筒4か
ら噴き上げられてくるめっき液と接触する。
After fixing the IC wafer 1, the cassette 13 is inserted into the cassette insertion grooves 17a, 17b of the protruding plates 18a, 18b of the lid 6 with the cathode pins 14a, 14b, 14c side down. Therefore, when the lid 6 is closed at the upper part of the liquid tank 2, the cassette 13 is held at a predetermined position in the liquid tank 2,
The IC wafer 1 fixed there comes into contact with the plating solution jetted from the jet cylinder 4 of the liquid tank 2.

【0017】図3(A)はカセットの断面図であり、カ
セット13にICウェハー1を固定した状態で図示して
いる。また、図3(B)は図3(A)の一部分を拡大し
て示すものであって、カセット13に設けられた固定手
段を示している。
FIG. 3A is a sectional view of the cassette, showing the IC wafer 1 fixed to the cassette 13. Further, FIG. 3B is an enlarged view of a part of FIG. 3A and shows a fixing means provided in the cassette 13.

【0018】カセット13には、テフロン製のフレキシ
ブルチューブ19で被覆されたカソードピン14a,14b,14
c がスタッド20a,20b,20c によって固着されている。図
3(B)に示すように、例えばフレキシブルチューブ1
9は透明体であって、その先端開口がカソードピン14
bの先端部分と一致する長さを有する。カソードピン1
4bはU字形に曲げられて、鋭利に形成された先端部分
はカセット13の一面側から穴13aに臨んで、カセッ
ト13の面からやや内部に入り込んでいる。また、カセ
ット13の反対面には同じスタッド20bに回動可能に
枢着された押えばね15が穴13aに臨んで設けられて
いる。21はスタッド20bの側面から嵌合するカソー
ドピン固定用のねじ穴である。
The cassette 13 has cathode pins 14a, 14b, 14 covered with a flexible tube 19 made of Teflon.
c is fixed by studs 20a, 20b, 20c. As shown in FIG. 3B, for example, the flexible tube 1
9 is a transparent body, and the tip opening is a cathode pin 14
It has a length matching the tip portion of b. Cathode pin 1
4b is bent into a U shape, and the sharply formed tip portion faces the hole 13a from one surface side of the cassette 13 and slightly enters from the surface of the cassette 13. Further, a pressing spring 15 pivotally attached to the same stud 20b is provided on the opposite surface of the cassette 13 so as to face the hole 13a. Reference numeral 21 is a screw hole for fixing the cathode pin fitted from the side surface of the stud 20b.

【0019】なお、液槽2の外部にはめっき装置に通電
するための電源が配置されている。ここではいずれも図
示していないが、蓋6の下面にはそれぞれカセット13
のスタッド20a,20b,20cに対応した位置に達
する負電極が配設され、カセット13がカセット挿入溝
17a,17bに挿入された時、電源の負電極は蓋6を
介してカソードピン14a,14b,14cの上端と電
気的に接続されるよううになっている。また、アノード
メッシュ9は噴流筒4の上端部分に導出されたリード部
を備えていて、液槽2の蓋6が閉じられた時、突き出し
板18aの下端部に配設された正電極がアノードメッシ
ュ9と電気的に接続されるようになっている。
A power supply for energizing the plating apparatus is arranged outside the liquid tank 2. Although not shown here, the lower surface of the lid 6 has a cassette 13
The negative electrodes reaching the positions corresponding to the studs 20a, 20b, 20c of the power supply are arranged, and when the cassette 13 is inserted into the cassette insertion grooves 17a, 17b, the negative electrodes of the power supply are connected to the cathode pins 14a, 14b via the lid 6. , 14c so as to be electrically connected to the upper ends thereof. Further, the anode mesh 9 is provided with a lead portion led out to the upper end portion of the jet cylinder 4, and when the lid 6 of the liquid tank 2 is closed, the positive electrode disposed at the lower end portion of the ejection plate 18a is an anode. The mesh 9 is electrically connected.

【0020】このように構成されるICウェハーの固定
手段は、図1に示すめっき装置にカセット13を装着す
る以前に、カセット13にICウェハー1を固定した状
態を容易に目視で確認できる。したがって、その後にカ
セット13を突き出し板18a,18b のカセット挿入溝17a,
17b に挿入し、液槽2内の所定位置に保持してめっきを
施す以前に、カソードピン14a,14b,14c とICウェハー
1との接触状態が確実に点検でき、したがって被めっき
材に流れる電流を確実に制御できる。
With the IC wafer fixing means thus constructed, the state in which the IC wafer 1 is fixed to the cassette 13 can be easily visually confirmed before the cassette 13 is mounted in the plating apparatus shown in FIG. Therefore, after that, the cassette 13 is inserted into the cassette insertion groove 17a,
Before inserting into 17b, holding in place in the bath 2 and plating, the contact state between the cathode pins 14a, 14b, 14c and the IC wafer 1 can be reliably checked, and therefore the current flowing through the plated material Can be reliably controlled.

【0021】また、カセット13の各カソードピン14a,
14b,14c をそれぞれフレキシブルチューブ19で被覆し
ているため、カソードピン14a,14b,14c に余分なめっき
が付着せず、従ってICウェハー1の表面各部分におけ
るバンプめっきが均一なめっき厚で安定して形成でき
る。しかも、フレキシブルチューブ19に透明のチュー
ブを使用することにより、接触状態を目視するうえの障
害にもならない。さらに、カソードピン14a,14b,14c の
先端部分に一致する長さでフレキシブルチューブ19が
各カソードピン14a,14b,14c を被覆しているため、カソ
ードピン14a,14b,14c がレジスト膜を突き抜いてICウ
ェハー1と接触した状態で、フレキシブルチューブ19
の先端開口がICウェハー1と密着するから、めっき液
の浸入を確実に防止する。
Further, each cathode pin 14a of the cassette 13 is
Since 14b and 14c are respectively covered with the flexible tube 19, extra plating does not adhere to the cathode pins 14a, 14b and 14c, so that bump plating on each surface of the IC wafer 1 is stabilized with a uniform plating thickness. Can be formed. Moreover, the use of a transparent tube as the flexible tube 19 does not hinder the visual observation of the contact state. Further, since the flexible tube 19 covers the cathode pins 14a, 14b, 14c with a length corresponding to the tips of the cathode pins 14a, 14b, 14c, the cathode pins 14a, 14b, 14c penetrate the resist film. Flexible tube 19 in a state of being in contact with the IC wafer 1
Since the opening of the tip of the plate comes into close contact with the IC wafer 1, the intrusion of the plating solution is reliably prevented.

【0022】なお、液槽2内の所定位置にカセット13
を保持するためには、必ずしも蓋6に突き出し板18a,18
b を設けて、そのカセット挿入溝17a,17b にカセット1
3を挿入する構成でなくても良い。しかし、上記実施例
に示すような蓋6にスライド式に挿入する方式は、カセ
ット13を直接に液槽2の中に固定する方式に比較し
て、めっき液の汚染を防止することが容易であり、カセ
ット13の着脱工程を自動化することも容易になる。
The cassette 13 is placed at a predetermined position in the liquid tank 2.
In order to hold the
b is provided, and the cassette 1 is inserted in the cassette insertion groove 17a, 17b.
It does not have to be a configuration in which 3 is inserted. However, the method of slidingly inserting into the lid 6 as shown in the above embodiment is easier to prevent the plating solution from being contaminated as compared with the method of directly fixing the cassette 13 in the liquid tank 2. Thus, it becomes easy to automate the attaching / detaching process of the cassette 13.

【0023】上記実施例では、押えリング16と3つの
押えばね15a,15b,15c を使用して、ICウェハー1をフ
レキシブルチューブ19との間で固定しているが、こう
した固定手段に代えて、所定のカセット挿入溝に挿入す
るだけでICウェハー1をカセット13に固定する構造
を採用しても良い。
In the above embodiment, the IC ring 1 is fixed to the flexible tube 19 by using the pressing ring 16 and the three pressing springs 15a, 15b and 15c. Instead of such fixing means, A structure may be adopted in which the IC wafer 1 is fixed to the cassette 13 only by inserting it into a predetermined cassette insertion groove.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように本発明では、被めっ
き材に流れる電流を確実に制御して、めっき厚を精密に
制御できる。また、被めっき材と接触するピンにめっき
が付着しないようにしたから、被めっき材へのバンプめ
っきを均一なめっき厚で形成できる。
As described above, according to the present invention, the current flowing through the material to be plated can be surely controlled and the plating thickness can be precisely controlled. Further, since the plating is prevented from adhering to the pins that come into contact with the material to be plated, bump plating can be formed on the material to be plated with a uniform plating thickness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のめっき装置の液槽部分の概略構成を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a liquid tank portion of a plating apparatus of the present invention.

【図2】ICウェハーを固定するカセットの構成を示す
斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a cassette for fixing an IC wafer.

【図3】(A)はカセットの断面図、(B)はカセット
に設けられた固定手段一部分を拡大して示す断面図であ
る。
FIG. 3A is a sectional view of a cassette, and FIG. 3B is an enlarged sectional view of a part of fixing means provided in the cassette.

【図4】(A)は従来の噴流式の電気めっき装置を示す
図、(B)はカソードピンの先端部分を拡大して示す図
である。
FIG. 4A is a view showing a conventional jet type electroplating apparatus, and FIG. 4B is an enlarged view showing a tip portion of a cathode pin.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ICウェハー 2 液槽 13 カセット 14a,14b,14c カソードピン 15a,15b,15c 押えばね 16 押えリング 1 IC wafer 2 Liquid tank 13 Cassette 14a, 14b, 14c Cathode pin 15a, 15b, 15c Holding spring 16 Holding ring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C25D 17/08 A 7179−4K ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location C25D 17/08 A 7179-4K

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 めっき液を収容した液槽内で、被めっき
材を電極としてめっき液と接触させて、その表面に突起
状めっきを施すめっき装置において、 前記被めっき材の導体部分に接触する複数のピンを備
え、前記液槽内の所定位置に着脱自在に保持される板状
部材と、 前記被めっき材の導体部分が前記複数のピンに圧接され
た状態で、前記被めっき材を前記板状部材に固定する固
定手段と、 を有することを特徴とするめっき装置。
1. A plating apparatus for contacting a plating solution as an electrode with a plating solution in a liquid tank containing the plating solution and performing projection plating on the surface of the plating solution, the method being in contact with a conductor portion of the plating material. A plate-shaped member that includes a plurality of pins and is detachably held at a predetermined position in the liquid tank; and a conductor portion of the material to be plated is pressed against the plurality of pins, A plating device, comprising: a fixing unit that fixes the plate member.
【請求項2】 前記板状部材の各ピンはフレキシブルチ
ューブで被覆されていることを特徴とする請求項1記載
のめっき装置。
2. The plating apparatus according to claim 1, wherein each pin of the plate-shaped member is covered with a flexible tube.
JP24812091A 1991-09-27 1991-09-27 Plating device Withdrawn JPH0586498A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB2459124A (en) * 2008-04-10 2009-10-14 Rec Solar As Wafer holder for electroplating apparatus

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