KR20110036793A - Contacting device - Google Patents

Contacting device Download PDF

Info

Publication number
KR20110036793A
KR20110036793A KR1020107025169A KR20107025169A KR20110036793A KR 20110036793 A KR20110036793 A KR 20110036793A KR 1020107025169 A KR1020107025169 A KR 1020107025169A KR 20107025169 A KR20107025169 A KR 20107025169A KR 20110036793 A KR20110036793 A KR 20110036793A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
liquid
transfer
main body
transfer device
Prior art date
Application number
KR1020107025169A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
칼 이발 룬다흘
비요른 스유르제티
케틸 아몰드
루네 렌슈슬록켄
키르스텐 카바나스-홀멘
Original Assignee
알이씨 솔라 에이에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알이씨 솔라 에이에스 filed Critical 알이씨 솔라 에이에스
Publication of KR20110036793A publication Critical patent/KR20110036793A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/02—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for conveying workpieces through baths of liquid
    • B65G49/04—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for conveying workpieces through baths of liquid the workpieces being immersed and withdrawn by movement in a vertical direction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Abstract

본 발명은 액체 내에 잠긴 동안 웨이퍼를 이송하기 위한 장치에 관한 것이다. 상기 장치는 이송 장치에 고정된 주 몸체와 웨이퍼를 접속하기 위한 전기 접점 및 웨이퍼 쪽으로 전기 접점을 가압하기 위한 가압 부재를 포함한다.The present invention relates to an apparatus for transferring a wafer while submerged in a liquid. The apparatus includes an electrical contact for connecting the wafer with the main body fixed to the conveying device and a pressing member for urging the electrical contact toward the wafer.

Figure P1020107025169
Figure P1020107025169

Description

접속 장치 {CONTACTING DEVICE}Interface device {CONTACTING DEVICE}

본 발명은 태양 전지 웨이퍼를 접속하기 위한 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus for connecting a solar cell wafer.

UK 특허 출원 번호 0709619.1호에는 액체로 충전된 컨테이너와, 액체를 통해 웨이퍼를 이송하기 위한 이송 장치, 및 이송 장치와 함께 웨이퍼를 운반하기 위한 캐리어 장치를 포함하는, 액체에 태양 전지 웨이퍼를 노출시키기 위한 장치가 설명되어 있다.UK Patent Application No. 0709619.1 discloses a method for exposing a solar cell wafer to a liquid, comprising a container filled with a liquid, a transfer device for transporting the wafer through the liquid, and a carrier device for transporting the wafer with the transfer device. The apparatus is described.

UK 특허 출원 번호 0719805.4호에는 액체로 충전된 액체 컨테이너와, 액체에 적어도 부분적으로 잠진 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 캐리어 장치를 포함하는 이송 장치, 및 웨이퍼에 전력을 공급하기 위한 전력 공급원을 포함하는, 액체에 적어도 부분적으로 잠긴 웨이퍼에 전력을 공급하기 위한 장치가 설명되어 있다.UK Patent Application No. 0719805.4 discloses a liquid comprising a liquid container filled with a liquid, a transfer device comprising a wafer carrier device for transferring a wafer at least partially submerged in the liquid, and a power supply for powering the wafer; An apparatus for powering a wafer at least partially submerged is described.

이들 공보들은 예를 들어, Ni, Cu, Sn 및/또는 Ag를 웨이퍼에 도포하는 예를 들어, 전기도금 공정에 사용된다.These publications are for example used in, for example, electroplating processes for applying Ni, Cu, Sn and / or Ag to a wafer.

이러한 공정에 있어서의 도전은 웨이퍼의 파손의 원인이 될 수 있는, 웨이퍼에 강력한 기계적인 힘을 가함이 없이 웨이퍼에 전기 접속을 제공하기 위한 것이다. 또한, 대규모 태양 전지의 제조를 위한 공정 속도의 개선이 필요하다. 전기도금에 있어서 이는 웨이퍼에 인가되는 전류 밀도를 증가시킴으로써 달성되는데, 이는 웨이퍼 표면에 증착되는 금속 원자의 수가 웨이퍼에 인가된 전류에 정비례하기 때문이다. 그러나, 한계 확산 전류 밀도(IL)(IL = (nFDoxcb)/δ)라 지칭되는 전류 밀도에 대한 상한이 존재한다(M. Paunovic and M. Schlesinger의 전기화학적 증착의 기초 2판, 존 윌리 및 선즈,2006, 97페이지 참조). IL은 전극/용액 인터페이스에 대한 이온의 물질 전달(mass transport)이 전체 반응속도에 대한 제한 요인이 되기 시작하는 전류 값이다. 용액/전극 인터페이스에서 교반을 증가시킴으로써, 네른스트(Nernst) 확산 층(δ)이 더 작아진다. 차례로, 이는 IL이 증가하고 금속의 이론 증착 속도가 증가될 수 있음을 의미한다.
The challenge in this process is to provide an electrical connection to the wafer without exerting a strong mechanical force on the wafer, which can cause the wafer to break. There is also a need to improve process speeds for the production of large scale solar cells. In electroplating this is achieved by increasing the current density applied to the wafer because the number of metal atoms deposited on the wafer surface is directly proportional to the current applied to the wafer. However, the limit diffusion current density (I L ) (I L There is an upper limit to the current density, referred to as (nFD ox c b ) / δ) (see Basics 2nd Edition of Electrochemical Deposition by M. Paunovic and M. Schlesinger, John Willy and Sons, 2006, p. 97). I L is the current value at which mass transport of ions to the electrode / solution interface begins to limit the overall reaction rate. By increasing the agitation at the solution / electrode interface, the Nernst diffusion layer δ becomes smaller. In turn, this means that I L can be increased and the theoretical deposition rate of the metal can be increased.

본 발명의 목적은 위의 조건들이 만족될 수 있도록 웨이퍼에 대한 전기 접속을 개선하고자 하는 것이다. 특히, 접속 장치는 웨이퍼에 접속이 이루어지는 것과 동일한 쪽으로부터 난류 교반을 가능하게 하는 동시에, 웨이퍼가 계속해서 공정 전반에 걸쳐서 전방으로 이동되게 한다.It is an object of the present invention to improve the electrical connection to the wafer so that the above conditions can be met. In particular, the connection device enables turbulent agitation from the same side that the connection is made to the wafer, while also allowing the wafer to continue moving forward throughout the process.

본 발명은 액체에 잠겨 있는 동안에 웨이퍼를 접속시키기 위한 장치에 관한 것으로서, 상기 장치는The present invention relates to an apparatus for connecting a wafer while submerged in a liquid, the apparatus comprising:

- 이송 장치에 고정된 주 몸체와,A main body fixed to the conveying device,

- 웨이퍼를 접속시키기 위한 전기 접점, 및Electrical contacts for connecting the wafers, and

- 웨이퍼 쪽으로 전기 접점과 웨이퍼를 압박하기 위한 가압 부재를 포함한다.A pressing member for pressing the wafer with the electrical contacts towards the wafer.

본 발명의 일면에 있어서, 전기 접점은 가압 부재에 제공된다.In one aspect of the invention, the electrical contact is provided to the pressing member.

본 발명의 일면에 있어서, 가압 부재는 주 몸체에 이동가능하게 연결된다.In one aspect of the invention, the pressing member is movably connected to the main body.

본 발명의 일면에 있어서, 가압 부재는 플로팅 부재(floating element)를 포함한다.In one aspect of the invention, the pressing member comprises a floating element.

본 발명의 일면에 있어서, 주 몸체는 웨이퍼의 단부를 수용하도록 구성되는 홈을 포함한다.In one aspect of the invention, the main body includes a groove configured to receive an end of the wafer.

본 발명의 일면에 있어서, 전기 접점은 상방향으로 돌출하는 접점을 포함한다.In one aspect of the invention, the electrical contact comprises a contact projecting upward.

본 발명의 일면에 있어서, 상방향으로 돌출하는 점점은 버스 바아에 연결하기 위한 버스 커넥터에 연결된다.In one aspect of the invention, the upwardly projecting edge is connected to a bus connector for connection to a bus bar.

본 발명의 일면에 있어서, 상방향으로 돌출하는 접점은 전기 와이어에 의해 버스 커넥터에 연결된다.In one aspect of the invention, the upwardly projecting contact is connected to the bus connector by an electrical wire.

본 발명의 일면에 있어서, 상기 장치는 독립적인 플로팅 부재를 갖춘 여러 개의 독립적으로 이동가능한 가압 부재를 포함한다.In one aspect of the invention, the apparatus comprises several independently movable pressing members with independent floating members.

본 발명의 실시예들이 이후에, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명될 것이다.
Embodiments of the present invention will hereinafter be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 두 개의 웨이퍼를 유지하기 위한 3 개의 유지 장치의 사시도이며,
도 2는 도 1의 측면도이며,
도 3은 도 2의 유지 장치 중의 하나에 대한 확대 측면도이며,
도 4는 도 4의 유지 장치 중의 하나에 대한 저면도이며,
도 5는 몇몇 부품들이 생략된 도 2의 유지 장치의 측면도이며,
도 6은 도 5의 유지 장치의 사시도이며,
도 7a은 유지 장치의 제 2 실시예에 대한 사시도이며,
도 7b는 제 2 실시예에 대한 측면도이며,
도 7c는 제 2 실시예의 플로팅 부재를 도시하는 도면이며,
도 7d는 제 2 실시예의 정면도이며,
도 8a는 제 3 유지 장치 및 버스 바아의 사시도이며,
도 8b는 도 8a의 유지 장치 및 버스 바아의 측면도이며,
도 8c는 도 8a의 유지 장치 및 버스 바아의 정면도이며,
도 8d는 주 몸체가 제거된 제 3 실시예의 사시도이며,
도 8e는 주 몸체의 정면도이며,
도 9는 제 4 실시예의 반투명 사시도이며,
도 10a는 제 5 실시예의 반투명 사시도이며,
도 10b는 도 10a의 제 5 실시예의 측면도이다.1 is a perspective view of three holding devices for holding two wafers,
2 is a side view of FIG. 1,
3 is an enlarged side view of one of the holding devices of FIG.
4 is a bottom view of one of the holding devices of FIG. 4,
5 is a side view of the retaining device of FIG. 2 with some components omitted;
6 is a perspective view of the holding device of FIG. 5,
7A is a perspective view of a second embodiment of a retaining device,
7B is a side view of a second embodiment,
7C is a view showing the floating member of the second embodiment,
7D is a front view of the second embodiment,
8A is a perspective view of a third retaining device and a bus bar,
8B is a side view of the retainer and bus bar of FIG. 8A,
8C is a front view of the retainer and bus bar of FIG. 8A,
8d is a perspective view of a third embodiment with the main body removed;
8E is a front view of the main body,
9 is a translucent perspective view of a fourth embodiment,
10A is a translucent perspective view of a fifth embodiment,
FIG. 10B is a side view of the fifth embodiment of FIG. 10A.

이후, 3 개의 유지 장치(10a,10b,10c)가 도시되어 있는 도 1 및 도 2를 참조한다. 유지 장치는 예를 들어, 전술한 공보들에서 설명된 바와 같은 이송 장치(도시 않음)에 장착된다. 하나의 태양 전지 웨이퍼(1a)가 유지 장치(10a,10b) 사이에 유지되며, 하나의 태양 전지 웨이퍼(1b)가 유지 장치(10b,10c) 사이에 유지된다. 이와 같이, 유지 장치는 웨이퍼의 한 단부를 양측에 유지하기 위해 제공된다. 유지 장치에 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하는 것도 전술한 공보에 설명되어 있다.Reference is now made to FIGS. 1 and 2 where three retaining devices 10a, 10b, 10c are shown. The holding device is mounted to a conveying device (not shown), for example, as described in the above publications. One solar cell wafer 1a is held between the holding devices 10a and 10b, and one solar cell wafer 1b is held between the holding devices 10b and 10c. As such, a holding device is provided for holding one end of the wafer on both sides. Loading and unloading wafers into the holding device is also described in the above-mentioned publication.

웨이퍼가 이송 장치의 제 1 단부에서 두 개의 유지 장치들 사이에 계속해서 수용되는 반면에, 다른 웨이퍼가 이송 장치의 제 2 단부에 있는 이송 장치로부터 계속해서 방출되는 연속 이송 장치에 유지 장치(10)가 고정되는 것을 설명하고 있는 전술한 공보들을 주목해야 한다. 제 1 단부 및 제 2 단부로부터의 이송 중에, 웨이퍼는 액체 내에 잠김, 전기 도금 등과 같은 공정에 노출된다. 제 1 유지 장치는 웨이퍼의 정면 단부를 수용 및 유지하는 반면에, 제 2 유지 장치는 웨이퍼의 후방 단부를 수용 및 유지하는데, 여기서 용어 "정면" 및 "후방"은 이송 방향을 의미한다. 여기서, 각각의 웨이퍼는 두 개의 유지 장치(10)들 사이에 유지된다.The holding device 10 in a continuous conveying device in which a wafer is continuously received between two holding devices at the first end of the conveying device, while another wafer is continuously ejected from the conveying device at the second end of the conveying device. It should be noted that the above-mentioned publications describe that is fixed. During transfer from the first and second ends, the wafer is exposed to processes such as immersion in liquid, electroplating, and the like. The first holding device receives and holds the front end of the wafer, while the second holding device receives and holds the back end of the wafer, where the terms "front" and "rear" mean the conveying direction. Here, each wafer is held between two holding devices 10.

유지 장치(10a,10b,10c) 중의 하나에 대응하는 유지 장치(10)를 도시하는 도 3 및 도 4를 이후에 참조한다.Reference will now be made to FIGS. 3 and 4 showing the holding device 10 corresponding to one of the holding devices 10a, 10b, 10c.

유지 장치(10)는 각각의 측면에 실질적으로 웨지형 개구(14a,14b)를 갖는 주 몸체(12)를 포함한다. 실질적으로 웨지형 개구(14a,14b)는 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(1)의 단부를 수용하도록 구성된다. 홈(16)은 유지 장치(10)를 이송 장치에 체결하기 위해 주 몸체(12)의 하부에 제공된다.The holding device 10 comprises a main body 12 having substantially wedge-shaped openings 14a and 14b on each side. Substantially wedge-shaped openings 14a and 14b are configured to receive the ends of the wafer 1 as shown in FIG. The groove 16 is provided at the bottom of the main body 12 for fastening the retaining device 10 to the conveying device.

주 몸체(12)는 도 4에 도시한 바와 같이 회전 축선(Ⅰ-Ⅰ)을 형성하는 길이방향 개구(18)를 포함한다. 개구(18)는 주 몸체(12)의 하부에 제공된다.The main body 12 includes a longitudinal opening 18 that forms the axis of rotation I-I as shown in FIG. 4. The opening 18 is provided in the lower part of the main body 12.

가압 부재(20)는 주 몸체(12) 내에 제공된 홈 내부의 개구(18)에 이동가능하게 또는 피봇가능하게 연결됨으로써 회전 축선(Ⅰ-Ⅰ) 주위에서 피봇될 수 있다. 도 4에는 주 몸체(12)의 하부에 제공된 3쌍의 가압 부재(20a,20b)가 도시되어 있으며, 가압 부재(20a)는 좌측에 제공되며 가압 부재(20b)는 우측에 제공된다. 가압 부재(20)의 피봇 연결은 예를 들어, 주 몸체(12)의 개구 및 가압 부재(20)(도 6 참조) 내의 대응 개구를 통해 삽입되는 원통형 핀(18a)에 의해 제공될 수 있다. 여기에 도시한 바와 같이, 원통형 핀(18a)은 양 가압 부재(20a,20b)에 공통이다.The pressing member 20 can be pivoted about the axis of rotation I-I by being movably or pivotally connected to an opening 18 in the groove provided in the main body 12. 4 shows three pairs of pressing members 20a, 20b provided at the bottom of the main body 12, the pressing member 20a is provided on the left side and the pressing member 20b is provided on the right side. The pivot connection of the urging member 20 may be provided, for example, by a cylindrical pin 18a inserted through the opening of the main body 12 and the corresponding opening in the urging member 20 (see FIG. 6). As shown here, the cylindrical pin 18a is common to both pressing members 20a and 20b.

가압 부재(20)는 양(positive) 부력을 갖는 재료로 제조된 플로팅 부재(30)를 포함한다. 도면에서, 플로팅 부재(30)는 주변 개구 내에 제공된(즉, 핀(18a)으로부터 이격되게 제공된) 별도의 원통형 플로팅 부재(30)로서 제공된다. 플로팅 부재(30)는 단부가 밀봉될 수 있는 중공형 실린더이므로 최대 양 부력을 위한 공기를 포함한다. 구조물(20a,20b)은 바람직하게, 도금액(예를 들어, 폴리프로필렌)에 대해 양 부력을 갖는 재료로 제조된다. 접점으로부터 웨이퍼로 소정의 힘이 도달되도록 축선(18)에 대한 도면 부호 30의 크기가 변경 및/또는 도면 부호 30의 거리가 변경될 수 있다. 이와는 달리, 플로팅 부재(20)는 모든 가압 부재(20a)에 대한 공통의 플로팅 부재로서 그리고 모든 가압 부재(20b)에 대한 공통의 플로팅 부재로서 제공될 수 있다. 이와는 달리, 플로팅 부재는 가압 부재(20)(즉, 양 부력을 갖는 재료로 제조된 가압 부재)의 일부로서 통합될 수 있다.The pressing member 20 includes a floating member 30 made of a material having positive buoyancy. In the figure, the floating member 30 is provided as a separate cylindrical floating member 30 provided in the peripheral opening (ie spaced apart from the pin 18a). The floating member 30 is a hollow cylinder that can be sealed at its end and thus contains air for maximum buoyancy. The structures 20a and 20b are preferably made of a material that has a positive buoyancy against the plating liquid (eg polypropylene). The magnitude of reference numeral 30 with respect to axis 18 and / or the distance of reference numeral 30 may be changed such that a predetermined force is reached from the contact to the wafer. Alternatively, the floating member 20 may be provided as a common floating member for all the pressing members 20a and as a common floating member for all the pressing members 20b. Alternatively, the floating member may be integrated as part of the pressing member 20 (ie, the pressing member made of a material with both buoyancy).

상방향 돌출 전기 접점(40)이 웨이퍼를 접촉시키기 위한 각각의 가압 부재(20)에 제공된다. 도 3에서, 가압 부재(20)가 액체 내에 잠길 때 플로팅 부재(30)에 의한 양 부력에 의해 상방향(화살표 A의 방향)으로 피봇될 때, 상방향 돌출 전기 접점(40)은 실질적으로 웨지형 개구(14)의 상부 표면 쪽으로 웨이퍼를 가압한다는 것을 알 수 있다.An upwardly protruding electrical contact 40 is provided to each pressing member 20 for contacting the wafer. In FIG. 3, when the urging member 20 is pivoted upward (in the direction of arrow A) by both buoyancy by the floating member 30 when submerged in the liquid, the upwardly projecting electrical contact 40 substantially wedges. It can be seen that the wafer is pressed against the upper surface of the mold opening 14.

이와 같이, 가압 부재가 이러한 상부 또는 폐쇄 위치에 있을 때, 유지 장치는 웨이퍼를 유지하는 동시에 웨이퍼에 전기 접점을 제공한다. 가압 부재가 하부 또는 개방 위치에 있을 때, 웨이퍼는 유지 장치 내측에 수용되거나 유지 장치 내측으로부터 방출된다.As such, when the urging member is in this upper or closed position, the holding device provides the electrical contacts to the wafer while holding the wafer. When the urging member is in the lower or open position, the wafer is received inside or ejected from the holding device.

상방향 돌출 전기 접점(40)은 전도체 재료로 제조된 판(42)에 연결된다. 판(42)은 가압 부재(20)에 고정된다.The upwardly projecting electrical contact 40 is connected to a plate 42 made of conductor material. The plate 42 is fixed to the pressing member 20.

버스 커넥터(44)는 주 몸체(12)의 상부에 고정된다. 버스 커넥터(44)는 주 몸체(12) 내의 채널(도시 않음)에 제공된 전기 와이어에 의해 판(42)과 전기 접점(40)에 전기 접속된다. 전기 와이어(46)는 가압 부재(20)의 운동을 허용하기 위한 가요성을 가진다. 버스 커넥터(44)는 전력 공급원에 연결된 버스 바아(도시 않음)와 전기 접속되도록 구성된다. 버스 커넥터(44)는 버스 바아에 따른 슬라이딩을 허용하기 위한 기울어진 U 또는 V형상이다.The bus connector 44 is fixed to the top of the main body 12. The bus connector 44 is electrically connected to the plate 42 and the electrical contact 40 by electrical wires provided to channels (not shown) in the main body 12. The electrical wire 46 is flexible to allow movement of the pressing member 20. The bus connector 44 is configured to be in electrical connection with a bus bar (not shown) connected to a power supply. The bus connector 44 is inclined U or V shape to allow sliding along the bus bar.

도 5 및 도 6에 있어서, 버스 커넥터(44)는 우측 가압 부재(20a) 및 좌측 가압 부재(20b)의 전기 접점(40)에 연결된다. 물론, 모두 6개의 가압 부재를 위한 하나의 공통 버스 커넥터를 갖는 것도 가능하다.5 and 6, the bus connector 44 is connected to the electrical contact 40 of the right pressing member 20a and the left pressing member 20b. Of course, it is also possible to have one common bus connector for all six pressing members.

또한, 웨이퍼의 각각의 측표면을 위해 3 개 이상의 접점(40)을 사용함으로써 전기 접점을 제공 및/또는 이들 사이의 거리를 조정하는 것도 가능하다.It is also possible to provide electrical contacts and / or adjust the distance between them by using three or more contacts 40 for each side surface of the wafer.

또한, 웨이퍼의 한 측면을 위한 3개의 별도의 전기 접점(40)을 하나의 연속적인 전기 접점으로 대체하는 것도 가능하다.
It is also possible to replace three separate electrical contacts 40 for one side of the wafer with one continuous electrical contact.

제 2 2nd 실시예Example

도 7a 내지 도 7d에, 유지 장치의 제 2 실시예가 도시되어 있다. 이러한 유지 장치는 도면 부호 110으로 표시되어 있다. 제 2 실시예에 대한 다수의 세부 사항들은 전술한 실시예와 유사하므로 본 실시예에선 상세히 설명하지 않는다.7a to 7d, a second embodiment of the holding device is shown. This holding device is indicated with reference 110. Many details of the second embodiment are similar to those of the above-described embodiment, and thus will not be described in detail in this embodiment.

제 1 실시예를 참조하여 상세히 설명한 바와 같이, 장치(110)는 각각의 측면 상에 실질적으로 웨지형 개구(114a,114b)를 갖는 주 몸체(112)를 포함한다.As described in detail with reference to the first embodiment, the device 110 includes a main body 112 having substantially wedge-shaped openings 114a and 114b on each side.

주 몸체(112)는 주 몸체(112)의 하부에 제공된 길이방향 개구(118)를 포함한다. 가압 부재(120)는 개구(118) 내에 제공됨으로써 가압 부재(120)가 화살표(B) 방향으로 실질적으로 선형 운동으로 상방향으로 이동할 수 있게 한다. 가압 부재(120)는 플로팅 재료로 제조된다. 즉, 사용된 액체 내에 양의 부력을 가진다. 이와는 달리, 가압 부재(120)는 예를 들어 가압 부재의 몸체 내에 통합된 플로팅 부재(도시 않음)를 포함한다. 이상적으로, 가압 부재(120)는 플로팅 부재와 통합되며 가압 부재(120)의 재료는 사용될 액체에 대해 양의 부력을 갖는 재료로 제조된다.Main body 112 includes a longitudinal opening 118 provided at the bottom of main body 112. The pressing member 120 is provided in the opening 118 to allow the pressing member 120 to move upward in a substantially linear motion in the direction of the arrow B. FIG. The pressing member 120 is made of a floating material. That is, it has a positive buoyancy in the liquid used. Alternatively, the pressing member 120 comprises a floating member (not shown), for example, integrated in the body of the pressing member. Ideally, the pressing member 120 is integrated with the floating member and the material of the pressing member 120 is made of a material having a positive buoyancy with respect to the liquid to be used.

이제 도 7c를 참조하면, 실질적으로 수직인 중앙 부재(150) 및 실질적으로 수평인 크로스 부재(152)를 포함하는 가압 부재(120)가 실질적으로 T-형상(역 T 형상, 즉 상방향으로 뒤집힌 T자 형상)으로 도시되어 있다.Referring now to FIG. 7C, a pressing member 120 comprising a substantially vertical central member 150 and a substantially horizontal cross member 152 is substantially T-shaped (inverted T shape, ie upwardly inverted). T-shaped).

도 7b 및 도 7c에 도시된 바와 같이, 플로팅 부재(120)는 상방향 돌출, 실질적으로 T형상인 부재(121)를 포함한다. T형상 부재(121)는 개구(118) 내에서의 가압 부재의 상방향 및 하방향 운동을 제한한다. 실질적으로 T형상 부재(121)는 가압 부재(120)의 실질적인 수직 중앙 부재(150)에 대응한다.As shown in FIGS. 7B and 7C, the floating member 120 includes an upwardly projecting, substantially T-shaped member 121. The T-shaped member 121 limits the upward and downward motion of the pressing member in the opening 118. The T-shaped member 121 substantially corresponds to the substantially vertical central member 150 of the pressing member 120.

상방향 돌출 전기 접점(140)은 웨이퍼를 연결하기 위한 가압 부재(120)의 실질적인 수평 크로스 부재(152)에 제공된다. 상기 접점은 전술한 실시예를 참조하여 설명한 바와 같이, 버스 커넥터(도시 않음)와 전기 접속된다. 실질적인 수평 크로스 부재(152)는 실질적인 수직 중앙 부재(150)에 평행한 방향으로 실질적인 웨지형 개구(114a,114b)의 상부 표면쪽으로 각각의 웨이퍼를 가압하기 위해 제공된다.The upwardly protruding electrical contact 140 is provided to the substantially horizontal cross member 152 of the pressing member 120 for connecting the wafer. The contact is electrically connected to a bus connector (not shown) as described with reference to the above-described embodiment. A substantially horizontal cross member 152 is provided to press each wafer toward the top surface of the substantially wedge-shaped openings 114a and 114b in a direction parallel to the substantially vertical central member 150.

가압 부재(120)가 액체 내에 잠길 때, 양 부력은 가압 부재가 화살표(B) 방향으로 상방향으로 이동되게 함으로써, 전기 접점(140)이 실질적인 웨지형 개구(114a,114b) 내에 제공된 웨이퍼와 접촉할 것이다.When the pressing member 120 is immersed in the liquid, both buoyancy forces the pressing member to move upwards in the direction of the arrow B, whereby the electrical contact 140 contacts the wafer provided in the substantially wedge-shaped openings 114a and 114b. something to do.

이와 같이, 가압 부재가 상부 또는 폐쇄 위치에 있을 때, 유지 장치는 웨이퍼를 유지하는 동시에 웨이퍼에 전기 접점을 제공한다. 가압 부재가 하부 또는 개방 위치에 있을 때, 웨이퍼는 유지 장치 내에 수용되거나 유지 장치로부터 방출된다.
As such, when the urging member is in the upper or closed position, the holding device provides the electrical contacts to the wafer while holding the wafer. When the urging member is in the lower or open position, the wafer is received in or released from the holding device.

제 3 3rd 실시예Example

도 8a 내지 도 8d에, 유지 장치의 제 3 실시예가 도시되어 있다. 이러한 유지 장치는 도면 부호 210으로 표시되어 있다. 제 3 실시예에 대한 다수의 세부 사항들은 전술한 실시예와 유사하므로 본 실시예에선 상세히 설명하지 않는다.8A to 8D, a third embodiment of the holding device is shown. This holding device is indicated at 210. Many details of the third embodiment are similar to those of the above-described embodiment, and thus will not be described in detail in this embodiment.

제 1 실시예를 참조하여 상세히 설명한 바와 같이, 장치(210)는 각각의 측면 상에 실질적으로 웨지형 개구(214a,214b)를 갖는 주 몸체(212)를 포함한다.As described in detail with reference to the first embodiment, the device 210 includes a main body 212 having substantially wedge-shaped openings 214a and 214b on each side.

오목부 또는 개구(218)는 주 몸체의 하부에 제공된다(도 8e 참조). 가압 부재(220)는 개구(218) 내에 제공된다. 도 8c에 점선으로 표시한 바와 같이, 3 개의 실질적인 원통형 채널이 주 몸체(212) 내에 제공된다. 3 개의 실질적인 원통형 폴(222;pole)이 각각의 채널(219) 내에 제공된다. 이들의 하단부에서 폴(222)이 가압 부재(220)에 고정된다. 이들의 상단부에서 폴(222)이 전도체 재료로 제조된 버스 커넥터 또는 노브(244)에 제공된다. 노브(244)는 실질적으로 구형 형상을 가지며 폴(222)보다 큰 직경을 가진다. 도 8b 및 도 8c에 도시한 바와 같이, 폴(222)은 채널(219)보다 더 길다.A recess or opening 218 is provided in the lower part of the main body (see FIG. 8E). The pressing member 220 is provided in the opening 218. As indicated by the dotted lines in FIG. 8C, three substantially cylindrical channels are provided in the main body 212. Three substantially cylindrical poles 222 are provided in each channel 219. At their lower ends, the poles 222 are fixed to the pressing member 220. At their upper ends, a pole 222 is provided to a bus connector or knob 244 made of a conductor material. Knob 244 has a substantially spherical shape and has a larger diameter than pole 222. As shown in FIGS. 8B and 8C, the pole 222 is longer than the channel 219.

그 결과로, 폴(222) 및 노브(244)와 함께 가압 부재(220)는 화살표(C) 방향으로 실질적으로 선형 운동으로 상방향 및 하방향으로 이동할 수 있다. 이러한 운동은 채널(219)보다 큰 노브(244) 및 주 몸체(212)의 하부와 만나는 가압 부재(222)에 의해 제한된다.As a result, the urging member 220 together with the pawl 222 and the knob 244 can move upward and downward in a substantially linear motion in the direction of the arrow (C). This movement is limited by the pressing member 222 which encounters the knob 244 larger than the channel 219 and the lower portion of the main body 212.

상방향 돌출 전기 접점(240)은 웨이퍼와 접촉하기 위해 가압 부재(220)에 제공된다. 이들은 노브(244)와 전기 접속한다. 이러한 실시예에서, 버스 바아(248)는 두 쌍의 이격된 바아를 포함하며, 각각의 바아 사이의 거리는 폴(222)이 이들 사이를 통과할 수 있게 한다. 또한, 버스 바아(248)는 경사 단부(249)를 가진다.An upwardly protruding electrical contact 240 is provided to the urging member 220 to contact the wafer. These are in electrical connection with knob 244. In this embodiment, bus bar 248 includes two pairs of spaced apart bars, with the distance between each bar allowing pole 222 to pass between them. Bus bar 248 also has an inclined end 249.

또한, 본 실시예에서 가압 부재는 실질적인 수직 중앙 부재(250) 및 실질적인 수평 크로스 부재(252)를 포함하는 실질적으로 T형상으로서 고려될 수 있다(도 8d 참조). 여기서, 실질적인 수직 중앙 부재(250)는 폴(222)과 대응한다. 실질적인 수평 크로스 부재(252)는 접점(240)이 고정되는 가압 부재에 대응한다.Further, in this embodiment, the pressing member may be considered as a substantially T-shape including a substantially vertical central member 250 and a substantially horizontal cross member 252 (see FIG. 8D). Here, the substantially vertical central member 250 corresponds with the pawl 222. The substantially horizontal cross member 252 corresponds to the pressing member to which the contact 240 is fixed.

또한, 본 실시예에서 실질적인 수평 크로스 부재(252)는 실질적인 수직 중앙 부재에 평행한 방향으로 실질적인 웨지형 개구(214a,214b)의 상부 표면 쪽으로 각각의 웨이퍼를 가압하기 위해 제공된다. Also in this embodiment a substantially horizontal cross member 252 is provided to press each wafer toward the top surface of the substantially wedge-shaped openings 214a and 214b in a direction parallel to the substantially vertical central member.

이와 같이, 가압 부재가 상부 또는 폐쇄 위치에 있을 때, 유지 장치는 웨이퍼를 유지하는 동시에 웨이퍼에 전기 접점을 제공한다. 가압 부재가 하부 또는 개방 위치에 있을 때, 웨이퍼는 유지 장치 내에 수용되거나 유지 장치로부터 방출된다. 제 3 실시예에서, 가압 부재(220)의 운동을 제공하는 부력은 없다. 초기에, 가압 부재는 하부 위치에 있다. 버스 바아(248)의 단부(249)에 접근할 때, 폴(222)은 바아들 사이를 통과하는 반면에, 노브(244)는 경사 단부(249)로 인해 상방향으로 안내 또는 가압될 것이다. 그 결과로, 폴 및 가압 부재는 화살표(C) 방향으로 상방향으로 안내되며 전기 접점(240)은 웨이퍼의 표면과 접촉하게 될 것이다. 물론, 버스 바이(248)는 액체 위의 적합한 위치에 위치될 것이다.As such, when the urging member is in the upper or closed position, the holding device provides the electrical contacts to the wafer while holding the wafer. When the urging member is in the lower or open position, the wafer is received in or released from the holding device. In the third embodiment, there is no buoyancy force providing motion of the urging member 220. Initially, the pressing member is in the lower position. When approaching end 249 of bus bar 248, pawl 222 will pass between the bars, while knob 244 will be guided or pushed upwards due to the inclined end 249. As a result, the pawl and pressing member are guided upwards in the direction of arrow C and the electrical contact 240 will be in contact with the surface of the wafer. Of course, the bus by 248 will be located in a suitable location on the liquid.

가압 부재(220), 폴(222) 및 노브(244)에는 가압 부재의 압력 및 운동을 약화시키기 위한 스프링 기구(도시 않음)가 제공될 수 있다. 이와는 달리, 폴(222)은 가요성 재료로 제조될 수 있거나 버스 바아에는 스프링 기구가 제공될 수 있다.The urging member 220, pawl 222 and knob 244 may be provided with a spring mechanism (not shown) to weaken the pressure and movement of the urging member. Alternatively, the pole 222 may be made of a flexible material or the bus bar may be provided with a spring mechanism.

전술한 상세한 설명은 특히 본 발명의 양호한 실시예들을 예시하고 설명하기 위해 제공된다. 그러나, 상기 설명은 본 발명을 특정 실시예에 한정하는 의미는 아니다.
The foregoing detailed description is particularly provided to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention. However, the above description is not meant to limit the invention to the particular embodiments.

제 4 Fourth 실시예Example

도 9a에, 유지 장치의 제 4 실시예가 도시되어 있다. 이러한 유지 장치는 도면 부호 310으로 표시되어 있다. 제 4 실시예에 대한 다수의 세부 사항들은 전술한 실시예와 유사하므로 본 실시예에선 상세히 설명하지 않는다.In figure 9a a fourth embodiment of the holding device is shown. This holding device is indicated with reference numeral 310. Many details of the fourth embodiment are similar to those of the above-described embodiment, and thus will not be described in detail in this embodiment.

제 1 실시예를 참조하여 상세히 설명한 바와 같이, 장치(310)는 각각의 측면 상에 실질적으로 웨지형 개구(314a,314b)를 갖는 주 몸체(312)를 포함한다.As described in detail with reference to the first embodiment, the apparatus 310 includes a main body 312 having substantially wedge-shaped openings 314a and 314b on each side.

두 개의 오목부 또는 개구(318)가 주 몸체(312)의 하부에 제공된다. 두 개의 실질적인 원통형 채널(319)이 하부로부터 상부로 주 몸체(312) 내에 실질적으로 수직으로 제공된다. 두 개의 실질적인 T형 가압 부재(320)가 제공되며, 이들 각각은 실질적인 수직 중앙 부재(350) 및 실질적인 수평 크로스 부재(352)를 포함한다. 실질적인 수직 중앙 부재(350)는 실질적인 원통형 채널(219)을 통해 제공된 폴(322)을 포함한다. 실질적인 수평 크로스 부재(352)는 각각의 폴(322)에 연결된다. 각각의 크로스 부재(352)의 선단부는 상방향으로 뾰족해져 전기 접점(340)을 형성한다.Two recesses or openings 318 are provided in the lower portion of the main body 312. Two substantially cylindrical channels 319 are provided substantially vertically in the main body 312 from bottom to top. Two substantially T-shaped pressing members 320 are provided, each of which includes a substantially vertical central member 350 and a substantially horizontal cross member 352. The substantially vertical central member 350 includes a pawl 322 provided through the substantially cylindrical channel 219. Substantial horizontal cross member 352 is connected to each pawl 322. The tip of each cross member 352 is pointed upward to form an electrical contact 340.

그 결과로, 실질적인 수평 크로스 부재(252)가 실질적인 수직 중앙 개구에 평행한 방향으로 실질적인 웨지형 개구(214a,214b)의 상부 표면 쪽으로 각각의 웨이퍼를 가압하기 위해 제공된다.As a result, a substantially horizontal cross member 252 is provided to press each wafer toward the top surface of the substantially wedge-shaped openings 214a and 214b in a direction parallel to the substantially vertical central opening.

본 실시예에서, 실질적인 수평 크로스 부재(352) 및 실질적인 수직 중앙 부재(350)는 전도체 이며 전력 공급원에 대한 전기 접속을 형성한다.In this embodiment, the substantially horizontal cross member 352 and the substantially vertical central member 350 are conductors and form an electrical connection to the power supply.

상단부에서 각각의 채널(319)로부터 외측으로 돌출하는 폴(322)에는 공통의 자기 버스 커넥터(344)가 제공된다. 자기 버스 커넥터(344)는 유지 장치가 자기 버스(348) 아래로 이동될 때 상방향으로 부착되기 위해 제공된다. 자기 버스 커넥터(344) 및 자기 버스(348)도 가압 부재와 전력 공급원 사이에 전기 접점을 제공한다.A pole 322 protruding outward from each channel 319 at the top is provided with a common magnetic bus connector 344. The magnetic bus connector 344 is provided for attaching upward when the retaining device is moved under the magnetic bus 348. Magnetic bus connector 344 and magnetic bus 348 also provide electrical contacts between the pressure member and the power supply.

그 결과로, 유지 장치가 버스(348) 아래로 이동할 때, 가압 부재(320)는 실질적인 선형 운동으로 상방향으로 이동할 것이다. 이와 같이, 가압 부재가 상부 또는 폐쇄 위치에 있을 때, 유지 장치는 웨이퍼를 유지하는 동시에 웨이퍼에 전기 접점을 제공한다. 가압 부재가 하부 또는 개방 위치에 있을 때, 웨이퍼는 유지 장치 내에 수용되거나 유지 장치로부터 방출된다.
As a result, when the retaining device moves under the bus 348, the pressing member 320 will move upward in a substantially linear motion. As such, when the urging member is in the upper or closed position, the holding device provides the electrical contacts to the wafer while holding the wafer. When the urging member is in the lower or open position, the wafer is received in or released from the holding device.

제 5 5th 실시예Example

도 10a 및 도 10b에, 유지 장치의 제 5 실시예가 도시되어 있다. 이러한 유지 장치는 도면 부호 410으로 표시되어 있다. 제 5 실시예에 대한 다수의 세부 사항들은 전술한 실시예와 유사하므로 본 실시예에선 상세히 설명하지 않는다.10A and 10B, a fifth embodiment of the holding device is shown. This holding device is indicated at 410. Many details of the fifth embodiment are similar to those of the above-described embodiment, and thus will not be described in detail in this embodiment.

제 1 실시예를 참조하여 상세히 설명한 바와 같이, 장치(410)는 각각의 측면 상에 실질적으로 웨지형 개구(414a,414b)를 갖는 주 몸체(412)를 포함한다.As described in detail with reference to the first embodiment, the device 410 includes a main body 412 having substantially wedge-shaped openings 414a and 414b on each side.

개구(418)는 주 몸체(418)에 제공된다. 개구(418)는 제 2 실시예의 개구 및 제 4 실시예의 개구의 조합이다. 개구(418)는 주 몸체의 하부의 길이 방향으로 제공되며 두 개의 개구(418b가 길이 방향 개구의 횡방향으로 제공된다.An opening 418 is provided in the main body 418. The opening 418 is a combination of the opening of the second embodiment and the opening of the fourth embodiment. The opening 418 is provided in the longitudinal direction of the lower part of the main body and two openings 418b are provided in the transverse direction of the longitudinal opening.

본 실시예에서, 가압 부재(420)는 제 4 실시예의 가압 부재와 유사하며 본 실시예에서 상세히 설명하지 않는다. 가압 부재는 주 몸체의 횡방향 개구(418b)에 제공된다. 또한, 가압 부재(420)는 길이방향 개구(418a)에 제공된 부력 부재(422)를 포함한다. 부력 부재(422)는 실질적인 수직 중앙 부재(450) 또는 폴(422)에 고정되며 개구(418a) 내에서 수직으로 이동할 수 있다. 이와 같이, 유지 장치가 액체 내에 잠겨 있을 때, 부력 부재(422)는 상방향으로 가압되며 가압 장치는 웨이퍼 쪽으로 압박될 것이다. 유지 장치가 액체로부터 상방향으로 상승할 때, 부력 부재(422)는 하방향으로 이동할 것이며 웨이퍼는 유지 장치로부터 방출될 수 있다.In this embodiment, the pressing member 420 is similar to the pressing member of the fourth embodiment and will not be described in detail in this embodiment. The pressing member is provided in the lateral opening 418b of the main body. The pressing member 420 also includes a buoyancy member 422 provided in the longitudinal opening 418a. The buoyancy member 422 is fixed to the substantially vertical central member 450 or pawl 422 and can move vertically within the opening 418a. As such, when the retaining device is submerged in the liquid, the buoyancy member 422 is pressed upwards and the pressing device will be pressed toward the wafer. When the holding device rises upward from the liquid, the buoyancy member 422 will move downward and the wafer can be released from the holding device.

본 실시예에서, 실질적인 수평 크로스 부재(452) 및 실질적인 수직 중앙 부재(450)는 전도체이며 전력 공급원에 대한 전기 접속을 형성한다.In this embodiment, the substantially horizontal cross member 452 and the substantially vertical central member 450 are conductors and form an electrical connection to the power supply.

이와 같이, 가압 부재가 상부 또는 폐쇄 위치에 있을 때, 유지 장치는 웨이퍼를 유지하는 동시에 웨이퍼에 전기 접점을 제공한다. 가압 부재가 하부 또는 개방 위치에 있을 때, 웨이퍼는 유지 장치 내에 수용되거나 유지 장치로부터 방출된다.As such, when the urging member is in the upper or closed position, the holding device provides the electrical contacts to the wafer while holding the wafer. When the urging member is in the lower or open position, the wafer is received in or released from the holding device.

전술한 실시예에서, 가압 부재는 주 몸체와 관련하여 이동할 수 있다. 특히, 가압 부재는 웨이퍼를 수용/방출하기 위한 개방 위치와 웨이퍼를 유지 및 접속시키기 위한 폐쇄 위치 사이에서 이동할 수 있다. 폐쇄 위치에서, 웨이퍼는 주 몸체와 가압 부재 사이에 유지된다.In the above embodiment, the pressing member is movable in relation to the main body. In particular, the pressing member can move between an open position for receiving / ejecting the wafer and a closed position for holding and connecting the wafer. In the closed position, the wafer is held between the main body and the pressing member.

Claims (15)

액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치로서,
상기 이송 장치는 제 1 단부에서 웨이퍼를 연속적으로 수용하고 웨이퍼를 방출하기 이전에 제 2 단부로 실질적으로 수평으로 웨이퍼를 이송하기 위해 제공되며, 상기 이송 장치는 액체를 통해 이송하는 동안에 두 개 이상의 접속 장치들 사이에 각각의 웨이퍼를 유지하고 전기적으로 접속시키기 위한 두 개 이상의 유지 장치(10;110;210)를 포함하며, 상기 각각의 유지 장치는,
각각의 웨이퍼의 단부를 수용하기 위한 실질적으로 웨지형 개구(14a,14b;114a,114b;214a,214b)를 포함하는 주 몸체(12;112;212)와,
각각의 웨이퍼의 단부를 접속시키며 전력 공급원에 접속되는 전기 접점(40;140;240), 및
각각의 웨이퍼의 단부 쪽으로 상기 전기 접점(40;140;240)을 가압하기 위해 상기 주 몸체에 이동가능하게 접속되는 가압 부재(20;120;220)를 포함하는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
A transfer device for wafer transfer through a liquid,
The transfer device is provided for continuously receiving the wafer at the first end and transferring the wafer substantially horizontally to the second end prior to releasing the wafer, wherein the transfer device is provided with two or more connections during transfer through the liquid. Two or more holding devices (10; 110; 210) for holding and electrically connecting each wafer between the devices, each holding device comprising:
A main body (12; 112; 212) comprising substantially wedge-shaped openings (14a, 14b; 114a, 114b; 214a, 214b) for receiving an end of each wafer,
Electrical contacts 40; 140; 240 connecting the ends of each wafer and connected to a power supply, and
And a pressing member (20; 120; 220) movably connected to the main body for pressing the electrical contact (40; 140; 240) towards the end of each wafer,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 주 몸체는 각각의 측면에 하나의 실질적으로 웨지형 개구(14a,14b;114a,114b;214a,214b)를 포함하는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 1,
The main body includes one substantially wedge-shaped opening 14a, 14b; 114a, 114b; 214a, 214b on each side.
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 전기 접점(40;140;240)은 상기 가압 부재(20;120;220)에 제공되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The electrical contacts 40; 140; 240 are provided to the pressing member 20; 120; 220,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가압 부재는 실질적으로 웨지형 개구(14a,14b;114a,114b;214a,214b)의 상부 표면 쪽으로 각각의 웨이퍼를 압박하기 위해 제공되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The pressing member is provided to press each wafer substantially toward the top surface of the wedge-shaped openings 14a, 14b; 114a, 114b; 214a, 214b.
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 4 항에 있어서,
상기 가압 부재는 실질적으로 수직 중앙 부재 및 실질적으로 수평 크로스 부재를 포함하는 실질적으로 T형상이며, 실질적으로 수평 크로스 부재는 실질적으로 수직 중앙 부재에 평행한 방향으로 실질적으로 웨지형 개구(14a,14b;114a,114b;214a,214b)의 상부 표면 쪽으로 각각의 웨이퍼를 가압하기 위해 제공되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 4, wherein
The urging member is substantially T-shaped, comprising a substantially vertical central member and a substantially horizontal cross member, wherein the substantially horizontal cross member is substantially wedge-shaped openings 14a and 14b in a direction substantially parallel to the vertical central member; Provided to press each wafer toward the top surface of 114a, 114b; 214a, 214b,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 5 항에 있어서,
상기 실질적인 수직 중앙 부재는 상기 주 몸체를 통해 채널 내에서 이동할 수 있도록 제공되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 5, wherein
The substantially vertical central member is provided to be movable within the channel through the main body;
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 4 항에 있어서,
상기 가압 부재(20)는 상기 주 몸체의 개구 내에 삽입되는 핀(18a)에 의해 상기 주 몸체에 피봇가능하게 연결되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 4, wherein
The pressing member 20 is pivotally connected to the main body by a pin 18a inserted into the opening of the main body,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 전기 접점(40;140;240)은 버스 바아로의 접속을 위한 버스 커넥터에 의해 전력 공급원에 연결되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 1,
The electrical contacts 40; 140; 240 are connected to a power supply by a bus connector for connection to a bus bar,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 8 항에 있어서,
상기 전기 접점(40;140;240)은 상기 주 몸체를 통해 채널 내에 제공되는 전기 전도체에 의해 상기 버스 커넥터에 연결되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 8,
The electrical contacts 40; 140; 240 are connected to the bus connector by an electrical conductor provided in the channel through the main body;
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 3 항에 있어서,
상기 전기 접점(40;140;240)은 상방향으로 돌출되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 3, wherein
The electrical contacts 40; 140; 240 protrude upwards,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 가압 부재는 상기 주 몸체의 개구(18;118;218) 내에 제공되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 1,
The urging member is provided in the opening 18; 118; 218 of the main body,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 가압 부재는 부력으로 인해 상기 주 몸체와 관련한 상기 가압 부재의 운동을 제공하기 위한 플로팅 부재를 포함하는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 1,
The urging member includes a floating member for providing movement of the urging member relative to the main body due to buoyancy;
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 가압 부재는 자력으로 인해 상기 주 몸체와 관련한 상기 가압 부재의 운동을 제공하기 위한 자석을 포함하는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 1,
The urging member includes a magnet for providing movement of the urging member relative to the main body due to magnetic force,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 가압 부재(220)는 상기 주 몸체 내의 채널(219) 내에 이동가능하게 제공되는 폴(222)에 연결되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.
The method of claim 1,
The urging member 220 is connected to a pawl 222 movably provided in a channel 219 in the main body,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
제 14 항에 있어서,
상기 폴(222)의 단부에는 상기 폴(222)보다 큰 직경을 갖는 버스 커넥터(244)가 연결되며, 상기 가압 부재(220)의 운동은 상기 버스 커넥터(244)를 안내하는 버스 바아의 경사에 의해 유발되는,
액체를 통한 웨이퍼 이송을 위한 이송 장치.The method of claim 14,
A bus connector 244 having a diameter larger than that of the pole 222 is connected to an end of the pole 222, and the movement of the pressing member 220 is inclined to a bus bar that guides the bus connector 244. Caused by,
Transfer device for wafer transfer through liquid.
KR1020107025169A 2008-04-10 2009-03-31 Contacting device KR20110036793A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0806552.6 2008-04-10
GB0806552A GB2459124A (en) 2008-04-10 2008-04-10 Wafer holder for electroplating apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110036793A true KR20110036793A (en) 2011-04-11

Family

ID=39433444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107025169A KR20110036793A (en) 2008-04-10 2009-03-31 Contacting device

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110186424A1 (en)
JP (1) JP2011516733A (en)
KR (1) KR20110036793A (en)
CN (1) CN102084477A (en)
DE (1) DE112009000838T5 (en)
GB (1) GB2459124A (en)
WO (1) WO2009126043A2 (en)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB709619A (en) 1951-12-14 1954-05-26 Metro Cutanit Ltd Improvements in or relating to securing a steel or other metallic part to another part of hard and difficult to work material, such as a shaft to a turbine wheel
GB719805A (en) 1952-03-12 1954-12-08 Babcock & Wilcox Ltd Improvements in or relating to tubular heat exchanger walls
JPH0586498A (en) * 1991-09-27 1993-04-06 Olympic Co Ltd Plating device
JPH08236605A (en) * 1995-02-28 1996-09-13 Komatsu Electron Metals Co Ltd Semiconductor wafer case
US6251235B1 (en) * 1999-03-30 2001-06-26 Nutool, Inc. Apparatus for forming an electrical contact with a semiconductor substrate
JP3284496B2 (en) * 2000-08-09 2002-05-20 株式会社荏原製作所 Plating apparatus and plating solution removal method
JP2002256498A (en) * 2001-02-26 2002-09-11 Tokyo Electron Ltd Plating device and plating method
US6558750B2 (en) * 2001-07-16 2003-05-06 Technic Inc. Method of processing and plating planar articles
US20040140217A1 (en) * 2003-01-22 2004-07-22 Applied Materials, Inc. Noble metal contacts for plating applications
DE102004025827B3 (en) * 2004-05-24 2005-06-30 Höllmüller Maschinenbau GmbH Electrical contacting device for circuit board or conductor foil passed through electrolytic cell using contacts alternating with transport rollers along each side edge
GB2449309A (en) * 2007-05-18 2008-11-19 Renewable Energy Corp Asa A method for exposing a solar cell wafer to a liquid
GB2453560A (en) * 2007-10-10 2009-04-15 Renewable Energy Corp Asa Wafer electroplating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011516733A (en) 2011-05-26
DE112009000838T5 (en) 2011-02-17
US20110186424A1 (en) 2011-08-04
CN102084477A (en) 2011-06-01
GB2459124A (en) 2009-10-14
WO2009126043A2 (en) 2009-10-15
GB0806552D0 (en) 2008-05-14
WO2009126043A3 (en) 2009-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102080207B1 (en) Plating apparatus
KR20110097898A (en) Apparatus and method for forming 3d nanostructure electrode for electrochemical battery or capacitor
WO2002004711A3 (en) Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
CN102851721A (en) Surface treating apparatus and plating tank
CN103975094B (en) Contact manufacture compositions, use have the contact of said composition and the manufacture method of contact
US20200149180A1 (en) Workpiece Holding Jig and Electroplating Apparatus
WO2002029137A3 (en) Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
JP2013507741A (en) Electrochemical battery with flow management system
US20130260255A1 (en) Nucleation and growth of tin particles into three dimensional composite active anode for lithium high capacity energy storage device
US20070261964A1 (en) Reactors, systems, and methods for electroplating microfeature workpieces
US9333587B2 (en) Resistance welding system
KR20110036793A (en) Contacting device
CN113549988A (en) Conductive base film conveying device and coating machine
CN110249079B (en) Electrolytic processing device and electrolytic processing method
EP0095877B1 (en) An electrical connector
EP3080018B1 (en) Transport member for transporting plate-shaped substrates which are to be electrolytically galvanized in a bath, and device for and method of electrolytically galvanizing such substrates
JP6033057B2 (en) Air secondary battery
CN1839221B (en) Power supply device in a device for electrochemical treatment
CN206345937U (en) A kind of conductive mechanism for being used to electroplate pcb board
EP2009143B1 (en) Bipolar electroless deposition method
KR101153276B1 (en) Plating jig for electronic parts and electrolysis plating apparatus
CN216998637U (en) Electrolysis device
CN109319507B (en) Device for realizing three-dimensional motion of magnetic liquid metal
JP6166492B1 (en) Electroplating apparatus and electroplating method
US20100307926A1 (en) Method and device for supplying electrical power

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid