JP2011514264A - 支持体ウエハ上に転写される画像要素を備える物体、および、そのような物体の製作方法 - Google Patents
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Abstract
Description
a)画像要素のパターンに従って、少なくとも部分的に透明な基板の少なくとも1つの表面をエッチングして、前記表面上に凹部を形成する、ステップと、
b)少なくとも基板の表面に形成される凹部内に、少なくとも1つの材料を堆積するステップと、
c)ウエハボンディングよって、少なくとも1つの支持体の少なくとも1つの表面に、凹部を含む基板の表面を固定し、基板および支持体が一体構造を形成する、ステップと
を含む方法に関する。
堆積ステップb)と固定ステップc)との間の、凹部を含む基板の表面上に、第1の接着層を堆積し、それは、また、凹部内に配置される材料を被覆できる、ステップと、
固定ステップc)の前の、支持体の表面上に、第2の接着層を堆積するためのステップと、
をさらに含み、
固定ステップc)は、両方の接着層の間のウエハボンディングによる接合を適用することによって達成できる。
2 基板
3 薄層
5 破壊接触面
6 凹部
12 接着材料、層
12’ 接着材料
12” 接着材料
14 材料、層
14’ 材料
14” 材料
18 第1の接着層
20 支持体
22 第2の接着層
100 物体
200 物体
Claims (28)
- 少なくとも1つの画像要素を備える物体(100、200)であって、少なくとも1つの少なくとも部分的に透明な基板(2)を含み、その少なくとも1つの表面が、少なくとも1つの材料(14、14’、14”)で充填される前記画像要素のパターンを形成する凹部(6)を備えており、前記基板(2)の前記表面は、少なくとも1つの支持体(20)の少なくとも1つの表面にウエハボンディングによって固定され、前記基板(2)および前記支持体(20)は一体構造を形成している、物体(100、200)。
- 前記凹部(6)内に配置される前記材料(14、14’、14”)は、少なくとも1つの無機物材料から成り、および/または、前記基板(2)は、少なくとも1つのアモルファス材料、または、結晶材料から成る、請求項1に記載の物体(100、200)。
- 前記凹部(6)内、または、前記凹部(6)内に配置される前記材料(14、14’、14”)と前記基板(2)との間に配置される接着材料(12、12’、12”)をさらに含む、請求項1または2に記載の物体(100、200)。
- 前記接着材料(12、12’、12”)は、少なくとも1つの金属および/または金属窒化物および/または金属酸化物から成る、請求項3に記載の物体(100、200)。
- 前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面と、前記支持体(20)との間に配置される、少なくとも1つの第1の接着層(18)、および/または、少なくとも1つの第2の接着層(22)をさらに含み、ウエハボンディングが、前記第1の接着層(18)と前記支持体(20)との間、または、前記第2の接着層(22)と、前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面との間、または、前記第1の接着層(18)と前記第2の接着層(22)との間に形成される、請求項1から4のいずれか一項に記載の物体(100、200)。
- 前記第1の接着層(18)および/または前記第2の接着層(22)は、少なくとも1つの無機物材料から成る、請求項5に記載の物体(100、200)。
- 前記凹部(6)内に配置される前記材料(14、14’、14”)が金属から成る場合、前記材料(14、14’、14”)は、前記凹部(6)の前記面上に位置付けられる前記材料(14、14’、14”)の一方の表面に対向する前記材料(14、14’、14”)の他方の表面に前記金属および半導体から成る領域を含む、請求項5または6に記載の物体(100、200)。
- 前記領域はケイ化物から成る、請求項7に記載の物体(100、200)。
- 前記基板(2)は、少なくとも部分的に透明な薄い層(3)を含み、その1つの表面が、前記凹部を含む前記基板(2)の前記表面であり、ウエハボンディングによって前記支持体(20)に固定される、請求項1から8のいずれか一項に記載の物体(200)。
- 前記物体(100、200)は、宝石、石、腕時計、電子機器またはデータ媒体である、請求項1から9のいずれか一項に記載の物体(100、200)。
- 少なくとも1つの画像要素を備える物体(100、200)を作成するための方法であって、少なくとも
a)前記画像要素のパターンに従って、少なくとも部分的に透明な基板(2)の少なくとも1つの表面をエッチングして、前記表面上に凹部(6)を形成するステップと、
b)少なくとも前記基板(2)の前記表面に形成される前記凹部(6)内に、少なくとも1つの材料(14、14’、14”)を堆積するステップと、
c)ウエハボンディングよって、少なくとも1つの支持体(20)の少なくとも1つの表面に、前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面を固定し、前記基板(2)および前記支持体(20)が一体構造を形成するステップと
を含む方法。 - 前記堆積ステップb)は、前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面上、および、前記凹部(6)内に、前記材料から成る層(14)を堆積するためのステップと、前記基板(2)の前記表面上での停止を伴い、前記凹部(6)内に配置される前記層(14)の材料部分(14’、14”)だけを存在させる、前記材料から成る前記層(14)の機械化学的研磨のためのステップとを適用することによって獲得される、請求項11に記載の方法。
- 前記堆積ステップb)は、スクリーン印刷によって凹部(6)を充填するためのステップであって、前記凹部(6)内に配置される前記材料(14’、14”)は金属を装荷するインクまたはペーストを含んでいるステップと、前記材料(14’、14”)を乾燥するためのステップと、を適用することによって獲得される、請求項11に記載の方法。
- 前記凹部(6)内に配置される前記材料(14’、14”)を乾燥するための前記ステップの後に、前記基板(2)の前記表面の機械化学的研磨のためステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記エッチングステップa)と、前記凹部(6)内に前記材料(14、14’、14”)を堆積するための前記ステップb)との間に、接着材料(12、12’、12”)が部分的に前記凹部(6)を充填し、次いで、前記他の材料(14、14’、14”)がステップb)の間に前記接着材料(12、12’、12”)上に堆積されるように、前記凹部(6)内に前記接着材料(12、12’、12”)を堆積するためのステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記接着材料(12、12’、12”)を堆積するための前記ステップは、前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面上、および、前記凹部(6)内に、前記接着材料から成る層(12)を堆積するためのステップを適用することによって獲得され、前記堆積ステップb)は、前記接着材料から成る前記層(12)上に、前記他の材料から成る層(14)を堆積するためのステップと、前記基板(2)の前記表面上での停止を伴い、前記凹部(6)内に配置される前記層(12、14)の材料部分(12’、12”、14’、14”)だけを存在させる、前記接着材料および前記他の材料から成る前記層(12、14)の機械化学的研磨のためのステップと、を適用することによって獲得される、請求項15に記載の方法。
- 前記堆積ステップb)と前記固定ステップc)との間に、前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面上に、接着層(18)を堆積し、また、前記凹部(6)内に配置される前記材料(12、12”、14’、14”)を被覆するためのステップをさらに含み、前記固定ステップc)は、前記接着層(18)と前記支持体(20)との間のウエハボンディングによる接合を適用することによって獲得される、請求項11から16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面上に、前記接着層(18)を堆積するための前記ステップと前記固定ステップc)との間に、前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面上に堆積される前記接着層(18)の機械化学的研磨のためのステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記固定ステップc)の前に、前記支持体(20)の前記表面上に接着層(22)を堆積するためのステップをさらに含み、前記固定ステップc)は、前記接着層(22)と、前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面との間のウエハボンディングによる接合を適用するによって獲得される、請求項11から16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記堆積ステップb)と前記固定ステップc)との間に、前記凹部(6)を含む前記基板(2)の前記表面上に、第1の接着層(18)を堆積し、また、前記凹部(6)内に配置される前記材料(12’、12”、14’、14”)を被覆するためのステップと、
前記固定ステップc)の前に、前記支持体(20)の前記表面上に、第2の接着層(22)を堆積するためのステップと、をさらに含み、
前記固定ステップc)は、両方の接着層(18、22)の間のウエハボンディングによる接合を適用することによって獲得される、
請求項11から16のいずれか一項に記載の方法。 - ステップb)において堆積される前記材料(14、14’、14”)が金属から成る場合、前記堆積ステップb)と、前記接着層(18)を堆積するための前記ステップとの間に、前記凹部(6)の前記面上に位置付けられる前記材料(14、14’、14”)の一方の表面に対向する前記材料(14、14’、14”)の他方の表面に前記金属および半導体から成る領域を形成するためのステップをさらに含む、請求項17、18および20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記領域を形成するための前記ステップは、前記凹部(6)内に堆積される前記材料(14、14’、14”)をシリコン処理するためのステップを適用することによって獲得される、請求項21に記載の方法。
- 前記支持体(20)の前記表面上に前記接着層(22)を堆積するための前記ステップと、前記固定ステップc)との間に、前記支持体(20)上に堆積される前記接着層(22)の機械化学的研磨のためのステップをさらに含む、請求項19から22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板(2)の前記表面をエッチングするための前記ステップa)は、前記基板(2)の前記表面でのマスキング、リソグラフィックおよびエッチングのステップ、または、前記基板(2)の前記表面での直接的な少なくとも1つのレーザアブレーションのステップを適用することによって獲得される請求項11から23のいずれか一項に記載の方法。
- 前記エッチングステップa)の前に、塊状の基板(1)上に少なくとも部分的に透明な薄い層(3)を作成し、前記少なくとも部分的に透明な基板(2)を形成するためのステップと、前記薄層(3)と前記塊状の基板(1)との間に、破壊接触面(5)を作成するためのステップと、をさらに含み、前記エッチングステップa)において形成される前記凹部は、前記薄層(3)の表面に作成され、前記固定ステップc)の後に、前記破壊接触面(5)での前記薄層(3)と前記塊状の基板(1)との間の破壊ステップをさらに含み、前記一体構造は、前記薄層(3)および前記支持体(20)によって形成される、請求項11から24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記薄層(3)は、前記塊状の基板(1)上に、CVDまたはPVD堆積によって作成され、および/または、前記破壊接触面(5)は、イオン注入によって達成される、請求項25に記載の方法。
- 前記エッチングステップa)の前に、前記基板(2)に破壊接触面(5)を作成するためのステップをさらに含み、前記基板(2)の第1の部分は、少なくとも部分的に透明な薄い層(3)を形成し、前記基板(2)の第2の部分は、塊状の基板(1)を形成し、前記破壊接触面(5)は、前記基板(2)の両方の部分の間に配置され、前記エッチングステップa)において形成される前記凹部は、前記薄層(3)の表面に作成され、前記固定ステップc)の後に、前記破壊接触面(5)での前記薄層(3)と前記塊状の基板(1)との間の破壊ステップをさらに含み、前記一体構造は、前記薄層(3)および前記支持体(20)よって形成される、請求項11から24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記固定ステップc)の後に、ウエハボンディングを強化する、前記物体(100、200)の熱処理のためのステップをさらに含む、請求項11から27のいずれか一項に記載の方法。
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