JP2011508358A - 摩耗度をビットレベルで平準化するフラッシュメモリ装置およびフラッシュメモリプログラミング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 メモリセルアレイと、データページ内の「1」および「0」の個数に基づいて前記データページを反転または反転しないことによって、プログラミングページを生成する反転決定部と、前記生成されたプログラミングページを前記メモリセルアレイに格納するプログラミング部と、前記メモリセルアレイに格納されたプログラミングページを読み出し、前記読み出したプログラミングページのエラー有無に応じて、前記プログラミングページから前記データページを復元して出力するデータ判定部を含むことを特徴とし、これによってメモリセルの摩耗度の平準化が可能になる。
【選択図】 図4
Description
メモリを管理する方法が提案されている。このような従来のフラッシュメモリの摩耗度の平準化方法は、1つのブロックに属するすべてのメモリセルが同一のレベルの摩耗度を有すると仮定して、メモリセルのレベルにおいてそれぞれの摩耗度の差を考慮することができなかった。
また、本発明は、新しいデータ検出技法を用いることによって、メモリセルのレベルで摩耗度を平準化することができる装置および方法を提供することを目的とする。
データページ内の「1」および「0」の個数に基づいて、前記データページを反転するか否かによって、プログラミングページを生成する反転決定部と、
前記生成されたプログラミングページを、前記メモリセルアレイに記憶するプログラミング部と、
前記メモリセルアレイに記憶されたプログラミングページを読み出し、前記読み出したプログラミングページのエラーの有無に応じて、前記プログラミングページから前記データページを復元して出力するデータ判定部と、
を含むことを特徴とする。
データページを複数のデータサブページに分割するページ分割部と、
前記各データサブページ内の「1」および「0」の個数に基づいて、前記各データサブページを反転するか否かによって、前記各データサブページに対応する各プログラミングページを生成する反転決定部と、
前記生成された各プログラミングページを、前記メモリセルアレイに記憶するプログラミング部と、
を含むことを特徴とする。
前記決定されたデータページの反転の有無に応じて、前記データページからプログラミングページを生成するステップと、
前記生成されたプログラミングページを、メモリセルアレイに記憶するステップと、
前記メモリセルアレイに記憶されたプログラミングページを読み出すステップと、
前記読み出したプログラミングページのエラーの有無に応じて、前記読み出したプログラミングページの反転の有無を決定するステップと、
前記決定された読み出したプログラミングページの反転の有無に応じて、前記読み出したプログラミングページからデータページを復元するステップと、
を含むことを特徴とする。
前記各データサブページ内の「1」および「0」の個数に基づいて、前記各データサブページの反転の有無を決定するステップと、
前記決定された各データサブページの反転の有無に応じて、前記各データサブページか
ら各データサブページに対応する各プログラミングページを生成するステップと、
前記生成された各プログラミングページを、メモリセルアレイに記憶するステップと、を含むことを特徴とする。
本発明のフラッシュメモリ装置は、書き込み動作の対象となるページ内に「0」の値を有するビットの個数が、「1」の値を有するビットの個数よりも多い場合、「0」および「1」の値を反転して記憶することによって、「0」の値に変更されるメモリセルの個数を最小化することができる。
図1に示すように、フラッシュメモリ装置100は、メモリセルアレイ110、プログラミング部120、反転決定部130、およびデータ判定部140を含んでいる。
プログラミング部120、反転決定部130、およびデータ判定部140のそれぞれは、フラッシュメモリ装置100の周辺回路に含まれていてもよく、また、フラッシュメモリ装置100の所定のコンピュータシステムのコントローラに含まれていてもよい。
本明細書において、フラッシュメモリ装置100のコントローラ(図示せず)で、ハンドリングするデータとして同時にプログラムされる単位をデータページという。また、メモリアレイ110のページ111に物理的にプログラムされるデータとして同時にプログラムされる単位をプログラミングページという。
このとき、プログラミング部120のデータ記憶過程は、ページ111内の各メモリセルに高電圧を一定時間印加する過程であってもよい。このような高電圧の印加過程は、各メモリセルにストレスを加えることになり、各メモリセルに物理的な損傷が生じることになる。
てもよい。
データ判定部140は、メモリセルアレイ110内のページ111に記憶されたプログラミングページを読み出す。データ判定部140は、読み出したプログラミングページのエラー有無に応じて、プログラミングページからデータページを復元して出力する。
図2に示すように、フラッシュメモリ装置200は、メモリセルアレイ210、プログラミング部220、反転決定部230、およびページ分割部240を含む。
プログラミング部220、反転決定部230、およびページ分割部240のそれぞれは、フラッシュメモリ装置200の周辺回路に含まれていてもよく、また、フラッシュメモリ装置200のコントローラに含まれていてもよい。
反転決定部230は、各データサブページに対して反転の有無を決定する。反転決定部230は、各データサブページ内の「1」および「0」の個数に基づいて、各データサブ
ページを反転するか否かによって、各データサブページに対応する各プログラミングページを生成する。
反転決定部230は、4個の各データサブページに対して反転の有無を決定する。
図3に示すように、メモリセルアレイは(N+1)個のブロックを含む。
メモリセルアレイは、ブロック(0)310、ブロック(1)320、ないし、ブロック(N)340のブロックを含む。各ブロックは、消去動作が実行される単位である。
図3には、ページ(0)331、ページ(1)332、ページ(2)333、ページ(3)334などが示されている。
1つのページに記憶されるデータが更新される場合には、ページが含まれたブロック全体が消去されて初期化された後、ページに更新されたデータが記憶される。
図4に示すように、初期化されたブロック(K)410は、4個のページを含む。説明を簡単にするために、図4に示すメモリプログラミング方法では、ブロックが既に初期化された状態であると仮定する。
図5は、図4のフラッシュメモリ装置で実行されるメモリプログラミング方法を示す動作フローチャートである。
メモリプログラミング方法は、決定された反転の有無に応じてデータページからプログラミングページを生成してもよい。
」が反転したデータをプログラミングページで生成する。
メモリプログラミング方法は、生成されたプログラミングページをメモリセルアレイに記憶する(S530)。
図6に示すように、メモリ読み出し方法はメモリセルアレイに記憶されたプログラミングページを読み出す(S610)。
メモリ読み出し方法は、読み出したプログラミングページのエラー有無に応じて、読み出したプログラミングページの反転の有無を決定してもよい。
読み出したプログラミングページにエラーが検出されれば、メモリ読み出し方法は、読み出したプログラミングページの「0」と「1」を反転する(S630)。
図7は、本発明のフラッシュメモリ装置200で実行されるメモリプログラミング方法を示す。
フラッシュメモリ装置200は、データページを2つのサブページに分割する。
図8は、フラッシュメモリ装置200で実行されるメモリ読み出し方法を示す動作フローチャートである。
メモリ読み出し方法は、プログラミングページの分割領域の個数を計数する(S820)。このとき、プログラミングページの分割に関する情報は、メタ情報としてプログラミングページの補助領域に含まれていてもよい。
メモリ読み出し方法は、エラーが検出されなければ、読み出したプログラミングページをデータページに復元して、コントローラに出力してもよい。
メモリ読み出し方法は、反転したプログラミングページにエラーが検出されるか否かを再び判定する(S830)。
再度、図2によれば、ページ分割部240は、物理的に記憶される「0」の個数を最小化するために、任意の個数や任意の大きさにデータページを分割してもよい。このとき、分割および反転の情報は、ページ211内の補助領域に記憶してもよい。記憶された分割および反転の情報は、読み出し動作でデータページを復元するために用いてもよい。
る4個の分割情報を記憶してもよい。各分割情報は、分割されたデータサブページの大きさ(aビット、bビット、cビット、dビット)を含んでもよい。プログラミング部220は、4個の分割情報とともに、各データサブページの反転の有無をページ211に記憶してもよい。
メモリ装置である。携帯電話、PDA(personal digital assistant)、デジタルカメラ、ポータブルゲーム機、MP3プレーヤーなどのモバイル装置の使用増加に応じてフラッシュメモリ装置は、データストレージとしてだけでなくコードストレージとしてより広く用いられることになる。フラッシュメモリ装置は、さらに、高精細度テレビジョン放送(HDTV:high definition television)、DVD、ルーター、グローバル・ポジショニング・システム(GPS:Global Positioning System)などのホームアプリケーションに用いられてもよい。
Claims (21)
- メモリセルアレイと、
データページ内の「1」および「0」の個数に基づいて、前記データページを反転するか否かによって、プログラミングページを生成する反転決定部と、
前記生成されたプログラミングページを、前記メモリセルアレイに記憶するプログラミング部と、
前記メモリセルアレイに記憶されたプログラミングページを読み出し、前記読み出したプログラミングページのエラーの有無に応じて、前記プログラミングページから前記データページを復元して出力するデータ判定部と、
を含むことを特徴とするメモリ装置。 - 前記反転決定部は、前記データページ内の「0」が「1」よりも多ければ、前記データページを反転してプログラミングページを生成することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記反転決定部は、前記プログラミング部がプログラミングページを記憶する間に、前記メモリセルアレイ内で閾値電圧が変化するメモリセルが、閾値電圧が変化しないメモリセルよりも少なくなるように、前記データページの反転の有無を決定することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記データ判定部は、前記読み出したプログラミングページにエラーがあれば、前記読み出したプログラミングページを反転して、前記データページを復元することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記データ判定部は、前記読み出したプログラミングページを、エラー訂正コード(ECC)復号化、もしくは、パリティチェックすることで、前記エラーの有無を判定することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記メモリセルアレイに、前記データページが反転され、前記プログラミングページが生成されたか否かの情報が記憶されていないことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- メモリセルアレイと、
データページを複数のデータサブページに分割するページ分割部と、
前記各データサブページ内の「1」および「0」の個数に基づいて、前記各データサブページを反転するか否かによって、前記各データサブページに対応する各プログラミングページを生成する反転決定部と、
前記生成された各プログラミングページを、前記メモリセルアレイに記憶するプログラミング部と、
を含むことを特徴とするメモリ装置。 - 前記プログラミング部は、前記各データサブページの反転の有無に関する反転フラグを前記メモリセルアレイに記憶することを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置。
- 前記メモリセルアレイに記憶された各プログラミングページおよび反転フラグを読み出し、前記読み出した反転フラグに応じて、前記データページを復元して出力するデータ判定部をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のメモリ装置。
- 前記メモリセルアレイに記憶された各プログラミングページを読み出し、前記読み出し
た各プログラミングページのエラー有無に応じて、前記各プログラミングページから各データサブページを復元し、前記復元された各データサブページを結合してデータページを復元して出力するデータ判定部を含むことを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置。 - 前記データ判定部は、前記読み出した各プログラミングページにエラーがあれば、前記読み出した各プログラミングページを反転して、前記各データサブページを復元することを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置。
- 前記データ判定部は、前記読み出した各プログラミングページを、エラー訂正コード(ECC)復号化、もしくは、パリティチェックすることで、前記エラーの有無を判定することを特徴とする請求項10に記載のメモリ装置。
- 前記反転決定部は、前記各データサブページ内の「0」が「1」よりも多ければ、前記各データサブページを反転してプログラミングページを生成することを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置。
- 前記反転決定部は、前記プログラミング部が各プログラミングページを記憶する間に、前記メモリセルアレイ内で閾値電圧が変化するメモリセルが、閾値電圧が変化しないメモリセルよりも少なくなるように、前記各データサブページの反転の有無を決定することを特徴とする請求項7に記載のメモリ装置。
- データページ内の「1」および「0」の個数に基づいて、前記データページの反転の有無を決定するステップと、
前記決定されたデータページの反転の有無に応じて、前記データページからプログラミングページを生成するステップと、
前記生成されたプログラミングページを、メモリセルアレイに記憶するステップと、
前記メモリセルアレイに記憶されたプログラミングページを読み出すステップと、
前記読み出したプログラミングページのエラーの有無に応じて、前記読み出したプログラミングページの反転の有無を決定するステップと、
前記決定された読み出したプログラミングページの反転の有無に応じて、前記読み出したプログラミングページからデータページを復元するステップと、
を含むことを特徴とするメモリプログラミング方法。 - 前記データページからプログラミングページを生成するステップにおいて、前記データページ内の「0」が「1」よりも多ければ、前記データページを反転するように決定することを特徴とする請求項15に記載のメモリプログラミング方法。
- 前記読み出したプログラミングページの反転の有無を決定するステップにおいて、前記読み出したプログラミングページにエラーがあれば、前記読み出したプログラミングページを反転するように決定することを特徴とする請求項15に記載のメモリプログラミング方法。
- データページを複数のデータサブページに分割するステップと、
前記各データサブページ内の「1」および「0」の個数に基づいて、前記各データサブページの反転の有無を決定するステップと、
前記決定された各データサブページの反転の有無に応じて、前記各データサブページから各データサブページに対応する各プログラミングページを生成するステップと、
前記生成された各プログラミングページを、メモリセルアレイに記憶するステップと、を含むことを特徴とするメモリプログラミング方法。 - 前記各データサブページの反転の有無に関する反転フラグを、前記メモリセルアレイに記憶するステップと、
前記メモリセルアレイに記憶された各プログラミングページおよび反転フラグを読み出すステップと、
前記読み出した反転フラグに応じて、前記読み出した各プログラミングページを反転するか否かによって、前記データサブページを復元するステップと、
前記復元されたデータサブページを結合してデータページを復元するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載のメモリプログラミング方法。 - 前記メモリセルアレイに記憶された各プログラミングページを読み出すステップと、
前記読み出した各プログラミングページのエラーの有無に応じて、前記読み出した各プログラミングページの反転の有無を決定するステップと、
前記決定された読み出した各プログラミングページの反転の有無に応じて、前記読み出した各プログラミングページから各データサブページを復元するステップと、
前記復元されたデータサブページを結合してデータページを復元するステップと、
を含むことを特徴とする請求項18に記載のメモリプログラミング方法。 - 請求項15から20のいずれかに記載の方法を実行するためのプログラムが記録されていることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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