JP3905091B2 - 不揮発性半導体記憶装置及びブロック冗長救済方法 - Google Patents
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Description
2 :メモリアレイ本体部
3 :ブートブロック部
4 :パーティション
5 :メモリブロック
6 :冗長ブロック
7 :メモリブロック
8 :メイン列デコーダ
10 :アドレス変換回路
11 :ブートブロック検知回路(特定ブロックアドレス検知回路)
12 :不良ブロックアドレス記憶回路
13 :パーティションデコード回路
14 :ブロックデコード回路
15 :パーティション選択回路
16 :ブートブロック選択回路
17、18 :制御回路
19 :2入力排他的否定論理和回路(排他的NOR回路)
Sbb :ブートブロック選択信号
PSEL0〜7 :パーティション選択信号
BSEL0〜3 :ブロック選択信号
Claims (9)
- 電気的に書き込み消去可能な不揮発性のメモリセルをアレイ状に複数配列して一括データ消去可能に形成されたメモリブロックの複数と、前記メモリブロックの1つと同じメモリセル数で同構成の冗長ブロックとで構成されるメモリアレイを備えてなる不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリアレイ内の1つの特定メモリブロックの特定ブロックアドレスと前記冗長ブロックの冗長ブロックアドレスが重複するように構成され、
前記メモリアレイ内の1つの前記メモリブロックが不良ブロックである場合に、前記不良ブロックを前記冗長ブロックと置換するブロック置換手段を備え、
前記ブロック置換手段が、入力された外部ブロックアドレスの各アドレスビットの内、前記不良ブロックの不良ブロックアドレスと前記冗長ブロックアドレスの各アドレスビットの不一致部分に対応するアドレスビットを反転させて、内部ブロックアドレスに変換するアドレス変換回路を備え、
前記各メモリブロックが、外部から入力される前記外部ブロックアドレスを前記アドレス変換回路で変換した後の前記内部ブロックアドレスに基づいて、選択されるように構成され、
更に、前記ブロック置換手段が、前記外部ブロックアドレスが前記特定ブロックアドレスか否かを検知し、前記外部ブロックアドレスが前記特定ブロックアドレスと一致する場合に、強制的に前記特定メモリブロックを選択する信号を出力する特定ブロックアドレス検知回路を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記特定メモリブロックが、更に複数の一括データ消去可能な小メモリブロックで構成されているブートブロックであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記メモリアレイの本体部を前記ブートブロック以外の前記メモリブロックと前記冗長ブロックで構成し、
前記ブートブロックを前記メモリアレイの本体部から分離して配置することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記特定ブロックアドレスが前記ブロックアドレスの最上位または最下位であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記ブロック置換手段は、
前記不良ブロックアドレスまたは前記冗長ブロックアドレスの各アドレスビットとの不一致部分に関する情報を記憶する不良ブロックアドレス記憶回路を備え、
前記アドレス変換回路は、前記ブロックアドレスの各アドレスビットに対して排他的論理和回路または排他的否定論理和回路を備えて構成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記不良ブロックアドレス記憶回路が、外部から書き替え可能に構成されていることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記メモリアレイが複数のパーティションに分割され、且つ、前記各パーティションが複数の前記メモリブロックを含むように構成され、
前記パーティション内の1つのメモリブロックに対する書き替え動作中に、他の前記パーティション内の1つのメモリブロックに対する読み出し動作が可能に構成されていることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルが、フローティングゲート型のフラッシュメモリセルであることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 電気的に書き込み消去可能な不揮発性のメモリセルをアレイ状に複数配列して一括データ消去可能に形成されたメモリブロックの複数と、前記メモリブロックの1つと同じメモリセル数で同構成の冗長ブロックとで構成されるメモリアレイを備えてなる不揮発性半導体記憶装置のブロック冗長救済方法であって、
前記メモリアレイ内の1つの特定メモリブロックの特定ブロックアドレスと前記冗長ブロックの冗長ブロックアドレスが重複するように構成し、
外部から入力される外部ブロックアドレスの各アドレスビットの内、前記不良ブロックの不良ブロックアドレスと前記冗長ブロックアドレスの不一致部分に対応するアドレスビットを反転させて、内部ブロックアドレスに変換するブロックアドレス変換工程と、
前記内部ブロックアドレスを用いて前記メモリブロックを選択するメモリブロック選択工程と、
外部から入力される前記外部ブロックアドレスが前記特定ブロックアドレスか否かを検知し、前記外部ブロックアドレスが前記特定ブロックアドレスと一致する場合に、強制的に前記特定メモリブロックを選択する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のブロック冗長救済方法。
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