JP2011507001A - 無機物で被覆された高分子表面における欠陥を検出する方法 - Google Patents
無機物で被覆された高分子表面における欠陥を検出する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011507001A JP2011507001A JP2010539740A JP2010539740A JP2011507001A JP 2011507001 A JP2011507001 A JP 2011507001A JP 2010539740 A JP2010539740 A JP 2010539740A JP 2010539740 A JP2010539740 A JP 2010539740A JP 2011507001 A JP2011507001 A JP 2011507001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lipophilic
- fluorescent
- defects
- moiety
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/91—Investigating the presence of flaws or contamination using penetration of dyes, e.g. fluorescent ink
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6428—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes"
- G01N21/643—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes" non-biological material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/645—Specially adapted constructive features of fluorimeters
- G01N21/6456—Spatial resolved fluorescence measurements; Imaging
- G01N2021/646—Detecting fluorescent inhomogeneities at a position, e.g. for detecting defects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
- G01N2021/8427—Coatings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Abstract
Description
本出願は、米国仮出願第61/014,396号(2007年12月17日出願)に対する優先権を主張し、その開示文書の全体を参照により本明細書に組み込む。
本発明は、被覆物質(例:無機物で被覆された高分子表面)における表面欠陥を検出する方法に関連し、より具体的には、表面欠陥を検出するための疎水性蛍光体の使用に関連する。
高分子は、柔軟性、軽量、低コストなことから一般に使用される物質である。多くの高分子特性は、その表面に無機物被覆を追加することで補強されうる。この無機膜は、さまざまな包装用途に対するガス拡散バリアとしての役目を果たしうる。無機層はまた、その下層の高分子を保護し、高分子により高い強度を与える役目も果たしうる。残念なことに、無機物質の堆積は通常、高分子の融点よりも高い温度で実施されるため、無機層を高分子に蒸着させるのは困難である。
本発明の詳細を説明する前に、本発明は特定の組成または過程手順に限定されないことが理解されるべきである。本明細書および添付の請求項で使用される場合、単数形「一つの(a)」、「一つの(an)」および「その(the)」という用語は、文脈上明らかに指示されない限り、複数形も含むことに留意すべきである。また、数値の説明に使用される場合、「約」という用語は、文脈上明らかに別途指示されない限り、当該数値の± 15%の範囲を含むことに留意すべきである。組成および方法は、さまざまな部品または手順を「含む」(「〜を含むがこれらに限定されない」ことを意味すると解釈される)という観点から記述されるが、組成および方法はまた、さまざまな部品および手順から「基本的に〜から成る」または「〜から成る」こともあり得、このような用語は基本的にまとまった組成・方法を定義するものと解釈されるべきである。
物質における欠陥を検出する方法が提供されている。本発明の一つの実施形態は、物質における表面欠陥の検出方法に対するものである。物質は、例えば、無機層で被覆された高分子層を含みうる。方法は、欠陥部分で物質を局在化できるように物質を少なくとも一つの親油性蛍光物質に接触させること、および局在化された物質を検出することを含みうる。方法は、亀裂、ピンホール、表面の不規則性、引っかき傷、未被覆領域、剥離、または物質の生産または取り扱い中に生じうる他の種類の欠陥を含むがこれらに限定されない、さまざまな種類の表面欠陥を検出するために使用されうる。また、表面粒子または汚染物質(例:グリース、油、塵、繊維および同類のもの)の存在を検出する方法も提供されている。本方法は、基板上で表面層の全層を横断する欠陥の検出にも使用できる。例えば、その下層の疎水性基板の一部がさらされたままの親水性被覆における亀裂またはピンホールは、本件の親油性蛍光物質を用いて検出することができる。開示された蛍光物質は、数〜数百ナノメートル〜ミクロンまたはそれ以上の大きさの表面欠陥を標識化することができる。例えば、欠陥は約500 nm以下、または約250 nm以下、または約100 nm以下、または50 nm以下の幅または直径(例:ピンホールの欠陥の場合)を持つと特定されうる。
本発明の追加的な実施形態は、物質における表面欠陥の検出に有用なキットに対するものである。キットは、前述のように、少なくとも一つの親油性蛍光物質(例:染料、蛍光ミクロスフェア、または量子ドット)を含みうる。キットは、前述の方法を実施するための指示説明書を含みうる。キットは、少なくとも一つの表面欠陥を含む「陽性対照」物質を含みうる。キットは、表面欠陥を含まない「陰性対照」物質を含みうる。キットは、非局在的な蛍光物質を物質から取り除くのに有用な洗浄物質を含みうる。
2 cm x 2 cmの薄いポリエチレンテレフタル酸(PET)プラスチック膜片の片側を、アルミナで被覆した。膜左側の約3 mm幅の端部は被覆しなかった。この膜を、1,3-ジメチル-5-スチリルBODIPY溶液(Invitrogen Corp.、カリフォルニア州カールズバッド、70%エタノール、30%脱イオン化水(v/v)中0.04 mg/mL)に3分間浸漬させた。この膜を取り出し、70%エタノール(v/v)で三回洗浄し、550 nm励起/570 nm発光フィルタセットを用いたNikon蛍光顕微鏡で検査した。高分子膜の未被覆端部が赤い蛍光を発し、アルミナ被覆は染色されなかった。
正三角形の引っかき傷(約1 mm x 1 mm x 1 mm、引っかき傷の線幅は約0.1 mm)をアルミナ被覆した薄いポリエチレンテレフタル酸(PET)プラスチック膜片に作り、被覆の欠陥を模倣した。この膜を、1,3-ジ-n-プロピルBODIPY溶液(Invitrogen Corp.、カリフォルニア州カールズバッド、70%エタノール、30%脱イオン化水、0.04 mg/mL)に2分間浸漬させた。この膜を取り出し、70%(v/v)エタノールで三回洗浄し、標準のFITCフィルタセット(490 nm励起/515 nm)を用いたNikon蛍光顕微鏡で検査した。引っかき傷は、損傷の深さに基づき緑色の蛍光を発した。残りの引っかき傷のないアルミナ被覆は染色されなかった。この結果は、アルミナ被覆された大型の膜における欠陥は、1)蛍光染料で標識化されうる、2)簡単に検出できる、および3)簡単に位置確認できることを示している。
鋭い22ゲージ注射針を用いて引っかくことで、幾つかの引っかき傷(約2 mm長さ、0.02 mm幅)をアルミナ被覆された薄いポリエチレンテレフタル酸(PET)膜片に作り、欠陥を模倣した。
鋭い22ゲージ注射針を用いて引っかくことで、幾つかの引っかき傷(約2 mm長さ、0.02 mm幅)をアルミナ被覆された薄いポリエチレンテレフタル酸(PET)膜片に作り、欠陥を模倣した。
機械的亀裂は、疎水性置換基を持つジアザ-インダセン蛍光色素分子を用いて可視化された。25 nm厚さのALDアルミナバリア膜をポリエチレンナフタレート(PEN)基板(Teonex Q65、Dupont Teijin, Inc.)に蒸着させた。意図的に欠陥を生じさせるためにその一部が機械的に操作された被覆された検体を、次に蛍光標識溶液に5分間浸漬させた。70%エタノールおよび30%水を含有する溶媒溶液を使用して、膜に付着していない余分な標識分子を洗い流した。次に、清潔な乾燥空気を用いてサンプルを乾燥させ、紫外線に安全な環境で維持した。標識化サンプルを検査するために、LSM 510共焦点顕微鏡(Carl Zeiss, Inc.)を使用した。標識を励起させるために488 nm Argon 12レーザー源を使用し、505〜530 nm通過帯域フィルタで蛍光発光(最大515 nm)を測定した。被覆されていないPEN基板、ALDアルミナ被覆されたPEN基板、および意図的な引っかき傷のある同様に被覆されたPEN基板を比較した。標識分子は被覆のないPEN膜に付着してサンプル全体にわたり明視野が生まれ、その一方、すべての暗視野画像から標識はALDアルミナには付着しなかったことが明らかになった(データ未表示)。図1は、蛍光分子が親水性ALDアルミナ被覆への引っかき傷によってさらされた疎水性PEN基板のみに、選択的に付着したことを示す。
「溝形亀裂(channel crack)」の障害モードは、一般に脆い無機物被覆が機械的重圧または熱循環の影響を受けた時に遭遇する。しかしながら、一連のこうした亀裂は透明な膜では簡単に観察されない。親油性蛍光標識の使用を示すため、25 nmのALDアルミナで被覆されたPEN基板に外部引張荷重がかけられた。次に、実施例5に記載した手順に従い、蛍光標識がこれらの検体に塗布された。図2は、5%重圧に引き延ばした検体のゲージ部分にわたって特定された亀裂を示す。加圧された荷重に対して直角方向に広がるこのような亀裂は、脆い膜への加圧がその臨界閾値限界を超える時に一般的である。図2Aの亀裂は、図2Bに示されるサンプル準備中に生じた検体端部の亀裂とは区別されうる。端部に位置するこれらの亀裂は具体的に、アルミナACD被覆された検体が試験前に適切な大きさに切断される際に生じたものである。図2Bは、検体端部近くで素早く止まるというせん断亀裂の独自の特性を特定する。優れた画像コントラストが共焦点測定の全てで得られ、わずかなサンプル準備にもかかわらず亀裂を簡単に特定することができた。電界放射型走査電子顕微鏡法(FESEM)を使用して、亀裂の幅が測定された。せん断亀裂が完全に形成された領域において、JSM-7401F電界放射型走査電子顕微鏡(JEOL Limited)を用いて約20 nmの亀裂幅が観察された(図2C)。
機械的亀裂とは対照的に、個々の欠陥またはピンホールは通常、粒子汚染および/または基板表面の粗さを理由に生じる。サブミクロン/ナノスケールの小さな個々の欠陥が、バリア性能を制限する重要な特徴である。これらの欠陥は、バリアの品質および高収率のバリア製造を保証するために点検・管理される必要がある。ALDアルミナでのバリア膜がPEN基板に蒸着され、実施例5で記載するように蛍光標識で処理された。図3Aは、20倍の対物レンズで共焦点顕微鏡を用いて収集された画像であり、25 nm厚さのAl2O3 ALD膜において欠陥の多い領域を示している。図3Aの白い矢印は、さらなるFESEM画像撮影のため欠陥の位置確認を促すべく使用される所定のマーカーの外観を示す。個々の欠陥を検証し、欠陥の大きさを判断するために、FESEMを用いてそれぞれ図3Bおよび3Cに示される部位#1および#2がその後に観察された。図3Bおよび3Cに示すように、直径〜200 nmおよび〜1.2 μmが部位#1および#2で観察された。しかしながら、200 nmよりも小さな欠陥もまた、蛍光標識分子の処理によって可視化された。画像は、数十〜数百ナノメートル規模の欠陥は親油性蛍光標識物質での処理後に簡単に可視化できることを示す。図3はまた、個々の欠陥の形態についての情報も提供する。図3Bから、楕円形の欠陥はその上端部に小さな亀裂がある。図3Cの欠陥は、可能性としては粒子汚染の結果として、Al2O3 ALD膜が高分子表面に結合できなかった領域を示す。特定された欠陥は、可能性としてはSEMを用いて観察されうるが、倍率が低いと欠陥位置ならびに欠陥密度を決定することができないため、欠陥検査は煩雑なものとなる。さらに、視野の大きさが小さい高倍率での検査には時間がかかる。SEMおよびAFMの観察と比べて、本方法に従った親油性蛍光物質の可視化によって、大きな視野の検査が可能となり、低倍率での連続的検査という利点を提供している。
Claims (20)
- a)親水性層によって少なくとも部分的に被覆された疎水性表面を有し、前記親水性層に欠陥がある基板を提供すること、
b)親油性蛍光物質が欠陥に接触するために十分な時間、該物質を基板に接触させること、
c)検出可能な蛍光反応を起こすために適切な波長でエネルギーによって蛍光物質を励起すること、および
d)該物質の蛍光反応を検出することを含む、表面の欠陥を特定する方法。 - 基板を親油性蛍光物質に接触させた後に基板を洗浄することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 基板が高分子を含む、請求項1に記載の方法。
- 親水性層が無機物質である、または無機物質を含む、請求項1に記載の方法。
- 親油性蛍光物質が4,4-ジフルオロ-4-ボラ-3a,4a-ジアザ-s-インダセン部分を含む蛍光化合物である、請求項1に記載の方法。
- 親油性蛍光物質が親油性部分をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 親油性蛍光物質が二つ以上の親油性部分をさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 親油性部分が1〜20個の炭素原子を有する炭化水素である、請求項6に記載の方法。
- 親油性部分が1〜20個の炭素原子を有するアルキル基である、請求項6に記載の方法。
- 親油性部分がフェニル基またはスチリル基である、請求項6に記載の方法。
- 親水性層の厚さが10 A未満である、請求項1に記載の方法。
- 親油性蛍光物質が微粒子と関連している、請求項1に記載の方法。
- 親油性蛍光物質が半導体ナノ結晶と関連している、請求項1に記載の方法。
- 4,4-ジフルオロ-4-ボラ-3a,4a-ジアザ-s-インダセン部分および親油性部分を含む、親油性蛍光物質。
- 親油性部分が1〜20個の炭素原子を有する炭化水素である、請求項14に記載の親油性蛍光物質。
- 親油性部分が1〜20個の炭素原子を有するアルキル基である、請求項14に記載の親油性蛍光物質。
- 親油性部分がフェニル基またはスチリル基である、請求項14に記載の親油性蛍光物質。
- 物質が微粒子と関連している、請求項14に記載の親油性蛍光物質。
- 下記の特定可能な欠陥を含む基板:
a)疎水性表面(欠陥がある親水性層によって少なくとも部分的に被覆された疎水性表面を有している基板)、および
b)欠陥と接触している親油性蛍光物質。 - 親油性蛍光物質が4,4-ジフルオロ-4-ボラ-3a,4a-ジアザ-s-インダセン部分および親油性部分を含む、請求項19に記載の基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1439607P | 2007-12-17 | 2007-12-17 | |
PCT/US2008/087207 WO2009079571A2 (en) | 2007-12-17 | 2008-12-17 | Methods for detecting defects in inorganic-coated polymer surfaces |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014171435A Division JP2015007642A (ja) | 2007-12-17 | 2014-08-26 | 無機物で被覆された高分子表面における欠陥を検出する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011507001A true JP2011507001A (ja) | 2011-03-03 |
Family
ID=40413987
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010539740A Pending JP2011507001A (ja) | 2007-12-17 | 2008-12-17 | 無機物で被覆された高分子表面における欠陥を検出する方法 |
JP2014171435A Pending JP2015007642A (ja) | 2007-12-17 | 2014-08-26 | 無機物で被覆された高分子表面における欠陥を検出する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014171435A Pending JP2015007642A (ja) | 2007-12-17 | 2014-08-26 | 無機物で被覆された高分子表面における欠陥を検出する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8304242B2 (ja) |
EP (2) | EP2223087B1 (ja) |
JP (2) | JP2011507001A (ja) |
KR (1) | KR101609396B1 (ja) |
CN (2) | CN103364381B (ja) |
WO (1) | WO2009079571A2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015516068A (ja) * | 2012-05-04 | 2015-06-04 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 量子ドットを用いたガスバリア膜における欠陥の検出方法 |
KR20190082502A (ko) * | 2018-01-02 | 2019-07-10 | 홍익대학교 산학협력단 | 구조물 균열 검사 방법 |
JP2020148610A (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | 株式会社豊田中央研究所 | 潤滑剤の分布状態測定システム及び潤滑剤の分布状態測定方法 |
JP2021004808A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | マークテック株式会社 | 磁粉探傷検査用試験体およびその製造方法 |
WO2021106635A1 (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 住友化学株式会社 | 光学フィルムの製造方法 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2223087B1 (en) | 2007-12-17 | 2013-06-12 | Life Technologies Corporation | Method for detecting defects in inorganic-coated polymer surfaces and substrate |
US20130020507A1 (en) | 2010-06-17 | 2013-01-24 | Life Technologies Corporation | Methods for Detecting Defects in Inorganic-Coated Polymer Surfaces |
SE1250056A1 (sv) | 2012-01-27 | 2013-07-28 | Spaarab Produkter Ab | Detektering av kontaminerade områden |
JP5973846B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-08-23 | 東レエンジニアリング株式会社 | 撥液性樹脂の改質パターン検査方法および装置 |
WO2014052668A1 (en) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | Konica Minolta Laboratory U.S.A., Inc. | Noncontact rapid defect detection of barrier films |
US9634285B2 (en) * | 2012-12-05 | 2017-04-25 | Koninklijke Philips N.V. | Electrical device |
CN103901003A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 华东理工大学 | 一种利用荧光量子点检测和监控机械部件裂纹的方法 |
CN103115926A (zh) * | 2013-01-22 | 2013-05-22 | 清华大学 | 一种用于电缆绝缘材料树枝状老化缺陷的检测方法 |
US9297768B2 (en) * | 2013-04-18 | 2016-03-29 | Empire Technology Development Llc | Methods and systems for labeling and detecting defects in a graphene layer |
CN104280276A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 待测样品的制备及缺陷的分析方法 |
JP2015025759A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | Hoya株式会社 | 基板検査方法、基板製造方法および基板検査装置 |
KR20150078515A (ko) * | 2013-12-31 | 2015-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법 |
CN105628865B (zh) * | 2014-11-07 | 2017-06-06 | 立邦涂料(中国)有限公司 | 一种检测复合涂层中隐蔽涂层凹坑的方法 |
US9250187B1 (en) | 2014-11-11 | 2016-02-02 | Exnodes Inc. | Labeled wafer inspection |
US20160293502A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for detecting defects on wafers |
EP3081313A1 (de) * | 2015-04-13 | 2016-10-19 | Airbus Defence and Space GmbH | Verfahren und vorrichtung zum prüfen der oberflächenbeschaffenheit eines bauteils, insbesondere eines carbonfaserverstärkter-kunststoff (cfk) bauteils |
CN107782882A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-03-09 | 上海三恩化工有限公司 | 一种复合涂层内部针孔的检验方法 |
CN109211929A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-15 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 电子电器封装缺陷的检测方法 |
CN109211928A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-15 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 芯片表面膜层缺陷的检测方法 |
CN109211930A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-15 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 电子显示屏封装材料的缺陷检测方法 |
CN109540914B (zh) * | 2018-12-04 | 2021-04-16 | 嘉宝莉化工集团股份有限公司 | 一种漆膜耐性测试指示剂及其制备方法与应用 |
CN109580569A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-04-05 | 蜂巢能源科技有限公司 | 涂覆浆料的检测装置 |
CN110484129B (zh) * | 2019-07-02 | 2022-01-25 | 昆山联滔电子有限公司 | 带有防护涂层的产品及其制备方法 |
DE102019132585B4 (de) * | 2019-12-02 | 2022-06-09 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Prüfsystem zur optischen Oberflächenprüfung eines Prüfkörpers |
CN111341683A (zh) * | 2020-03-03 | 2020-06-26 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 一种检测半导体晶圆钝化层上针孔缺陷的方法 |
CN114113179A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-03-01 | 国网甘肃省电力公司电力科学研究院 | 一种快速判断镀锌钢构件原始缺陷的方法 |
US20230314304A1 (en) * | 2022-04-05 | 2023-10-05 | Goodrich Corporation | Method of quality control and service inspection for metallic electro-mechanical components |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3164006A (en) * | 1962-04-16 | 1965-01-05 | James R Alburger | Evaluation performance of liquid penetrant tracer materials |
JPH03199938A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 液漏れ検査方法 |
JPH04140651A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-14 | Marktec Corp | 浸透探傷試験方法及び該方法に用いる浸透液 |
JPH07155567A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-20 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | パーベーパレーション用分離膜の検査法及び補修法 |
JPH07270341A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 蛍光浸透探傷法 |
JPH09127105A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Kanebo Ltd | 毛髪損傷診断法 |
JP2005257684A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-22 | Hewlett-Packard Development Co Lp | 半導体ナノワイヤ上への化学的又は生物学的センシング分子の固定化 |
JP2008536264A (ja) * | 2005-04-04 | 2008-09-04 | エレクトリック パワー リサーチ インスティテュート | ポリマー被覆フィバーグラスの水暴露による故障の可能性を早期に検出するためのインディケータ |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1753301A (en) * | 1926-12-22 | 1930-04-08 | American Chain & Cable Co | Testing metallic coatings |
US2079925A (en) * | 1933-04-19 | 1937-05-11 | Ig Farbenindustrie Ag | Process of testing the tightness of protective coatings |
US2340940A (en) * | 1942-11-02 | 1944-02-08 | Magnaflux Corp | Method of testing rigid articles for flaws |
US2405078A (en) * | 1944-04-18 | 1946-07-30 | Robert C Switser | Method and compositions for locating surface discontinuities |
US2635329A (en) * | 1950-05-16 | 1953-04-21 | Magnaflux Corp | Method of detecting cracks in porous surfaces |
US2774886A (en) * | 1952-11-19 | 1956-12-18 | Switzer Brothers Inc | Method of detecting surface discontinuities |
US2920203A (en) * | 1955-09-21 | 1960-01-05 | Switzer Brothers Inc | Fluorescent penetrant inspection materials and methods |
US3490873A (en) * | 1965-08-10 | 1970-01-20 | United Aircraft Corp | Method and composition for inspecting semiconductor devices |
GB1178049A (en) * | 1967-07-11 | 1970-01-14 | Day Glo Color Corp | Non-Destructive Methods of Detecting Flaws |
US3830094A (en) * | 1973-01-24 | 1974-08-20 | Nasa | Method and device for detection of surface discontinuities or defects |
US4054535A (en) * | 1974-02-21 | 1977-10-18 | Rockwell International Corporation | Variable sensitivity water washable dye penetrant |
US4692347A (en) * | 1983-07-07 | 1987-09-08 | The Curators Of The University Of Missouri | Method of interiorly coating tubing |
US4774188A (en) * | 1983-07-29 | 1988-09-27 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Control of circuit board quality |
US4552847A (en) * | 1983-09-28 | 1985-11-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Visual quality control method for barrier treated containers |
US4659674A (en) * | 1983-09-28 | 1987-04-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Quality control method for containers |
US4968892A (en) | 1986-12-24 | 1990-11-06 | General Electric Eompany | Fluorescent penetrant inspection sensor |
US4916711A (en) * | 1988-09-29 | 1990-04-10 | Boyer Joseph H | Lasing compositions and methods for using the same |
US5326692B1 (en) * | 1992-05-13 | 1996-04-30 | Molecular Probes Inc | Fluorescent microparticles with controllable enhanced stokes shift |
US5723218A (en) | 1990-04-16 | 1998-03-03 | Molecular Probes, Inc. | Dipyrrometheneboron difluoride labeled flourescent microparticles |
US5187288A (en) * | 1991-05-22 | 1993-02-16 | Molecular Probes, Inc. | Ethenyl-substituted dipyrrometheneboron difluoride dyes and their synthesis |
JP2628288B2 (ja) | 1994-09-22 | 1997-07-09 | 日本アイ・ビー・エム株式会社 | 微小欠陥の検出方法 |
US5965446A (en) | 1996-10-24 | 1999-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for placing fluorescent single molecules on surface of substrate and method for visualizing structural defect of surface of substrate |
US5786219A (en) * | 1996-10-28 | 1998-07-28 | Molecular Probes, Inc. | Microspheres with fluorescent spherical zones |
DE69839501D1 (de) * | 1997-02-27 | 2008-06-26 | Cellomics Inc | System für Screening biologischer Zellen |
US6005668A (en) * | 1997-07-14 | 1999-12-21 | Henkel Corporation | Detecting defects in plastic and similar surfaces |
KR100275738B1 (ko) | 1998-08-07 | 2000-12-15 | 윤종용 | 원자층 증착법을 이용한 박막 제조방법 |
US6097784A (en) | 1998-09-30 | 2000-08-01 | Picker International, Inc. | 3D image reconstruction for helical partial cone beam data |
US6097484A (en) * | 1999-07-15 | 2000-08-01 | Lucent Technologies, Inc. | Location of defects using dye penetration |
DE19958641A1 (de) | 1999-12-06 | 2001-06-28 | Inst Chemo Biosensorik | Verfahren zur Qualitätskontrolle von Materialschichten |
US6503330B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
US6427544B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-08-06 | United Technologies Corporation | Environmentally friendly ultra-high sensitivity liquid penetrant inspection process and system |
US20020162966A1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-11-07 | Yoder Lorinda L. | Method and apparatus for detecting surface defects in a plastic container |
US6677584B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-01-13 | Cummins Inc. | Manufacturing fluid including fluorescent dye penetrant and method for using to make components |
WO2003008110A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | The Regents Of The University Of Colorado | A method of depositing an inorganic film on an organic polymer |
DE10142121A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-03-20 | Certusdur Gmbh | Neue Fluoreszenzfarbstoffe und Fluoreszenzfarbstoff-Konzentrate zur Fluoreszenzmarkierung von Schmierstoffen und zur Feststellung von Leckage in Schmierstoff-Systemen |
US6620670B2 (en) | 2002-01-18 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3 |
US20050202660A1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-09-15 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication process including process monitoring, making corrective action decisions, and taking appropriate actions |
PL375252A1 (en) * | 2002-09-06 | 2005-11-28 | Chiron Corporation | Methods for verifying fluid movement |
CA2501831A1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Activx Biosciences, Inc. | Activity-based probes, and methods of their preparation and use |
US6916221B2 (en) | 2002-11-18 | 2005-07-12 | Eastman Kodak Company | Determining defects in OLED devices |
JP2005137227A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Toyobo Co Ltd | パーミアビライズド脂肪細胞を用いた脂質分解過程またはそれに関与する分子の動態を解析する方法 |
CN1542450A (zh) * | 2003-11-06 | 2004-11-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研 | 用于荧光免役检测的CdSe纳米晶复合脂质体微囊泡的制备方法 |
JP5068746B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2012-11-07 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | 機能化ナノ粒子 |
EP1979735B1 (en) | 2006-01-18 | 2013-10-09 | Cascades Canada Inc. | Method for measuring hydrophobic contaminants in paper pulp |
WO2007137292A2 (en) * | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Evident Technologies, Inc. | Quantum dot fluorescent inks |
EP2223087B1 (en) | 2007-12-17 | 2013-06-12 | Life Technologies Corporation | Method for detecting defects in inorganic-coated polymer surfaces and substrate |
-
2008
- 2008-12-17 EP EP08861820.2A patent/EP2223087B1/en active Active
- 2008-12-17 EP EP20120190345 patent/EP2554975A1/en not_active Withdrawn
- 2008-12-17 CN CN201310218186.3A patent/CN103364381B/zh active Active
- 2008-12-17 WO PCT/US2008/087207 patent/WO2009079571A2/en active Application Filing
- 2008-12-17 CN CN2008801251480A patent/CN101918817B/zh active Active
- 2008-12-17 JP JP2010539740A patent/JP2011507001A/ja active Pending
- 2008-12-17 US US12/808,325 patent/US8304242B2/en active Active
- 2008-12-17 KR KR1020107015954A patent/KR101609396B1/ko active Search and Examination
-
2014
- 2014-08-26 JP JP2014171435A patent/JP2015007642A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3164006A (en) * | 1962-04-16 | 1965-01-05 | James R Alburger | Evaluation performance of liquid penetrant tracer materials |
JPH03199938A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 液漏れ検査方法 |
JPH04140651A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-14 | Marktec Corp | 浸透探傷試験方法及び該方法に用いる浸透液 |
JPH07155567A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-20 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | パーベーパレーション用分離膜の検査法及び補修法 |
JPH07270341A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 蛍光浸透探傷法 |
JPH09127105A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Kanebo Ltd | 毛髪損傷診断法 |
JP2005257684A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-22 | Hewlett-Packard Development Co Lp | 半導体ナノワイヤ上への化学的又は生物学的センシング分子の固定化 |
JP2008536264A (ja) * | 2005-04-04 | 2008-09-04 | エレクトリック パワー リサーチ インスティテュート | ポリマー被覆フィバーグラスの水暴露による故障の可能性を早期に検出するためのインディケータ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015516068A (ja) * | 2012-05-04 | 2015-06-04 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 量子ドットを用いたガスバリア膜における欠陥の検出方法 |
KR20190082502A (ko) * | 2018-01-02 | 2019-07-10 | 홍익대학교 산학협력단 | 구조물 균열 검사 방법 |
KR102050363B1 (ko) | 2018-01-02 | 2019-12-02 | 홍익대학교 산학협력단 | 구조물 균열 검사 방법 |
JP2020148610A (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | 株式会社豊田中央研究所 | 潤滑剤の分布状態測定システム及び潤滑剤の分布状態測定方法 |
JP7263063B2 (ja) | 2019-03-13 | 2023-04-24 | 株式会社豊田中央研究所 | 潤滑剤の分布状態測定システム及び潤滑剤の分布状態測定方法 |
JP2021004808A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | マークテック株式会社 | 磁粉探傷検査用試験体およびその製造方法 |
WO2021106635A1 (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 住友化学株式会社 | 光学フィルムの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2223087B1 (en) | 2013-06-12 |
CN101918817A (zh) | 2010-12-15 |
WO2009079571A2 (en) | 2009-06-25 |
CN103364381B (zh) | 2016-04-06 |
US8304242B2 (en) | 2012-11-06 |
EP2554975A1 (en) | 2013-02-06 |
EP2223087A2 (en) | 2010-09-01 |
WO2009079571A3 (en) | 2009-08-27 |
CN101918817B (zh) | 2013-06-05 |
KR20100110330A (ko) | 2010-10-12 |
US20100291685A1 (en) | 2010-11-18 |
CN103364381A (zh) | 2013-10-23 |
KR101609396B1 (ko) | 2016-04-05 |
JP2015007642A (ja) | 2015-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8304242B2 (en) | Methods for detecting defects in inorganic-coated polymer surfaces | |
US9310315B2 (en) | Methods for detecting defects in inorganic-coated polymer surfaces | |
TWI296044B (en) | Coupled waveguide-surface plasmon resonance biosensor | |
CN107922834B (zh) | 用具有aie特性的荧光光稳定线粒体特异生物探针实时监测线粒体自噬过程 | |
CN109765206A (zh) | 表征二维材料缺陷的方法及其应用 | |
EP1886115A1 (en) | Fluorescent probe for the detection of corrosion | |
Zhang et al. | Fluorescent tags to visualize defects in Al2O3 thin films grown using atomic layer deposition | |
Terasaki et al. | Mechanoluminescence recording device integrated with photosensitive material and europium-doped SrAl2O4 | |
Daneshvar et al. | Application of quantum dots as a fluorescent-penetrant for weld crack detection | |
US20150323458A1 (en) | Noncontact rapid defect detection of barrier films | |
US20090229353A1 (en) | Method for Detecting Residues on a Component | |
WO2014188620A1 (ja) | センサ、検査方法 | |
Lu et al. | Binding quantum dots to silk biomaterials for optical sensing | |
JP2008128905A (ja) | 活性酸素検出装置および活性酸素検出方法 | |
Schlüter et al. | Self-assembled multilayer surfaces of highly fluorescent spirobifluorene-based dye for label-free protein recognition | |
TWI744325B (zh) | 有機電子裝置的檢查方法、分析方法及其利用 | |
Trinchi et al. | Distributed quantum dot sensors for monitoring the integrity of protective aerospace coatings | |
Ghosh et al. | Radiative Rate Modulation Reveals Near‐Unity Quantum Yield of Graphene Quantum Dots | |
Zhang et al. | Fluorescence tag-based inspection of barrier coatings for organic light emitting diodes and polymer packages | |
Zhang et al. | 12.3: Defect visualization of atomic layer deposition enabled polymer barriers using fluorescent tags | |
Soleimaninejad et al. | Time-resolved and polarised microspectroscopy of thin films of bio-and nanomaterials | |
Lapina et al. | Nanomonitoring Of Ceramic Surface | |
CN104105958A (zh) | 污染区域的检测 | |
Lovera et al. | Nano‐lightsticks: polymer nanotubes with embedded chemiluminescent dopants | |
Courty et al. | Single quantum dot imaging in live cells: toward a cellular GPS |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130604 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130610 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130809 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130816 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140626 |