KR20150078515A - 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법 - Google Patents

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Abstract

반응성 메조겐의 반응률 측정 방법은 주쇄 및 상기 주쇄에 결합된 반응성 메조겐을 포함하는 측쇄를 포함하며, 상기 측쇄의 말단에 불포화 결합을 포함하는 배향 물질을 기판 상에 도포하여 배향막을 제공하는 단계, 상기 배향막에 자외선(UV)을 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계, 상기 배항막 상에 싸이올 기를 포함하는 표지 화합물을 도포하여 미반응 반응성 메조겐과 상기 표지 화합물을 반응시켜 표지 반응성 메조겐을 형성하는 단계, 상기 표지 반응성 메조겐의 양을 검출하는 단계 및 자외선을 노광하기 전 반응성 메조겐의 양과 상기 표지 반응성 메조겐의 양을 비교하여 반응률을 측정하는 단계를 포함한다. 표지 화합물을 이용하여 반응성 메조겐의 양을 검출할 수 있으며, 자외선 노광 공정에 따른 반응성 메조겐의 반응률을 측정할 수 있다. 따라서, 노광량에 따른 반응성 메조겐의 반응률을 측정하여, 노광량을 최적화하여 공정 비용이 감소할 수 있다.

Description

반응성 메조겐의 반응률 측정 방법{MEASURING METHOD FOR REACTION RATIO OF REACTIVE MESOGEN}
본 발명은 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분광분석기를 통하여 검출 가능한 표지 화합물을 이용하는 자외선 공정에서의 반응성 메조겐의 반응률을 측정하는 방법에 관한 것이다.
최근, 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)가 표시 장치로서 널리 이용되고 있으며, 이러한 평판 디스플레이로는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등이 사용되고 있다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정 셀의 복굴절성, 선광성, 2 색성 및 광 산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
액정 표시 장치는 액정 표시 패널 및 백라이트 어셈블리를 포함한다. 액정 표시 패널에서 균일한 밝기와 높은 콘트라스트비(contrast ratio)를 얻기 위해서는 주입된 액정분자를 일정한 방향으로 배열시키는 배향이 필요하다.
일반적으로 액정 표시 장치는 액정분자를 배열하기 위하여 액정 내에 반응성 메조겐을 포함하여 자외선 공정을 거쳐 반응성 메조겐을 반응시켜 프리틸트를 형성한다.
최근에는 투과율 및 응답속도의 향상을 위하여 액정층 내에 반응성 메조겐을 포함하지 않고, 배향막이 반응성 메조겐을 포함도록 형성한다. 이 경우 배향막을 형성하기 위한 배향막은 폴리이미드 분자 등의 주쇄에 반응성 메조겐이 결합된 측쇄를 포함하는 단일 화합물로 형성된다.
단일 화합물로 형성되는 배향막은 반응성 메조겐의 물리/화학적 특성이 주쇄의 특성과 유사하여 일반적인 분광분석으로 분석이 어렵다. 따라서, 자외선 공정에 따른 반응성 메조겐의 반응률을 분석하기 어려워, 잔여 반응성 메조겐에 의한 화면의 얼룩을 유발하는 등의 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 표지 화합물을 이용하여 반응성 메조겐의 반응률을 측정하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법은 주쇄 및 상기 주쇄에 결합된 반응성 메조겐을 포함하는 측쇄를 포함하며, 상기 측쇄의 말단에 불포화 결합을 포함하는 배향 물질을 기판 상에 도포하여 배향막을 제공하는 단계, 상기 배향막에 자외선(UV)을 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계, 상기 배항막 상에 싸이올 기(thiol group)를 포함하는 표지 화합물을 도포하여 미반응 반응성 메조겐과 상기 표지 화합물을 반응시켜 표지 반응성 메조겐을 형성하는 단계, 상기 표지 반응성 메조겐의 양을 검출하는 단계 및 자외선을 노광하기 전 반응성 메조겐의 양과 상기 표지 반응성 메조겐의 양을 비교하여 반응률을 측정하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 제1항에 있어서, 상기 반응성 메조겐은 말단에 상기 불포화 결합을 포함하는 광반응기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광반응기는
Figure pat00001
,
Figure pat00002
,
Figure pat00003
,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
,
Figure pat00006
일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 화합물의 상기 싸이올 기는 상기 반응성 메조겐의 상기 불포화 결합과 반응할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 화합물은 할로젠화 알킬 및 싸이오우레아(thiourea)의 반응에 의하여 제조될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 자외선-가시광선 분광광도계(UV-Vis spectrophotometer)를 이용하여 검출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐의 흡광도는 상기 반응성 메조겐의 흡광도보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 화합물은
Figure pat00007
,
Figure pat00008
,
Figure pat00009
일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐의 흡광도는 370nm 이상의 파장에서 상기 반응성 메조겐보다 클수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 적외선분광기(FT-IR spectrometer)를 이용하여 검출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐의 흡수 파장은 상기 반응성 메조겐의 흡수 파장과 상이할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 화합물은
Figure pat00010
일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 2,200cm-1 내지 2,300cm-1 에서 가장 강한 흡수 파장을 나타낼 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 X선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectrometer; XPS)를 이용하여 검출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐의 결합 에너지 파장은 상기 반응성 메조겐의 결합 에너지 파장과 상이할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 화합물은 HS-(CH2)n-CF3, HS-(CF2)n-CF3 일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 690eV 내지 700eV 에서 결합에너지 파장을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 배향막을 제공하는 단계 이후에, 상기 배항막 상에 싸이올 기를 포함하는 표지 화합물을 도포하여 상기 반응성 메조겐과 상기 표지 화합물을 반응시켜 초기 반응성 메조겐을 형성하는 단계 및 상기 초기 반응성 메조겐의 양을 검출하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계는, 상기 배향막을 제1 노광량으로 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계는, 상기 배향막을 상기 제1 노광량보다 큰 제2 노광량으로 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표지 화합물을 이용하여 반응성 메조겐의 양을 검출할 수 있으며, 자외선 노광 공정에 따른 반응성 메조겐의 반응률을 측정할 수 있다. 따라서, 노광량에 따른 반응성 메조겐의 반응률을 측정하여, 노광량을 최적화하여 공정 비용이 감소할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 반응성 메조겐의 반응률을 측정하기 위한 단계도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 배향막이 형성된 기판의 단면도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 반응성 메조겐의 반응률을 측정하기 위한 단계도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 배향막이 형성된 기판의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법은 기판(100) 상에 배향막(200)을 제공하는 단계(S100), 반응성 메조겐 및 표지 화합물을 반응시켜 초기 반응성 메조겐을 형성하는 단계(S200), 초기 반응성 메조겐의 양을 검출하는 단계(S210), 자외선을 노광하여 반응성 메조겐을 반응시키는 단계(S300), 미반응한 반응성 메조겐 및 표지 화합물을 반응시켜 표지 반응성 메조겐을 형성하는 단계(S310), 표지 반응성 메조겐의 양을 검출하는 단계(S320) 및 초기 반응성 메조겐의 양과 표지 반응성 메조겐의 양을 비교하여 반응성 메조겐의 반응률을 측정하는 단계(S400)를 포함한다.
기판(100) 상에 배향 물질을 도포하여 배향막(200)을 제공한다.
예를 들어, 상기 배향 물질은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 등 다양한 방법으로 도포될 수 있다.
상기 기판(100)은 제1 기판 및 제2 기판을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층이 개재될 수 있다. 상기 액정층은 액정 분자를 포함한다.
상기 액정 분자들의 장축은 상기 액정층에 전계가 형성되지 않은 상태에서, 상기 기판(100)에 수직하도록 배향된다.
상기 제1 기판 상에는 제1 전극이 형성될 수 있으며, 상기 제2 기판 상에는 제2 전극이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전압을 인가하여, 상기 액정층 내의 액정 분자를 배향할 수 있다.
상기 배향 물질은 주쇄 및 상기 주쇄에 결합된 반응성 메조겐(210)을 포함하는 측쇄를 포함한다. 상기 배향 물질은 상기 측쇄의 말단에 불포화 결합을 포함한다.
상기 배향 물질은 주쇄 및 측쇄를 포함한다. 예를 들어, 상기 주쇄는 폴리에틸렌, 폴리이미드, 폴리포스파젠 등 일 수 있다.
상기 반응성 메조겐 측쇄는 상기 주쇄에 결합된다. 상기 측쇄는 반응성 메조겐(210)을 포함한다.
상기 반응성 메조겐(210)은 반응성 메조겐 단위 및 말단에 광반응기를 포함한다.
상기 반응성 메조겐 단위는 액정 분자의 프리틸트 할 수 있다.
예를 들어, 상기 반응성 메조겐 단위는
Figure pat00011
,
Figure pat00012
,
Figure pat00013
,
Figure pat00014
등일 수 있다.
상기 반응성 메조겐(210)은 광반응을 일으키기 위하여, 일단에 광반응기를 포함할 수 있다. 상기 광반응기는 후속 자외선 공정시 자외선에 의하여 인접한 상기 광반응기와 반응하여 가교 결합(cross-linkage)을 형성한다.
상기 광반응기는 불포화 결합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광반응기는
Figure pat00015
,
Figure pat00016
,
Figure pat00017
,
Figure pat00018
,
Figure pat00019
,
Figure pat00020
일 수 있다.
기판(100) 상에 배향 물질을 도포하여 배향막(200)을 제공한 이후에, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전압을 인가하여 액정층 내에 전계(electric field)를 형성한다.
상기 전계에 따라 상기 액정층에 포함된 상기 액정 분자들이 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)에 대하여 일정한 선경사를 이룰 수 있다. 상기 전압은 10V 내지 30V 일 수 있다.
상기 기판의 상부에서 상기 배향막(200)을 향하여 자외선(ultraviolet; UV)을 노광하여, 상기 반응성 메조겐(210)을 반응시킨다. 상기 자외선의 노광량은 10J/cm2 이상일 수 있다.
상기 자외선에 의하여 상기 반응성 메조겐(210)의 상기 광반응기들이 서로 반응하여 결합을 형성한다. 상기 광반응기들의 반응은 노광량에 따라 반응률이 달라질 수 있다.
자외선을 노광하여 상기 반응성 메조겐들(210)을 서로 반응시킨 이후에, 상기 배향막 상에 표지 화합물(220)을 도포한다.
예를 들어, 상기 표지 화합물(220)은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 등 다양한 방법으로 도포될 수 있다.
상기 표지 화합물(220)은 싸이올 기(SH)를 포함한다. 상기 표지 화합물(220)은 하기의 화학식 1로 표현될 수 있다.
Figure pat00021
[화학식 1]
여기서, 상기 A는
Figure pat00022
,
Figure pat00023
,
Figure pat00024
,
Figure pat00025
, HS-(CH2)n-CF3, HS-(CF2)n-CF3 등 일 수 있다.
상기 표지 화합물(220)은 하기 반응식 1과 같이 할로젠화 알킬 및 싸이오우레아(thiourea)의 반응에 의하여 제조될 수 있다.
Figure pat00026
[반응식 1]
상기 표지 화합물(220)의 상기 싸이올 기는 상기 반응성 메조겐(210)의 상기 불포화 결합과 반응할 수있다. 상기 싸이올기는 상기 불포화 결합과 싸이올-엔(thiol-ene) 또는 싸이올-엔(thiol-yne) 반응을 할 수 있다.
예를 들어, 상기 반응성 메조겐(210)이 말단에 이중 결합을 포함하고 있는 경우, 하기의 반응식 2와 같이 상기 반응성 메조겐(210)과 상기 표지 물질(220) 사이에 싸이올-엔 반응이 일어날 수 있다.
Figure pat00027
[반응식 2]
따라서, 자외선을 노광하였음에도 반응하지 않은 나머지 반응성 메조겐들(210)은 상기 표지 화합물(220)과 반응하여 표지 반응성 메조겐을 형성할 수있다.
상기 표지 반응성 메조겐을 여러 분광법을 이용하여 그 양을 측정할 수 있다. 이 경우 상기 표지 반응성 메조겐에 표지된 표지 화합물의 종류에 따라 분광법이 적절히 수정되어 적용될 수 있다.
예를 들어, 상기 표지 반응성 메조겐은 자외선-가시광선 분광광도기(UV-Vis spectrophotometer), 적외선분광기(FT-IR spectrometer), X선 광전자분광기(X-ray photoelectron spectrometer; XPS) 등을 이용하여 검출될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 표지 반응성 메조겐은 자외선-가시광선 분광광도기를 이용하여 검출될 수 있다.
상기 표지 물질은 벤젠 고리와 같이 자외선-가시광선 분광광도기에서 측정가능한 작용기를 포함할 수 있다.
따라서, 특정 파장에서 상기 표지 물질이 결합된 상기 표지 반응성 메조겐의 흡광도는 상기 반응성 메조겐의 흡광도보다 더 클 수 있다.
예를 들어, 상기 표지 화합물은
Figure pat00028
,
Figure pat00029
,
Figure pat00030
, 이들의 조합일 수 있다. 상기 표지 반응성 메조겐의 흡광도는 370nm 이상의 파장에서 상기 반응성 메조겐보다 클 수 있다.
이러한 흡광도의 차이를 통하여 상기 표지 반응성 메조겐의 양을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 표지 반응성 메조겐은 적외선분광기를 이용하여 검출될 수 있다.
상기 표지 물질은 사이아노기와 같이 적외선분광기에서 측정 가능한 작용기를 포함할 수 있다.
따라서, 상기 표지 반응성 메조겐의 흡수 파장은 상기 반응성 메조겐의 흡수 파장과 상이할 수 있다. 상기 표지 물질이 결합된 상기 표지 반응성 메조겐의 흡수 파장은 상기 반응성 메조겐의 흡수 파장보다 특정 파장을 더 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 표지 화합물은
Figure pat00031
일 수 있다. 상기 표지 반응성 메조겐은 2,200cm-1 내지 2,300cm-1 에서 가장 강한 흡수 파장을 나타낼 수 있다.
이러한 흡수 파장의 차이 및 상기 흡수 파장의 강도를 통하여 상기 표지 반응성 메조겐의 양을 측정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표지 반응성 메조겐은 X선 광전자분광기를 이용하여 검출될 수있다.
상기 표지 물질은 플루오르 원소와 같이 X선 광전자분광기에서 측정 가능한 작용기를 포함할 수 있다.
따라서, 상기 표지 반응성 메조겐의 결합 에너지 파장은 상기 반응성 메조겐의 결합 에너지 파장과 상이할 수있다. 상기 표지 물질이 결합된 상기 표지 반응성 메조겐의 결합에너지 파장은 상기 반응성 메조겐의 결합에너지 파장보다 특정 파장을 더 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 표지 화합물은 HS-(CH2)n-CF3, HS-(CF2)n-CF3, 이들의 조합일 수 있다. 상기 표지 반응성 메조겐은 690eV 내지 700eV 에서 결합에너지 파장을 더 포함할 수 있다.
따라서, 다양한 분광법을 이용하여 자외선을 노광하였음에도 반응하지 않은 나머지 반응성 메조겐의 양을 측정할 수 있다.
또한, 이러한 반응성 메조겐의 반응률을 측정하기 위한 대조군으로써, 자외선을 노광하기 이전의 상기 배향막의 상기 반응성 메조겐의 양을 측정할 수 있다.
기판(100) 상에 배향 물질을 도포하여 배향막(200)을 제공한다. 예를 들어, 상기 배향 물질은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 등 다양한 방법으로 도포될 수 있다.
상기 배향막(200)상에 표지 화합물을 도포한다. 예를 들어, 상기 표지 화합물은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 등 다양한 방법으로 도포될 수 있다.
상기 표지 화합물은 싸이올 기(SH)를 포함한다. 상기 표지 화합물은 상기 화학식 1로 표현될 수 있다.
상기 표지 화합물의 상기 싸이올 기는 상기 반응성 메조겐의 상기 불포화 결합과 반응할 수있다. 상기 싸이올기는 상기 불포화 결합과 싸이올-엔(thiol-ene) 또는 싸이올-엔(thiol-yne) 반응을 할 수 있다.
상기 반응성 메조겐들은 상기 표지 화합물과 반응하여 초기 반응성 메조겐을 형성할 수 있다.
상기 초기 반응성 메조겐의 양을 상기 다양한 분광법을 통하여 검출하여, 자외선을 노광하기 전의 반응성 메조겐의 양을 측정할 수 있다.
상기 초기 반응성 메조겐의 양과 상기 표지 반응성 메조겐의 양을 비교하여 반응성 메조겐의 반응률을 측정할 수 있다.
상기 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법을 통하여 상기 반응성 메조겐의 자외선 노광량을 최적화할 수 있다.
기판(100) 상에 배향 물질을 도포하여 배향막(200)을 형성시킨 후, 상기 배향막(200)에 자외선을 노광하여 반응성 메조겐을 반응시킨다.
이때 상기 배향막(200)에 노광되는 자외선의 노광량을 조절하여 상기 반응성 메조겐의 반응률을 비교한다.
상기 배향막(200)에 상기 자외선을 제1 노광량으로 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 노광량은 10J/cm2 이상일 수 있다.
초기 반응성 메조겐의 양과 상기 제1 노광량으로 노광된 표지 반응성 메조겐의 양을 비교하여 반응률을 측정한다.
이와 별도로, 상기 배향막(200)에 상기 자외선을 제2 노광량으로 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시킬 수 있다. 상기 제2 노광량은 상기 제1 노광량보다 클 수 있다.
초기 반응성 메조겐의 양과 상기 제2 노광량으로 노광된 표지 반응성 메조겐의 양을 비교하여 반응률을 측정한다.
상기 제1 노광량으로 노광된 반응성 메조겐의 반응률 및 상기 제2 노광량으로 노광된 반응성 메조겐의 반응률을 비교하여 최적화된 자외선 노광량을 측정할 수 있다.
이와 같이, 반응성 메조겐의 반응률을 측정하여 자외선 노광량을 최적화할 수 있으며, 따라서, 공정 시간 및 공정 비용을 감소시킬 수 있다.
또한, 반응하지 않고 남아있는 반응성 메조겐을 최소화하여, 추후 고온 공정 등에서 발생할 수 있는 반응성 메조겐의 열반응 등을 최소화시킬 수 있다. 따라서, 화면의 얼룩을 방지할 수 있으며, 표시 품질이 향상될 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 통상의 기술자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 배향막 조성물 및 액정 표시 장치는 다양한 형태의 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등에 적용될 수 있다.
100: 기판 200: 배향막
210: 반응성 메조겐 220: 표지 물질

Claims (20)

  1. 주쇄 및 상기 주쇄에 결합된 반응성 메조겐을 포함하는 측쇄를 포함하며, 상기 측쇄의 말단에 불포화 결합을 포함하는 배향 물질을 기판 상에 도포하여 배향막을 제공하는 단계;
    상기 배향막에 자외선(UV)을 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계;
    상기 배항막 상에 싸이올 기(thiol group)를 포함하는 표지 화합물을 도포하여 미반응 반응성 메조겐과 상기 표지 화합물을 반응시켜 표지 반응성 메조겐을 형성하는 단계;
    상기 표지 반응성 메조겐의 양을 검출하는 단계; 및
    자외선을 노광하기 전 반응성 메조겐의 양과 상기 표지 반응성 메조겐의 양을 비교하여 반응률을 측정하는 단계를 포함하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응성 메조겐은 말단에 상기 불포화 결합을 포함하는 광반응기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광반응기는
    Figure pat00032
    ,
    Figure pat00033
    ,
    Figure pat00034
    ,
    Figure pat00035
    ,
    Figure pat00036
    ,
    Figure pat00037
    로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 표지 화합물의 상기 싸이올 기는 상기 반응성 메조겐의 상기 불포화 결합과 반응하는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 표지 화합물은 할로젠화 알킬 및 싸이오우레아(thiourea)의 반응에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 자외선-가시광선 분광광도계(UV-Vis spectrophotometer)를 이용하여 검출되는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐의 흡광도는 상기 반응성 메조겐의 흡광도보다 큰 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 표지 화합물은
    Figure pat00038
    ,
    Figure pat00039
    ,
    Figure pat00040
    로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐의 흡광도는 370nm 이상의 파장에서 상기 반응성 메조겐보다 큰 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 적외선분광기(FT-IR spectrometer)를 이용하여 검출되는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐의 흡수 파장은 상기 반응성 메조겐의 흡수 파장과 상이한 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 표지 화합물은
    Figure pat00041
    인 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 2,200cm-1 내지 2,300cm-1 에서 가장 강한 흡수 파장을 나타내는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 X선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectrometer; XPS)를 이용하여 검출되는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐의 결합 에너지 파장은 상기 반응성 메조겐의 결합 에너지 파장과 상이한 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 표지 화합물은 HS-(CH2)n-CF3, HS-(CF2)n-CF3로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 표지 반응성 메조겐은 690eV 내지 700eV 에서 결합에너지 파장을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 배향막을 제공하는 단계 이후에,
    상기 배항막 상에 싸이올 기를 포함하는 표지 화합물을 도포하여 상기 반응성 메조겐과 상기 표지 화합물을 반응시켜 초기 반응성 메조겐을 형성하는 단계; 및
    상기 초기 반응성 메조겐의 양을 검출하는 단계를 더 포함하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계는,
    상기 배향막을 제1 노광량으로 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계는,
    상기 배향막을 상기 제1 노광량보다 큰 제2 노광량으로 노광하여 상기 반응성 메조겐을 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응성 메조겐의 반응률 측정 방법.
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