JP2011506910A - 層状のグロープラグ - Google Patents

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Abstract

環状の金属シェル、熱伝導性のチューブ状のシール、中央電極、抵抗加熱素子、および電気的に絶縁で熱伝導性の粉末を含むグロープラグは、シース内のシールされたキャビティを形成するためにシースと電極とのかみ合わせをシールするガラスシールを含む。ガラスシールは、ケイ酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスを含んでいてもよく、クロム、コバルト、ニッケル、鉄および銅の酸化物のような1またはそれより多い遷移金属酸化物を含んでいてもよい。ガラスは、合成石英、ユークリプタイト、白榴石、コージライト、ベータ−リシア輝石、ガラス−セラミックス、低膨張ガラス(CTE<5ppm/℃)、ムライト、ジルコン、ジルコニア、およびアルミナからなる群から選ばれるようなセラミックス酸化物を含むフィラーを含んでいてもよい。シールされたキャビティは保護挿入ガスを収容してもよい。抵抗加熱素子は、タングステン、モリブデン、またはタングステン、モリブデン、ニッケル、鉄、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、オスミウムおよびクロムを含む合金からなる群から選ばれる金属から形成されてもよい。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2007年12月17日に出願された米国仮特許出願番号第61/014,122号および2008年6月13日に出願された米国仮特許出願番号第61/061,387号の利益を主張するものであり、その内容は参照により全体として本明細書に組み込まれる。
発明の背景
1.技術分野
本出願は、概してグロープラグに関し、より特定的には層状のグロープラグに関する。
2.関連技術
ディーゼルエンジン用途に用いられるような層状のグロープラグは、一般的に、スパイラル状にねじれた抵抗ワイヤのように、1またはそれより多い抵抗素子を含む電気抵抗加熱を有し、チューブ状のシースの自由閉端との電気的な接続を除き、設置されるチューブ状のシースから電気的に絶縁されるように、酸化マグネシウムのような電気的に絶縁する伝導性の粉末に組み込まれる。単一の電気抵抗素子を用いるグロープラグは正の温度係数特性(PTC特性)を有していてもよく、2組の接続された電気抵抗を用いるグロープラグにおいて、グロープラグの電極に接続される抵抗は、チューブ状のシースの自由閉端に接続される抵抗よりも高いPTC特性を有する。
述べたタイプのグロープラグは、1またはそれより多い抵抗素子を有していても、全体としては絶縁粉末に組み込まれた抵抗素子を有し、絶縁粉末は、エラストマーのO−リングシールまたは他のシール形状を用いるチューブ状のシースに密閉される。これらのO−リングシールは、登録商標バイトン(Viton)としてデュポンにより販売されているような種々のフッ素重合体を含む、多数のエラストマーまたはプラスティックを用いてなる。シールを形成するとすぐに、通常、粉末の隙間内に酸素が存在し、これにより潜在的に抵抗素子は酸素の存在下で酸化される傾向にある。O−リングシールがグロープラグ適用に用いられる間、有効な作動温度範囲は約150−200℃である。近年、グロープラグ用途は、より高い温度範囲で必要とされ、O−リングシールが適切でないところが問題となっている。
グロープラグの作動中に生じる熱サイクル中、ワイヤの表面は酸化され、ワイヤの有効断面を減らし、結果としてワイヤのこの部分のより高い電流密度をもたらし、ワイヤの過熱および加熱素子の不具合をもたらす。この不具合の状態に作用する要素は、ゴムまたはプラスティックまたはO−リングによって提供される不完全なシールであり、酸素および水蒸気が粉末充填層に広がり、加熱素子ワイヤと反応することを可能とし、結果として上述した有効な断面の酸化および縮小をもたらす。酸化マグネシウムの水蒸気との反応は水酸化マグネシウムを形成し得、金属抵抗ワイヤを腐食または酸化することが可能であり、これにより、グロープラグが稼動中でないときであっても、その部分の不具合をもたらす。酸化マグネシウム粉末の表面に吸収される他の材料は、ガスを含んでいてもよく、加熱素子ワイヤの分解にも貢献し得る。この不具合の作用は、グロープラグの運用寿命を短くするか制限するように働く可能性がある。
上述した観点から、200℃を超える作動温度で用いることができ、上昇する温度に耐えることができ、さらに電極およびシース間に向上したシールを提供できるグロープラグの必要性がある。
発明の概要
概略、本発明の一の局面は、グロープラグのための層状の加熱具を提供し、軸方向に延在するボアを有する環状の金属シェルと、導電性および熱伝導性のチューブ状のシースとを含み、シースは、シェルと電気的に接触してボア内に配置された開口端と、ボアから突出した閉口端とを有し、シースの開口端に延在する電極をさらに含み、電極に電気的に接続される近位端と、シースの閉口端に電気的に接続される遠位端とを有するシェル内に配置された抵抗加熱素子と、シース内に配置され、抵抗加熱素子を取り囲む電気的に絶縁性で熱伝導性の粉末と、開口端において、シースおよび電極とかみ合ってシールするように配置されたガラスシールとをさらに含む。加熱アセンブリは、グロープラグを形成するためにシェルへ挿入されてもよい。用いられるガラスシールは、向上した密閉性を提供し、これにより、抵抗加熱素子の環境の劣化の抵抗を向上でき、グロープラグの作動範囲を600−800℃まで高める。
一の局面では、ガラスシールは、ケイ酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスからなる群より選ばれる。ガラスは実質的に鉛フリーであることが好ましい。
別の局面では、ガラスは、ガラスの成分として遷移金属の酸化物を含んでいてもよい。遷移金属はクロム、コバルト、ニッケル、鉄および銅からなる群から選んでもよい。酸化物はガラスの10モルパーセントまたはそれ未満であってもよい。
別の局面では、ガラスは、再結晶微細構造を含んでいてもよい。再結晶微細構造は、ガラスの90体積パーセントより多くてもよい。
別の局面では、ガラスは、ガラスの成分としてフィラーを含んでいてもよい。フィラーは、セラミックス酸化物を含んでいてもよい。セラミックス酸化物は、合成石英、ユークリプタイト、コージライト、ガラスセラミックス、ムライト、アルミナ、ジルコン、ジルコニア、ベータ−リシア輝石、低膨張ガラス(CTE<5ppm/℃)および白榴石からなる群から選ばれてもよい。
別の局面では、チューブ状のシースはその長さに沿って変化する外径を有し、開口端に隣接した小径部を有する。外径および小径部は、約0.4mmの直径の差を有していてもよい。ガラスシールは長さを有し、小径部は長さを有し、小径部の長さはガラスシールの長さよりも大きい。典型的な実施例では、小径部の長さは約8mmである。シースは金属を含んでいてもよい。シースは変形した微細構造を有していてもよい。
別の局面では、ガラスシールは、シースにより提供されるキャビティを取り囲む密閉シールを含み、キャビティ内に配置された保護ガスをさらに含む。保護ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、クリプトンおよびキセノンからなる群から選ばれてもよい。
別の局面では、抵抗加熱素子は金属ワイヤスパイラルを含んでいてもよい。金属ワイヤスパイラルは、純ニッケル、ニッケル合金、ニッケル−鉄−クロム合金および鉄−コバルト合金からなる群から選ばれた金属を含んでいてもよい。
別の局面では、抵抗加熱素子は金属ワイヤスパイラルを含んでいてもよい。金属ワイヤスパイラルは、タングステンと、モリブデンと、タングステン、モリブデン、ニッケル、鉄、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、オスミウムおよびクロムを含む合金とからなる群から選ばれた金属を含んでいてもよい。
別の局面では、熱伝導性で、電気的に絶縁された粉末は、酸化マグネシウムを含んでいてもよい。
別の局面にしたがえば、グロープラグのための加熱アセンブリを製造する方法が提供される。方法は、導電性および熱伝導性のチューブ状であり、開口端および閉口端を有するシースを提供するステップと、電極の一方端に電気的に接続された抵抗加熱素子を有する電極をさらに提供するステップとを含む。抵抗加熱素子をシースの開口端に拡大するステップと、シースの閉口端を形成するために、抵抗加熱素子の端部と、シースの遠位端とを接続するステップとをさらに含む。その後、シースと抵抗加熱素子との間のキャビティ内に、電気的に絶縁した熱伝導性の粉末を配置するステップを含む。その後、水蒸気および/または酸素のキャビティへの浸透の可能性からキャビティを遮断するために、シースおよび電極とかみ合うように、シースの開口端に密閉シールを形成するステップをさらに含む。
別の局面では、方法は、密封シールを形成するステップに先立って、キャビティへ挿入ガスを配置することによって、キャビティ内の酸素を抜くステップをさらに含む。挿入ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンからなる群から選ぶことができる。
別の局面では、抵抗加熱素子を、タングステン、モリブデン、タングステン、モリブデン、ニッケル、鉄、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、オスミウムおよびクロムからなる群から選ぶステップを含む。
別の局面では、方法は、ガラスシールとして密閉シールを形成するステップを含む。
別の局面では、シールのガラスを、ケイ酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスからなる群より選ぶステップを含む。
別の局面では、ガラスの成分として遷移金属の酸化物を含むようにガラスを提供するステップを含む。
別の局面では、ガラスの成分としてフィラーを含むようにガラスを提供するステップを含む。フィラーは、セラミックス酸化物を含んでいてもよい。セラミックス酸化物は、合成石英、ユークリプタイト、コージライト、ガラスセラミックス、ムライト、アルミナ、ジルコン、ジルコニア、ベータ−リシア輝石、低膨張ガラス(CTE<5ppm/℃)および白榴石からなる群から選ばれてもよい。
別の局面では、シースの開口端にガラスプリフォームを挿入することにより、および、ガラスシールからガラスを溶かすために十分な時間および温度でガラスプリフォームを加熱することにより、ガラスシールを形成するステップを含む。
以下の好ましい実施の形態および最良の形態の詳細な説明、請求項および図面と併せて考慮すると、本発明のこれらおよび他の特徴および利点がより容易に理解されるであろう。
本発明の層状の加熱アセンブリおよびグロープラグの部分断面図である。 本発明のチューブ状のシースプリフォームの断面図である。 本発明の抵抗加熱素子の正面図である。 電極とチューブ状のシースとの間の環状のギャップに挿入されたガラスプリフォームの概略断面図である。 図4Aのガラスプリフォームを溶かすことにより形成された電極とチューブ状のシースとの間の環状のギャップにおけるガラスシールの概略断面図である。 本発明のグロープラグ製造する方法のフローチャートである。
好ましい実施形態の詳細な説明
本発明は、改善したシールおよび加熱素子アセンブリを有するグロープラグを提供し、改善したシールおよび加熱素子アセンブリは、熱導電性で電気的に絶縁する粉末、および粉末に組み込まれるスパイラル状のワイヤ加熱素子の酸素および水蒸気に対する露出を低減し、これにより、上述した分解プロセスを除去または実質的に低減する。本発明のグロープラグにおいて、シールの取り付け中に粉末層内で酸素および水蒸気が除去または実質的に低減されるような方法で、成分は処理される。一旦取り付けられると、シールは、酸素および水蒸気を含む周囲の雰囲気の能力を削除または大幅に低減して、絶縁粉末に広がりワイヤ加熱素子に到達し、これにより、上述したようなワイヤ加熱素子の分解の可能性を抑制する。
本発明のグロープラグおよびグロー加熱アセンブリは、エラストマーまたはプラスティックのシールの代わりに、O−リングのようなガラスまたはガラスセラミックスのシールを利用している。ガラスまたはガラスセラミックスシールは、シェルと電極との電気抵抗を提供し、抵抗加熱素子を含む粉末層と周囲の雰囲気との密封シールを生成する。ガラスシールの材料は、プリフォームとして、あるいは、充填または圧密により所定の位置に形成される遊離した粉末からグロープラグアセンブリに位置付けられる。プリフォームは圧縮された粉末または緑の粉末成形体または実質的に完全に密度の高いガラスチューブの一部を備えていてもよい。ガラスプリフォームは、ガラスが溶解されるように加熱されて、電極とシースとを結合する。材料は、ガラスを変形し、再結晶化されたガラス−セラミックスを形成するために加熱処理もされてよい。シールを形成するためのグロープラグ加熱アセンブリの加熱は、酸化マグネシウム粉末からガスを放出し、加熱素子ワイヤの分解に貢献することが知られている酸素および水のような潜在的な反応物質種を取り除く。好ましい方法は、上述の反応物質種をより完全に取り除くために、真空および/または挿入ガス雰囲気で加熱アセンブリを加熱する。したがって、本発明にしたがってグロープラグを構成すると、グロープラグはエラストマーまたはプラスティックのシールに関する上述した潜在的に悪い影響が実質的に存在しないような長く改良された有益な寿命を示すことが可能となり、極端に高温のエンジン適用環境においても作動を可能にすることができる。
図で詳細に説明すると、図1は本発明の好ましい一実施の形態にしたがって構成されたグロープラグ10を示す。グロープラグ10は環状の金属シェル12を有し、シェル12はシェル12の長手方向の軸15に沿って延在するボア14を有する。金属シェル12は、種々のグレードの鋼のようないかなる適切な金属から形成されていてもよく、外面16およびボア14を含み、高温酸化および腐食に対するシェル12の抵抗を向上するために、ニッケルやニッケル合金のようなメッキまたは被覆層をその表面に取り込んでもよい。グロープラグ10は、加熱アセンブリ18も含む。加熱アセンブリ18は、チューブ状のシース20、電極22、抵抗加熱素子24、絶縁粉末充填材料26、固体物質により占められていない空間を占める挿入ガス27、および密封シールを有し、密封シールは以下において他に特定しない場合にはガラスシール28と示し、たとえば酸素および水蒸気のような大気種がチューブ状のシース20内のシールされた領域に入ることを防止する。
チューブ状のシース20は導電性および熱伝導性であり、好ましくは金属から形成される。環状のシース20を形成するためにいかなる適した材料が用いられてもよいが、特に内燃機関の運転に関連した燃焼ガスおよび反応物質種に関して、金属は高温酸化および腐食に対して抵抗があるので好ましい。適切な金属合金の一例は、ニッケル−クロム−鉄−アルミニウム合金である。チューブ状のシース20は開口端30および閉口端21を有し、開口端30は金属シェル12のボア14内に、シェル12と電気的に接触するように配置され、閉口端21はボア14から突出する。チューブ状のシース20はその長さに沿って変化する外径(D1)を有し、開口端30に隣接する小径部34を有する。外径(D1)はいかなる適した外径であってもよく、多くのグロープラグ適用の典型的な外径はたとえば約4mmである。小径部34は一般的にはガラスシール28の長さよりも大きい長さを有する。限定されない典型的な形態では、小径部34の長さは約8mmであった。外径(D1)と小径部34との直径の差は、適用要件に依存し、所望の量であってよいが、典型的な形態ではその差は約0.4mmであった。チューブ状のシース20は、冷間加工された微細構造のような変形した微細構造を有していてもよく、シースプリフォーム36(図2)は、直径を低減し、シース20内の絶縁粉末26の密度を増加するために、スエージングあるいは別の方法で形成される。典型的な形態では、図2において透視された断面に示されるように、変形は、シースのプリフォーム36の壁厚さにおいて約20%減少するような量であってもよい。
電極22は、シース20の開口端30に延在する。電極22は適した導電性材料からなっていてもよいが、好ましくは金属からなる。典型的な形態では、電極22は鋼からなる。鋼の適したグレードの例は、AISI1040、AISI300/400ファミリー、EN10277−3ファミリー、コバールUNSK94610およびASTMF15,29−17合金を含む。電極22の外面38は、電極22に結合するためのガラスシール28の能力を高めるために、加熱アセンブリ18への取り込みに先立って、オイルのような揮発性の汚染物質を電極の表面から取り除くために、一般的に、十分に清浄化される。ガラスシール28に隣接した電極22の外面38は酸化されるかもしれない。酸化されると、酸化層は必要とされる付着を提供するのに適した厚みにまで成長し、多くの酸化層は約0.2−5.0ミクロンの範囲にある。また、電極22の遠位端39は、必要に応じて、電極22への取り付けと連結して、直径を減少すること等により形成されてもよく、電極22上に抵抗加熱素子24を合わせることを容易にし、素子を設置する肩41を提供する。
抵抗加熱素子24は、グロープラグ10に必要とされる必須の時間/温度加熱反応特性を提供することができるのであれば、適した加熱装置が提供されてもよく、いかなる適した抵抗特性を有していてもよく、2000−3422℃の極端に高い作動温度に耐えるように提供される。これは、正の温度係数特性(PTC特性)を有する単一の電気抵抗素子、または、連続して接続された2つの電気抵抗素子(図3)を備えた素子を含んでもよい。2つの電気抵抗素子を備えた素子では、グロープラグ10の電極22に接続された第1の抵抗素子40は、チューブ状のシース20の閉口端32に接続された第2の抵抗素子42よりも高いPTC特性を有している。このように、第1の抵抗素子40はリミッタまたはレギュレータ素子として振舞い、第2の抵抗素子42は加熱素子として振舞う。スパイラル状のワイヤ抵抗加熱素子は、いかなる適した材料から形成されてもよく、たとえば、純ニッケルのような種々の金属を含んでもよく、ニッケル−鉄−クロム、鉄−コバルト合金のような種々のニッケルを含んでもよい。しかしながら、極端に高温の適用がある場合、単一または複数の抵抗加熱素子は、たとえばタングステン、モリブデン、または、タングステン、モリブデン、ニッケル、鉄、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、オスミウムおよびクロムを含む合金のような高温抵抗材料から形成されることが好ましい。図1〜図3を再び参照して、スパイラル状のワイヤ、2つの抵抗素子の加熱素子24は、近位端44を有するチューブ状のシース20内に配置され、近位端44は電極22と溶接のような冶金の結合により電気的に接続され、かつ機械的に固定され、遠位端46はシース20の閉口端32と冶金の結合により電気的に接続され、かつ機械的に固定される。抵抗加熱素子24の遠位端46がシースプリフォーム36(図2)に溶接される場合に、この機械的な付着および冶金の結合は形成される。この溶接はまた、シースプリフォーム36の遠位端の開口50をシールすることにより、チューブ状のシース20の閉口端32を形成する。
電気的に絶縁で、熱伝導性の充填粉末26は、電極22を取り囲み、抵抗加熱素子24とシース20のキャビティ52の内部体積との間の全ての空間を完全に満たすために、シース内に配置される。粉末26は、酸化マグネシウム、二酸化アルミニウム、またはムライトのような、いかなる適した電気的に絶縁で、熱伝導性の粉末を含んでもよい。遊離した粉末は、シースのプリフォーム36のキャビティ52へ挿入され、シース20の内面58と、電極22の外面38および抵抗加熱素子24の外面の結合との間に配置され、これは、シースのプリフォーム36への抵抗加熱素子24の取り付け、および、これらの素子を互いに取り付ける関連した溶接による開口50の閉鎖の後に環状のギャップ54を介して行なわれる。環状のギャップ54の厚みはいかなる適した厚みであってもよいが、約0.2−1.0mmの環状のギャップ54の幅は、加熱アセンブリ18の多くの適用に適している。環状のギャップ54の幅は、シースプリフォーム36の近位端30で、シースプリフォーム36の内側の直径と電極22の外側の直径との直径の差により決定される。キャビティ52は、シースプリフォーム36の近位端で直径が狭められた部分である環状のギャップ54内の空間を一般的に含まない。これは、ガラスプリフォーム56を受けるよう作動する空間であるためである。しかしながら、ガラスシール28の所望の構成を形成するために十分な空間が残っている場合には、粉末は環状のギャップ54の遠位端へわずかに延在してもよい。シース20および電極22の酸化は、粉末26から吸収した水を低減または除去するために、シース20のキャビティ内への配置で酸素中で粉末26を加熱するとともになされてもよい。本発明の典型的な形態では、電気的に絶縁で熱伝導性の粉末26は、酸化マグネシウムであり、シース20を形成するためにシースプリフォーム36の直径を低減するとともに抵抗加熱素子24の周囲で成形される。成形された粉末26は、抵抗加熱素子24をシース20から電気的に絶縁しつつ、所望の熱伝導性を提供する。粉末26は、グロープラグ10の拡張した運転温度範囲を超えて使用でき、極端に高い温度エンジン環境において、約2000−3422℃まで運転できる。
挿入ガス27は限定されないが、例としてはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンまたはキセノンのようなガスが提供されることが可能である。挿入ガス27は、予め酸素によって占められていたキャビティ内の全ての空間を満たすように配置され、これにより酸素はキャビティから完全に排除される。したがって、挿入ガス27は、シース20、電極22、抵抗加熱素子24の間の全ての空間および粉末26の個々の粒の間の空間を満たす。
ガラスシール28は、シース20の開口端30に位置し、環状のギャップ54内のシース20および電極22とのかみ合わせをシールする。キャビティ52への粉末の挿入後、所定の位置に挿入ガス27を導入することによってキャビティ52内に酸素を排出するとすぐに、図4Aに示されるように、ガラスプリフォーム56は環状のギャップ54へ挿入される。その後、図4Bに示されるように、十分に圧縮して、電極22の外面およびシース20の内面58にプリフォーム56を結合するために、ガラスプリフォーム56は十分に加熱されて、ガラスシール28を形成し、好ましくはガラスを溶かし、続いて冷却することによって行なわれる。ガラスシール28は、キャビティ52および粉末26およびシェル12のボア14間の密閉シールを形成し、これにより、燃焼ガス、および、ボア14に侵入する周囲の酸素または水蒸気を含む汚染物質がキャビティ52に入ることを防止する。
ガラスプリフォーム56の形成は、環状のギャップ54に注がれ、粉末を成形するために詰められるガラス粉末を提供することを含み、そして環状プリフォーム56を形成してもよく、あるいは、分離して形成され、単に環状のギャップ54に挿入された緑粉末プリフォームを成形し、あるいは、適切な長さに切断され、環状のギャップ54へ挿入される十分に密度の高いガラスチューブの一部を形成する。予め成形されるプリフォームが使用される場合には、プリフォームが加熱アセンブリに設置された後で、かつガラスシール28を形成するためにガラスを溶解する前に、圧縮がさらに実施されてもよい。一軸的に、平衡にあるいは他の方法で圧縮されたものを含み、プリフォームのすべての態様は本発明の範囲内であり、たとえば加熱アセンブリに配置するなど、プリフォームのハンドリングを容易にするためにたとえば理論上の約95%まで、材料を固めて焼結するために、ガラスの軟化点よりも低い温度で焼結される。ガラス粉末は、粉末にされ、粒状にされ、吹き付け乾燥されたガラス材料を含む。加熱アセンブリまたは独立のプリフォーム内に加圧成形されていても、ガラスプリフォーム56は概して1−50kpsi(6.0−340MPa)の範囲の圧力を用いて加圧成形される。
ガラスシール28は、いかなる適したガラスから形成されてもよく、ケイ酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラスあるいはホウケイ酸ガラスのいかなる組み合わせを含んでもよい。1種類以上のガラスまたはガラス組成物が用いられ、豊富でないガラスのガラス転移温度よりも豊富なガラスのガラス転移温度が好ましく、ガラス転移温度の差は約30℃以上であることがより好ましい。豊富でないガラスは、ガラス成分全体の約45体積パーセント以下存在することがさらに好ましく、豊富でないガラスは約5−45体積パーセント存在することがより好ましい。ガラスは実質的に鉛フリーであることが好ましいと考えられる。特定の最高作動温度がおおよそ100−300℃を超えるような、加熱アセンブリ18の作動中、ガラスの材料は、ガラスを軟化させないことを確保するような材料から選ばれる。これにより、約100−150℃の従来技術のグロープラグと同様の最高作動温度を有する適用例において用いられる加熱アセンブリ18にとって、ガラス転移温度は一般的に約200℃以上である。たとえば600−800℃のような、より高温の作動温度での使用が意図された加熱アセンブリにとって、ガラス転移温度は一般的に約700℃以上である。ガラスシール28は、ガラス成分として遷移金属酸化物が取り込まれてもよい。遷移金属酸化物はクロム、コバルト、ニッケル、鉄または銅の単独またはいかなる組み合わせの酸化物であってもよい。使用されるときには、遷移金属酸化物はガラスの10モルパーセントまたはそれ未満であってもよく、純度の高い特定の酸化物粉末に、ここで述べたようなガラスプリフォームを形成する前のガラス粉末に、あるいはガラスプリフォームに溶解されるガラスを形成する前の溶解ガラスに添加してもよい。ガラスシール28は、ガラスの成分としてフィラーを含んでいてもよく、1またはそれ以上のセラミックス酸化物を含んでいてもよい。セラミックス酸化物は、合成石英、ユークリプタイト、白榴石、コージライト、ベータ−リシア輝石、ガラス−セラミックス、低膨張ガラス(CTE<5ppm/℃)、ムライト、ジルコン、ジルコニア、またはアルミナの単独またはいかなる組み合わせを含んでいてもよい。存在する場合には、フィラーはガラスの約45体積パーセントまたはそれ以下の量で用いられることが好ましい。フィラーが用いられる場合には、フィラーの熱膨張係数(CTE)はいかなるガラスの熱膨張係数よりも低いことが概して望ましい。フィラーの1つの目的は靱性を向上することであり、靱性はガラスの破壊靱性を含む。しかしながら、白榴石のようなガラスよりも熱膨張係数が高いフィラーは、熱膨張係数を組み合わせて調整されることが望ましい場合がある。
シェル20から電極を電気的に絶縁することを防止するために、約−40から3422℃である加熱アセンブリ18の作動温度範囲を超えて24VDC以下の印加電圧のためには少なくとも約1kオームの抵抗をガラスシール28が有していることが一般的に好ましい。ガラスシール28は、10bar以下の外部からの印加圧力に抵抗するために厚みを介し、シース20と電極22との界面で、引張りおよびせん断の機械的強度を有する。
ガラスシール28は、典型的な多くのガラスのアモルファス微細構造を有していてもよく、シングルステップの傾斜、浸漬または適切な遅い冷却プロセスによって追随した温度での保持を用いて形成されてもよい。加えて、ガラスシール28は、再結晶微細構造を形成するために適した構成要素で熱処理されて(すなわち温度で浸漬により追随した加熱を傾斜して)もよい。再結晶微細構造が成長される場合、ガラスの90体積パーセント以上占めることが好ましい。ガラスプリフォーム56は、ガラスプリフォーム56を溶解するのに十分な、電極22およびシース20の一方または両方の誘導加熱を含む、いかなる適した加熱源または加熱方法を用いて加熱されてもよい。熱処理は、挿入ガス雰囲気の加圧されたチャンバのように、いかなる適した熱処理雰囲気を用いて実施されてもよい。挿入ガス27の昇圧を用いることによって、ガラスシール28の形成中、キャビティ52内で挿入ガス27の残量はシールされる。これは、粉末26から酸素および水蒸気のような吸収した汚染物質を追い払うことと、グロープラグ10の作動中抵抗加熱素子24の持続した保護を提供するためにキャビティ52内の挿入ガス27の残量をシールするという利益を有する。
電極22、シース20およびガラスシール28の材料は、ガラス中のクラックの発生および伝播を避けるために十分なレベルでのいかなる応力を維持する場合、界面で加熱アセンブリの作動範囲全体への可能な範囲の引張応力を避けるまたは最小化するために、特に、相対的なCTEの観点から選ばれるべきである。特に電極22とシース20とのそれぞれの界面で、圧縮状態でガラスシール28を維持するCTEで選ばれることが好ましい。上述した引張応力を維持する1つのアプローチとして、ガラスシール28のCTEがシース20および電極22とおおよそ等しいような材料を選ぶことがあり、ガラス成分のすべてを含むガラスシール28の材料のCTEは、ガラスシール28を形成するために必要な過程を含む加熱アセンブリの作動温度範囲を超えてシース20および電極22の10%以内である。上述した引張応力を維持するための別のアプローチとして、ガラスシール28のCTEはシース20と電極22の中間にある材料を選ぶことがあり、特に加熱アセンブリの作動温度範囲を超えてCTE電極<CTEガラス<CTEシースとなるように選ぶことがある。
図5を参照して、本発明にしたがって、本発明の別の局面にしたがって、グロープラグ10は、開口端30および閉口端32を有する導電性で熱伝導性のチューブ状のシース20と、シースの開口端に延在する電極22と、電極22と電気的に接続される近位端44およびシース20の閉口端32に電気的に接続される遠位端46を有し、シース内に配置される抵抗加熱素子24と、シース20内に配置され、抵抗加熱素子24を囲む電気的に絶縁で熱伝導性の粉末26と、シース20、電極22、抵抗加熱素子24および粉末26の個々の粒の間の空間に完全に占める挿入ガスと、開口端30に配置され、シース20および電極22のかみ合わせをシールするガラスシール28とを含むグロープラグ10の加熱アセンブリ18の形成方法は、以下のステップを含む。すなわち、グロープラグ10の加熱アセンブリ18の形成方法は、チューブ状のシースプリフォーム36、電極22および抵抗加熱素子24の形成110と、抵抗加熱素子24の近位端44への電極22の遠位端の取り付け120、抵抗加熱素子24および電極22のチューブ状のシースプリフォーム36への挿入130と、シース20の閉口端32を形成するためにチューブ状のシースプリフォーム20の遠位端32への抵抗加熱素子24の遠位端46の取り付け140と、抵抗加熱素子24を囲むためにシースプリフォーム36への粉末の挿入150と、開口端30へのガラスプリフォーム56の挿入155と、シースプリフォーム20におけるガラスプリフォームおよび粉末を維持するための仮シールの挿入160と、チューブ状のシース20を形成するためにシースプリフォーム36の外径の選択的な減少165と、仮シールを蒸発させるために十分な時間および温度でガラスプリフォーム56の加熱170と、ガラスを溶融してガラスシール28を形成するために十分な時間および温度で相対的に正圧下で挿入ガス27内でのガラスプリフォームの加熱175と、挿入ガス27内で相対的に正圧下でグロープラグの冷却180と、環状の金属シェル12の軸方向に延在するボア14への加熱アセンブリ18の接合190とを含む。
チューブ状のシースプリフォーム36、電極22および抵抗加熱素子24を形成するステップ110は、適した電極材料のワイヤまたはロッドの取出しのように、これらの成分を形成し、長さ方向にワイヤまたはロッドを切断し、図1に示す特徴に圧印加工し、機械加工し、あるいは別に必要な除去を形成する、いかなる適した方法を利用してもよい。抵抗加熱素子24は、適した抵抗加熱の1または複数の材料のワイヤ(複数でもよい)を取り出すことにより、2ピースの加熱素子の場合、マンドレル周りに所望の形態に巻くことにより、および第1の抵抗素子を第2の抵抗素子に接合することにより、作られてもよい。チューブ状のシースプリフォーム36は、適したシース材料のシリンダー状のチューブを形成することにより、および、これらの特徴を形成するための既知の過程を用いて、所望のテーパまたは曲率を形成するように外径を減少した端部を形成することにより、作製されてもよい。
抵抗加熱素子24の近位端44に電極22の遠位端39を取り付けるステップ120は、界面を作るために、抵抗加熱素子の近位端の電極端の遠位端の外径を形成することにより、および、その後加熱素子の近位端に電極の遠位端を圧入することにより、実施されてもよい。これは、それぞれの材料を接合するために適した溶接過程を用いて、抵抗加熱素子の近位端を電極の遠位端に溶接することによって順に進められてもよい。
抵抗加熱素子24および電極22をチューブ状のシースプリフォーム36に挿入するステップ130は、一般的に、シース20の閉口端32を形成するために、抵抗加熱素子24の遠位端46をチューブ状のシースプリフォーム20の遠位端48に取り付けるステップ140と組み合わされ、前者は後者よりも必ず先行する。挿入するステップ130は、互いに上述したように成分を正しい方向に置くことを可能とする内在する付属品および治具の使用を含んでもよい。取り付けるステップ140は、シースプリフォーム36内の開口50を閉じる間、抵抗加熱素子24およびシースプリフォーム36を接合するいかなる適した方法を含んでもよい。好ましくは、取り付けるステップ140は、結果として溶接されるように、これらの成分を溶接するステップと、シースプリフォーム36内の開口50を閉じるステップとを含む。
抵抗加熱素子24を囲むように粉末26をシースプリフォーム36に挿入するステップ150は、シースプリフォーム36のキャビティ52へ遊離した粉末を注入するステップを含むように、シースプリフォームに粉末26を配置するいかなる適した方法を用いて実行してもよい。典型的には、粉末を挿入した後にシース電極アセンブリを振動させることによる方法のように、キャビティ内の遊離した粉末を固めて抵抗加熱素子24の周りおよび内部の空間を満たす方法を用いることが望ましい。
開口端30へガラスプリフォーム56を挿入するステップ155は、遊離した粉末、緑粉末プリフォームまたは密度の高いガラスチューブまたは他のプリフォーム形状を含む、いかなる適したガラスプリフォーム56を用いてもよく、自由流れ粉末を注入する方法、加圧下または環状のギャップ54へ固定された外形を有するプリフォームの配置で粉末を吹き込む方法を含み、環状のギャップ54へプリフォーム56を配置するいかなる適した方法を用いてもよい。
ガラスプリフォーム56およびプリフォーム中の粉末を維持するための仮シールを挿入するステップ160は、シース20の開口端30におけるガラスプリフォーム56を隣接するためのPTFEシールリングを挿入することによって実施されてもよい。
方法100は、チューブ状のシース20を形成するためにシースプリフォーム36の外径を減少するステップ165を選択的に含んでもよい。これは成形体粉末26をさらに供し、これにより粉末の熱伝導を増加する。また抵抗加熱素子24をよりしっかりと得、キャビティ52内の抵抗加熱素子24の移動または振動の機会を低減することを供する。これは、シースプリフォーム36のようにチューブ状の金属プリフォームを低減するいかなる適した機構および方法により実行されてもよく、加締加工、圧印加工、圧延形成および金属チューブの外径を減らすための他の既知の方法を含んでもよい。クラックまたは別のシールの阻害を避けるために、シースプリフォーム36の外面を減らして、外面の隣接したガラスシール28の一部を避けることが望ましい。これを完成させるために、ガラスシール28に隣接したシースプリフォーム36の一部の外径は、シース20の外径(D1)よりも小さいことが望ましい。
仮シールを蒸発させるのに十分な時間、真空でガラスプリフォーム56を加熱するステップ170は、存在するかもしれない酸素をキャビティ52から除去する間、仮シールを蒸発させるステップを含む。
相対的に正圧下、ガラスを溶解しガラスシール28を形成するために十分な温度で挿入ガス27内のガラスプリフォーム56を加熱するステップ175は、挿入ガス27とともにキャビティ52内で酸素から放出された空間を満たすステップを含み、このステップではいかなる適した加熱機構および方法を用いてもよく、上述した方法を含んでもよい。
挿入ガス27中、相対的に正圧下でグロープラグ10を冷却するステップ180は、使用中であっても、キャビティ52内に挿入ガス27を維持し、キャビティの外部の酸素がキャビティに入ることを抑制する密閉シールの形成を完成するステップを含む。
グロープラグ10を形成するために、方法100は、環状の金属シェル12の軸方向に延在するボア14に加熱アセンブリ18を接合するステップ190をさらに含んでいてもよい。これは、シース20の外径に合わせて作るステップと、界面を作るためにシェル12のボア14を軸方向に延在するステップとを含んでもよく、その後、シース20の遠位端の所望の暴露長さを作るために加熱アセンブリ18をボア14にあわせるように圧入するステップを含んでいてもよい。
グロープラグ10を形成するために、方法100は、環状の金属シェル12の軸方向に延在するボア14に加熱アセンブリを接合するステップをさらに含んでもよい。これは、シース20の外径に合わせて作るステップと、界面を作るためにシェル12のボア14を軸方向に延在するステップとを含んでもよく、その後、シース20の遠位端の所望の暴露長さを作るために加熱アセンブリ18をボア14にあわせるように圧入するステップを含んでいてもよい。
エラストマーシールの使用および融点よりもかなり高い温度を有し、優れた高温機械および電気特性を有するガラスシール28の使用をなくし、電極22、シース20、電気抵抗素子24および熱伝導性で電気的に絶縁性の粉末26にとって互換性のある高温材料の選択および使用により、本発明のグロープラグ10の加熱アセンブリ18は200℃よりも高い温度での作動に適応させる。より特定的には600℃よりも高い温度での作動に適応させ、さらに特定的には最高約3422℃までの作動に適応させる。
上述の発明は関連する法的基準に従って述べられており、このためこの説明は本質的に限定的というよりもむしろ例示的である。開示された実施例に対する変更および修正は当業者には明らかであり、本発明の範囲に属する。したがって、この発明に与えられる法的保護の範囲は、特許請求の範囲を検討することによってのみ決定され得る。

Claims (37)

  1. 軸方向に延在するボアを有する環状の金属シェルと、
    導電性および熱伝導性のチューブ状のシースとを備え、前記シースは、前記シェルと電気的に接続されて前記ボア内に配置された開口端と、前記ボアから突出した閉口端とを有し、
    前記シースの前記開口端に延在する電極と、
    抵抗加熱素子とをさらに備え、前記抵抗加熱素子は、前記シースに配置され、前記電極に電気的に接続される近位端と、前記シースの前記閉口端に電気的に接続される遠位端とを有し、
    前記シース内に配置され、前記抵抗加熱素子を取り囲む、電気的に絶縁性で熱伝導性の粉末と、
    前記開口端において、前記シースおよび前記電極とかみ合ってシールするように配置されたガラスシールとをさらに備える、グロープラグ。
  2. 前記ガラスシールは、ケイ酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスからなる群より選ばれるガラスを備える、請求項1に記載のグロープラグ。
  3. 前記ガラスの成分として遷移金属の酸化物をさらに備える、請求項2に記載のグロープラグ。
  4. 前記遷移金属は、クロム、コバルト、ニッケル、鉄および銅からなる群から選ばれる、請求項3に記載のグロープラグ。
  5. 前記酸化物は、前記ガラスの10モルパーセントまたはそれより少なく備える、請求項3に記載のグロープラグ。
  6. 前記ガラスは再結晶微細構造を備える、請求項2に記載のグロープラグ。
  7. 前記再結晶微細構造は、前記ガラスの90体積パーセントより多く備える、請求項6に記載のグロープラグ。
  8. 前記ガラスは、実質的に鉛フリーである、請求項2に記載のグロープラグ。
  9. 前記ガラスの成分として、フィラーをさらに備える、請求項2に記載のグロープラグ。
  10. 前記フィラーは、セラミックス酸化物である、請求項9に記載のグロープラグ。
  11. 前記セラミックス酸化物は、合成石英、ユークリプタイト、白榴石、コージライト、ベータ−リシア輝石、ガラス−セラミックス、低膨張ガラス(CTE<5ppm/℃)、ムライト、ジルコン、ジルコニア、およびアルミナからなる群から選ばれる、請求項10に記載のグロープラグ。
  12. 前記シースは、その長さに沿って変化する外径を有し、前記開口端に隣接する小径部を有する、請求項1に記載のグロープラグ。
  13. 前記ガラスシールは長さを有し、前記小径部は長さを有し、前記小径部の前記長さは前記ガラスシールの前記長さよりも大きい、請求項12に記載のグロープラグ。
  14. 前記キャビティ内に配置された保護ガスをさらに備える、請求項1に記載のグロープラグ。
  15. 前記保護ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンからなる群から選ばれる、請求項14に記載のグロープラグ。
  16. 前記抵抗加熱素子は、金属ワイヤスパイラルを備える、請求項1に記載のグロープラグ。
  17. 前記金属ワイヤスパイラルは、純ニッケル、ニッケル合金、ニッケル−鉄−クロム合金および鉄−コバルト合金からなる群から選ばれた金属を備える、請求項16に記載のグロープラグ。
  18. 前記金属ワイヤスパイラルは、タングステン、モリブデン、またはタングステン、モリブデン、ニッケル、鉄、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、オスミウムおよびクロムを含む合金からなる群から選ばれた金属を備える、請求項16に記載のグロープラグ。
  19. グロープラグのための加熱アセンブリであって、
    開口端および閉口端を有する、導電性および熱伝導性のチューブ状のシースと、
    前記シースの前記開口端に延在する電極と、
    抵抗加熱素子とを備え、前記抵抗加熱素子は、前記シースに配置され、前記電極に電気的に接続される近位端と、前記シースの前記閉口端に電気的に接続される遠位端とを有し、
    前記シース内に配置され、前記抵抗加熱素子を取り囲む、電気的に絶縁性で熱伝導性の粉末と、
    前記開口端において、前記シースおよび前記電極とかみ合ってシールするように配置されたガラスシールとをさらに備える、加熱アセンブリ。
  20. 前記ガラスシールは、ケイ酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスからなる群より選ばれるガラスを備える、請求項19に記載の加熱アセンブリ。
  21. 前記ガラスの成分として遷移金属の酸化物をさらに備える、請求項20に記載の加熱アセンブリ。
  22. 前記遷移金属は、クロム、コバルト、ニッケル、鉄および銅からなる群から選ばれる、請求項21に記載の加熱アセンブリ。
  23. 前記ガラスの成分として、フィラーをさらに備える、請求項20に記載の加熱アセンブリ。
  24. 前記フィラーは、セラミックス酸化物である、請求項23に記載の加熱アセンブリ。
  25. 前記セラミックス酸化物は、合成石英、ユークリプタイト、白榴石、コージライト、ベータ−リシア輝石、ガラス−セラミックス、低膨張ガラス(CTE<5ppm/℃)、ムライト、ジルコン、ジルコニア、およびアルミナからなる群から選ばれる、請求項24に記載の加熱アセンブリ。
  26. 前記シースは、その長さに沿って変化する外径を有し、前記開口端に隣接する小径部を有する、請求項19に記載の加熱アセンブリ。
  27. 前記ガラスシールは長さを有し、前記小径部は長さを有し、前記小径部の前記長さは前記ガラスシールの前記長さよりも大きい、請求項12に記載のグロープラグ。
  28. 前記キャビティ内に配置された保護ガスをさらに備える、請求項19に記載の加熱アセンブリ。
  29. 前記保護ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンからなる群から選ばれる、請求項28に記載の加熱アセンブリ。
  30. 前記抵抗加熱素子は、純ニッケル、ニッケル合金、ニッケル−鉄−クロム合金および鉄−コバルト合金からなる群から選ばれた金属ワイヤスパイラルを備える、請求項19に記載の加熱アセンブリ。
  31. 前記抵抗加熱素子は、タングステン、モリブデン、またはタングステン、モリブデン、ニッケル、鉄、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、オスミウムおよびクロムを含む合金からなる群から選ばれた金属ワイヤスパイラルを備える、請求項19に記載のグロープラグ。
  32. グロープラグのための加熱アセンブリの製造方法であって、
    チューブ状のシースプリフォーム、電極および抵抗加熱素子を形成するステップと、
    前記電極の遠位端に前記抵抗加熱素子の近位端を取り付けるステップと、
    前記抵抗加熱素子とおよび電極を前記チューブ状のシースプリフォームに挿入するステップと、
    前記シースの閉口端を形成するために、前記抵抗加熱素子の遠位端を前記チューブ状のシースプリフォームの遠位端に取り付けるステップと、
    前記抵抗加熱素子を取り囲むために、電気的に絶縁性で熱伝導性の粉末を前記シースプリフォーム内に配置するステップと、
    前記開口端にガラスプリフォームに挿入するステップと、
    前記ガラスを溶解し、前記ガラスシールを形成するために十分な温度および時間前記ガラスプリフォームを加熱するステップとを備えた、方法。
  33. 前記チューブ状のシースを形成するために前記シースプリフォームの外径を減少するステップをさらに備えた、請求項32の方法。
  34. 真空中または保護ガスで覆った状態で、プリフォーミングを行なうステップをさらに備える、請求項32に記載の方法。
  35. 窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンからなる群から保護ガスを選ぶステップをさらに備える、請求項34に記載の方法。
  36. 前記ガラスシールの位置に隣接する前記電極または前記シース上に酸化層を形成するステップをさらに備える、請求項32に記載の方法。
  37. タングステン、モリブデン、またはタングステン、モリブデン、ニッケル、鉄、タンタル、ニオブ、チタン、バナジウム、オスミウムおよびクロムを含む合金からなる群から選ばれた金属から前記抵抗加熱素子を形成するステップをさらに備える、請求項23に記載の方法。
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