JP2011506531A - 一段階還元的アミノ化 - Google Patents
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Abstract
Description
R1およびR2は異なり、それぞれが1〜20個の炭素原子を有しかつ場合によりヘテロ原子を含むこともできる有機基であり、
R3は、C1−C6−アルキル基であり、ならびに
R4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ/またはシアノ、ニトロ、C1−C6−アルキル、C1−C6−ハロアルキル、ヒドロキシル、C1−C6−ヒドロキシアルキル、C1−C6−アルコキシ、C1−C6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、C1−C6−アルコキシカルボニル、C1−C6−アルキルアミノ、ジ(C1−C6−アルキル)アミノ、アリールおよびアリール(C1−C6−アルキル)の群の内の1〜3個の基を有してもよいアリール基であり;
ならびに
*はSまたはR立体配置を表し、および
**はSおよび/またはR立体配置を表す]、
製造する方法であって、
不均一イミノ化触媒、水素化触媒および水素の存在下で前記反応を行う段階を含む方法に関する。
本発明の方法においては、式IIのカルボニル化合物を式IIIのアミンと反応させる。
C1−C6−アルキル、C3−C6−シクロアルキル、C2−C6−アルケニル、C2−C6−アルキニル、C2−C6−ハロアルケニル、C2−C6−ハロアルキニル、C1−C6−アルコキシカルボニル、C3−C6−アルケニルオキシカルボニル、C3−C6−アルキニルオキシカルボニル、アミノカルボニル、C1−C6−アルキルアミノカルボニル、C3−C6−アルケニルアミノカルボニル、C3−C6−アルキニルアミノカルボニル、C1−C6−アルキルスルホニルアミノカルボニル、ジ(C1−C6−アルキル)−アミノカルボニル、N−(C3−C6−アルケニル)−N−(C1−C6−アルキル)アミノカルボニル、N−(C3−C6−アルキニル)−N−(C1−C6−アルキル)−アミノカルボニル、N−(C1−C6−アルコキシ)−N−(C1−C6−アルキル)−アミノカルボニル、N−(C3−C6−アルケニル)−N−(C1−C6−アルコキシ)アミノカルボニル、N−(C3−C6−アルキニル)−N−(C1−C6−アルコキシ)−アミノカルボニル、(C1−C6−アルキル)アミノチオカルボニル、ジ(C1−C6−アルキル)アミノチオカルボニル、およびC1−C6−アルキルカルボニル−C1−C6−アルキル
[ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ/または以下の基(すなわち、シアノ、ヒドロキシル、C1−C4−アルキル、C3−C6−シクロアルキル、C1−C6−アルコキシ−C1−C4−アルキル、C1−C4−アルコキシ−C1−C4−アルコキシ−C1−C4−アルキル、C1−C4−アルコキシ、C1−C4−アルキルチオ、アミノ、C1−C4−アルキルアミノ、ジ(C1−C4−アルキル)アミノ、C1−C4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、C1−C4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、C1−C4−アルキルアミノカルボニル、ジ(C1−C4−アルキル)アミノカルボニル、またはC1−C4−アルキルカルボニルオキシ)の内の1〜3個を有してもよい];
アリール、アリール−C1−C4−アルキル、アリール−C2−C4−アルケニル、アリール−C2−C4−アルキニル、アリール−C1−C4−ハロアルキル、アリール−C2−C4−ハロアルケニル、アリール−C3−C4−ハロアルキニル、アリール−C1−C4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニルオキシ−C1−C4−アルキル、アリールオキシカルボニル−C1−C4−アルキル、アリールオキシ−C1−C4−アルキル、アリールアミノ−C1−C4−アルキル、アリールチオ−C1−C4−アルキル、アリールスルフィニル−C1−C4−アルキル、アリールスルホニル−C1−C4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−C1−C4−アルキル、ヘテロシクリル−C2−C4−アルケニル、ヘテロシクリル−C2−C4−アルキニル、ヘテロシクリル−C1−C4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−C2−C4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−C3−C4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−C1−C4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−C1−C4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−C1−C4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−C1−C4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−C1−C4−アルキルヘテロシクリルチオ−C1−C4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−C1−C4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−C1−C4−アルキル
[ここで、前記アリール基およびヘテロシクリル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ/またはシアノ、ニトロ、C1−C6−アルキル、C1−C6−ハロアルキル、ヒドロキシル、C1−C6−ヒドロキシアルキル、ヒドロキシカルボニル−C1−C6−アルキル、C1−C6−アルコキシカルボニル−C1−C6−アルキル、C1−C6−アルコキシ、C1−C6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、C1−C6−アルコキシカルボニル、ヒドロキシカルボニル−C1−C6−アルコキシ、C1−C6−アルコキシカルボニル−C1−C6−アルコキシ、アミノ、C1−C6−アルキルアミノ、ジ(C1−C6−アルキル)アミノ、C1−C6−アルキルスルホニルアミノ、C1−C6−ハロアルキルスルホニルアミノ、(C1−C6−アルキル)アミノカルボニルアミノ、ジ(C1−C6−アルキル)アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール(C1−C6−アルキル)の群の内の1〜3個の基を有してもよい]
が挙げられる。
R3はC1−C6−アルキル基であり、かつ
R4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ/またはシアノ、ニトロ、C1−C6−アルキル、C1−C6−ハロアルキル、ヒドロキシル、C1−C6−ヒドロキシアルキル、C1−C6−アルコキシ、C1−C6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、C1−C6−アルコキシカルボニル、C1−C6−アルキルアミノ、ジ(C1−C6−アルキル)アミノ、アリール、およびアリール(C1−C6−アルキル)の群の内の1〜3個の基を有してもよいアリール基である。
反応は、不均一イミノ化触媒の存在下で行われる。イミノ化触媒は、対応するイミノ化合物へのカルボニル化合物の転化を触媒する。
銅を0.1〜95質量%;
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも1種の金属を0.1〜85質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
(但し、質量%の合計は100%を超えない)
含む。
銅を0.1〜90質量%;
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも1種の金属を0.1〜80質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜85質量%;
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも1種の金属を0.1〜80質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜50質量%;
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも1種の金属を0〜30質量%;
亜鉛を0.5〜50質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を5〜40質量%;
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも1種の金属を0〜30質量%;
亜鉛を5〜50質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を10〜35質量%;
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも1種の金属を0〜30質量%;
亜鉛を10〜45質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を10〜35質量%;
亜鉛を10〜40質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜50質量%;
ニッケルを0.1〜70質量%;
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも1種の金属を0〜20質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜40質量%;
ニッケルを1〜65質量%;
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも1種の金属を0〜10質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜25質量%;
ニッケルを3〜60質量%;
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも1種の金属を0〜10質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜25質量%;
ニッケルを3〜50質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒、好ましくはモリブデンを0〜5質量%
含む。
銅を2〜40質量%;
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも1種の金属を0.1〜80質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜40質量%;
ニッケルを0.1〜40質量%;
コバルトを0.1〜40質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜30質量%;
ニッケルを0.5〜35質量%;
コバルトを0.5〜35質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜20質量%;
ニッケルを1〜30質量%;
コバルトを1〜30質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜40質量%;
コバルトを0.1〜80質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜20質量%;
コバルトを2〜20質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を2〜15質量%;
コバルトを2〜15質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜5質量%
含む。
銅を5〜40質量%;
コバルトを20〜80質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒を0〜10質量%
含む。
銅を10〜25質量%;
コバルトを40〜70質量%;
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも1種の助触媒、好ましくはモリブデン、マンガンおよびリンを0.1〜8質量%
含む。
一般的に反応は溶媒中で行う。しかし、とりわけ式Iのイミンが反応温度で液体である場合には、反応をバルクで行うことも可能である。使用する溶媒は、反応条件下で不活性の溶媒であり、例えば、アルコール類(例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなど)、芳香族炭化水素類(例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなど)、エーテル類(例えば、ジエチルエーテル、メチルtert−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン)、双極性非プロトン性溶媒(例えば、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど)、またはこれらの混合物)であるが、アルコール類(例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなど、好ましくは、メタノール、エタノールおよびイソプロパノール)または芳香族炭化水素類(例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなど、好ましくは、トルエンまたはエチルベンゼン)またはこれらの混合物中で反応を行うのが好ましい。
原材料:
モンモリロナイトK10:Sigma−Aldrichから入手可能
Pt/C.10%Pt担持炭素担体
DE4428004と類似のNi/Cu/Mo
DE19826396と類似のNi/Co/Cu
試験方法
実施例1〜9のジアステレオマー比は、以下の通りに決定した:トリフルオロ酢酸による誘導体化、BGB175カラムでのガスクロマトグラフィ分離。
実施例1
最初に、丸底フラスコに入れたケトンに、(S)−(1−フェニルエチル)アミン、モンモリロナイトK10およびPt/Cを投入し、60℃で1時間撹拌する。その後、転化が完了するまで水素を導入する。
最初に、オートクレーブに入れたケトンに、(R)−(1−フェニルエチル)アミン(第2表)または(S)−(1−フェニルエチル)アミン(第3表)および2種の触媒(イミノ化用モンモリロナイトK10および水素化用貴金属触媒「Cat」)を投入する。オートクレーブを窒素で不活性化し、混合物を所定の温度で1時間撹拌する。オートクレーブに水素を所望の圧力まで注入し、水素化を数時間(実行時間)行う。最後に、オートクレーブを減圧する。
[式中、R1=メチル、R2=エチル、R3=メチル、R4=フェニル]
の化合物である。
実施例10〜11
最初に、丸底フラスコに入れたケトンに、(R)−(1−フェニルエチル)アミン(第4表)または(S)−(1−フェニルエチル)アミン(第5表)、モンモリロナイトおよびPt/Cを投入し、60℃で1時間撹拌する。その後、転化が完了するまで水素を導入する。
[式中、R1=メチル、R2=イソプロピル、R3=メチル、R4=フェニル]
の化合物である。
最初に、オートクレーブに入れたケトンに、(R)−(1−フェニルエチル)アミン(第6表)または(S)−(1−フェニルエチル)アミン(第7表)および2種の触媒(イミノ化用モンモリロナイトK10および水素化用貴金属触媒「Cat」)を投入する。オートクレーブを窒素で不活性化し、混合物を所定の温度で1時間撹拌する。オートクレーブに水素を所望の圧力まで注入し、水素化を数時間(実行時間)行う。最後に、オートクレーブを減圧する。
[式中、R1=メチル、R2=イソプロピル、R3=メチル、R4=フェニル]
の化合物である。
Claims (14)
- 式I
R1およびR2は異なり、それぞれが1〜20個の炭素原子を有しかつ場合によりヘテロ原子を含むこともできる有機基であり、
R3は、C1−C6−アルキル基であり、ならびに
R4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ/またはシアノ、ニトロ、C1−C6−アルキル、C1−C6−ハロアルキル、ヒドロキシル、C1−C6−ヒドロキシアルキル、C1−C6−アルコキシ、C1−C6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、C1−C6−アルコキシカルボニル、C1−C6−アルキルアミノ、ジ(C1−C6−アルキル)アミノ、アリールおよびアリール(C1−C6−アルキル)の群の内の1〜3個の基を有してもよいアリール基であり;
ならびに
*はSまたはR立体配置を表し、および
**はSおよび/またはR立体配置を表す]、
製造する方法であって、
不均一イミノ化触媒、水素化触媒および水素の存在下で前記反応を行うことを特徴とする方法。 - R1およびR2が異なり、それぞれが1〜20個の炭素原子を有する炭化水素基である、請求項1に記載の方法。
- R3がメチル基である、請求項1または2に記載の方法。
- R4がフェニル基または1−ナフチル基である、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 不均一イミノ化触媒が無機酸化物または混合酸化物である、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 不均一イミノ化触媒が珪酸塩、またはケイ素を含む混合酸化物である、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 水素化触媒が不均一銅触媒である、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
- 水素化触媒が、前記触媒の全質量に対して、銅を1〜95質量%含む、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
- 銅水素化触媒が担持触媒である、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 反応が溶媒の存在下で、またはバルク反応において行われる、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 反応が標準圧力から200バールまでで行われる、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 反応が室温から反応混合物の還流温度までで行われる、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。
- 反応が一段階で行われ、場合により形成される中間物が分離されない、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07150298 | 2007-12-21 | ||
EP07150298.3 | 2007-12-21 | ||
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