JP2011504452A - クロロシランから塩化アルミニウム及びその他の金属塩化物を除去する方法 - Google Patents
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- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 title claims abstract description 61
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 title claims abstract description 52
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- -1 AlCl 3 Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims 2
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 17
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 16
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001517013 Calidris pugnax Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N bromosilane Chemical compound Br[SiH3] VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10778—Purification
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Abstract
Description
Ruffによる米国特許第5,066,472号明細書の第1頁第28行によれば、「クロロシランは、通常は蒸留によって固体残渣から大まかに分離され、分離処理を必要とする懸濁液が残渣として残される」。同明細書は更に、第1頁第67行で、「それ故に、課題は、クロロシランを回収するとともに蒸留残渣を処理するための方法を見つけることにある」と述べている。
同様の工程は、Brenemanによる米国特許第4,743,344号明細書、及びBrenemanによる米国特許出願第2006/0183958号明細書において行われている。
本発明の別の目的は、アルミニウムを固体としてその他の固体混入物質とともに取り除くことである。
別の目的は、リン化合物を塩化アルミニウムと結合させ、続くリン化合物のトリクロロシラン中への急激な再放出を防ぐことによって、リンを取り除くことである。
本発明のまた別の目的は、資本コストの低い方法を提供することである。
本発明の更にまた別の目的は、塩素の内容物の回収に適した形態で廃棄物ストリームを提供することである。
撹拌手段を有する処理容器を提供する工程;
種材料と、純粋でない液体のクロロシランの溶液とを処理容器に導入する工程、前記純粋でない液体のクロロシランの溶液は、塩化アルミニウム及びその他の塩化物をその内部に有する;
液体のクロロシランの溶液中に溶解し、又は懸濁した塩化アルミニウム、及びその他の部分的に可溶な金属塩化物を維持し、一方で種及び液体のクロロシランの溶液を混合して、アルミニウム及び金属塩化物の層を種上に堆積させる工程、種及び液体のクロロシランの溶液の混合物を固体除去容器に移し、ここで固体含有量の高い液体である第1のストリーム及び固体含有量の減少した液体溶液である第2のストリームを製造する工程;
固体含有量の減少した液体溶液である第2のストリームを更なる方法又は容器に移し、固体含有量の高い液体である第1のストリームを廃棄物貯蔵容器又は更なる処理容器に移す工程;
を含む、液体のクロロシランからアルミニウム及びその他の金属塩化物を取り除くための方法を開示する。
STCにおけるモル溶解度=(1.35E−3)/28.8=4.69E−5
STCにおける溶解度のログ=−0.6221*(1000/T)−2.5361
Log(4.69E−5)=−4.33=−0.6221*(1000/T)−2.5361
T=346.9K=73.8℃
それ故に、底部ストリーム162の最小温度は73.8℃である。従って、塔の動作圧力は、底部温度がこの最小温度より上であることを保証するために設定することが出来る。この実施例における圧力は8bar(8×105Pa)であり、底部温度は必要とされる温度を十分に上回る140〜150℃の間であろう。底部ストリーム162中に100%のSTCを想定すると、必要とされる最小圧力は1.6bar(1.6×105Pa)であろう。同様の計算が、サイドドローを用いる場合などのその他のカラム設計のために実施可能であることは、当業者には明らかであろう。更なる工程は、流入する供給ストリーム159に懸濁した固体が含まれていないことをチェックする工程である。図2における式から、81.7℃(354.85K)の供給ストリームの温度での溶解度は以下の通りである。
温度の逆数 1000/T=2.818
STCにおける溶解度のログ=−0.6221*2.818−2.5361=−4.289
STCにおけるモル溶解度=10(−4.289)=5.14E−5
TCSにおける溶解度のログ=−0.3609*2.818−3.8276=−4.845
TCSにおけるモル溶解度= 10(−4.845)=1.43E−5
更なる工程は、各モル溶解度にSTC及びTCSのモル数を掛け(表1、ストリーム139を参照)、次いでこれらの結果を足し合わせてストリーム中に溶解可能なAlCl3の最大モル数を得ることである。
STC中に溶解したAlCl3のkgモル=(5.14E−5)*28.8=1.48E−3
TCS中に溶解したAlCl3のkgモル=(1.43E−5)*10.8=1.54E−4
混合物中に溶解したAlCl3の最大kgモル=1.634E−3
表1のストリーム139を見ると、1.348E−3kgモルの総AlCl3含有量に関して、2.28E−4kgモルの懸濁したAlCl3含有量、及び1.12E−3kgモルの溶解したAlCl3含有量が存在する。81.7℃のストリーム139の組成に関して溶解する最大のAlCl3含有量である1.634E−3kgモルの、ストリーム139中の実際のAlCl3含有量である1.348E−3kgモルに対する比は1.21であり、滞留時間内に、ヒーター163によって提供され、その接続パイプが蒸留カラム160につながる固体分離デバイス中を運ばれる非常に細かい粒子を溶解するための十分な駆動力を提供する。より長い滞留時間ではより低い駆動力であっても十分であり、逆もまた同じである。
Claims (12)
- 液体のクロロシランから、塩化アルミニウム及びその他の部分的に可溶な金属塩化物を取り除くための方法であって、
撹拌手段を有する処理容器を提供する工程;
種材料と、塩化アルミニウム及びその他の金属塩化物をその内部に有する純粋でない液体のクロロシランの溶液とを該処理容器に導入する工程;
該種及び液体のクロロシランの溶液を混合して塩化アルミニウム及び金属塩化物の層を該種上に堆積させながら、該液体のクロロシランの溶液中に溶解し、又は懸濁した該塩化アルミニウム、及びその他の部分的に可溶な金属塩化物を維持する工程;
種及び液体のクロロシランの溶液の該混合物を固体除去容器に移し、ここで固体含有量の高い液体である第1のストリーム及び固体含有量の減少した液体溶液である第2のストリームを製造する工程;
固体含有量の減少した液体溶液である該第2のストリームを更なる方法又は容器に移し、固体含有量の高い液体である該第1のストリームを廃棄物貯蔵容器又は更なる処理容器に移す工程;
を含む、前記方法。 - 塩化アルミニウムを含有するクロロシランの蒸気を液体のクロロシランに凝縮させて純粋でない液体のクロロシランの溶液を形成するより先に、該蒸気を最初に種の供給源と混合することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記純粋でない液体のクロロシランの溶液は、AlCl3、SbCl3、InCl、InCl2、GaCl、GaCl2、GaCl3、SnCl2、TlCl、ZnCl2、ZrCl4を含む化合物の第1の群から選択される一つ以上の除去可能で部分的に可溶な金属塩化物を含有し、前記部分的に可溶な金属塩化物は、該方法によって実質的に除去可能である、請求項1に記載の方法。
- 前記純粋でない液体のクロロシランの溶液はまた、BCl3、TiCl4、PCl3を含む第2の化合物の群から選択される一つ以上の完全に混和性の塩化物を含有し、前記第2の化合物は該方法によっては実質的に取り除かれない、請求項3に記載の方法。
- 前記混ざりもののある液体のクロロシランの溶液はまた、PH3、PH4Cl、POCl、及びPCl5を含む化合物の第1の群から選択される一つ以上の除去可能なリン化合物を含有し、前記化合物は、該方法において該アルミニウム及びその他の塩化物の固体に結合させることによって実質的に除去可能である、請求項3に記載の方法。
- 前記撹拌手段は、漏れ止めのシールを備えた機械式撹拌器である、請求項1に記載の方法。
- 前記固体除去容器は、液体サイクロンである、請求項1に記載の方法。
- 前記廃棄物貯蔵容器は、少なくとも一つの蒸気放出口及び少なくとも一つの固体放出口を有する加熱された容器である、請求項1に記載の方法。
- 該各処理工程の一つ以上を繰り返す、請求項1に記載の方法。
- 固体含有量の減少した液体溶液である該第2のストリームに、そのストリームの温度を増加させることによって該固体を再溶解させる工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 温度を減少させることによってアルミニウム及び金属塩化物の層を該種上に堆積させるように該種及び液体のクロロシランの溶液を混合しながら、該液体のクロロシランの溶液中に溶解し、又は懸濁した該塩化アルミニウム及びその他の部分的に可溶な金属塩化物の溶解度を減少させる、請求項1に記載の方法。
- 該クロロシランを気化することによってアルミニウム及び金属塩化物の層を該種上に堆積させるように該種及び液体のクロロシランの溶液を混合しながら、該液体のクロロシランの溶液中に溶解し、又は懸濁した該塩化アルミニウム及びその他の部分的に可溶な金属塩化物の溶解度を減少させる、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/080,918 US7736614B2 (en) | 2008-04-07 | 2008-04-07 | Process for removing aluminum and other metal chlorides from chlorosilanes |
US12/080,918 | 2008-04-07 | ||
PCT/US2009/002000 WO2009126218A1 (en) | 2008-04-07 | 2009-03-31 | A process for removing aluminum and other metal chlorides from chlorosilanes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011504452A true JP2011504452A (ja) | 2011-02-10 |
JP4691213B2 JP4691213B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=40790818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010535132A Expired - Fee Related JP4691213B2 (ja) | 2008-04-07 | 2009-03-31 | クロロシランから塩化アルミニウム及びその他の金属塩化物を除去する方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7736614B2 (ja) |
EP (1) | EP2262729B1 (ja) |
JP (1) | JP4691213B2 (ja) |
KR (1) | KR101005530B1 (ja) |
CN (1) | CN101925532B (ja) |
AU (1) | AU2009234474B2 (ja) |
CA (1) | CA2699458C (ja) |
ES (1) | ES2441219T3 (ja) |
HK (1) | HK1149540A1 (ja) |
TW (1) | TWI340125B (ja) |
WO (1) | WO2009126218A1 (ja) |
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WO2018074268A1 (ja) | 2016-10-18 | 2018-04-26 | 株式会社トクヤマ | 残渣廃棄方法及びトリクロロシランの製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101676203B (zh) | 2008-09-16 | 2015-06-10 | 储晞 | 生产高纯颗粒硅的方法 |
WO2012012228A2 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Circulon Hungary Ltd. | Calcining chamber and process |
US8840860B2 (en) * | 2010-07-23 | 2014-09-23 | Meyer Intellectual Properties Limited | Contamination free compression of corrosive gas |
CN103420381B (zh) * | 2012-05-15 | 2015-03-25 | 天华化工机械及自动化研究设计院有限公司 | 多晶硅生产四氯化硅渣浆回收处置方法及其装置 |
CN105110338A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-12-02 | 华陆工程科技有限责任公司 | 一种回收氯硅烷的方法 |
CN109231217B (zh) * | 2018-10-17 | 2023-10-31 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统和方法 |
CN109908621A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-06-21 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 渣浆分离前置输送系统及方法 |
CN114630809A (zh) * | 2019-11-22 | 2022-06-14 | 株式会社德山 | 三氯硅烷的制造方法及配管 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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AU2003258996A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-11-23 | Advanced Silicon Materials Llc | Process for the treatment of waste metal chlorides |
DE102004014220A1 (de) * | 2004-03-23 | 2005-10-13 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zum Abtrennen von Aluminiumchlorid aus Organochlorsilanen |
US7790129B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-09-07 | Lord Ltd., Lp | Set of processes for removing impurities from a silcon production facility |
-
2008
- 2008-04-07 US US12/080,918 patent/US7736614B2/en active Active - Reinstated
- 2008-12-04 TW TW097147211A patent/TWI340125B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2010535132A patent/JP4691213B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-31 ES ES09730025.5T patent/ES2441219T3/es active Active
- 2009-03-31 WO PCT/US2009/002000 patent/WO2009126218A1/en active Application Filing
- 2009-03-31 EP EP09730025.5A patent/EP2262729B1/en not_active Not-in-force
- 2009-03-31 CA CA2699458A patent/CA2699458C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-31 AU AU2009234474A patent/AU2009234474B2/en not_active Ceased
- 2009-03-31 KR KR1020107012577A patent/KR101005530B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-03-31 CN CN2009801031803A patent/CN101925532B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-11 HK HK11103613.8A patent/HK1149540A1/xx not_active IP Right Cessation
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KR20190062464A (ko) | 2016-10-18 | 2019-06-05 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 잔사 폐기 방법 및 트리클로로실란의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101005530B1 (ko) | 2011-01-04 |
CN101925532B (zh) | 2013-07-10 |
CA2699458C (en) | 2011-01-04 |
US7736614B2 (en) | 2010-06-15 |
EP2262729B1 (en) | 2013-10-02 |
CN101925532A (zh) | 2010-12-22 |
TWI340125B (en) | 2011-04-11 |
WO2009126218A1 (en) | 2009-10-15 |
EP2262729A1 (en) | 2010-12-22 |
TW200942491A (en) | 2009-10-16 |
AU2009234474A1 (en) | 2009-10-15 |
HK1149540A1 (en) | 2011-10-07 |
ES2441219T3 (es) | 2014-02-03 |
JP4691213B2 (ja) | 2011-06-01 |
CA2699458A1 (en) | 2009-10-15 |
US20090250403A1 (en) | 2009-10-08 |
AU2009234474B2 (en) | 2010-09-09 |
KR20100087367A (ko) | 2010-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110120 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |