JP2011501412A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011501412A5 JP2011501412A5 JP2010528920A JP2010528920A JP2011501412A5 JP 2011501412 A5 JP2011501412 A5 JP 2011501412A5 JP 2010528920 A JP2010528920 A JP 2010528920A JP 2010528920 A JP2010528920 A JP 2010528920A JP 2011501412 A5 JP2011501412 A5 JP 2011501412A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- electrode
- backside
- control plate
- electrode assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
本発明は、次の態様を含む。
[態様1]熱制御板と、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、固定器具とを備える電極アセンブリであって、
前記熱制御板は、裏側と、前側と、プロセスガスを前記熱制御板の前記前側に仕向けるように構成された1つ又は2つ以上のプロセスガス通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、裏側と、前側と、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側から前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側に到る複数のシャワーヘッド通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された複数の部分凹所を含み、前記部分凹所は、前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間にシリコンベースの電極材料の厚みを残し、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた裏側挿入物を含み、
前記熱制御板は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物に前記固定器具がアクセスすることを可能にするように構成された固定器具通路を含み、
前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とは、前記熱制御板の前記前側が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に面するように、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極内の前記シャワーヘッド通路が前記熱制御板内の前記プロセスガス通路と位置合わせされるように、及び前記固定器具通路が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物と位置合わせされるように、係合され、
前記固定器具は、前記熱制御板内の前記固定器具通路を少なくとも部分的に通り、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物と係合し、
前記固定器具及び前記裏側挿入物は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との係合を維持するように、及び切り離しの際に前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記シリコンベースの電極材料を前記固定器具との摩擦接触から隔離しながら前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との切り離しを可能にするように構成される、電極アセンブリ。
[態様2]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記固定器具及び前記裏側挿入物は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との係合及び切り離しを繰り返すこと、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とを非破壊的に切り離すこと、又はその両方を可能にするように構成される、電極アセンブリ。
[態様3]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記固定器具、前記裏側挿入物、及び前記部分凹所は、前記固定器具と前記裏側挿入物とが係合されている状態で、前記裏側挿入物が前記部分凹所から外れることなく前記固定器具とともに前記部分凹所内で動くことができるように構成される、電極アセンブリ。
[態様4]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物の硬度は、前記シリコンベースの電極材料の硬度を上回らない、電極アセンブリ。
[態様5]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、前記裏側挿入物の硬度が前記シリコンベースの電極材料の硬度を上回らないように作成及び製造されたポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を含む、電極アセンブリ。
[態様6]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間のシリコンベースの電極材料の厚みは、少なくともおよそ0.25cmである、電極アセンブリ。
[態様7]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間の前記シリコンベースの電極材料の厚みは、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の全厚みの少なくともおよそ25%である、電極アセンブリ。
[態様8]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、それらが前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に対して嵌め込まれるように前記部分凹所内に位置付けられる、電極アセンブリ。
[態様9]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、ツール係合部分と、ツールが前記挿入物の辺縁を超えることなく前記裏側挿入物と係合することを可能にするように構成された1つ又は2つ以上の外側遮蔽部分とを含む、電極アセンブリ。
[態様10]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物の少なくとも1つは、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された前記部分凹所の1つの中の係留具として構成される、電極アセンブリ。
[態様11]態様10に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、前記シャワーヘッド電極の前記電極材料内に形成された下切り部分を挿入及び回転の方式で補完するように構成されたタブを含む、電極アセンブリ。
[態様12]態様11に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、バネ荷重状態で前記凹所内に固定される、電極アセンブリ。
[態様13]態様12に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物の外径寸法並びに前記タブのサイズ及び形状は、前記挿入物がバネ荷重状態で前記部分凹所内で動くことができるように選択される、電極アセンブリ。
[態様14]態様10に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、前記シリコンベースの電極材料内に形成されたネジ切り部分によって前記部分凹所内に係留される、電極アセンブリ。
[態様15]態様10に記載の電極アセンブリであって、
前記部分凹所は、下切り部分を含み、前記裏側挿入物は、それを前記部分凹所の前記下切り部分に少なくとも部分的に入り込むように位置付けることによって前記部分凹所内に係留される、電極アセンブリ。
[態様16]態様10に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、前記熱制御板内の前記固定器具通路の1つに入り込むように構成された裏側延長を含むスタッドとして構成され、前記固定器具は、前記固定器具通路内の前記裏側挿入物の前記裏側延長にアクセスするように構成される、電極アセンブリ。
[態様17]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記固定器具及び前記裏側挿入物は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とのバネ荷重係合を提供するように構成される、電極アセンブリ。
[態様18]態様17に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物の少なくとも1つは、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された前記部分凹所の1つの中の係留具として構成され、前記固定器具は、前記固定器具が前記裏側挿入物にアクセスするときに提供される係合の力に対抗するように構成されたバネ要素を含む、電極アセンブリ。
[態様19]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記シリコンベースの電極材料は、単結晶シリコンを含む、電極アセンブリ。
[態様20]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記シリコンベースの電極材料は、ポリシリコン、シリコン窒化物、シリコン炭化物、炭化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、又はそれらの組み合わせを含む、電極アセンブリ。
[態様21]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、一体的な円形シャワーヘッド構成、又は円形の中心電極と前記中心電極の周囲に配置された1つ若しくは2つ以上の周辺電極とを含む複部構成の円形シャワーヘッド構成を含む、電極アセンブリ。
[態様22]態様1に記載の電極アセンブリであって、更に、
前記熱制御板の前記前側と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側との間に位置付けられた熱伝導性ガスケットを備える電極アセンブリ。
[態様23]真空源と、プロセスガス供給と、プラズママ動力供給と、基板サポートと、上部電極アセンブリとを備えるプラズマ処理チャンバであって、
前記真空源は、前記プラズマ処理チャンバを少なくとも部分的に排気するように構成され、
前記真空サポートは、前記プラズマ処理チャンバの排気部分内に位置付けられ、前記上部電極アセンブリから離れた基板電極を含み、
前記基板電極及び前記上部電極アセンブリは、動作可能式に前記プラズマ動力供給に結合され、
前記上部電極アセンブリは、熱制御板と、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、固定器具とを含み、
前記熱制御板は、裏側と、前側と、プロセスガスを前記プロセスガス供給から前記熱制御板の前記前側に仕向けるように構成された1つ又は2つ以上のプロセスガス通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、裏側と、前側と、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側から前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側に到る複数のシャワーヘッド通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された複数の部分凹所を含み、前記部分凹所は、前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間にシリコンベースの電極材料の厚みを残し、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた裏側挿入物を含み、
前記熱制御板は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物に前記固定器具がアクセスすることを可能にするように構成された固定器具通路を含み、
前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とは、前記熱制御板の前記前側が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に面するように、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極内の前記シャワーヘッド通路が前記熱制御板内の前記プロセスガス通路と位置合わせされるように、及び前記固定器具通路が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物と位置合わせされるように、係合され、
前記固定器具は、前記熱制御板内の前記固定器具通路を少なくとも部分的に通り、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物と係合し、
前記固定器具及び前記裏側挿入物は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との係合を維持するように、及び切り離しの際に前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記シリコンベースの電極材料を前記固定器具との摩擦接触から隔離しながら前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との切り離しを可能にするように構成される、プラズマ処理チャンバ。
[態様24]態様23に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記上部電極アセンブリの前記熱制御板及び前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、プラズマ仕切りを画定するように構成され、
前記固定器具及び前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記挿入物は、前記プラズマ仕切りによって前記プラズマ処理チャンバの前記排気部分内の反応種から隔離される、プラズマ処理チャンバ。
[態様25]熱制御板と、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、固定器具とを備える電極アセンブリであって、
前記熱制御板は、裏側と、前側と、プロセスガスを前記熱制御板の前記前側に仕向けるように構成された1つ又は2つ以上のプロセスガス通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、裏側と、前側と、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側から前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側に到る複数のシャワーヘッド通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された複数のネジ切り部分凹所を含み、前記ネジ切り部分凹所は、前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間にシリコンベースの電極材料の厚みを残し、
前記熱制御板は、更に、固定器具が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記ネジ切り部分凹所にアクセスすることを可能にするように構成された固定器具通路を含み、
前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とは、前記熱制御板の前記前側が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に面するように、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極内の前記シャワーヘッド通路が前記熱制御板内の前記プロセスガス通路と位置合わせされるように、及び前記固定器具通路が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記ネジ切り部分凹所と位置合わせされるように、係合され、
前記固定器具は、前記熱制御板内の前記固定器具通路を少なくとも部分的に通り、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記ネジ切り部分凹所と係合し、
前記固定器具及び前記ネジ切り部分凹所は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との係合を維持するように、及び前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との切り離しを可能にするように構成される、電極アセンブリ。
[態様26]裏側と、前側と、複数のシャワーヘッド通路と、複数の裏側凹所と、複数の裏側挿入物とを備えるシリコンベースのシャワーヘッド電極であって、
前記複数のシャワーヘッド通路は、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側から前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側に到り、
前記複数の裏側凹所は、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成され、前記裏側凹所は、前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間にシリコンベースの電極材料の厚みを残し、
前記裏側挿入物は、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記裏側凹所内に位置付けられ、
前記裏側挿入物は、ネジ切り外径と、ネジ切り内径と、前記ネジ切り内径内に形成されたツール係合部分とを含み、
前記ツール係合部分は、前記裏側挿入物の前記ツール係合部分と 係合されたツールが前記挿入物の前記ネジ切り外径を超えないように、前記ツール係合部分と前記ネジ切り外形部分との間に1つ又は2つ以上の外側遮蔽部分を更に含むように形成される、シリコンベースのシャワーヘッド電極。
[態様27] 態様1に記載のシリコンベースのシャワーヘッド電極であって、
トルクを受ける溝は、前記裏側挿入物の回転軸に平行な方向に沿って、次第に狭くならない断面形状を定める、シリコンベースのシャワーヘッド電極。
本発明の個々の実施形態に関する以下の詳細な説明は、以下の図面とあわせて読まれたときに最も良く理解することができる。図中、類似の構造は、類似の参照符号によって示されるものとする。
[態様1]熱制御板と、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、固定器具とを備える電極アセンブリであって、
前記熱制御板は、裏側と、前側と、プロセスガスを前記熱制御板の前記前側に仕向けるように構成された1つ又は2つ以上のプロセスガス通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、裏側と、前側と、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側から前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側に到る複数のシャワーヘッド通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された複数の部分凹所を含み、前記部分凹所は、前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間にシリコンベースの電極材料の厚みを残し、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた裏側挿入物を含み、
前記熱制御板は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物に前記固定器具がアクセスすることを可能にするように構成された固定器具通路を含み、
前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とは、前記熱制御板の前記前側が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に面するように、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極内の前記シャワーヘッド通路が前記熱制御板内の前記プロセスガス通路と位置合わせされるように、及び前記固定器具通路が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物と位置合わせされるように、係合され、
前記固定器具は、前記熱制御板内の前記固定器具通路を少なくとも部分的に通り、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物と係合し、
前記固定器具及び前記裏側挿入物は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との係合を維持するように、及び切り離しの際に前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記シリコンベースの電極材料を前記固定器具との摩擦接触から隔離しながら前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との切り離しを可能にするように構成される、電極アセンブリ。
[態様2]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記固定器具及び前記裏側挿入物は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との係合及び切り離しを繰り返すこと、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とを非破壊的に切り離すこと、又はその両方を可能にするように構成される、電極アセンブリ。
[態様3]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記固定器具、前記裏側挿入物、及び前記部分凹所は、前記固定器具と前記裏側挿入物とが係合されている状態で、前記裏側挿入物が前記部分凹所から外れることなく前記固定器具とともに前記部分凹所内で動くことができるように構成される、電極アセンブリ。
[態様4]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物の硬度は、前記シリコンベースの電極材料の硬度を上回らない、電極アセンブリ。
[態様5]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、前記裏側挿入物の硬度が前記シリコンベースの電極材料の硬度を上回らないように作成及び製造されたポリエーテルエーテルケトン(PEEK)を含む、電極アセンブリ。
[態様6]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間のシリコンベースの電極材料の厚みは、少なくともおよそ0.25cmである、電極アセンブリ。
[態様7]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間の前記シリコンベースの電極材料の厚みは、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の全厚みの少なくともおよそ25%である、電極アセンブリ。
[態様8]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、それらが前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に対して嵌め込まれるように前記部分凹所内に位置付けられる、電極アセンブリ。
[態様9]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、ツール係合部分と、ツールが前記挿入物の辺縁を超えることなく前記裏側挿入物と係合することを可能にするように構成された1つ又は2つ以上の外側遮蔽部分とを含む、電極アセンブリ。
[態様10]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物の少なくとも1つは、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された前記部分凹所の1つの中の係留具として構成される、電極アセンブリ。
[態様11]態様10に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、前記シャワーヘッド電極の前記電極材料内に形成された下切り部分を挿入及び回転の方式で補完するように構成されたタブを含む、電極アセンブリ。
[態様12]態様11に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、バネ荷重状態で前記凹所内に固定される、電極アセンブリ。
[態様13]態様12に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物の外径寸法並びに前記タブのサイズ及び形状は、前記挿入物がバネ荷重状態で前記部分凹所内で動くことができるように選択される、電極アセンブリ。
[態様14]態様10に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、前記シリコンベースの電極材料内に形成されたネジ切り部分によって前記部分凹所内に係留される、電極アセンブリ。
[態様15]態様10に記載の電極アセンブリであって、
前記部分凹所は、下切り部分を含み、前記裏側挿入物は、それを前記部分凹所の前記下切り部分に少なくとも部分的に入り込むように位置付けることによって前記部分凹所内に係留される、電極アセンブリ。
[態様16]態様10に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物は、前記熱制御板内の前記固定器具通路の1つに入り込むように構成された裏側延長を含むスタッドとして構成され、前記固定器具は、前記固定器具通路内の前記裏側挿入物の前記裏側延長にアクセスするように構成される、電極アセンブリ。
[態様17]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記固定器具及び前記裏側挿入物は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とのバネ荷重係合を提供するように構成される、電極アセンブリ。
[態様18]態様17に記載の電極アセンブリであって、
前記裏側挿入物の少なくとも1つは、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された前記部分凹所の1つの中の係留具として構成され、前記固定器具は、前記固定器具が前記裏側挿入物にアクセスするときに提供される係合の力に対抗するように構成されたバネ要素を含む、電極アセンブリ。
[態様19]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記シリコンベースの電極材料は、単結晶シリコンを含む、電極アセンブリ。
[態様20]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記シリコンベースの電極材料は、ポリシリコン、シリコン窒化物、シリコン炭化物、炭化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、又はそれらの組み合わせを含む、電極アセンブリ。
[態様21]態様1に記載の電極アセンブリであって、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、一体的な円形シャワーヘッド構成、又は円形の中心電極と前記中心電極の周囲に配置された1つ若しくは2つ以上の周辺電極とを含む複部構成の円形シャワーヘッド構成を含む、電極アセンブリ。
[態様22]態様1に記載の電極アセンブリであって、更に、
前記熱制御板の前記前側と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側との間に位置付けられた熱伝導性ガスケットを備える電極アセンブリ。
[態様23]真空源と、プロセスガス供給と、プラズママ動力供給と、基板サポートと、上部電極アセンブリとを備えるプラズマ処理チャンバであって、
前記真空源は、前記プラズマ処理チャンバを少なくとも部分的に排気するように構成され、
前記真空サポートは、前記プラズマ処理チャンバの排気部分内に位置付けられ、前記上部電極アセンブリから離れた基板電極を含み、
前記基板電極及び前記上部電極アセンブリは、動作可能式に前記プラズマ動力供給に結合され、
前記上部電極アセンブリは、熱制御板と、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、固定器具とを含み、
前記熱制御板は、裏側と、前側と、プロセスガスを前記プロセスガス供給から前記熱制御板の前記前側に仕向けるように構成された1つ又は2つ以上のプロセスガス通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、裏側と、前側と、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側から前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側に到る複数のシャワーヘッド通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された複数の部分凹所を含み、前記部分凹所は、前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間にシリコンベースの電極材料の厚みを残し、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた裏側挿入物を含み、
前記熱制御板は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物に前記固定器具がアクセスすることを可能にするように構成された固定器具通路を含み、
前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とは、前記熱制御板の前記前側が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に面するように、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極内の前記シャワーヘッド通路が前記熱制御板内の前記プロセスガス通路と位置合わせされるように、及び前記固定器具通路が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物と位置合わせされるように、係合され、
前記固定器具は、前記熱制御板内の前記固定器具通路を少なくとも部分的に通り、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記部分凹所内に位置付けられた前記裏側挿入物と係合し、
前記固定器具及び前記裏側挿入物は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との係合を維持するように、及び切り離しの際に前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記シリコンベースの電極材料を前記固定器具との摩擦接触から隔離しながら前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との切り離しを可能にするように構成される、プラズマ処理チャンバ。
[態様24]態様23に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記上部電極アセンブリの前記熱制御板及び前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、プラズマ仕切りを画定するように構成され、
前記固定器具及び前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記挿入物は、前記プラズマ仕切りによって前記プラズマ処理チャンバの前記排気部分内の反応種から隔離される、プラズマ処理チャンバ。
[態様25]熱制御板と、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、固定器具とを備える電極アセンブリであって、
前記熱制御板は、裏側と、前側と、プロセスガスを前記熱制御板の前記前側に仕向けるように構成された1つ又は2つ以上のプロセスガス通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、裏側と、前側と、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側から前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側に到る複数のシャワーヘッド通路とを含み、
前記シリコンベースのシャワーヘッド電極は、更に、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成された複数のネジ切り部分凹所を含み、前記ネジ切り部分凹所は、前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間にシリコンベースの電極材料の厚みを残し、
前記熱制御板は、更に、固定器具が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記ネジ切り部分凹所にアクセスすることを可能にするように構成された固定器具通路を含み、
前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極とは、前記熱制御板の前記前側が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に面するように、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極内の前記シャワーヘッド通路が前記熱制御板内の前記プロセスガス通路と位置合わせされるように、及び前記固定器具通路が前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記ネジ切り部分凹所と位置合わせされるように、係合され、
前記固定器具は、前記熱制御板内の前記固定器具通路を少なくとも部分的に通り、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記ネジ切り部分凹所と係合し、
前記固定器具及び前記ネジ切り部分凹所は、前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との係合を維持するように、及び前記熱制御板と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極との切り離しを可能にするように構成される、電極アセンブリ。
[態様26]裏側と、前側と、複数のシャワーヘッド通路と、複数の裏側凹所と、複数の裏側挿入物とを備えるシリコンベースのシャワーヘッド電極であって、
前記複数のシャワーヘッド通路は、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側から前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側に到り、
前記複数の裏側凹所は、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に形成され、前記裏側凹所は、前記凹所と前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記前側との間にシリコンベースの電極材料の厚みを残し、
前記裏側挿入物は、前記シリコンベースのシャワーヘッド電極の前記裏側に沿って前記裏側凹所内に位置付けられ、
前記裏側挿入物は、ネジ切り外径と、ネジ切り内径と、前記ネジ切り内径内に形成されたツール係合部分とを含み、
前記ツール係合部分は、前記裏側挿入物の前記ツール係合部分と 係合されたツールが前記挿入物の前記ネジ切り外径を超えないように、前記ツール係合部分と前記ネジ切り外形部分との間に1つ又は2つ以上の外側遮蔽部分を更に含むように形成される、シリコンベースのシャワーヘッド電極。
[態様27] 態様1に記載のシリコンベースのシャワーヘッド電極であって、
トルクを受ける溝は、前記裏側挿入物の回転軸に平行な方向に沿って、次第に狭くならない断面形状を定める、シリコンベースのシャワーヘッド電極。
本発明の個々の実施形態に関する以下の詳細な説明は、以下の図面とあわせて読まれたときに最も良く理解することができる。図中、類似の構造は、類似の参照符号によって示されるものとする。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/871,586 US8152954B2 (en) | 2007-10-12 | 2007-10-12 | Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same |
US11/871,586 | 2007-10-12 | ||
PCT/US2008/075676 WO2009048703A1 (en) | 2007-10-12 | 2008-09-09 | Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011501412A JP2011501412A (ja) | 2011-01-06 |
JP2011501412A5 true JP2011501412A5 (ja) | 2012-06-07 |
JP5450427B2 JP5450427B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=40533040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010528920A Active JP5450427B2 (ja) | 2007-10-12 | 2008-09-09 | シャワーヘッド電極アセンブリ及びそれを組み入れたプラズマ処理チャンバ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8152954B2 (ja) |
JP (1) | JP5450427B2 (ja) |
KR (1) | KR101573947B1 (ja) |
CN (2) | CN102766855B (ja) |
TW (1) | TWI380392B (ja) |
WO (1) | WO2009048703A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7488421B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-05-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体プロセスチャンバ構成要素のための改善されたネジ山の形状 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7721488B1 (en) * | 2005-10-05 | 2010-05-25 | Bennett Scott A | Flashing apparatus for external use on structures |
US8216418B2 (en) * | 2007-06-13 | 2012-07-10 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings |
US8187414B2 (en) | 2007-10-12 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers |
US8187413B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket |
US8161906B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US8206506B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8221582B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
US8402918B2 (en) * | 2009-04-07 | 2013-03-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode with centering feature |
US8272346B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
US8419959B2 (en) * | 2009-09-18 | 2013-04-16 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
KR200464037Y1 (ko) * | 2009-10-13 | 2012-12-07 | 램 리써치 코포레이션 | 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극 |
US8573152B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8470127B2 (en) * | 2011-01-06 | 2013-06-25 | Lam Research Corporation | Cam-locked showerhead electrode and assembly |
KR101241049B1 (ko) | 2011-08-01 | 2013-03-15 | 주식회사 플라즈마트 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
KR101246191B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2013-03-21 | 주식회사 윈텔 | 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치 |
CN102522306A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-06-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 喷淋头 |
US11391315B2 (en) * | 2012-10-25 | 2022-07-19 | Elijah Tooling, Inc. | Precision threaded locator fastener bushing |
KR102127715B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2020-06-29 | 에스케이실트론 주식회사 | 에피텍셜 반응기 |
TW201517112A (zh) * | 2013-10-09 | 2015-05-01 | Applied Materials Inc | 具有同軸和方位角對稱和具有一致中央觸發的多區中空陰極放電系統 |
FR3020641A1 (fr) * | 2014-04-30 | 2015-11-06 | Ion Beam Services | Dispositif de diffusion de gaz passive |
US20150361582A1 (en) * | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Veeco Instruments, Inc. | Gas Flow Flange For A Rotating Disk Reactor For Chemical Vapor Deposition |
US9528185B2 (en) * | 2014-08-22 | 2016-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by arrays of unit cell plasmas |
CN108028175B (zh) * | 2015-09-22 | 2019-06-28 | 应用材料公司 | 喷头支撑结构 |
TWI582823B (zh) * | 2015-11-17 | 2017-05-11 | 弘潔科技股份有限公司 | 一種用於電漿反應室之氣體分散板 |
US10403476B2 (en) | 2016-11-09 | 2019-09-03 | Lam Research Corporation | Active showerhead |
US10607817B2 (en) * | 2016-11-18 | 2020-03-31 | Applied Materials, Inc. | Thermal repeatability and in-situ showerhead temperature monitoring |
JP6747960B6 (ja) * | 2016-12-16 | 2020-09-16 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN110942969B (zh) * | 2018-09-21 | 2022-08-23 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种气体喷淋头组件及其等离子体处理设备 |
KR102198929B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2021-01-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛 |
DE102019117479A1 (de) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Aixtron Se | In einem CVD-Reaktor verwendbares flaches Bauteil |
US20220064797A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Applied Materials, Inc. | Showerhead design to control stray deposition |
JP7534049B2 (ja) | 2021-01-20 | 2024-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 保持部材、上部電極アセンブリ、及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3783173A (en) * | 1972-05-19 | 1974-01-01 | Us Army | Gasket-electrically conductive |
US4654754A (en) * | 1982-11-02 | 1987-03-31 | Fairchild Weston Systems, Inc. | Thermal link |
US4595484A (en) * | 1985-12-02 | 1986-06-17 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching apparatus |
KR880000215A (ko) * | 1986-06-10 | 1988-03-24 | 나까므라 히사오 | 시이트(sheet)상 물체의 플라즈마 처리장치 |
US4782893A (en) * | 1986-09-15 | 1988-11-08 | Trique Concepts, Inc. | Electrically insulating thermally conductive pad for mounting electronic components |
US4960488A (en) * | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
US4792378A (en) * | 1987-12-15 | 1988-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor |
US4820371A (en) * | 1987-12-15 | 1989-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Apertured ring for exhausting plasma reactor gases |
US6063233A (en) * | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
WO1995002313A1 (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heat dissipating sheet |
CA2129073C (en) * | 1993-09-10 | 2007-06-05 | John P. Kalinoski | Form-in-place emi gaskets |
DE4339786C5 (de) * | 1993-11-18 | 2004-02-05 | Emi-Tec Elektronische Materialien Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Anordung zur Wärmeableitung |
US5545473A (en) * | 1994-02-14 | 1996-08-13 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Thermally conductive interface |
US5679457A (en) * | 1995-05-19 | 1997-10-21 | The Bergquist Company | Thermally conductive interface for electronic devices |
US5534751A (en) * | 1995-07-10 | 1996-07-09 | Lam Research Corporation | Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement |
US5932007A (en) * | 1996-06-04 | 1999-08-03 | General Signal Technology Corporation | Method and apparatus for securely supporting a growing crystal in a czochralski crystal growth system |
JP3310171B2 (ja) * | 1996-07-17 | 2002-07-29 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3480271B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置のシャワーヘッド構造 |
US6096414A (en) * | 1997-11-25 | 2000-08-01 | Parker-Hannifin Corporation | High dielectric strength thermal interface material |
US6131646A (en) * | 1998-01-19 | 2000-10-17 | Trw Inc. | Heat conductive interface material |
US6220607B1 (en) * | 1998-04-17 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Thermally conductive conformal media |
US6073577A (en) * | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
US6050216A (en) * | 1998-08-21 | 2000-04-18 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode for plasma processing |
US6379491B1 (en) * | 1998-10-30 | 2002-04-30 | Promos Technologies, Inc. | Plasma chamber with erosion resistive securement screws |
US6165612A (en) * | 1999-05-14 | 2000-12-26 | The Bergquist Company | Thermally conductive interface layers |
US6245192B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6200415B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-03-13 | Lam Research Corporation | Load controlled rapid assembly clamp ring |
US6451157B1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-09-17 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6496373B1 (en) * | 1999-11-04 | 2002-12-17 | Amerasia International Technology, Inc. | Compressible thermally-conductive interface |
US6343647B2 (en) * | 2000-01-11 | 2002-02-05 | Thermax International, Ll.C. | Thermal joint and method of use |
US6477980B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
US6170432B1 (en) * | 2000-01-24 | 2001-01-09 | M.E.C. Technology, Inc. | Showerhead electrode assembly for plasma processing |
US6475933B1 (en) * | 2000-01-27 | 2002-11-05 | Northrop Grumman Corporation | Highly conductive elastomeric sheet |
JP3990867B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2007-10-17 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 |
JP2001244242A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
EP1264126B1 (en) * | 2000-03-06 | 2007-12-05 | Interface Solutions, Inc. | Gaskets with controlled flange surface adhesion properties |
US7220937B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination |
JP2002093777A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-03-29 | Nisshinbo Ind Inc | ドライエッチング装置 |
US6412437B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and plasma enhanced chemical vapor deposition process |
AU2001291278A1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-13 | Nobel Biocare Ab | Impression cap |
US6872281B1 (en) * | 2000-09-28 | 2005-03-29 | Lam Research Corporation | Chamber configuration for confining a plasma |
US6391787B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
US6651736B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-11-25 | Intel Corporation | Short carbon fiber enhanced thermal grease |
US20030106644A1 (en) * | 2001-07-19 | 2003-06-12 | Sirkis Murray D. | Electrode apparatus and method for plasma processing |
US6786175B2 (en) * | 2001-08-08 | 2004-09-07 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode design for semiconductor processing reactor |
JP4102873B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置 |
JP3868341B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2007-01-17 | 日清紡績株式会社 | 耐熱性に優れたプラズマエッチング電極及びそれを装着したドライエッチング装置 |
US7208192B2 (en) * | 2002-05-31 | 2007-04-24 | Parker-Hannifin Corporation | Thermally or electrically-conductive form-in-place gap filter |
JP3714924B2 (ja) | 2002-07-11 | 2005-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CA2514496C (en) * | 2003-01-23 | 2014-07-29 | William Marsh Rice University | Smart materials: strain sensing and stress determination by means of nanotube sensing systems, composites, and devices |
US7153388B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same |
US7205050B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-04-17 | Permatex, Inc. | Low shear adhesion RTV silicone |
JP2005019606A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置におけるガスシャワーヘッドまたはターゲットプレートを電極に固定する装置 |
US7137444B2 (en) * | 2003-09-08 | 2006-11-21 | Pacific Rubber & Packing, Inc. | Heat-transfer interface device between a source of heat and a heat-receiving object |
US7645341B2 (en) | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
IL160145A0 (en) * | 2004-01-29 | 2004-06-20 | Univ Ben Gurion | Method for the preparation of dispersions of carbon nanotubes |
US6983892B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-01-10 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead for semiconductor processing |
CN1669796B (zh) * | 2004-02-23 | 2012-05-23 | 周星工程股份有限公司 | 用于制造显示基板的装置及装配在其中的喷头组合 |
US8317968B2 (en) * | 2004-04-30 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing |
US7712434B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing |
US7429410B2 (en) * | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
KR100628888B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2006-09-26 | 삼성전자주식회사 | 샤워 헤드 온도 조절 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치 |
US7430986B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics |
KR100745971B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2007-08-02 | 정경철 | 7개 규격의 시력교정용 핀홀렌즈 세트 |
JP4506557B2 (ja) | 2005-05-18 | 2010-07-21 | 株式会社島津製作所 | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 |
KR100629358B1 (ko) * | 2005-05-24 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 샤워 헤드 |
JP4819411B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2007067150A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理装置用のシャワープレート及びプラズマ処理装置 |
US8679252B2 (en) * | 2005-09-23 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Actively heated aluminum baffle component having improved particle performance and methods of use and manufacture thereof |
JP4777790B2 (ja) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理室用構造物、プラズマ処理室、及びプラズマ処理装置 |
US8789493B2 (en) * | 2006-02-13 | 2014-07-29 | Lam Research Corporation | Sealed elastomer bonded Si electrodes and the like for reduced particle contamination in dielectric etch |
US20080081114A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for delivering uniform fluid flow in a chemical deposition system |
US7854820B2 (en) * | 2006-10-16 | 2010-12-21 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
JP2008103589A (ja) | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd | 半導体処理装置用シャワーヘッド及び半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板 |
US7806413B2 (en) * | 2006-11-08 | 2010-10-05 | Federal-Mogul Corporation | Static gasket |
-
2007
- 2007-10-12 US US11/871,586 patent/US8152954B2/en active Active
-
2008
- 2008-09-09 WO PCT/US2008/075676 patent/WO2009048703A1/en active Application Filing
- 2008-09-09 JP JP2010528920A patent/JP5450427B2/ja active Active
- 2008-09-09 CN CN201210273737.1A patent/CN102766855B/zh active Active
- 2008-09-09 CN CN200880121177.XA patent/CN101896637B/zh active Active
- 2008-09-09 KR KR1020107009956A patent/KR101573947B1/ko active IP Right Review Request
- 2008-09-10 TW TW097134776A patent/TWI380392B/zh active
-
2012
- 2012-03-01 US US13/409,527 patent/US8268117B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7488421B2 (ja) | 2020-09-25 | 2024-05-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体プロセスチャンバ構成要素のための改善されたネジ山の形状 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011501412A5 (ja) | ||
JP5450427B2 (ja) | シャワーヘッド電極アセンブリ及びそれを組み入れたプラズマ処理チャンバ | |
KR101651457B1 (ko) | 앵커링 인서트, 전극 어셈블리, 및 플라즈마 프로세싱 챔버 | |
JP7232892B2 (ja) | 高温プロセスのための基板支持アセンブリ | |
JP5579162B2 (ja) | 電極アセンブリ及び熱伝導ガスケットを用いるプラズマ処理チャンバ | |
KR101541201B1 (ko) | 열 도전성 개스킷 및 o-링을 이용한 전극 어셈블리 및 플라즈마 프로세싱 챔버 | |
TWM396482U (en) | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode | |
JP5615813B2 (ja) | クランプ式シャワーヘッド電極組立体 | |
JP3167751U (ja) | クランプ式モノリシックシャワーヘッド電極 | |
JP5650547B2 (ja) | カムロック電極クランプ | |
WO2003015133A3 (en) | Showerhead electrode design for semiconductor processing reactor | |
TW200834803A (en) | Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck | |
US20110186229A1 (en) | Gas shower structure and substrate processing apparatus | |
US20110024049A1 (en) | Light-up prevention in electrostatic chucks | |
US20090126633A1 (en) | Electrode/probe assemblies and plasma processing chambers incorporating the same | |
TW201218271A (en) | Adapter ring for silicon electrode |