JP2011257222A - 欠陥検査方法および欠陥検査装置 - Google Patents
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Abstract
レーザ暗視野方式の基板検査装置では,照明光の可干渉性が高いことにより,酸化膜(透明膜)が表面に形成された基板の検査においては膜内多重干渉による反射強度の変動が生じる。また,金属膜が表面に形成された基板の検査においては,金属膜の表面粗さ(ラフネス,グレインなど)による散乱光が干渉して背景光ノイズが大きくなり,欠陥検出を感度低下させていた。
【解決手段】
指向性の良いブロードバンド光源(スーパーコンティニュアム光源など)を用いた低干渉かつ高輝度な照明により上記課題を解決する。また,従来のレーザ光源も併用し,光源を使い分けることでウエハの状態に応じて高感度な検査を可能とする。さらに,調整機構を設けた照明光学系により,両光源の照明光学系を共通化し,簡略な光学システムで上記効果を実現する。
【選択図】図1A
Description
ここで図2により,検査対象であるパターン付基板の縦構造,および検出すべき欠陥種について,半導体ウエハを例にとって説明する。
たとえば各工程を経て形成された半導体ウェハを光学的に検査する装置として、
特許文献1には,レーザ光源による照明系と併せて,白色光源の照明系を併せて持つ半導体ウエハ欠陥検査装置に関する技術が開示されている。
また、光学的に検査する装置の空間フィルタとして使用可能な2次元マイクロシャッタアレイの例として、非特許文献3および非特許文献4には、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて,100μm〜数100μmの微小な光シャッタをx-y方向に並べて数千〜数万集積し,各シャッタを個別に開閉制御可能とした構成が開示されている。
一方で,暗視野光学方式の欠陥検査装置には以下の課題が存在する。ひとつは酸化膜(透明膜)が表面に形成されたウエハの検査における,膜内多重干渉による反射強度変化に起因した欠陥検出の感度変動(感度低下)であり,また金属膜が表面に形成されたウエハの検査における,金属膜の表面粗さ(ラフネス,グレインなど)による散乱光の干渉による背景光ノイズの増大に起因した欠陥検出の感度低下である。図2および3で説明したように,半導体ウエハの製造工程においては,表面に酸化膜が形成された状態,あるいは金属膜が表面に形成された状態,さらには酸化膜上に金属膜のパターンが形成された状態で検査される場合は多く,上記2つの課題の解決が強く求められている。
暗視野型光学式欠陥検査装置には上記に説明したような課題があり,これを解決する技術が求められている。その一手段としては,低干渉なブロードバンド照明(多波長照明,白色照明)により検査を行う技術が開示されている。これによれば,複数波長の同時照明によって照明光の可干渉性を低減することにより,上記図4,5に説明した光干渉に起因する検出光量の増減変化を低減することが可能となる。すなわち,酸化膜(透明膜)が表面に形成されたウエハに対しては膜内多重干渉による反射強度の変動の低減が可能となり,あわせて,金属膜が表面に形成されたウエハに対しても,金属膜の表面粗さ(ラフネス,グレインなど)による背景光ノイズを低減することが可能となり,これらウエハに対する欠陥検出感度の向上を図ることが出来る。
特許文献1には,レーザ光源による照明系と併せて,白色光源の照明系を併せて持つ半導体ウエハ欠陥検査装置に関する技術が開示されているが、
この特許文献1に記載されている方法では,白色光源(ブロードバンド光源)にランプを用いることを想定しており,この場合レーザ照明と比較して照明スポットが大きくなるため,高輝度の照明を行うことが難しい。これにより,必要な検出光量を得るためにはセンサの露光時間(サンプリング時間)を長くする必要が生じ,レーザ照明と比較して検査速度が低下するという課題が生じる。また,レーザ照明系と並べて,ブロードバンド光源のための照明系を別途に設ける必要があり,装置システムが複雑化するという課題も生じる。
を有して構成した。
図1に示した半導体ウェハ検査装置は、照明光学系110、検出光学系120、画像処理部130、試料である半導体ウェハ(基板)100を載置するステージ部140、全体を制御する制御部150を備えて構成されている。
光源111又は1112から出射した光が,集光レンズ群112を透過して形成された平行な光束の照明光ビーム1110は,偏向制御素子(波長板など)113により照明光の偏光が制御され,また調光フィルタ114により照明光の光量が制御されて波長選択素子部116に入射する。この波長選択素子部116を透過した所定の波長の照明光はミラー117で反射して光路を折り曲げられてシリンドリカルレンズ118に入射し、シリンドリカルレンズ118により一方向には平行光の状態を保ったまま他の方向(前記一方向に対して直角な方向)には集光して、図1Bに示すように基板100の一方向に長い領域101を照明する。
ここで,高輝度で高コヒーレントなブロードバンド光源1112には,非特許文献1にその技術が開示されているような,光ファイバ断面内に周期的に空孔を配置したフォトニック結晶ファイバ(Photonic Crystal Fiber:PCF)に,長短パルスレーザを入射して広帯域なスーパーコンティニュアム光(Supercontinuum Light:SC光)を発生させるスーパーコンティニュアム光源,あるいは非特許文献2にその技術が開示されているような,共振器内に設置した電気光学結晶に外部発信器によりマイクロ波の変調を掛け,そこに単一波長レーザを入射することで,入力した単一波長のレーザを中心にして,マイクロ波の変調周波数間隔で広帯域で多波長のスペクトルを持つ光を発生させる,光周波数コム発生器などを用いることができる。
図6は,空間フィルタ123に用いる,2次元マイクロシャッタアレイの説明図である。マイクロシャッタアレイは,非特許文献3および非特許文献4に開示されているように,MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて,100μm〜数100μmの微小な光シャッタをX-Y方向に並べて数千〜数万集積し,各シャッタを個別に開閉制御可能としたものである。
図6(a)の701は2次元マイクロシャッタアレイの全体を示す。グリッドの一つ一つが光シャッタとなる構成である。
図6(b)と(c)とは一つの光シャッタの開閉状態を説明する図であり,図6(b)がシャッタ閉状態,図6(c)がシャッタ開状態を示す図である。図中711はシャッタ本体,712はシャッタを支持するトーションバー,713はシャッタアレイの強度を保つための構造体である。通常はトーションバーのバネ力により図6(b)のようにシャッタは閉状態であり,構造体713に電磁力あるいは静電力を発生させて,シャッタ711を構造体713に引き寄せることで図6(c)のようにシャッタ開状態とする構成となっている。
これにより,2つのイメージセンサ125および1251では異なる光学条件(例えば、波長選択素子部126と波長選択素子1261とで異なる特性の波長選択素子を設定して異なる波長を選択する、または偏光フィルタ122と偏光フィルタ1221とで異なる偏光条件を設定する)による2つの検査画像を同時に得ることが可能となる。この2つの検査画像を画像処理部1310で処理することで,単一画像での画像処理よりも多い情報量を元に欠陥判定を行うことが可能となり,検出感度の向上を図ることが出来る。
照明光学系110の構成及び作用は、実施例1で説明したものと同じである。
第2の実施例同様,第2の光学フィルタリング手段は,第1の検出光学系120の第1の光学フィルタリング手段(偏光フィルタ122,空間フィルタ123,波長選択素子126)とは独立に制御可能な構成とするものである。
これにより,2つのイメージセンサ125および1252では異なる光学条件による2つの検査画像を同時に得ることが可能となる。この2つの検査画像を画像処理部1320で処理することで,単一画像での画像処理よりも多い情報量を元に欠陥判定を行うことが可能となり,検出感度の向上を図ることが出来る。
Claims (16)
- 高コヒーレントなブロードバンド光源から発射された高コヒーレントなブロードバンド光から所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を選択し、該選択した所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を一方向に長い形状に成形し、該一方向に長い形状に成形された選択された波長の高コヒーレントなブロードバンド光を表面にパターンが形成された検査対象に斜め方向から照射し,該一方向に長い形状に成形された選択された波長の高コヒーレントなブロードバンド光が斜め方向から照射された検査対象からの反射散乱光の中から前記検査対象に形成されたパターンからの散乱光を遮光し、前記検査対象からの反射散乱光のうち前記遮光されなかった散乱光の像を撮像し、該撮像して得た信号から検査画像を生成し、該生成した検査画像を処理して欠陥を抽出することを特徴とする欠陥検査方法。
- 前記検査対象からの反射散乱光のうち前記遮光されなかった散乱光のうち波長選択フィルタを透過した散乱光の像を撮像し、該撮像して得た信号から検査画像を生成し、該生成した検査画像を処理して欠陥を抽出することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。
- 前記高コヒーレントなブロードバンド光源から発射された高コヒーレントなブロードバンド光を偏光フィルタで所望の偏光状態に偏光させた後に前記所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を選択することを特徴とする請求項1または2に記載の欠陥検査方法。
- 前記検査対象からの反射散乱光の中から前記検査対象に形成されたパターンからの散乱光を、2次元に配置されたマイクロシャッタアレイで構成された空間フィルタで遮光することを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の欠陥検査方法。
- 前記2次元に配置されたマイクロシャッタアレイを配置した位置における前記前記検査対象からの反射散乱光の像をモニタし、該モニタした反射散乱光の像の情報を用いて前記2次元に配置されたマイクロシャッタアレイで前記反射散乱光を遮光する空間フィルタの遮光パターンを生成することを特徴とする請求項4に記載の欠陥検査方法。
- 前記高コヒーレントなブロードバンド光源から発射された高コヒーレントなブロードバンド光から所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を選択することを、複数の波長選択フィルタの中から選択して前記所望の波長に対応する波長選択フィルタで選択することを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の欠陥検査方法。
- 高コヒーレントなブロードバンド光を発射するブロードバンド光源と、
該ブロードバンド光源から発射された高コヒーレントなブロードバンド光から所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を選択する波長選択手段と、
該波長選択手段で選択した所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を一方向に長い形状に成形する光形状成形手段と、
該光形状成形手段で一方向に長い形状に成形された前記波長が選択された高コヒーレントなブロードバンド光を表面にパターンが形成された検査対象に斜め方向から照射する照射手段と、
該照射手段により一方向に長い形状に成形された選択された波長の高コヒーレントなブロードバンド光が斜め方向から照射された検査対象からの反射散乱光を集光する集光手段と、
該集光手段で集光された前記反射散乱光の中から前記検査対象に形成されたパターンからの散乱光を遮光する空間フィルタ手段と、
前記検査対象からの反射散乱光のうち前記空間フィルタ手段で遮光されなかった散乱光の像を撮像する撮像手段と、
該撮像手段で撮像して得た信号から検査画像を生成する検査画像生成手段と、
該検査画像生成手段で生成した検査画像を処理して欠陥を抽出する画像処理手段と、
全体を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記ブロードバンド光源から発射された高コヒーレントなブロードバンド光を所望の偏光状態に偏光させる偏光フィルタ部を更に備え、該偏光フィルタ部で所望の偏光状態に偏光させられた前記高コヒーレントなブロードバンド光から前記波長選択手段で所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を選択することを特徴とする請求項7記載の欠陥検査装置。
- 前記空間フィルタ手段は、2次元に配置されたマイクロシャッタアレイを備え、検査対象からの反射散乱光のうち前記検査対象に形成されたパターンからの散乱光を前記2次元に配置されたマイクロシャッタアレイで遮光することを特徴とする請求項7または8に記載の欠陥検査装置。
- 前記検査対象からの反射散乱光の像をモニタするモニタ手段を更に備え、前記制御手段は前記モニタ手段で前記2次元に配置されたマイクロシャッタアレイを配置した位置における前記検査対象からの反射散乱光の像を撮像して得た該反射散乱光の像の情報を用いて前記2次元に配置されたマイクロシャッタアレイを制御して前記反射散乱光を遮光する空間フィルタの遮光パターンを生成することを特徴とする請求項9に記載の欠陥検査装置。
- 前記波長選択手段は複数の波長選択フィルタを備え、該複数の波長選択フィルタの中から選択した前記所望の波長に対応する波長選択フィルタで前記高コヒーレントなブロードバンド光から所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を選択することを特徴とする請求項7または8に記載の欠陥検査装置。
- レーザ光源と光路切替手段とを更に備え、該光路切替手段で前記レーザ光源を選択したときに、前記レーザ光源から発射したレーザを前記光形状成形手段と前記照射手段とを介して前記検査対象に照射することを特徴とする請求項7記載の欠陥検査装置。
- 検査対象に光を斜方から照射する照射手段と、
該照射手段により光が照射された前記検査対象からの反射散乱光のうち前記検査対象に形成されたパターンからの反射散乱光を遮光して遮光されなかった反射散乱光の像を撮像する検出光学系手段と、
該検出光学系手段で撮像して得た前記散乱光の画像を処理して前記検査対象の欠陥を抽出する画像処理手段とを備え、
前記照射手段は、
高コヒーレントなブロードバンド光を発射するブロードバンド光源と、
該ブロードバンド光源から発射された高コヒーレントなブロードバンド光から所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を選択する波長選択部と、
該波長選択部で選択した所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を一方向に長い形状に成形する光形状成形部と、
該光形状成形部で一方向に長い形状に成形された前記波長が選択された高コヒーレントなブロードバンド光を表面にパターンが形成された検査対象に斜め方向から照射する照射手段と
を有することを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記ブロードバンド光源から発射された高コヒーレントなブロードバンド光を所望の偏光状態に偏光させる偏光フィルタ部を更に備え、該偏光フィルタ部で所望の偏光状態に偏光させられた前記高コヒーレントなブロードバンド光から前記波長選択手段で所望の波長の高コヒーレントなブロードバンド光を選択することを特徴とする請求項13記載の欠陥検査装置。
- 前記検出光学系手段は、2次元に配置されたマイクロシャッタアレイを備えた空間フィルタを有し、前記検査対象に形成されたパターンからの反射散乱光を前記2次元に配置されたマイクロシャッタアレイで遮光することを特徴とする請求項13または14に記載の欠陥検査装置。
- 前記検査対象からの反射散乱光の像をモニタするモニタ手段を更に備え、前記制御手段は前記モニタ手段で前記2次元に配置されたマイクロシャッタアレイを配置した位置における前記検査対象からの反射散乱光の像を撮像して得た該反射散乱光の像の情報を用いて前記2次元に配置されたマイクロシャッタアレイを制御して前記反射散乱光を遮光する空間フィルタの遮光パターンを生成することを特徴とする請求項15に記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010130910A JP5525336B2 (ja) | 2010-06-08 | 2010-06-08 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
PCT/JP2011/062188 WO2011155345A1 (ja) | 2010-06-08 | 2011-05-27 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
US13/702,696 US9535013B2 (en) | 2010-06-08 | 2011-05-27 | Method and apparatus for inspecting defect |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010130910A JP5525336B2 (ja) | 2010-06-08 | 2010-06-08 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011257222A true JP2011257222A (ja) | 2011-12-22 |
JP5525336B2 JP5525336B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=45097953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010130910A Active JP5525336B2 (ja) | 2010-06-08 | 2010-06-08 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9535013B2 (ja) |
JP (1) | JP5525336B2 (ja) |
WO (1) | WO2011155345A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103674974A (zh) * | 2012-09-06 | 2014-03-26 | 株式会社岛津制作所 | 检查装置 |
KR20150013892A (ko) * | 2012-09-28 | 2015-02-05 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 |
KR20160068228A (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-15 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 결함 검사 장치 |
CN111307819A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-19 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆边缘缺陷检测系统及方法 |
KR20210118742A (ko) * | 2020-03-23 | 2021-10-01 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN113820916A (zh) * | 2020-06-18 | 2021-12-21 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于表征微光刻掩模的设备和方法 |
CN116840260A (zh) * | 2023-07-24 | 2023-10-03 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆表面缺陷检测方法及装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8879073B2 (en) * | 2012-02-24 | 2014-11-04 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology using targets with field enhancement elements |
US9696264B2 (en) * | 2013-04-03 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for determining defect depths in vertical stack memory |
US9599573B2 (en) * | 2014-12-02 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and techniques with enhanced detection |
KR20160117815A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-11 | 삼성전자주식회사 | 광학 검사 장치 |
CN107192334A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-22 | 信泰光学(深圳)有限公司 | 可调整光通量的测距装置 |
US9874526B2 (en) | 2016-03-28 | 2018-01-23 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for polarized wafer inspection |
DE102016116100A1 (de) * | 2016-08-30 | 2018-03-01 | B. Braun Avitum Ag | Erfassungsvorrichtung für ein Medium in einem Schlauchabschnitt |
JP6789187B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2020-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板反り検出装置及び基板反り検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
US11240441B2 (en) * | 2018-03-05 | 2022-02-01 | Omron Corporation | Method, device, system and computer-program product for setting lighting condition and storage medium |
JP7257853B2 (ja) * | 2019-04-02 | 2023-04-14 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、露光装置および物品製造方法 |
US11494895B2 (en) * | 2020-02-14 | 2022-11-08 | KLA Corp. | Detecting defects in array regions on specimens |
CN111948223B (zh) * | 2020-06-23 | 2023-01-20 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 介质高反膜元件表面缺陷测量装置和测量方法 |
CN111958363A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-11-20 | 长江存储科技有限责任公司 | 分析测试面平整度的判断方法及装置、半导体样品的制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0697551A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ装置 |
JP2005521065A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 移動レンズマルチビームスキャナを備えた暗視野検出装置およびその方法 |
JP2007147475A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式検査装置及びその方法 |
JP2007232555A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2007240512A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-09-20 | Hitachi High-Technologies Corp | ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 |
JP2009025221A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2009038339A (ja) * | 2007-05-09 | 2009-02-19 | Asml Netherlands Bv | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 |
JP2009257903A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びこれを用いた欠陥検査装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0820371B2 (ja) * | 1988-01-21 | 1996-03-04 | 株式会社ニコン | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US5463459A (en) | 1991-04-02 | 1995-10-31 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for analyzing the state of generation of foreign particles in semiconductor fabrication process |
JPH10200704A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Nikon Corp | 読取倍率が可変の原稿読取光学装置 |
JP3566589B2 (ja) | 1998-07-28 | 2004-09-15 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2001343336A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US6686602B2 (en) * | 2002-01-15 | 2004-02-03 | Applied Materials, Inc. | Patterned wafer inspection using spatial filtering |
US7130039B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US7773172B2 (en) * | 2005-03-01 | 2010-08-10 | Northrop Grumman Corporation | Line attenuation tunable optical filter |
JP2007024758A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 光学式検査装置及びその照明方法 |
JP4489678B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-06-23 | 富士通株式会社 | 波長選択光スイッチおよび分光機能を備えた光デバイス |
JP5158468B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2013-03-06 | 大日本印刷株式会社 | 被検査基板の検査システム及び被検査基板の検査方法 |
JP2008032621A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査装置およびその方法 |
JP5221858B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-06-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置、及び欠陥検査方法 |
US7714997B2 (en) * | 2006-11-07 | 2010-05-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus for inspecting defects |
EP2403396B1 (en) * | 2009-03-04 | 2019-08-14 | Elie Meimoun | Wavefront analysis inspection apparatus and method |
-
2010
- 2010-06-08 JP JP2010130910A patent/JP5525336B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-27 WO PCT/JP2011/062188 patent/WO2011155345A1/ja active Application Filing
- 2011-05-27 US US13/702,696 patent/US9535013B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0697551A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ装置 |
JP2005521065A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 移動レンズマルチビームスキャナを備えた暗視野検出装置およびその方法 |
JP2007147475A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 光学式検査装置及びその方法 |
JP2007240512A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-09-20 | Hitachi High-Technologies Corp | ウェハ表面欠陥検査装置およびその方法 |
JP2007232555A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2009038339A (ja) * | 2007-05-09 | 2009-02-19 | Asml Netherlands Bv | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 |
JP2009025221A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2009257903A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びこれを用いた欠陥検査装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103674974B (zh) * | 2012-09-06 | 2016-04-27 | 株式会社岛津制作所 | 检查装置 |
CN103674974A (zh) * | 2012-09-06 | 2014-03-26 | 株式会社岛津制作所 | 检查装置 |
KR20150013892A (ko) * | 2012-09-28 | 2015-02-05 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 |
KR101895255B1 (ko) | 2012-09-28 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 |
KR20160068228A (ko) * | 2014-12-05 | 2016-06-15 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 결함 검사 장치 |
KR102350549B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2022-01-14 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 결함 검사 장치 |
CN111307819A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-19 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆边缘缺陷检测系统及方法 |
CN111307819B (zh) * | 2020-03-16 | 2024-03-08 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆边缘缺陷检测系统及方法 |
KR102516586B1 (ko) | 2020-03-23 | 2023-04-03 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20210118742A (ko) * | 2020-03-23 | 2021-10-01 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2022000692A (ja) * | 2020-06-18 | 2022-01-04 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィマスクを特徴付けるための装置および方法 |
JP7275198B2 (ja) | 2020-06-18 | 2023-05-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィマスクを特徴付けるための装置および方法 |
US11914303B2 (en) | 2020-06-18 | 2024-02-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Apparatus and method for characterizing a microlithographic mask |
CN113820916A (zh) * | 2020-06-18 | 2021-12-21 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于表征微光刻掩模的设备和方法 |
CN116840260A (zh) * | 2023-07-24 | 2023-10-03 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆表面缺陷检测方法及装置 |
CN116840260B (zh) * | 2023-07-24 | 2024-05-10 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆表面缺陷检测方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011155345A1 (ja) | 2011-12-15 |
US9535013B2 (en) | 2017-01-03 |
US20130114880A1 (en) | 2013-05-09 |
JP5525336B2 (ja) | 2014-06-18 |
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