JP2008032621A - 表面検査装置およびその方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ワーク(ウェハ)の平坦ではないエッジ部を走査した際に、そこから生じる散乱光を少しでも低減し、異物検出感度の低下および検出器の劣化を低減することにある。
【解決手段】ワーク(ウェハ)保持機構の移動方向と斜方から照射されたレーザビームの照射方向とが180度反対方向になるように構成される手段を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】ワーク(ウェハ)保持機構の移動方向と斜方から照射されたレーザビームの照射方向とが180度反対方向になるように構成される手段を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、被検査体の表面検査方法ないし表面検査装置に関する。例えば、半導体デバイスの製造工程における半導体ウェハ表面の異物や欠陥等を検査する半導体の表面検査装置に適している。
半導体デバイスの製造工程では、ウェハ表面にパターンを転写し、エッチングによって回路を形成してゆく。この回路を形成していく様々な半導体デバイスの製造工程において、ウェハ表面に付着する異物や欠陥などは、歩留まりを低下させる大きな要因となってくる。そのため、ウェハ表面に付着する異物や欠陥は、各製造工程において管理され、低減対策が施されている。このウェハ表面に付着している異物やウェハ表面に存在する欠陥などを高感度、及び高スループットで検出するのが、ウェハ表面検査装置である。
ウェハ表面検査装置は、ウェハ表面にレーザ光などの電磁波を照射し、該照明光によって異物・欠陥から生ずる散乱光を検出器で受光することにより、異物の大きさや位置座標データを検出する。検査の高スループット化のため、ウェハが搭載される検査テーブルを高速で回転させながら、検査テーブルが配設されるステージを検査面と同一平面の一軸方向に移動させ、検査用レーザ光を走査させる方式となっている。この表面検査装置は、例えば、特開2005−156537号公報(特許文献1)に記載されている。
ウェハ表面に照射される照明光(光ビーム)は、微細な異物を検出するため、一般的には斜方から照射される。該照明光は前述の検査テーブルの回転により、ウェハ表面をらせん状、或いは円状に走査される。
光ビームが例えばウェハの面とり領域(例えばアール付きエッジのような非平坦面エッジ、或いは傾斜面付きエッジ)に照射された時、その非平坦性のため、上方への強い散乱光を生じ、検出器に入射してノイズ成分となる。このノイズ成分をキャンセルするために、例えば複数の方向から散乱光を検出し、それぞれの検出器から得られた情報を用いて演算処理を行なうことも行なわれている。この表面検査装置は、例えば、特開11−351850号公報(特許文献2)に記載されている。
しかし、上記従来技術は、被検査体のエッジからの散乱光をノイズ成分として演算処理することで、異物や欠陥を検出することは可能であるが、複雑な演算処理を要するために、検査装置のスループットを低下させる。また、強い散乱光の入射による検出器の劣化については配慮がなされていないため、検出器を交換するためのランニングコストが増大する。さらには、ノイズ成分としての情報を、多数の検出器を用いて複数方向から採取する必要があるため、光学系が複雑となって装置をコンパクトに出来ないことや、製造コストが増大するという課題もある。
本発明の目的は、被検査体外周のエッジ部からの、非平坦性に起因する上方への散乱を抑制することによって、検出器に入射する散乱光に起因するノイズを抑止し、検出感度を向上する検査方法及び検査装置を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために次のように構成される。
一つは、非平坦面のエッジ(例えばアールを付けたエッジ)或いは傾斜面のエッジを有する被検査体の表面に光ビームを照射する照射機構と、前記光ビームを前記被検査体の表面で走査させる走査機構と、前記被検査体からの散乱光を検出する検出器とを備えた表面検査装置において、次の特徴を有する。
前記走査機構は、前記被検査体の前記エッジに光ビームがかかる時に前記エッジの法線と前記光ビームとのなす入射角が大きくなる方向に光ビームが走査していくように走査方向を設定した。
他の一つは、被検査体の表面に光ビームを照射する照射機構と、前記光ビームを前記被検査体の表面で走査させる走査機構と、前記被検査体からの散乱光を検出する検出器とを備えた表面検査装置において、次の特徴を有する。
前記走査機構は、前記光ビームが前記被検査体のエッジにかかる時に前記散乱光が前記検出器の方に増大しない方向に前記光ビームが走査していくように走査方向を設定した。
もう一つは、被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査装置或いは方法において、
前記光ビームの照射位置に対する前記被検査体の相対的移動位置を検出し、前記光ビームの照射位置が前記被検査体のエッジ部にさしかかる前に前記光ビームの照射を中断を停止するように構成した。
前記光ビームの照射位置に対する前記被検査体の相対的移動位置を検出し、前記光ビームの照射位置が前記被検査体のエッジ部にさしかかる前に前記光ビームの照射を中断を停止するように構成した。
もう一つは、被検査体の表面に光ビームを走査により照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査装置において、前記光ビームの照射位置に対する前記被検査体の位置を検出する手段を有し、前記光ビームの照射位置が前記被検査体のエッジ部にさしかかる前に散乱光検出用の検出器の機能を停止する手段を有する。
もう一つは、被検査体に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査装置において、前記光ビームの照射位置に対する前記被検査体の位置を検出する手段を有し、前記光ビームの照射位置が前記被検査体のエッジ部にさしかかる前に散乱光検出用の検出器を散乱光から保護する手段を有する。
本発明によれば、被検査体の平坦ではないエッジ部を走査した際に生じる上方へ向かう散乱光を低減できると共に、その散乱光によって引き起こされる検出器の劣化を低減することができる。
本発明の検査方法及び検査装置は、半導体ウェハや液晶パネル用のガラス基板、及びディスク基板若しくは磁気ヘッドの製造に用いられるALTIC(アルミナと炭化チタンの焼成材)基板などの平板状の被検査体に適用することが可能であるが、本一実施例では、半導体ウェハを一例として、以下本発明の実施例について、図面を引用して説明する。
なお、本検査装置は、ウェハの表面及び裏面の異物や欠陥等を検査することが可能であるが、検査する側のウェハ面、すなわち検査面を、便宜上、表面と称して説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の一実施形態である表面検査装置の概略構成を示した平面図である。表面検査装置は、被検査物(ウェハ)の載置機能を兼ねた1個以上のロードポート100、搬送部200、プリアライメント部300、検査部400、及びデータ処理部500から構成されている。ロードポート100には、複数の被検査用のウェハ1を収納した被検査体の収納機能を兼ねた1個以上のウェハポッド110が載置される。ロードポート100のウェハは、搬送部200によってプリアライメント部300を経由して検査部400に搬送される。全てのロードポート100を被検査体用のポッドにすることも、該一部を、検査で不良と判定されたウェハ1の回収専用ポッド110とする運用も可能である。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の一実施形態である表面検査装置の概略構成を示した平面図である。表面検査装置は、被検査物(ウェハ)の載置機能を兼ねた1個以上のロードポート100、搬送部200、プリアライメント部300、検査部400、及びデータ処理部500から構成されている。ロードポート100には、複数の被検査用のウェハ1を収納した被検査体の収納機能を兼ねた1個以上のウェハポッド110が載置される。ロードポート100のウェハは、搬送部200によってプリアライメント部300を経由して検査部400に搬送される。全てのロードポート100を被検査体用のポッドにすることも、該一部を、検査で不良と判定されたウェハ1の回収専用ポッド110とする運用も可能である。
上記データ処理部500は、コントローラ510、キーボードやタッチパネルまたはマウス等からなる入力装置520、CRTやフラットパネルディスプレイ等からなる視覚可能に表示する表示装置530、プリンタ等の出力装置540、外部メディアを制御する外部記憶装置550から構成される。
また、コントローラ510は、演算処理装置511とHDD等の記憶装置512及び制御装置513から構成される。コントローラ510は入力装置520からの指令に基づいて、異物検査装置全体の制御を行い、設定条件や検査結果及び検査装置の動作状態等を表示装置530に表示し、更には出力装置540へ当該情報を出力する。
図2は、上記検査部400の内部構成を示した縦断面図である。検査部400は、ウェハ1を保持する機能を有する保持機構410、保持機構410を回転させるスピンドルモータ等の回転装置(図省略)とエンコーダ等からなる角度の位置検出装置(図省略)を含んで構成される回転駆動機構420、保持機構410を上下させる昇降駆動機構430、前記保持機構410と回転駆動機構420及び昇降駆動機構430と共にウェハ1表面と略平行に移動させ、位置検出装置(図省略)を含んで構成される進退駆動機構(直線駆動機構)440、例えば可視レーザ光や紫外レーザ光などの電磁波からなる照明光(光ビーム)458をウェハ1の表面に照射する光照射部450、及びウェハ1表面からの散乱光を受光する検出器460から構成される。検出器460は、単数、複数いずれでもよく、本実施例では、一例として2個(460a,460b)配置してある。
図3は、光照射部450の概略構成を示す図である。光照射部450は、図3に示すように光ビーム458を発生させるレーザ光源451、レーザ光を遮断するシャッタ452、レーザビーム458の強度調整するアッテネータ453、レーザビーム458の光軸ずれを補正する光軸補正機構454、レーザビーム458の照射方向を斜方或いは垂直に切り換えるための照射方向切り換え機構455、レーザビーム458の断面形状を目的の形状に成形するビーム成形機構456a、456b、及びレーザビーム458の進路方向を変えるミラー457a〜457gから構成される(照射機構)。
レーザビーム458はレーザ光源451から発せられ、ミラー457aを経てアッテネータ453で検査に適したエネルギー密度に調整される。次に光軸ずれを補正する光軸補正機構454、ミラー457b、457cを経てビーム成形機構456で検査の目的に適した断面形状に整形され、ミラー457d、からミラー457fを順次介してレーザビーム458の進路方向を変更し、ウェハ1に照射される。また、レーザビーム458は、ミラー457fと照射角制御機構(図省略)を含んで構成される出射部700により、ミラー457fの角度を予め人為的に調整するか若しくは自動制御し、保持機構410の基準面、若しくはウェハ1平坦面の法線に対する所望の照射角θi(図4参照)に制御される。
次に本実施例における、表面検査装置の処理フローについて詳細を説明する。ウェハ1の検査は、検査プログラムの実行により開始される。搬送部200内の搬送装置210に配設されたハンドリングアーム220でウェハポッド110からウェハ1を搬出し、ロードポート100からプリアライメント部300へ搬送する。
プリアライメント部300の載置部310に配置されたウェハ1は、ウェハ1の略中心位置とノッチの位置の粗位置補正(プリアライメント)を行う。プリアライメントされたウェハ1は、再びハンドリングアーム220で取り出され、検査部400に配設されるウェハ保持機構410へ搬送され、該ウェハ保持機構410上に保持される。
コントローラ510からの検査開始命令により、予め算出したウェハ1の略中心に照明光が照射されるように昇降駆動機構430、および進退駆動機構440を制御し、表面検査の始点位置補正を行なう。この位置補正に際し、回転駆動機構420は、ウェハ保機構410の回転を事前に開始し、始点位置補正の動作と並行して回転数を上昇させ、表面検査に要する所要時間を短縮する。コントローラ510は、位置補正の略完了時に一定回転数に到達するよう回転駆動機構420を制御し、所定の回転数に保持する。
保持機構410に保持されたウェハ1は、回転駆動機構420によって高速に回転され、ウェハ1表面にレーザビーム458を照射しながら、一軸方向に進退駆動機構440をウェハ1表面と略平行(レーザ走査方向)に移動することで、レーザビーム458が螺旋状、渦巻き状若しくは円状に相対的に移動し、検査面内を高速に走査する(走査機構)。レーザビーム458の照射により、ウェハ1上の異物や欠陥から発生した散乱光は、検出器460a、460bにより受光され、進退駆動機構440および回転駆動機構420の位置検出装置の相対的移動位置情報と共に、コントローラ510にてデータ解析され、異物や欠陥の大きさ及びウェハ1内の位置座標が求められる。
検査が終了したウェハ1は、再びハンドリングアーム220で取り出され、ウェハ保持機構410からロードポート100へ搬送され、ウェハポッド110へ収納される。
前述のようにレーザビーム458をウェハ1の表面に走査により照射させて、その散乱光を検出することにより、ウェハ表面の異物、欠陥などを検出する。本実施例で重要な点は、レーザビーム458が非平坦面のエッジ部(ここではアール付きエッジ部)11にまで及んで照射されるが、この場合にウェハ1表面の法線とレーザビーム458とのなす角度が大きくなる方向に走査方向を設定した点にある。
図4は検査中のウェハ1の移動の軌跡2と、レーザビーム458の照射方向との関係を示したものである。ウェハ保持機構410の位置補正を完了すると、レーザビーム458が出射部700により所定の角度をもってウェハ1の略中心に照射される。ウェハ保持機構410は、回転駆動機構420で高速回転しながら、レーザビーム458が出射される出射部700側に向かって、進退駆動機構(直線駆動機構)440により水平線と略平行に移動する。このウェハ保持機構の矢印A方向(出射部700方向)への直進移動により、ウェハ1表面のレーザビーム照射位置が移動し、レーザビームが走査状態になる。すなわち、本実施例では、被検査体1の検査面内から走査を開始し、被検査体をレーザビームの出射部へ向かう方向へ移動させながら走査を行なう。ウェハ1に照射されたレーザビーム458の反射散乱光は、前述のとおり光検出器460によって検出され、AD変換された後、検出位置座標とともにデータ処理部500によって処理される。
図5(a)は、ウェハ1の部分断面図を示し、同図(b)は、図5(a)に示すウェハ1のエッジ付近のレーザビーム走査進行状態を示す。この場合、ウエハ1の直線的移動方向は、矢印A方向になる。一方、レーザビーム照射位置の絶対位置は変わらないが、ウェハ1が回転しながら矢印A方向に移動するために、レーザビームがウェハ表面を走査することになる。レーザビームによるウェハ表面検査(走査)が進行して、レーザビーム458が平坦ではないウェハ1のエッジ部11にかかる状態が図5(b)に示されている。エッジ部11とは、ベベルと呼ばれるウェハ1端部に施されたアール若しくは直線状に面取りした部分を指し、外周部とはウェハ1のエッジの先端部分を意味する。当初、ウェハ1の略中心に照射されたレーザビーム458は、走査が進むに従い、次第にウェハ1の外周部へと移動し、やがては平坦ではないエッジ部11に達する。
ここで、レーザビーム458の照射方向とウェハ1の移動方向が、上記の関係をもって相対移動する場合には、レーザビームは、ウェハ表面の平坦面12からエッジ部11へ移動するに従い、ウェハ1表面の法線とレーザビーム458とがなす入射角θaが次第に大きくなる。この入射角θaの増加により、エッジ部11の表面に起因して発生する散乱光459aの上方散乱が抑止される。よって、ウェハ1の外周部へ向かってレーザビーム458がエッジ部11を走査したとしても、エッジ部11表面に起因した強い散乱光459aが、光検出器460へ直接入射されることが防止され、散乱光459aのノイズ成分による検出感度の低下や、光検出器460の劣化を抑制することができる。
ここで比較のために、進退駆動機構440の移動方向が前述とは逆の方向、すなわちウェハ保持機構410ひいてはウェハ1がレーザビーム458の出射部700から離れる方向へ移動しながら検査を行なうと仮定すると、平坦面12から、平坦ではないエッジ部11へ移動するに従い、ウェハ1表面の法線とレーザビーム458とがなす入射角θaが次第に小さくなる。そのため、ウェハ1の外周部へ向かってレーザビーム458がエッジ部11を走査する際にエッジ部11のウェハ1表面から発せられる散乱光459bは、図6(a)に示すように上方散乱が増大し、直接的に光検出器460に入射する。この事により、その散乱光459bがノイズ成分となって検出感度の低下を引き起こし、更には光検出器460の劣化を促進させる。
ここで、ウエハ1上にレーザビーム(光ビーム)を照射して表面検査する場合の、従来の一般的な考えを下記に示す。
従来のウェハサイズでは、ウェハのエッジ部近傍に有効なチップが形成されることがなく、エッジ部付近を検査する必然性がなかった。そのため、ウェハ外周部から径方向の所定の幅までの領域を検査不可能範囲(エッジ領域)として設定し、エッジ部に付着した異物を検出することなく処理が行われていた。このエッジ部の異物を考慮しない状況下では、図6(b)に示すように、レーザビーム検査開始位置(走査位置)をウエハ中心に設定し、ウエハ1を照明部(出射部)700から遠ざかる方向(矢印B方向)に移動させる(相対的に走査方向は矢印Bと反対方向になる)ことが一般的な考えであった。すなわち、一般に光を用いた検査装置では、レーザ光源などのメンテナンス、交換などを配慮した場合、照明部700を手の届き易い装置外壁近くに配置するのが望ましく、また、被検査体(ウェハ)1を検査開始位置から外壁から離れる方向(矢印B方向)に進ませ、戻りで外壁に近づくようにした方が搬送便宜上、好ましいと考えられていた。
しかしながら、近年のウェハの大口径化(300mm)で、有効なチップの形成がエッジ部近傍まで及ぶようになると、従来無視されていたエッジ部の異物や膜剥がれ等は、歩留まりに影響を及ぼす致命的な欠陥として問題視され始めた。このような新たな問題に応えるために、エッジ部での表面検査を行う必要性が生じた時に、従来の考え方を踏襲した表面検査を行うと図6(a)に示すような問題が生じた。
本実施例では、このような課題を解決するために、図4、図5に示すように、ウェハの表面にレーザビームがかかる時にエッジ部11の表面の法線とレーザビーム458とのなす入射角θaが大きくなる方向に光ビームが走査していくように走査方向を設定した。換言すれば、被検査体を前記光ビームの出射部側に移動させることで光ビームの走査方向を特定した。
本実施例では、検査の開始位置をウェハ1の略中心とし、ウェハ1の移動の軌跡2と、レーザビーム458の走査方向とが背離する方向、すなわちウェハ1の移動の軌跡2と、レーザビーム458の照射方向とがなす角度θb1が、180°の場合の上方散乱の抑制効果について説明した。但し、この上方散乱の抑制効果は180°に限定されるものではなく、該角度θb1が90°〜270°においても、同様の効果を得ることができる。
図7は、ウェハ1の移動の軌跡2とレーザビーム458の照射方向とがなす該角度θb1が90°〜270°の場合を示したものである。ウェハ1の平坦面12から、平坦ではないエッジ部11に差し掛かかっても、該角度θb1が90°〜270°の範囲においては、ウェハ1表面の法線とレーザビーム458とがなす入射角θaは小さくはならない。よって、散乱光459の上方散乱は抑制され、エッジ部11のウェハ1表面から発せられるレーザビーム458が光検出器460に直接入射することを抑止できる。この抑止効果により検出感度の低下、及び光検出器460の劣化を抑制することができる。
但し、角度θb1が90°の場合、エッジ部11のウェハ1表面のラフネスによっては、散乱光459の上方散乱が増加することもあるので、該角度θb1は90°より大きい角度で使用することが望ましい。
なお、図8に示すように、ウェハ1の移動の軌跡2とレーザビーム458の照射方向とがなす角度θb1が0°〜90°及び270°〜360°の場合、ウェハ1の平坦面12から平坦ではないエッジ部11に差し掛かかると、エッジ部11のウェハ1表面の法線とレーザビーム458とがなす入射角θaは小さくなる。そのため、散乱光459の上方散乱が増大して光検出器460に直接入射し、ノイズの増大や光検出器460の劣化が加速する。
従って、散乱光459の上方散乱を抑制するには、ウェハ1の移動の軌跡2とレーザビーム458の照射方向とがなす角度θb1を少なくとも0°以外の方向から照射することが必要で、好ましくはエッジ部11のウェハ1表面の法線とレーザビーム458とがなす入射角θaが、ウェハ1の平坦面12の法線とレーザビーム458とがなす入射角θiより大きくなる90°〜270°の範囲で配設することが有効である。さらに好ましくは、135°〜225°の範囲とすることが望ましい。
(第2の実施の形態)
上記実施例1では、検査(走査)の開始位置をウェハ1の略中心とし、ウェハ1の外周部に向かってウェハ表面をらせん状、或いは円状に走査する場合について説明した。
(第2の実施の形態)
上記実施例1では、検査(走査)の開始位置をウェハ1の略中心とし、ウェハ1の外周部に向かってウェハ表面をらせん状、或いは円状に走査する場合について説明した。
図11は本発明の第2の実施形態を示すもので、本実施形態では、検査の開始位置をウェハ1の外周部とし、ウェハ中心に向かってウェハ表面をらせん状、或いは円状に走査する場合について説明する。換言すれば、本実施形態では、被検査体1の検査面外から走査を開始し、被検査体を前記光ビームの照射の方向と同じ方向へ移動させながら走査を行なう。
図1に示すコントローラ510からの検査開始命令により、予め算出したウェハ1の外周部若しくはエッジ部11にレーザビームが照射されるように昇降駆動機構430、および進退駆動機構440を制御し、表面検査の始点位置補正を行なう。この位置補正に際し、回転駆動機構420は、ウェハ保持機構410の回転を事前に開始し、始点位置補正の動作と並行して回転数を上昇させ、表面検査に要する所要時間を短縮する。コントローラ510は、位置補正の略完了時に一定回転数に到達するよう回転駆動機構420を制御し、所定の回転数に保持する。
保持機構410に保持されたウェハ1は、回転駆動機構420によって高速に回転され、ウェハ1表面にレーザビーム458を照射しながら、一軸方向に進退駆動機構440をウェハ1表面と略平行に移動することで、レーザビーム458が螺旋状、渦巻き状若しくは円状に検査面内を高速に走査する。レーザビーム458の照射により、ウェハ1上の異物や欠陥から発生した散乱光は、検出器460a、460bにより受光され、進退駆動機構440および位置検出装置の位置情報と共に、コントローラ510にてデータ解析され、異物や欠陥の大きさ及びウェハ1内の位置座標が求められる。
ここで、この本実施例の中での重要な点は、レーザビーム458がウェハ1のエッジ部11に照射される際に、ウェハ1のエッジ部11における法線とレーザビーム458とがなす入射角θaが、ウェハ1の平坦面12おける法線とレーザビーム458とがなす入射角θiより大きくなる方向へ、レーザビーム458とウェハ1を相対的に移動させることにある。すなわち、レーザビーム458を照射する方向と同じ方向へ、ウェハ1を移動させることである。この入射角θaを増加させる方向へ、レーザビーム458を照射するにより、エッジ部11の表面に起因して発生する散乱光459の上方散乱が抑止され、散乱光459のノイズ成分による検出感度の低下や、光検出器460の劣化を抑制することができる。
また、レーザビーム458を照射する方位は、ウェハ1の移動の軌跡2とレーザビーム458の照射方向とがなす角度θcが0°〜90°、及び270°〜360°の範囲では、ウェハ1のエッジ部11における法線とレーザビーム458とがなす入射角θaが、ウェハ1の平坦面12における法線とレーザビーム458とがなす入射角θiよりも大きくなる。従って実施例1と同様に、エッジ部11で発生する散乱光459の上方散乱が抑止される。そのため、走査する際にエッジ部11のウェハ1表面から発せられる散乱光459が直接的に光検出器460に入射されることが防止され、散乱光459のノイズ成分による検出感度の低下や、光検出器460の劣化を抑制することができる。
また、レーザビーム458を照射する方位は、ウェハ1の移動の軌跡2とレーザビーム458の照射方向とがなす角度θcが0°〜90°、及び270°〜360°の範囲では、ウェハ1のエッジ部11における法線とレーザビーム458とがなす入射角θaが、ウェハ1の平坦面12における法線とレーザビーム458とがなす入射角θiよりも大きくなる。従って実施例1と同様に、エッジ部11で発生する散乱光459の上方散乱が抑止される。そのため、走査する際にエッジ部11のウェハ1表面から発せられる散乱光459が直接的に光検出器460に入射されることが防止され、散乱光459のノイズ成分による検出感度の低下や、光検出器460の劣化を抑制することができる。
なお、ウェハ1の移動の軌跡2とレーザビーム458の照射方向とがなす角度θcが90°〜270°の場合、ウェハ1のエッジ部11における法線とレーザビーム458とがなす入射角θaは、ウェハ1の平坦面12おける法線とレーザビーム458とがなす入射角θiより小さくなり、エッジ部11を走査する際にエッジ部11のウェハ1表面から発せられる散乱光459の上方散乱が生じ、直接的に光検出器460に入射する。この事により、その散乱光459がノイズ成分となって検出感度の低下を引き起こし、更には光検出器460の劣化を促進させる。
従って、散乱光459の上方散乱を抑制するには、ウェハ1の移動の軌跡2とレーザビーム458の照射方向とがなす角度θcを少なくとも180°以外の方向から照射することが必要で、好ましくはウェハ1のエッジ部11における法線とレーザビーム458とがなす入射角θaがウェハ1の平坦面12における法線とレーザビーム458とがなす入射角θiと比較して大きくなる0°〜90°、もしくは270°〜360°の範囲で配設することが有効である。さらに好ましくは、0°〜45°、もしくは315°〜360°の範囲とすることが望ましい。
(第3の実施の形態)
実施例1及び実施例2では、光検出器460の劣化防止として、エッジ部11で発せられる散乱光459の上方散乱を抑制する方法について説明したが、レーザビーム458がエッジ部11に照射される前に、該レーザビーム458を遮蔽することも有効である。以下に図3と図11及び図12を参照して、詳細を説明する。
(第3の実施の形態)
実施例1及び実施例2では、光検出器460の劣化防止として、エッジ部11で発せられる散乱光459の上方散乱を抑制する方法について説明したが、レーザビーム458がエッジ部11に照射される前に、該レーザビーム458を遮蔽することも有効である。以下に図3と図11及び図12を参照して、詳細を説明する。
ウェハ1の検査の過程で、レーザビーム458がウェハ1のエッジ部11を照射する前、すなわち散乱光459の上方散乱が発生する前に、照射部450内に設置されたシャッタ452からなる光遮断機構により光路を遮蔽し、前記レーザビーム458の照射を中断する。このシャッタ452は、進退駆動機構440の位置検出装置からの信号に基づき、コントローラ510のレーザビーム458位置検出手段が、ウェハ1に対するレーザビーム458の照明位置を算出し、予め設定した位置設定値に応動して、シャッタ452の開閉を制御する。これにより、ウェハ1の検査の始点位置をウェハ1中心、及びウェハ1のエッジ部11若しくはその外周の空間としてもエッジ部11から発する上方散乱の影響を抑止できる。これにより、レーザビーム458がエッジ部11にさしかかる前に、前記エッジ部11で発せられる散乱光459の発生を防止できるため、ノイズ成分による検出感度の低下や光検出器460の劣化を抑制できる。
なお、ここで説明した第3の実施の形態は、本実施例のみならず、第1の実施の形態、又は第2の実施の形態と併用することも効果的である。
なお、ウェハ1の座標や径または幅などの、シャッタ452を開閉する位置設定値は、表示装置530上に設けられた設定画面より、入力装置520を介して設定され、記憶装置513に登録される。該設定値に基づき、コントローラ510がシャッタ452の開閉を制御する。
図13は、本一実施例の設定画面を示したものである。設定画面上の測定不可範囲入力スペ−ス800に、シャッタ452を閉じてレーザビーム458の照射を中断する領域であるエッジ部11の幅が、入力装置520を介して入力可能となっている。エッジ部11の幅に基づいてコントローラ510が該当する進退駆動機構440の位置を算出し、シャッタ452の開閉を制御する。上述のようにエッジ部11の幅は、ウェハ1の座標や径など、少なくともウェハ1内の位置を特定できるものであれば代用可能である。また、上記入力スペ−スに限らず、設定画面上に設けたアイコンやボタンで開かれる別画面から設定することも可能であり、少なくとも位置の設定値を設定できるものであれば代用することができる。
なお、レーザビーム458のビーム形状や入射角θi及び面取りの形状によっても、エッジ部11表面に起因した散乱光が、影響を及ぼし始める位置も変化する。
ウェハ1のエッジに施されたベベルの面取りの始端より内側で、レーザビーム458を遮蔽することが望ましく、好ましくウェハ1の外周部より2〜5mmの幅、更に好ましくは、外周部より2.5〜3.5mmの幅の位置でレーザビーム458を遮ることが望ましい。
(第4の実施の形態)
また、光検出器460の劣化防止する他の方法としては、光検出器460に入射される散乱光459を遮ることも有効な手段である。以下に図9を参照して詳細を説明する。
(第4の実施の形態)
また、光検出器460の劣化防止する他の方法としては、光検出器460に入射される散乱光459を遮ることも有効な手段である。以下に図9を参照して詳細を説明する。
検査において、レーザビーム458がウェハ1のエッジ部11を照射する前、すなわちエッジ部11による上方への散乱光459が発生する前に、検査部400内に設置された光検出器460(460a,460b)の前面に設置された、シャッタ601a、601bからなる検出器遮蔽手段により、光検出器460への散乱光459の入射を遮蔽する。このシャッタ601a、601bは、進退駆動機構440の位置検出装置からの信号に基づき、コントローラ510のレーザビーム458位置検出手段が、ウェハ1に対するレーザビーム458の照明位置を算出し、予め設定した位置設定値に応動して、光検出器用シャッタ601a、601bの開閉を制御する。これにより、ウェハ1の検査の始点位置をウェハ1中心、及びウェハ1のエッジ部11若しくはその外周の空間としてもエッジ部11から発する上方散乱の影響を抑止できる。これにより、レーザビーム458がエッジ部11にさしかかる前に、エッジ部11で発せられる散乱光459が光検出器460a、460bに入射することを防止できるため、ノイズ成分による検出感度の低下や光検出器460a、bの劣化を抑制できる。
なお、ここで説明した第4の実施の形態は、本実施例のみならず、第1の実施の形態、又は第2の実施の形態と併用することも効果的である。
なお、実施例3と同様、ウェハ1の座標や径または幅などの、光検出器用シャッタ601a、601bを開閉する位置設定値は、表示装置530上に設けられた設定画面より、入力装置520を介して設定され、記憶装置513に登録される。該設定値に基づき、コントローラ510がシャッタ452の開閉を制御する。
なお、レーザビーム458のビーム形状や入射角θi及び面取りの形状によっても、エッジ部11表面に起因した散乱光が、影響を及ぼし始める位置も変化する。
ウェハ1端部に施されたベベルの面取りの始端より内側で、光検出器460への入射を遮ることが望ましく、好ましくウェハ1の外周部より2〜5mmの幅、更に好ましくは、外周部より2.5〜3.5mmの幅の位置で光検出器460への入射を遮ることが望ましい。
(第5の実施の形態)
また、同様に光検出器460の劣化防止する他の方法としては、エッジ部11に照射されたレーザビーム458からの散乱光459が発生する前に光検出器460の機能を停止することも有効な手段である。以下に図10と図14を参照して詳細を説明する。
ウェハ1端部に施されたベベルの面取りの始端より内側で、光検出器460への入射を遮ることが望ましく、好ましくウェハ1の外周部より2〜5mmの幅、更に好ましくは、外周部より2.5〜3.5mmの幅の位置で光検出器460への入射を遮ることが望ましい。
(第5の実施の形態)
また、同様に光検出器460の劣化防止する他の方法としては、エッジ部11に照射されたレーザビーム458からの散乱光459が発生する前に光検出器460の機能を停止することも有効な手段である。以下に図10と図14を参照して詳細を説明する。
ウェハ1の検査の過程で、レーザビーム458がウェハ1のエッジ部11を照射する前、すなわち散乱光459の上方散乱が発生する前に、光検出器460a、460bの機能を停止するか、もしくは光電変換感度を低下させる。この光検出器460a、460bは、進退駆動機構440の位置検出装置からの信号に基づき、コントローラ510のレーザビーム458位置検出手段が、ウェハ1に対するレーザビーム458の照明位置を算出し、予め設定した位置設定値に応動して、光検出器駆動部610からなる検出器制御手段を介して制御する。これにより、ウェハ1の検査の始点位置をウェハ1中心、及びウェハ1のエッジ部11若しくはその外周の空間としてもエッジ部11から発する上方散乱の影響を抑止できる。これにより、レーザビーム458がエッジ部11にさしかかる前に、エッジ部11で発せられる散乱光459が光検出器460a、460bに及ぼす影響を防止できるため、ノイズ成分による検出感度の低下や光検出器460の劣化を抑制できる。
なお、ここで説明した第5の実施の形態は、本実施例のみならず、第1の実施の形態、又は第2の実施の形態と併用することも効果的である。
なお、ウェハ1の座標や径または幅などの、この光検出器460a、460bを制御する位置設定値は、表示装置530上に設けられた設定画面より、入力装置520を介して設定され、記憶装置513に登録される。該設定値に基づき、コントローラ510が光検出器駆動部610を介して光検出器460a、460bを制御する。
図14は、本一実施例の設定画面を示したものである。設定画面上の測定不可範囲入力スペ−ス900に、光検出器駆動部610を介して光検出器460a、460bの機能を制御するエッジ部11の幅、及び光電変換感度が入力装置520を介して入力可能となっている。該エッジ部11の幅に基づいてコントローラ510が該当する進退駆動機構440の位置を算出し、光検出器460a、460bを制御する。上述のように該エッジ部11の幅は、ウェハ1の座標や径など、少なくともウェハ1内の位置を特定できるものであれば代用可能である。また、上記入力スペ−スに限らず、設定画面上に設けたアイコンやボタンで開かれる別画面から設定することも可能であり、少なくとも位置の設定値を設定できるものであれば代用することができる。
なお、レーザビーム458のビーム形状や入射角θi及び面取りの形状によっても、エッジ部11表面に起因した散乱光が、影響を及ぼし始める位置も変化する。
ウェハ1端部に施されたベベルの面取りの始端より内側で、検出器制御手段を駆動することが望ましく、好ましくウェハ1の外周部より2〜5mmの幅、更に好ましくは、外周部より2.5〜3.5mmの幅の位置で検出器制御手段を駆動することが望ましい。
以上、半導体装置の製造に係わる半導体基板の異物検査装置を一例に、ウェハを被検査体として説明したが、本発明の技術は半導体基板に係わらず、液晶パネルに用いられるガラス基板、ALTIC基板、センサーやLED等に用いられるサファイヤ基板などの如何を問わず、平板状の基板であれば使用することが 可能である。
また、半導体装置に限定されるものではなく、ハードディスク、液晶パネル表示装置、各種のセンサー等の様々な製造工程に広く適用することができる。
また、半導体装置に限定されるものではなく、ハードディスク、液晶パネル表示装置、各種のセンサー等の様々な製造工程に広く適用することができる。
1…ウェハ、2…ウェハ1の移動の軌跡、11…ウェハ1の外周(エッジ)部、12…ウェハ1の平坦面、100…ロードポート、110…ウェハポッド、200…搬送部、200…搬送装置、220…ハンドリングアーム、300…プリアライメント部、310…載置部、400…検査部、410…ウェハ保持機構、420…θステージ、430…Zステージ、440…Xステージ、450…光照射部、451…レーザ光源、452…シャッタ、453…アッテネータ、454…光軸補正機構、455…照射方向切り換え機構、456a、456b…ビーム成形機構、457a〜g…ミラー、458…レーザビーム、459a、459b…散乱光、460a、460b…光検出器、500…データ処理部、510…コントローラ、511…演算処理装置、512…記憶装置、513…制御装置、520…入力装置、530…表示装置、540…出力装置、550…外部記憶装置、601…光検出器用シャッタ、610…光検出器駆動部、700…射出部、800…外周部の測定不可範囲入力スペース、900…外周部の測定不可範囲、及び検出器制御電圧入力スペース。
Claims (14)
- 非平坦面もしくは傾斜面のエッジを有する被検査体の表面に光ビームを照射する照射機構と、前記光ビームを前記被検査体の表面で走査させる走査機構と、前記被検査体からの散乱光を検出する検出器とを備えた表面検査装置において、
前記被検査体の前記エッジに光ビームがかかる時に前記表面の法線と前記光ビームとのなす入射角が大きくなる方向に光ビームが走査していくように走査方向を設定した前記走査機構を有することを特徴とする表面検査装置。 - 被検査体の表面に光ビームを照射する照射機構と、前記光ビームを前記被検査体の表面で走査させる走査機構と、前記被検査体からの散乱光を検出する検出器とを備えた表面検査装置において、
前記光ビームが前記被検査体のエッジにかかる時に前記散乱光が前記検出器の方に増大しない方向に前記光ビームが走査していくように走査方向を設定した前記走査機構を有することを特徴とする表面検査装置。 - 前記走査機構は、前記被検査体を前記光ビームに対して相対移動させる機構よりなり、前記被検査体の検査面内から走査を開始し、前記被検査体を前記光ビームの出射部へ向かう方向へ移動させながら走査を行なうことを特徴とする請求項1又は2記載の表面検査装置。
- 前記走査機構は、前記被検査体を前記光ビームに対して相対移動させる機構よりなり、前記被検査体の検査面外から走査を開始し、前記被検査体を前記光ビームの照射の方向と同じ方向へ移動させながら走査を行なうことを特徴とする請求項1又は2記載の表面検査装置。
- 非平坦面もしくは傾斜面のエッジを有する被検査体の表面に光ビームを走査させて、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査方法において、
前記被検査体の前記エッジに光ビームがかかる時に前記表面の法線と前記光ビームとのなす入射角が大きくなる方向に光ビームが走査していくように走査方向を設定したことを特徴とする表面検査方法。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査方法において、
前記走査は、前記被検査体を前記光ビームの照射位置に対して相対的に移動させることで行われ、前記被検査体の移動方向を、この被検査体のエッジが前記光ビームの照射位置にかかる時に前記散乱光が光検出器の方に増大しない移動方向に設定したことを特徴とする表面検査方法。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査装置において、
前記被検査体を保持する保持機構と、
前記保持機構を回転させる回転駆動機構と、
前記保持機構を直線的に進退移動させることにより前記光ビームを走査させる進退駆動機構と、
前記保持機構の移動に対する前記光ビームの相対的な照射位置の移動位置を検出する位置検出手段と、
前記光ビームの前記保持機構に対する所定の相対位置に応動して前記光ビームの照射を停止する光停止手段と、を備えたことを特徴とする表面検査装置。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査方法において、
前記光ビームの照射位置に対する前記被検査体の相対的移動位置を検出し、前記光ビームの照射位置が前記被検査体のエッジ部にさしかかる前に前記光ビームの照射を停止することを特徴とする表面検査方法。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査装置において、
前記被検査体を保持する保持機構と、
前記保持機構を回転させる回転駆動機構と、
前記保持機構を回転させながら直線的に移動させることにより前記光ビームを走査させる進退駆動機構と、
前記保持機構の移動に対する前記光ビームの相対的な照射位置の移動位置を検出する位置検出手段と、
前記光ビームの前記保持機構に対する所定の相対位置に応動して散乱光検出用の検出器への前記散乱光の入射を遮る検出器遮蔽手段と、を備えたことを特徴とする表面検査装置。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査方法において、
前記光ビームの照射位置に対する前記被検査体の相対的移動位置を検出し、前記光ビームの照射位置が前記被検査体のエッジ部にさしかかる前に散乱光検出用の検出器を前記散乱光から遮ることを特徴とする表面検査方法。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査装置において、
前記被検査体を保持する保持機構と、
前記保持機構を回転させる回転駆動機構と、
前記保持機構を回転させながら直線的に移動させることにより前記光ビームを走査させる進退駆動機構と、
前記保持機構の移動に対する前記光ビームの相対的な照射位置の移動位置を検出する位置検出手段と、
前記光ビームの前記保持機構に対する所定の相対位置に応動して前記光ビームの光路を遮る光路遮断機構と、を備えたことを特徴とする表面検査装置。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査方法において、
前記光ビームの照射位置に対する前記被検査体の相対的移動位置を検出し、前記光ビームの照射位置が前記被検査体のエッジ部にさしかかる前に前記光ビームの光路を遮ることを特徴とする表面検査方法。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査装置において、
前記被検査体を保持する保持機構と、
前記保持機構を回転させる回転駆動機構と、
前記保持機構を回転させながら直線的に移動させることにより前記光ビームを走査させる進退駆動機構と、
前記保持機構の移動に対する前記光ビームの相対的な照射位置の移動位置を検出する位置検出手段と、
前記光ビームの前記保持機構に対する所定の相対位置に応動して散乱光検出用の検出器の機能を停止する検出器制御手段と、を備えたことを特徴とする表面検査装置。 - 被検査体の表面に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する表面検査方法において、
前記光ビームの照射位置に対する前記被検査体の相対的移動位置を検出し、前記光ビームの照射位置が前記被検査体のエッジ部にさしかかる前に散乱光検出用の検出器の機能を停止することを特徴とする表面検査方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009244035A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査装置 |
JP2020190457A (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 株式会社昭和電気研究所 | ウエハ検査装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080297786A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspecting device and inspecting method |
JP4997069B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 不良検出方法及び不良検出装置 |
JP5525336B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2014-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
KR102006878B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 검사식각 복합장치 및 이를 구비하는 기판 처리장치 |
JP6335499B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2018-05-30 | 株式会社イシダ | 光学検査装置 |
US10269926B2 (en) * | 2016-08-24 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Purging deposition tools to reduce oxygen and moisture in wafers |
CN107204305B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-07-23 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种便携式扁平封装电路引线检查与整形装置 |
JP6789187B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2020-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板反り検出装置及び基板反り検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
CN109545700B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-07-31 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆缺陷扫描方法 |
WO2021014623A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1019792A (ja) * | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
JPH1030989A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Topcon Corp | 表面の検査装置 |
JPH11153546A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-08 | Topcon Corp | 表面検査方法及び装置 |
JP2000171227A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Hitachi Metals Ltd | パターンを有するウエハの異物検査装置及び検査方法 |
JP2004163243A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Silicon Technology Co Ltd | 表面評価装置 |
JP2006301303A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Canon Inc | 異物検査装置及び異物検査方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5719405A (en) * | 1992-09-01 | 1998-02-17 | Nikon Corporation | Particle inspecting apparatus and method using fourier transform |
US6294793B1 (en) * | 1992-12-03 | 2001-09-25 | Brown & Sharpe Surface Inspection Systems, Inc. | High speed optical inspection apparatus for a transparent disk using gaussian distribution analysis and method therefor |
US20040057044A1 (en) * | 1994-12-08 | 2004-03-25 | Mehrdad Nikoonahad | Scanning system for inspecting anamolies on surfaces |
US20040042001A1 (en) * | 2002-04-18 | 2004-03-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US20040207836A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-10-21 | Rajeshwar Chhibber | High dynamic range optical inspection system and method |
US20050122508A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-06-09 | Sachio Uto | Method and apparatus for reviewing defects |
DE102004004761A1 (de) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Wafers |
DE102004029012B4 (de) * | 2004-06-16 | 2006-11-09 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren zur Inspektion eines Wafers |
US7489393B2 (en) * | 2005-03-02 | 2009-02-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Enhanced simultaneous multi-spot inspection and imaging |
-
2006
- 2006-07-31 JP JP2006208129A patent/JP2008032621A/ja active Pending
-
2007
- 2007-02-28 US US11/711,863 patent/US20080024773A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1019792A (ja) * | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
JPH1030989A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Topcon Corp | 表面の検査装置 |
JPH11153546A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-08 | Topcon Corp | 表面検査方法及び装置 |
JP2000171227A (ja) * | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Hitachi Metals Ltd | パターンを有するウエハの異物検査装置及び検査方法 |
JP2004163243A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Silicon Technology Co Ltd | 表面評価装置 |
JP2006301303A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Canon Inc | 異物検査装置及び異物検査方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009244035A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査装置 |
US7869024B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-01-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and its apparatus for inspecting defects |
US7965386B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-06-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and its apparatus for inspecting defects |
US8314929B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-11-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and its apparatus for inspecting defects |
JP2020190457A (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 株式会社昭和電気研究所 | ウエハ検査装置 |
JP7360687B2 (ja) | 2019-05-21 | 2023-10-13 | 株式会社昭和電気研究所 | ウエハ検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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