JPH11153546A

JPH11153546A - 表面検査方法及び装置

Info

Publication number: JPH11153546A
Application number: JP33656697A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Isozaki; 久磯崎
Original assignee: Topcon Corp
Current assignee: Topcon Corp
Priority date: 1997-11-21
Filing date: 1997-11-21
Publication date: 1999-06-08
Anticipated expiration: 2017-11-21
Also published as: JP3930129B2

Abstract

(57)【要約】【課題】有効範囲を越えた外周範囲でも適切にウェー
ハ上の異物等を検査できる表面検査方法を提供する。【解決手段】測定物の表面に存在する異物・キズを検
査する表面検査方法において、異物・キズを測定する有
効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲との間にスレッ
ショルド信号レベルを設定して、有効範囲を測定してい
るとき、スレッショルド信号レベルを越えたら、その位
置をスタート位置とし、その後、スレッショルド信号レ
ベルを越えたら、その位置をエンド位置とし、スタート
位置とエンド位置との間の測定の仕方と、有効範囲での
測定の仕方とを相違させ、スタート位置とエンド位置と
の間の測定の仕方と有効範囲での測定の仕方とを自動的
に切り替える表面検査方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハのよ
うな主としてウェハ形状の測定物の表面に存在する異物
・キズを検査するのに適した表面検査方法及び装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、光学系を介して光源からの光
を測定物の表面に照射するとともに測定物の表面から反
射した散乱光を光電変換素子で受光し、その間に、測定
物と光学系を相対的に変位させて、測定物の表面上の異
物を検査し、異物の座標位置を記録する表面検査方法
は、公知である。その変換素子としては、例えばフォト
マルチプライヤ等が使用されている。

【０００３】ウェーハ等の測定物では、その測定に有効
範囲がある。異物・キズは、その有効範囲内で測定され
る。

【０００４】高い感度を有するフォトマルチプライヤ
は、ウェーハ上の異物からの散乱光を測定する事が十分
可能である。しかし、ウェーハの有効範囲外つまり外周
範囲は汚れている事が多く、外周範囲では、有効範囲と
は比ベる事ができないほど多量の散乱光が発生する。ま
た、外周範囲にはウェーハのエッジ部分が存在してお
り、そこでは特に多量の散乱光が発生する。

【０００５】ところが、従来の異物検査装置は、外周範
囲と有効範囲で同じフォトマルチプライヤの信号を基に
測定している。そのため、外周範囲で多量の散乱光があ
る場合、フォトマルチプライヤの特性上、飽和現象が起
き、それから一定の時間は測定が不可能になることがあ
る。

【０００６】たとえば、図８は、そのような測定不可の
状態を示している。光学系を介して光源からの光を測定
物の表面に照射するとともに測定物の表面から反射した
散乱光を光電変換素子で受光し、その間に、測定物と光
学系を相対的に変位させて、矢印の方向に走査光を連続
して複数の測定物に当てて、測定物の表面上の異物を検
査する。有効範囲を測定しているときは、問題は発生し
ないが、走査光がウェハの外周部分に到来すると、つま
り、有効範囲を越えた外周範囲では、図３の下側に示す
ように、多量の散乱光が発生し、フォトマルチプライヤ
が飽和状態になり、それから一定の時間は測定が不可能
になる。それは、図８に示すフォトマル不感帯領域であ
る。

【０００７】従来のフォトマルの表面検査方法において
は、フォトマルチプライヤの原理上の問題があるため、
ウェーハのエッジ部の強い散乱光の影響で不感帯ができ
ることはさけられない。特にウェーハにＵ，Ｖノッチ等
が存在する場合は正確な表面検査が困難になる。事実
上、エッジの正確な測定はできない。

【０００８】図８における従来のフォトマルの表面検査
方法を採用するとともに、別のセンサでウェーハ表面を
検査したとしても、座標位置が正確でないか全く記録さ
れていないと、ウェーハ表面の測定データが保存されて
いても、図９に示すように役に立たない処理になってし
まう。

【０００９】そのため、外周範囲の測定データは様々な
形でデータ処理が行われている。

【００１０】しかし、いずれのデータ処理によっても、
原理上正しい測定は困難であり、外周範囲の座標にいた
っては、その正確な測定方法が確立されていない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】仮に別のセンサで外周
範囲のみを測定するとしても、有効範囲の測定に使用す
るセンサーとは別に測定およびデータ処理をせざるをえ
ないので、両センサーに関して座標位置を正確に合わせ
ることは原理上無理である。

【００１２】また、検出光の正反射光を別な低感度セン
サで受け、そのデータを異物検査と同じ様な処理をする
ことで外周範囲を正確に測定する方法も考えられるが、
検出光の正反射を用いた別センサにより外周範囲の測定
データを正確に測定したとしても、異物データと同じよ
うに処理するには付属する座標データが多すぎるため、
大量のメモリが必要になり、データ処理上、あるいはハ
ードウエアの構成上、コストの問題が非常に大きくな
る。

【００１３】また、座標データを持たせることなく、ピ
クセル処理を行なった場合は、データは存在するが、座
標データが欠落するため、正確な外周範囲の測定データ
を得ることができない。

【００１４】本発明の目的は、有効範囲を越えた外周範
囲でも適切にウェーハ上の異物等を検査できる表面検査
方法を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の解決手段の１つ
は、測定物の表面に存在する異物・キズを検査する表面
検査方法において、異物・キズを測定する有効範囲とそ
の有効範囲を外れた外周範囲との間にスレッショルド信
号レベルを設定して、有効範囲を測定しているとき、ス
レッショルド信号レベルを越えたら、その位置をスター
ト位置とし、その後、スレッショルド信号レベルを越え
たら、その位置をエンド位置とし、スタート位置とエン
ド位置との間の測定の仕方と、有効範囲での測定の仕方
とを相違させ、スタート位置とエンド位置との間の測定
の仕方と有効範囲での測定の仕方とを自動的に切り替え
る表面検査方法である。

【００１６】好ましくは、有効範囲内で異物を測定する
際には、異物の存在が検出されたときのみ、反射光量が
記憶され、外周範囲の測定範囲では、反射光量を主とし
て測定し、反射光量は最小値処理が実施されるようにす
る。しかも、有効範囲と外周範囲の各々の測定範囲で
は、任意のサンプリング態様に切り替えることが可能で
あり、測定スピードも可変であるのが望ましい。特に、
異物・キズを測定する有効範囲では、異物・キズのデー
タの最大値および座標と、スタート位置と、エンド位置
とを測定し、外周範囲の測定範囲では、主に測定物のエ
ッジ部分の最小値および座標と、スタート位置と、エン
ド位置とを測定する。さらに、データメモリは、任意の
アドレスを１つ共有化し、測定範囲に応じたメモリに記
憶するデータを変更する。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明による表面検査方法におい
ては、異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を
外れた外周範囲とを明確に区別する。そして、有効範囲
と外周範囲との間にスレッショルド信号レベルを設定す
る。有効範囲では主として異物・キズを測定する。その
異物・キズの測定のとき、スレッショルド信号レベルを
越えたら、その位置をスタート位置とする。その後、ス
レッショルド信号レベルを越えたら、その位置をエンド
位置とする。そのようにして確定されたスタート位置と
エンド位置との間の測定の仕方と、有効範囲での測定の
仕方とを相違させるのが本発明の重要なポイントであ
る。そして、スタート位置とエンド位置との間の測定の
仕方と有効範囲での測定の仕方とは自動的に切り替え
る。

【００１８】本発明による表面検査方法において使用さ
れる主なデータは、つぎのとおりである。

【００１９】（１）異物の最大値データ（２）異物のスタート位置データ（３）異物のエンド位置データ（４）測定物の反射光量データ本発明による表面検査方法において採用される主な処理
は、つぎのとおりである。

【００２０】（１）異物を検査する有効範囲とそれから
外れた外周範囲との測定位置データを設定する。

【００２１】（２）異物検査用の有効範囲内では、異物
を主として測定する。この時、反射光量は異物が存在し
たときのみデータが記憶される。

【００２２】（３）外周範囲内では、反射光量を主とし
て測定する。この時、反射光量は最小値処理が実施さ
れ、そのデータにスタート位置データとエンドの位置デ
ータが記録される。

【００２３】前述のような各種データを測定して処理を
行うことにより、外周範囲においても、異物の検査のと
きと同じ座標精度を持たせることができる。それゆえ、
正確なエッジ部（外周）の測定が可能になる。

【００２４】また、異物を検査する有効範囲とそれから
外れた外周範囲とのデータを共有化することで、大量の
メモリを使用する必要がなくなる。その結果、低コスト
で作製できるようになる。

【００２５】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の好適な実施
例を説明する。

【００２６】図１は、本発明による螺旋走査方式の表面
検査装置の一例を示している。光源１１０と、この光源
１１０からの光を測定物の表面１１１に照射する照射光
学系１１２と、照射光学系１１２で照射されて測定物１
１１表面から反射された散乱光を受光して受光信号を形
成する第１受光光学系１１３と、第１受光光学系１１３
で受光された光を受光信号として出力する光電変換素子
１１４と、光源１１０からの照射光が測定物で反射され
たときの反射光が入射する位置に配置される第２受光光
学系１１５と、第２受光光学系１１５で受光された光を
出力信号として出力するエッジ検出素子１２０と、検査
対象物１１１の表面と照射光学系１１２及び第１及び第
２受光光学系１１３、１１５とに相対的な直線変位を与
える直線変位部１１７と、検査対象物１１１の表面と照
射光学系１１２並びに第１及び第２受光光学系１１３、
１１５とに相対的な回転変位を与える回転変位部１１８
とを有し、照射された光が測定物１１１の表面上を螺旋
走査するように構成されている。直線変位部１１７と回
転変位部１１８には、それぞれモーター１１９、１２０
が接続されている。

【００２７】図２は、本発明の実施例の一つを示すブロ
ック図である。

【００２８】図２において、エッジ検出素子と光電変換
素子がそれぞれＡＭＰ回路、Ａ／Ｄ変換回路を介してピ
ーク検出回路部と最小値検出回路部に接続され、両方と
もデータ処理回路部に接続され、さらにメモリ部に接続
されている。エンコーダ信号は、データ処理回路部とピ
ーク検出回路部に送られる。操作部を介して測定者から
所定の指示がなされる。

【００２９】本発明が適用された表面検査装置は、測定
物の有効範囲において異物・キズの検出を、また外周範
囲においてオリフラ又はＶ若しくはＵノッチなどの切欠
きを検出するように、そろぞれで異なる処理を行う。

【００３０】ここで測定物の有効範囲と外周範囲の区分
けは、測定物を一義的に区別できる方法であれば様々な
方法が採用できる。例えば、測定者が操作部を介して座
標値を指定して定めること、即ち（検出に極座標系を利
用している場合に動径ｒを指定したり、外周から○ｍｍ
というように指定することもできる。

【００３１】また他の例として、照明光学系又は受光光
学系と対象物間の位置関係を検出する位置検出センサー
を設けて、その検出出力により区別するようにしてもよ
い。

【００３２】ノッチを有するウエハを測定物としてとき
の区分けの一例を図１０（ａ）に示し、オリフラを有す
るウエハを測定物としてときの区分けの一例を図１０
（ｂ）に示す。

【００３３】一例として、半導体のウエハを検査する用
途に適用した場合、測定物はウエハであり、ウエハの有
効範囲において異物・キズの検出を、また外周範囲にお
いてオリフラなどの切欠きを検出することとなる。

【００３４】まず測定物の有効範囲で測定する場合を以
下に説明する。測定物の有効範囲において、表面検査装
置は、照射光学系を介して光源からの光を測定物の表面
に照射するとともに測定物の表面から反射した散乱光を
光電変換素子で受光し、その間に、測定物と照射光学系
及び受光光学系とを相対的に変位させて、矢印方向に走
査光を連続して複数の測定物に照射して測定物上の異物
を測定する。光電変換素子１１４は、フォトマルチプラ
イヤで構成することが高感度である点から望ましい。

【００３５】この際に、光電変換素子で得られる異物か
らの散乱光を含んだ受光信号の一例を、図３に示す。

【００３６】ピーク検出回路部は、光電変換素子からの
信号に応じて、走査に従い異物からの散乱信号がスライ
スレベルを越えたらその時点をスタート位置とし、エン
コーダーからの信号によりENm start data、直線変位部
１１７による変位量に応じてYm start data を、クロッ
ク回路ＣＬＫからのクロック信号からXm start data
を、その座標データとして出力する。

【００３７】その後異物散乱信号が、スライスレベルを
下回ったらそこをエンド位置としてその座標を、エンコ
ーダーからの信号によりENm end data、直線変位部１１
７による変位量に応じてYm end data を、クロック回路
ＣＬＫからのクロック信号からXm end data を、その座
標データとして出力する。

【００３８】スタート位置とエンド位置の間で異物散乱
信号が最も大きかったところをピークとして、そのピー
クレベル値及びその座標を、エンコーダーからの信号に
よりENm data、直線変位部１１７による変位量に応じて
Ym data を、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号か
らXm data 、ピークレベルをDm peak として出力する。

【００３９】ここでENm dataは、エンコーダーの出力
で、例えば１周６０００パルスが発生されるもので、周
方向の粗い位置を示す。 Ym dataは、直線変位部１１７
による変位量、即ち径方向の位置を示す。Xm data は、
クロック回路ＣＬＫからのクロック信号により周方向の
精密な位置を示す。

【００４０】次に、外周範囲での測定は、次のように行
われる。直線変位部の変位量により、有効範囲から外周
範囲への測定であること判断すると、光電変換素子から
の受光信号ではなく、エッジ検出素子の出力信号を用い
て測定が行われる。

【００４１】ここで、エッジ検出素子の感度は、照射光
学系の照射光が測定物で反射した反射光と、照射光学系
の照射光が測定物のオリフラなどで反射しなくなったと
きの入射光とを区別できるように選択されている。従っ
て、光電変換素子の感度は、エッジ検出素子の感度より
も高く設定される。

【００４２】走査によって、照射光が測定物からその切
欠き部を通過したときのエッジ検出素子の出力信号を、
図４に示す。

【００４３】最小値検出回路部は、エッジ検出素子から
の信号に応じて、照射光学系の照射光が測定物で反射し
た反射光と、照射光学系の照射光が測定物のオリフラな
どで反射しなくなったときの入射光とを区別できるエッ
ジ用スレッショルドレベルを設定し、走査に従い、エッ
ジ検出素子からの信号がスライスレベルを下回ったらそ
の時点をスタート位置とし、その座標を、ENmn start d
ata 、直線変位部１１７による変位量に応じてYmn star
t dataを、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号から
Xmn start dataを、その座標データとして出力する。

【００４４】その後、エッジ検出素子からの信号が、ス
ライスレベルを上回ったらそこをエンド位置として、そ
の座標を、エンコーダーからの信号によりENmn end dat
a 、直線変位部１１７による変位量に応じてYmn end da
taを、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号からXmn
end dataとして出力する。

【００４５】スタート位置とエンド位置の間で異物散乱
信号が最も大きかったところをボトム（底部）として、
そのボトムレベル値及びその座標を、エンコーダーから
の信号によりENm data、直線変位部１１７による変位量
に応じてYmn dataを、クロック回路ＣＬＫからのクロッ
ク信号に応じてXmn data、ピークレベルをDmn bottomと
して出力する。

【００４６】これらの座標データ及びレベルデータは、
データ処理回路部を介してメモリ部に記憶される。

【００４７】そのときの記憶アドレスの状態を示したも
のが、図５である。

【００４８】ここにおいては、各列の３行で１つの測定
データ（異物データ又はオリフラ若しくはノッチのデー
タ）を示すものである。

【００４９】有効範囲の測定の場合、第１行には異物の
ピークのデータが記憶される。第１行第１列には、ピー
クレベルDm peak が、第１行第２列には周方向の精密座
標Xmn dataが、第１行第３列には径方向の座標Ymn data
が、第１行第４列には周方向の粗い座標データとしてEN
mn data,が記憶される。

【００５０】第２行には、異物のスタート位置のデータ
が記憶される。即ち、第２行第１列は、ブランクとさ
れ、第２行第２列には周方向の精密座標Xmn start data
が、第２行第３列には径方向の座標Ymn start dataが、
第２行第４列には周方向の粗い座標データとしてENmn s
tart data,が記憶される。

【００５１】第３行には、異物のエンド位置のデータが
記憶される。即ち、第３行第１列は、ブランクとされ、
第３行第２列には周方向の精密座標Xmn end dataが、第
３行第３列には径方向の座標Ymn end dataが、第２行第
４列には周方向の粗い座標データとしてENmn end data,
が記憶される。

【００５２】一方、測定範囲が外周範囲に変わると、ボ
トムのデータが記憶される。

【００５３】第３ｎ行第１列には、オリフラ又はノッチ
のボトムレベルDm peak が、第３ｎ行第２列には周方向
の精密座標Xmn dataが、第３ｎ行第３列には径方向の座
標Ymn dataが、第３ｎ行第４列には周方向の粗い座標デ
ータとしてENmn data,が記憶される。

【００５４】第３ｎ＋１行には、オリフラ又はノッチの
スタート位置のデータが記憶される。即ち、第３ｎ＋１
行第１列は、ブランクとされ、第３ｎ＋１行第２列には
周方向の精密座標Xmn start dataが、第３ｎ＋１行第３
列には径方向の座標Ymn start dataが、第３ｎ＋１行第
４列には周方向の粗い座標データとしてENmn start dat
a,が記憶される。

【００５５】第３ｎ＋２行には、オリフラ又はノッチの
エンド位置のデータが記憶される。即ち、第３ｎ＋２行
第１列は、ブランクとされ、第３ｎ＋２行第２列には周
方向の精密座標Xmn end dataが、第３ｎ＋２行第３列に
は径方向の座標Ymn end dataが、第３ｎ＋２行第４列に
は周方向の粗い座標データとしてENmn end data,が記憶
される。

【００５６】上述したように有効範囲でも外周範囲で
も、スタート位置、エンド位置及び、ピーク又はボトム
のデータの３つの組合せのデータ形式を採用したので、
有効範囲でも外周範囲でも、第２列乃至第４列の座標デ
ータに関しては、同じように記憶し、第１列に関しての
み、有効範囲においてはピークレベルを、また外周範囲
においてはボトムレベルを記憶しさえすれば、異物のデ
ータとオリフラ又はノッチのデータも同様のアドレス体
系として記憶することができる。

【００５７】従って、本実施例において、データメモリ
は、有効範囲及び外周範囲において、第２列乃至第４列
のアドレスを共有化して利用している。即ちデータメモ
リは、任意のアドレスを少なくとも１つ共有化して、測
定範囲に応じたメモリをしようしている。

【００５８】また、有効範囲でも外周範囲でも、スター
ト位置、エンド位置及び、ピーク又はボトムのデータの
３つの組合せのデータ形式を採用したため、有効範囲で
も外周範囲でも、データ処理の共通化が図れる。

【００５９】データ処理回路部は、図６に示すように、
測定物の切欠きに相当するウエハのノッチの形状をデー
タメモリに記憶されたスタート位置座標とエンド位置座
標を示す上記測定データに基づき、その形状を忠実に再
現して表示部に表示させることができる。

【００６０】このようにすれば、有効範囲を測定してい
るときだけでなく、走査光がウェハの外周部分に到来し
たときも、つまり、有効範囲を越えて外周範囲に到来し
たときも、多量の散乱光の発生による問題は発生しな
い。すなわち、外周範囲においてフォトマルチプライヤ
が飽和状態になって、それから一定の時間は測定が不可
能になる事態は回避されるのである。

【００６１】従来のフォトマルの表面検査方法において
は、フォトマルチプライヤの原理上の問題があるため、
ウェーハのエッジ部の強い散乱光の影響で不感帯ができ
ることは避けられなかったが、図５からも明白なよう
に、本発明の表面検査方法によれば、図３に示すフォト
マル不感帯領域は生起しなくなるのでである。仮にウェ
ーハにＵノッチや，Ｖノッチ等が存在する場合であって
も、正確な表面検査が可能になる。

【００６２】たとえば、図６に示すように、エッジの正
確な測定も十分可能である。本発明の表面検査方法によ
れば、外周範囲の測定の際にも座標付きデータが記録で
きるので、ウェーハのエッジ部も正確な表面検査が可能
になるのである。

【００６３】次に本発明の変形例を説明する。

【００６４】図７は、本発明による螺旋走査方式の表面
検査装置の変形例を示している。

【００６５】図７に示す表面検査装置においては、図１
に示すものと、第２受光光学系１１５ａと、エッジ検出
素子１２０ａの配置を除き共通しているので、共通要素
の説明を省略し、相違点のみ説明を行う。

【００６６】第２受光光学系１１５ａは、照明光学系１
１２の光軸の延長線上に配置され、測定物の外周範囲に
ある切欠きを通過する光を受光する。

【００６７】エッジ検出素子１２０ａは、第２受光光学
系１１５ａで受光された光を出力信号として出力するも
のである。

【００６８】この場合、照射光が測定物の切欠きに当た
ると、照射光が直接第２受光光学系１１５ａに入射する
ので、エッジ検出素子１２０ａの出力は高くなる。

【００６９】従って、図２において最小値検出回路をピ
ーク検出部に交換するか、光電変換素子用のピーク検出
部を兼用することにより、信号処理を行うことができ
る。いうまでもないが、この変形例では、有効範囲でも
外周範囲でもスタート位置の座標、エンド位置の座標、
及びピークデータの処理及び記憶がなされる。

【００７０】

【発明の効果】本発明は、次のような効果を奏する。

【００７１】（１）ウェーハのエッジ部のデータが正確
に得られ、座標精度が向上する。

【００７２】（２）メモリの共有化が可能になるため、
低コストで作製できるようになる。

【００７３】（３）異物測定用の有効範囲とそれ以外の
外周範囲で異なる分解能を持たせことが可能になり、よ
り正確なエッジ情報が得られる。

【００７４】（４）測定範囲が異物測定用の有効範囲と
それ以外の外周範囲に分けられることで、ウェーハ上で
感度の異なるものを測定できるようになる。例えば、ウ
ェーハ周辺部に数字のマーキング等が存在する場合、そ
れを異物検査と同じ測定光で測定し、ソフトウエアによ
る文字認識が可能になる。

【００７５】（５）任意の測定範囲で走査スピード、サ
ンプリングが可変なため、ウェーハ外周部では代表値の
みでなく、サンプリングした値をすべてメモリしたり、
間引きデータのみをメモリすることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表面検査装置の一例を示す図である。

【図２】本発明の実施例の一つを示すブロック図であ
る。

【図３】異物からの散乱信号を含む光電変換素子の出力
を示す図である。

【図４】外周範囲での測定状態を示す図である。

【図５】データメモリ構造例を示す。

【図６】本発明による外周範囲における測定物の形状の
表示を示す図である。

【図７】本発明の表面検査装置の変形例を示す図であ
る。

【図８】従来のフォトマルによる表面検査方法を示す模
式図である。

【図９】従来のフォトマルによる表面検査方法による表
面検査結果を示す図である。

【図１０】測定物の有効範囲と外周範囲の区分けを示し
た図。

【符号の説明】

１１０光源１１１表面１１２照射光学系１１３第１受光光学系１１４光電変換素子１１５第２受光光学系１１７直線変位部１１８回転変位部１１９，１２０モータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】測定物の表面に存在する異物・キズを検
査する表面検査方法において、異物・キズを測定する有
効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲との間にスレッ
ショルド信号レベルを設定して、有効範囲を測定してい
るとき、スレッショルド信号レベルを越えたら、その位
置をスタート位置とし、その後、スレッショルド信号レ
ベルを越えたら、その位置をエンド位置とし、スタート
位置とエンド位置との間の測定の仕方と、有効範囲での
測定の仕方とを相違させ、スタート位置とエンド位置と
の間の測定の仕方と有効範囲での測定の仕方とを自動的
に切り替える表面検査方法。
【請求項２】有効範囲内で異物を測定する際には、異
物の存在が検出されたときのみ、反射光量が記憶される
請求項１に記載の表面検査方法。
【請求項３】外周範囲の測定範囲では、反射光量を主
として測定し、反射光量は最小値処理が実施される請求
項１または２に記載の表面検査方法。
【請求項４】有効範囲と外周範囲の各々の測定範囲で
は、任意のサンプリング態様に切り替えることが可能で
あり、測定スピードも可変である請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の表面検査方法。
【請求項５】異物・キズを測定する有効範囲では、異
物・キズのデータの最大値および座標と、スタート位置
と、エンド位置とを測定する請求項１〜４のいずれか１
項に記載の表面検査方法。
【請求項６】外周範囲の測定範囲では、主に測定物の
エッジ部分の最小値および座標と、スタート位置と、エ
ンド位置とを測定する請求項１〜５のいずれか１項に記
載の表面検査方法。
【請求項７】データメモリは、任意のアドレスを１つ
共有化する請求項１〜６のいずれか１項に記載の表面検
査方法。
【請求項８】測定範囲に応じたメモリを使用する請求
項１〜７のいずれか１項に記載の表面検査方法。
【請求項９】光源と、その光源からの光束で被検査表
面を照明する照明光学系と、該被検査対象物からの反射光を受光する受光光学系と、受光光学系で受けとられた反射光を受光する受光部と、スレッショルド信号を設定し、その受光部からの信号を
処理する信号処理部とを有し、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表面検査方法を
実行する表面検査装置。