JPH0517482B2 - - Google Patents

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JPH0517482B2
JPH0517482B2 JP58164069A JP16406983A JPH0517482B2 JP H0517482 B2 JPH0517482 B2 JP H0517482B2 JP 58164069 A JP58164069 A JP 58164069A JP 16406983 A JP16406983 A JP 16406983A JP H0517482 B2 JPH0517482 B2 JP H0517482B2
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JP
Japan
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turntable
inspected
data
motor
rotational position
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JP58164069A
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JPS6056208A (ja
Inventor
Shigeru Ogawa
Masaaki Kano
Hiroshi Yamaji
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP16406983A priority Critical patent/JPS6056208A/ja
Publication of JPS6056208A publication Critical patent/JPS6056208A/ja
Publication of JPH0517482B2 publication Critical patent/JPH0517482B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/303Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウエハ等の被検査物表面に存
在するゴミ、傷等の欠陥を検査する表面検査装置
に関する。
(従来の技術) 従来、例えば半導体装置用のシリコンウエハ等
の表面検査は作業者の目視による方法がほとんど
であつた。また、最近、光の反射光を利用した各
種のウエハ表面検査装置が、開発、市販されてい
る。これらの装置の検出原理は、第1図に示すよ
うに被検査物1表面に白色光源またはレーザの光
源2から光ビーム3を照射し表面からの正反射光
4及び散乱光5を光電変換器6,6により検出
し、その出力電圧に対して1個あるいは複数の閾
値を設定し、ゴミ、傷等の欠陥を検出し、大きさ
の分類を行つていた。
しかるに、従来の目視による方法では、作業者
に個人誤差があり、定量化が困難であつた。ま
た、熟練を要する疲労度の大きい作業であつた。
しかも、集積回路の微細化に伴い、1μm以下の欠
陥の有無の判別が種々のプロセスの評価に必要と
なつてくるが、目視検査では1μm以下の検出は困
難である。
他方、上記各種表面検査装置では、第2図に示
すように、一定の閾値VTを設定して検出してい
るため、被検査物が異なつた場合の出力信号の基
準レベルが変われば(例えば、鏡面状態の場合の
出力信号VIと膜形成されたウエハの場合の出力
信号VII)、これに対応して閾値も変化させる必要
がある。そのため、予め学習的にその閾値変動の
レベルを決定しておかなければならず、作業性が
すこぶる低くなつていた。また、被検査物にソリ
があつた場合も同様の問題が生じる。これらの場
合、検出される欠陥の大きさの分類は定量的では
なくなり、毎回標準サンプルによる校正が必要と
なる。
(発明が解決しようとする課題) そこで、本発明は、被検査物が変わつても予め
閾値を学習的に求めたり校正したりすることな
く、正確かつ定量的に欠陥を検出することができ
る表面検査装置を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段及び作用) 本発明は、上記課題を参酌してなされたもので
あり、下記構成を具備することを特徴とする表面
検査装置である。すなわち、 (イ) 被検査物を載置するターンテーブルと、前記
ターンテーブルを回転駆動させる第1のモータ
と、前記第1のモータに隣接して前記ターンテ
ーブルの回転位置を示す回転位置信号を出力す
る回転位置検出器と、前記ターンテーブルの回
転に同期して前記ターンテーブルを半径方向に
移動させる第2のモータとからなる搬送部。
(ロ) 前記ターンテーブルに載置された被検査物に
光を照射する光照射部。
(ハ) 前記被検査物からの散乱光を集光して受光量
に対応した大きさの電気信号に変換する光検出
部。
(ニ) 前記光検出部からの電気信号を上記回転位置
信号と同期してアナログ−デジタル変換し上記
アナログ−デジタル変換された散乱光データを
順次所定のアドレスに記憶する一時メモリ部。
(ホ) 前記第1のモータに制御信号を発して回転駆
動させるとともに、回転位置検出器からの出力
に基づいて前記第1のモータの回転に同期して
前記第2のモータを駆動させて、前記被検査物
上を同心円状に走査させる制御部。
(ヘ) 前記一時メモリ部に記憶された散乱光データ
の平均値と予め設定された値とを加算して閾値
を設定する閾値設定手段と、一時メモリ部の各
アドレスに記憶された散乱光データを前記閾値
と比較して欠陥の有無判定を行い欠陥データを
出力する欠陥判定手段と、被検査物上で区切ら
れた所定領域ごとにその領域内での欠陥データ
の最大値を記憶保持する記憶手段とからなる演
算部。
上記構成を備えた表面検査装置によれば、各被
検査物ごとに基準値を自動的に抽出・演算して定
め、その基準値に対して欠陥検出するための複数
のレベルを加算して閾値を設定しているため、被
検査物が異なつたり被検査物にソリがあつたりす
ることによつて、散乱光強度の変動があつた場合
でも、各被検査物ごとに閾値を標準サンプルによ
り校正する必要がなく表面欠陥を正確に検出する
ことができる。
さらに、一時メモリ部を設けたために、複数の
トラツク分のデータをサンプリング、記憶した
後、それらについて欠陥検出を行い、さらに画素
ごとにデータをまとめることができ、被検査物全
表面の測定データを1度に記憶する必要がなくメ
モリ容量が少なくてすむ。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳解す
る。
第3図は、本実施例の表面検査装置を示す構成
図である。本装置は、搬送部15と、光照射部8
と、光検出部12と、一時メモリ部22と、演算
制御部21とから構成されている。
上記搬送部15は、被検査物10を載置するタ
ーンテーブル16と、ターンテーブル16を回転
駆動させる直流モータ18と、ターンテーブル1
6の回転位置を検出するロータリー・エンコーダ
19と、ターンテーブルを半径方向に移動させる
ステツピングモータ20とから構成されている。
ターンテーブル16は、真空チヤツクなどの図示
しない機構によつて被検査物10を着脱可能に載
置固定し、その底面で直流モータ18に直結する
軸受部17にて軸支されている。直流モータ18
は、演算制御部21からの制御信号CDを受けて
作動し、ターンテーブル16を所定速度で回転駆
動させるようになつている。ロータリー・エンコ
ーダ19は、直流モータ18に隣接しており、タ
ーンテーブル16の回転開始を示す回転スタート
信号RSやターンテーブル16の回転位置を示す
回転位置信号RPを出力するようになつている。
ステツピングモータ20は、軸受部17の半径方
向にて連結されており、直流モータ18の回転に
同期して演算制御部21から出力される制御信号
CSによつてターンテーブル16を半径方向に所定
量(以下、1回の移動量を1トラツクとする。)
だけ移動させるようになつている。なお、ステツ
ピングモータ20には、リミツトスイツチ(図示
しない)などの位置検出機構が隣設されており、
所定位置にてターンテーブル16を停止できるよ
うになつている。しかして、後述する光照射部8
からのレーザ光は、被検査物10表面をその中心
から外周に向つて(あるいはその逆方向で)同心
円状に全面走査するようになつている。なお、本
実施例では、直流モータ181回転当たり3600パ
ルスの周期で回転位置信号RPを発生させるもの
とするが、任意に選択してもよい。また、位置検
出機構はターンテーブル16の回転を検出できる
ものであればロータリー・エンコーダ19でなく
てもよく、例えば、ターンテーブル16側面にマ
ーキングされた白黒の縞を光反射を利用してその
通過を検出するような構成であつてもよい。
上記光照射部8は、レーザ発振器9と、レンズ
系11とから構成され、搬送部15の鉛直上方に
設置されており、レーザ発振器9にて発されるレ
ーザ光をレンズ系11にて集光して、ターンテー
ブル16上に載置された被検査物10表面を微小
なスポツト径で照射するようになつている。な
お、光源は、レーザに限定されるものではなく、
後述する光電変換器14で検出できる光を発する
ものであればよい。
上記光検出部12は、中空で内面が酸化マグネ
シウムなどの拡散面で形成された球面をなす積分
球13と、その外周面に固設された光電変換器1
4とから構成されており、ターンテーブル16の
真上に隣接配置されている。積分球13の上方に
は光照射部8からのレーザ光を通す貫通穴が設け
られており、光照射時には、被検査物10からの
反射散乱光を積分球13が集光して、光電変換器
14が光の強度に応じた電圧信号を出力するよう
になつている。なお、光検出部12は、散乱光を
検出するものであれば他の手段であつてもよく、
積分球13に限定されるものではない。
上記一時メモリ部22は、光電変換器14から
入力した電圧信号をデジタル信号に変換するアナ
ログ−デジタル(以下、A/Dとする。)変換器
23と、このデジタル信号を一時記憶するメモリ
部24とから構成されている。電圧信号をA/D
変換するタイミングは回転位置信号RPに同期し
ており、デジタル信号は被検査物10上の極座標
位置(トラツク位置と回転位置)に対応した所定
のアドレス上に順次記憶されるようになつてい
る。なお、メモリ部24は、一度に複数のトラツ
ク分のデジタル信号値を記憶できる程度の容量を
有している(本実施例では、nトラツク分のデー
タを記憶できる容量を有するものとする。)。
上記演算制御部21は、CPU(Central
Processing Unit)部25と、データメモリ部2
6とから構成され、上記各部と電気的に接続され
ている。CPU部25は、直流モータ18に対し
制御信号CDを出力してターンテーブル16を回
転駆動させるとともに、ターンテーブル16が1
回転するごとにステツピングモータ20に制御信
号CSを出力してターンテーブル16を半径方向に
1トラツク分移動させて、レーザ光を被検査物1
0表面上を同心円状に全面走査させるようになつ
ている。また、CPU部25は、回転スタート信
号RSを入力して一時メモリ部22に対しA/D
変換および一時記憶の制御信号を出力するととも
に、メモリ部24に記憶されたデジタル信号値を
入力して後述するデータ処理を行うようになつて
いる。データメモリ部26は、データ処理の結果
検出された欠陥に関するデータを、例えば欠陥の
大きさごとに分類するなどして、所定のアドレス
に記憶するようになつている。
なお、本実施例においては、演算制御部21に
はCRTデイスプレイやプリンタなどの表示部2
7が接続されており、データメモリ部26からの
欠陥信号を読み出し、被検査物10表面上の欠陥
分布や欠陥の大きさ別の個数などを表示できるよ
うになつている。
次に、上記構成の表面検査装置の作動につい
て、第4図に示すフローチヤートに基づいて詳解
する。
レーザ光は、常時レンズ系11を介して微小ス
ポツト状に絞られて被検査物10上を照射できる
状態にしておく。また、被検査物10からの散乱
光を検出する積分球13及び光電変換器14も常
時検査可能な状態にしておく。
まず、被検査物10をターンテーブル16上に
載置し、図示していない機構(例えば真空チヤツ
ク等)により固定する(ブロツク28)。
つぎに、CPU部25は、制御信号CSを出力し
て、ステツピングモータ20を駆動させてターン
テーブル16を半径方向に移動させ、レーザ光の
照射位置が被検査物10の中心からrだけ離れた
位置で停止させる(ブロツク28a′)。
つぎに、CPU部25は、制御信号CDを出力し
て、直流モータ18によつてターンテーブル16
を回転駆動させる(ブロツク28b′)。
この間、光検出部12は、上記半径rの位置で
被検査物10が一周する期間内での散乱反射光を
集光して、光電変換器14からはその強度に応じ
た電圧信号を出力する。A/D変換器23は回転
位置信号RPに同期して電圧信号をA/D変換し
て、メモリ部24はこのデジタル信号値を被検査
物10表面上の座標位置に対応した所定のアドレ
スに順次書き込む(ブロツク28c′)。
メモリ部24で被検査物10上の半径r位置に
おける1周分のデータの書き込みが完了すると、
CPU部25では、閾値T1,T2,T3を求めるため
のデータ処理を行う。それには、まず半径rにて
1回転した間に得られた全データ(X1,X2,…,
Xo)の平均値VA次式により求める(ブロツク2
8d′)。
VA=(X1+X2+X3+…+Xo)/n つぎに、このVAに、経験則などによつて予め
設定された値L1,L2,L3(但し、L1<L2<L3)を
それぞれ加算することによつて、各閾値T1,T2
T3を求める(ブロツク28e′)。例えば、第5図
に示すように、最も小さい欠陥(1.0μm以下)を
検出するレベルをL1とすると、T1(=VA+L1
は最も小さい欠陥を検出する閾値となる。同様
に、さらに大きい欠陥を検出する場合は、L1
りも大きなレベルL2,L3を設定しているので、
VAにレベルL2,L3を加算することによつて閾値
T2,T3が求められる。
つぎに、CPU部25からの信号CSによりステ
ツピングモータ21を駆動してターンテーブル1
6を半径方向に移動させ、レーザビームが被検査
物10の中心を照射する位置にて停止させる(ブ
ロツク29)。
つぎに、CPU部25からの信号CDによりター
ンテーブル16回転用の直流モータ18を回転さ
せる(ブロツク30)。そして、ステツピングモ
ータ20を駆動して、ターンテーブル16を1ト
ラツク分だけ半径方向に移動させる(ブロツク3
1)。このとき、1トラツクは、レーザ光のスポ
ツト径dを予め測定しておき、その80〜90%すな
わち(0.8〜0.9)×dとする。
つぎに、第5図に示すように、ターンテーブル
16の回転により、ロータリー・エンコーダ19
は回転スタート信号RS(1パルス/1回転)を
CPU部25に出力する(ブロツク32)。
A/D変換器23は、ターンテーブル16が1
回転する間に、光電変換器14からの電圧信号を
A/D変換してメモリ部24へのデータ書込みを
開始する(ブロツク33)。ここで、A/D変換
およびデータ書込みは、ロータリー・エンコーダ
19からの回転位置信号RP(3600パルス/1回
転)と同期して行われ、メモリ部24は被検査物
10上で回転角0.1度ごとに得られたデジタル信
号値を被検査物10上の座標位置に対応した所定
のアドレスに順次記憶する。
ターンテーブル16が1回転してメモリ部24
がこの間のデータ(3600個)を書き込み終わる
と、CPU部25は制御信号CSを出力してターン
テーブル16をさらに半径方向に1トラツク分移
動させる。そして、再び回転スタート信号RS
入力して、同様に1回転分の3600個のデータを書
き込む(ブロツク34)。
このように、ターンテーブル16が1回転する
ごとに1トラツク分だけ半径方向に移動させてデ
ータ書込みを行い、所定のnトラツク分を走査す
る(ブロツク35)。この結果、第6図に示すよ
うに、被検査物10面を半径方向には同心円状に
nトラツク、円周方向には中心角で0.1度ずつ分
割された小領域ごとに光検出部12から電圧信号
が出力され、第7図に示すように、メモリ部24
には上記各電圧信号をA/D変換したデータXo.
が順次所定のアドレス位置に書き込まれている。
つぎに、メモリ部24に記憶されたnトラツク
分のデータについて処理を行い、その結果をデー
タメモリ部36に記憶保持する(ブロツク36)。
まず、nトラツク分の全データXo.〓を上記閾値
T1,T2,T3により予め欠陥の大きさ別に分類す
る。すなわち、最も小さい欠陥(1.0μm以下)を
検出するために全データに対して、前記閾値T1
(=VA+L1)と比較し、この閾値T1より大きい
データを欠陥データとする。さらに大きい欠陥を
検出するために、全データを閾値T2(=VA+L2
及び閾値T3(=VA+L3)と比較し、これらの閾
値T2,T3より大きいデータを欠陥データとし、
大きさ別に分類する。つぎに、検出された欠陥デ
ータを、極座標上で中心角によつて区切られた所
定領域ごとに処理して、データメモリ部26に書
き込む。すなわち、第5図及び第6図において、
10トラツク分の領域を中心角1°ごとに区切られた
領域を1画素として、各画素内のデータXo.〓のう
ち最も大きい欠陥データYN.Rをその画素における
欠陥データとしてデータメモリ部26に書き込む
ようにする。例えば、中心角1°と10トラツクとで
囲まれた1画素のデータはX1o10.1≦〓≦10であ
り、その欠陥データYN.RはY1.1=Max
(X1o10.1≦〓≦10)となる。
このデータ処理を走査したnトラツク分の全領
域について行つた後、さらにターンテーブル16
を半径方向に1トラツクだけ移動させてブロツク
31乃至36の工程をnトラツクごとに繰り返し
行い、被検査物10全面についてその欠陥データ
をデータメモリ部26に書き込み、処理を終了す
る(ブロツク37)(第8図参照)。
表示部27では、データメモリ部26の欠陥デ
ータYN.Rより被検査物10上の欠陥分布を表示す
るとともに欠陥の大きさ別の個数について表示す
る。(ブロツク38)。
最後に、ターンテーブル17の回転を停止し
(ブロツク39)、ターンテーブル17を元の位置
に戻し、被検査物10を取り外して検査終了とな
る(ブロツク40)。
以上のように、本実施例の表面検査装置によれ
ば、各被検査物10ごとに被検査物10の任意に
選択された半径r位置での1周分のデータの平均
値VAを求め、この平均値VAに対して欠陥検出す
るための複数のレベルL1,L2,L3を加算して閾
値T1,T2,T3を設定している。このため、被検
査物10が異なつた場合や被検査物10にソリが
あつた場合などのように、欠陥のない場合に対し
て散乱光強度の変動があつた場合でも、各被検査
物10ごとに閾値を標準サンプルにより校正する
必要がなく、表面欠陥を正確に検出することがで
きる。また、平均値VAは、被検査物10表面か
らの一部のデータに基づいて算出しているので、
迅速に求めることができる。さらに、一時メモリ
部22を設けたため、複数トラツク分のデータを
サンプリングし一時メモリ部22に記憶した後、
上記データを中心角などで区切られた所定領域ご
とに順次読み出して欠陥判定を行い、上記所定領
域(1画素)ごとに欠陥データをまとめることが
できる。したがつて、被検査物10全表面の測定
データを1度に記憶する必要がなく、メモリ容量
が少なくてすむ。
なお、上記実施例においては、平均値VAの算
出は、実際の検査前に、被検査物10の特定半径
r位置における1周分のデータに基づいている
が、実際の検査過程において得られメモリ部24
に格納された全データのうちから、特定の半径の
1周分のデータを取り出し平均値VAを算出して
も良い。さらに、複数の異なる半径位置における
1周分のデータでなく、被検査物10に関する全
データのうちから任意に選択された例えば1000個
のデータにより、平均値VAを求めるようにして
も良い。要するに、平均値VAを被検査物10に
関する全データのうちから任意に選択されたデー
タに基づいて算出するのであれば、本発明の要旨
の範囲内である。
また、1画素にデータをまとめる際、nトラツ
クと中心角の組合せで極座標にしてまとめたが、
X,Y軸からなる直角座標表示でも良い。
また、欠陥有無判定は、全データをいつたんメ
モリ部24に格納したのち行つているが、例え
ば、1回転分のデータごとに、メモリ部24への
データの格納処理と並行して、CPU部25にて
欠陥有無判定処理を行うようにしても良い。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明に係る表面検査装置
によれば、各被検査物ごとに基準値を自動的に検
出してその基準値に対して欠陥検出するための複
数のレベルを加算して閾値を設定しているため、
被検査物が異なつた場合や被検査物にソリがあつ
た場合など、欠陥のない場所の散乱光強度の変動
があつた場合でも、各被検査物ごとに閾値を標準
サンプルにより校正する必要がなく表面欠陥を正
確に検出することができる。
さらに、一時メモリ部を設けたために、複数の
トラツク分のデータをサンプリング、記憶した
後、それらについて欠陥検出を行い、さらに画素
ごとにデータをまとめることができ、被検査物全
表面の測定データを1度に記憶する必要がなくメ
モリ容量が少なくてすむ。
したがつて、本発明に係る表面検査装置を集積
回路製造における検査工程に導入した場合、検査
能率及び検査精度が顕著に向上し、集積回路の品
質及び歩留の改善に寄与するところが多く、大き
な工業的効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の表面検査装置を説明するための
図、第2図は従来の表面検査方法の欠点を説明す
るためのグラフ、第3図は本発明の一実施例に係
る表面検査装置の全体構成を示す図、第4図は第
3図の表面検査装置の作動を説明するためのフロ
ーチヤートを示す図、第5図はデータサンプリン
グを示すタイミングチヤートを示す図、第6図は
被検査物表面におけるデータサンプリング領域を
示す図、第7図は一時メモリ部におけるデータ書
き込み例を示す図、第8図はデータメモリにおけ
る画素ごとの欠陥データ書き込み例を示すグラフ
である。 8……光照射部、10……被検査物、12……
光検出部、15……搬送部、16……ターンテー
ブル、18……直流モータ(第1のモータ)、1
9……ロータリ・エンコーダ(回転位置検出器)、
20……ステツピングモータ(第2のモータ)、
21……演算制御部、22……一時メモリ部、2
7……表示部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 下記構成を具備することを特徴とする表面検
    査装置。 (イ) 被検査物を載置するターンテーブルと、前記
    ターンテーブルを回転駆動させる第1のモータ
    と、前記第1のモータに隣接して前記ターンテ
    ーブルの回転位置を示す回転位置信号を出力す
    る回転位置検出器と、前記ターンテーブルの回
    転に同期して前記ターンテーブルを半径方向に
    移動させる第2のモータとからなる搬送部。 (ロ) 前記ターンテーブルに載置された被検査物に
    光を照射する光照射部。 (ハ) 前記被検査物からの散乱光を集光して受光量
    に対応した大きさの電気信号に変換する光検出
    部。 (ニ) 前記光検出部からの電気信号を上記回転位置
    信号と同期してアナログ−デジタル変換し上記
    アナログ−デジタル変換された散乱光データを
    順次所定のアドレスに記憶する一時メモリ部。 (ホ) 前記第1のモータに制御信号を発して回転駆
    動させるとともに、回転位置検出器からの出力
    に基づいて前記第1のモータの回転に同期して
    前記第2のモータを駆動させて、前記被検査物
    上を同心円状に走査させる制御部。 (ヘ) 前記一時メモリ部に記憶された散乱光データ
    の平均値と予め設定された値とを加算して閾値
    を設定する閾値設定手段と、一時メモリ部の各
    アドレスに記憶された散乱光データを前記閾値
    と比較して欠陥の有無判定を行い欠陥データを
    出力する欠陥判定手段と、被検査物上で区切ら
    れた所定領域ごとにその領域内での欠陥データ
    の最大値を記憶保持する記憶手段とからなる演
    算部。
JP16406983A 1983-09-08 1983-09-08 表面検査装置 Granted JPS6056208A (ja)

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