JPH0513459B2

JPH0513459B2 -

Info

Publication number: JPH0513459B2
Application number: JP60081236A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Ogawa; Hiroshi Yamaji
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1985-04-18
Filing date: 1985-04-18
Publication date: 1993-02-22
Also published as: JPS61240144A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、半導体ウエハ等の被検査物表面のゴ
ミ、傷等の欠陥を検査する表面検査装置に関す
る。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来、例えば半導体装置用のシリコンウエハ等
の表面検査は作業者の目視による方法がほとんど
であつた。また、最近、光の反射光を利用した各
種のウエハ表面検査装置が、開発、市販されてい
る。これらの装置の検出原理は、第８図に示すよ
うに被検査物１表面に白色光源又はレーザの光源
２から光ビーム３を照射し表面からの正反射光４
および散乱光５を光電変換器６により検出し、そ
の出力電圧に対して、１個あるいは複数のスレツ
シヨルドレベルを設定し、ゴミ、傷等の欠陥を検
出し、大きさの分類を行うものである。

しかるに、従来の目視による方法では、作業者
に個人誤差があり、定量化が困難であつた。また
熟練を要し疲労度の大きい作業であつた。しか
も、集積回路の微細化が進んでくると、1μｍ以
下の欠陥の有無が判別できないと種々のプロセス
の評価が困難となつてくるが、目視検査では1μ
ｍ以下の検出は困難である。他方、上記各種表面
検査装置は、第１０図に示すように、一定のスレ
ツシヨルドレベルV_Tを設定して検出しているた
め、被検査物が異なつた場合の出力信号（例え
ば、鏡面状態の場合の出力信号V〓と、膜形成さ
れたウエハの場合の出力信号V〓）の基準レベル
が変るため、スレツシヨルドレベルも変化させる
必要がある。そのため、あらかじめ学習的にその
レベルを決定しておく必要があり、作業性がすこ
ぶる低くなつている。また、被検査物にソリがあ
つた場合も同様の問題が生じる。これらの場合、
検出された欠陥の大きさの分類は定量的ではなく
なり、毎回、標準サンプルによる校正が必要とな
る。このため、本出願人は、特開昭60−56208号
において、被検査物が変わつても予めスレツシヨ
ルドレベルを学習的に求めたり、校正したりする
ことなく、正確かつ定量的に欠陥を検出できる表
面検査装置について出願した。しかし、半導体ウ
エハ表面におけるゴミ・欠陥等の検査では大量の
データを取り扱うため、大容量のメモリを必要と
し、従つて多大の処理時間を要することとなる。

〔発明の目的〕

本発明は、上記事情を参酌してなされたもので
あり、被検査物が変わつても正確かつ定量的に欠
陥を検出できるとともに、大量のデータに対して
も処理時間を短縮できる表面検査装置を提供する
ことを目的とする。

〔発明の概要〕

ターンテーブル上に載置された被検査物にレー
ザ装置からレーザ光を照射してターンテーブルを
回転させることにより上記レーザ光にて被検査物
を同心円状に走査するとともに、被検査物の１回
転ごとすなわち１回の走査ごとに上記ターンテー
ブルを半径方向に所定量ずつ動かし、かつ走査中
に積分球で集光された散乱光を光電変換して得ら
れた電気信号をアナログ−デイジタル変換して得
られた散乱光データを上記被検査物表面のうちか
ら任意に選択された複数位置におけるデータに基
づいてスレツシヨルドレベルを設定し、上記スレ
ツシヨルドレベルと各散乱光のデータの一定期間
ごとのピーク値とを比較することにより表面欠陥
検査を行うようにしたものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述
する。

第１図は、この実施例の表面検査装置の全体構
成を示している。この表面検査装置は、例えば半
導体ウエハなどの円板状の被検査物８にレーザ光
を照射する走査機構９と、この走査機構９から出
力された信号に基づき被検査物８の表面欠陥を検
出する信号処理機構１０と、検査結果を表示する
表示機構１１とからなつている。しかして、走査
機構９は、被検査物８を保持する保持部１２と、
この保持部１２により保持された被検査物８にレ
ーザ光を照射する照射部１３とからなつている。
上記保持部１２は、被検査物８をその上面に同軸
に載設するターンテーブル１４と、このターンテ
ーブル１４を回転自在に軸支する軸受体１５と、
この軸受体１５に軸支されたターンテーブル１４
を回転駆動する第１のモータ１６と、この第１の
モータ１６に直結されターンテーブル１４の回転
量を検出するロータリ・エンコーダ１７と、軸受
体１５に係着され軸受体１５を被検査物８の径方
向に進退させる送り部１８と、この送り部１８及
び第１のモータ１６を制御してターンテーブル１
４に載設された被検査物８を所定量回転させると
ともに径方向に所定量進退させる駆動制御部１９
と、被検査物８をターンテーブル１４に真空空着
させる吸着部２０とからなつている。上記ターン
テーブル１４は、円柱状の軸体２１と、この軸体
２１の上端部に同軸連結され上面が被検査物８の
吸着面１４ａとなつている円板状の載置台２２と
からなつている。上記吸着面１４ａには、吸着部
２０の一部をなす吸着孔２３が開口している。こ
の吸着孔２３は、軸体２１を軸方向に貫通し、軸
体２１の下部より図示せぬロータリ・ジヨイント
を介して図示せぬ真空源に接続されている。ま
た、送り部１８は、軸受体１５の下端部に垂設さ
れた係合板２４と、この係合板２４に螺合されそ
の軸線が軸体２１の径方向となつている送りねじ
２５と、この送りねじ２５の一端部に連結され送
りねじ２５を回転させてターンテーブル１４を径
方向に進退させる第２のモータ２６とからなつて
いる。しかして、第１及び第２のモータ１６，２
６は、それぞれ駆動制御部１９から出力された制
御信号C_D、C_Sを入力することにより所定量回転
するようになつている。一方、照射部１３は、第
２図に示すように、吸着面１４ａに固着されてい
る被検査物８に近接するように配設され下部に円
孔状の開口部２７ａを有する球体状の中空部２７
ｂが設けられた円柱状の積分球２７と、この積分
球２７に一端部が連結され積分球２７の開口部２
７ａを介して被検査物８にレーザ光を斜めからス
ポツト状に照射するレーザ光発振部２８と、積分
球２７に連接されこの積分球２７にて集光された
被検査物８からのレーザ散乱反射光を受光して光
電変換する例えば光電子増倍管（フオトマル）な
どの光電変換器２９とからなつている。上記積分
球２７の内面には例えば酸化マグネシウムが塗着
されて拡散面３０に形成されている。また、積分
球２７の上部には、被検査物８からのレーザ正反
射光を外部に逃すための透孔３１が穿設されてい
る。積分球２７には光電変換器２９の受光部が嵌
着されている窓部２７ｃが穿設されている。さら
に、レーザ発振部２８は、一端部が積分球２７に
連結して中空部２７ｂに連通する円管状の光路体
２８ａと、一端部がこの光路体２８ａの他端部に
同軸に連結された円筒状のレーザ光絞り部２８ｂ
と、このレーザ光絞り部２８ｂの他端部に装着さ
れた半導体レーザ装置２８ｃとからなつている。
しかして、レーザ光絞り部２８ｂは、半導体レー
ザ装置２８ｃから発振されたレーザ光を絞り込む
ための光学系（図示せぬ）が内装されている。そ
して、このレーザ光絞り部２８ｂによるレーザ光
の光軸２８ｄは、被検査物８の法線２８ｅに対し
て角度θ傾斜するように設定されている。また、
透孔３１の軸線も、法線２８ｅに対して角度θ傾
斜するように設けられている。したがつて、半導
体レーザ装置２８ｃから発振されたレーザ光は、
光軸２８ｄに沿つて被検査物８に斜めから入射
し、その正反射光は、透孔３１を通過して外部に
ぬけるように設定されている。一方、前記信号処
理機構１０は、光電変換器２９から出力されたア
ナログ信号をアナログ−デイジタル（Ａ／Ｄ）変
換器３２と、このＡ／Ｄ変換器３２から出力され
たデイジタル信号のピーク値を検出するピーク検
出部３３と、同じくＡ／Ｄ変換器３２から出力さ
れたデイジタル信号の平均値を算出する平均値算
出部３４と、入力側がロータリ・エンコーダ１７
及び駆動制御部１９に接続され出力側がピーク検
出部３３及び平均値算出部３４に接続されこれら
ピーク検出部３３及び平均値算出部３４における
Ａ／Ｄ変換器３２から出力されたデイジタル信号
サンプリングのための同期信号を出力するサンプ
リング制御部３５と、ピーク検出部３３から出力
されたピーク値を示すデイジタル信号を入力して
欠陥の検出及び欠陥を大きさごとに分類する欠陥
分類部３６と、この欠陥分類部３６から出力され
た欠陥分類データを記憶する第１のメモリ部３７
と、上記平均値算出部３４、サンプリング制御部
３５、欠陥分類部３６、第１のメモリ部３７、駆
動制御部１９及び表示機構１１にシステムバス３
８を介して接続されこれらを所定の測定プログラ
ムに従つて有機的に統御する中央制御部３９とか
らなつている。この中央制御部３９は、いわゆる
マイクロコンピユータであつて、演算・制御機能
を有するCPU（Central Processing Unit：中央
処理装置）４０と、一定の手順で測定を行うため
の制御プログラム及び検査結果が格納される第２
のメモリ部４１とからなつている。さらに、上記
平均値算出部３４にて算出された平均値は、
CPU４０からの指令によりシステムバス３８を
介して欠陥分類部３６にて複数段階のスレツシヨ
ルドレベルとして設定されるようになつている。
欠陥分類部３６では、設定されている複数のスレ
ツシヨルドレベルとピーク検出部３３から出力さ
れたピーク値とを比較して、ピーク値のレベルに
応じた欠陥データを与える。この欠陥データは２
ビツトからなつており、合計８ビツトになるま
で、即ち４個の欠陥データを格納するまで欠陥分
類部３６が一時的に保持し、その後４個の欠陥デ
ータを同時に第１のメモリ部３７に出力するよう
になつている。また、第１のメモリ部３７は、
CPU４０と欠陥分類部３６との間に介在して、
欠陥分類部３６からCPU４０へのデータの転送
を直接行わせることなく、一時的にデータを記憶
させておく、バツフアメモリ（Buffer
Memory；緩衝記憶装置）としての役割を果して
いる。この第１のメモリ部３７のアドレス構造
は、第３図のように、第１、第２、第３、第４の
ブロツク３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄからな
つている。そして、各ブロツク３７ａ，３７ｂ，
３７ｃ，３７ｄは、８ビツトB₀……B₇からなる
複数のアドレスA₀，A₁……からなつている。よ
つて、各アドレスA₀，A₁……には、４個の欠陥
データが格納されるようになつている。そして、
この第１のメモリ部３７は、書き込み動作中のブ
ロツクを除いた他のブロツクに対して、CPU４
０により任意に欠陥データを読み出すことができ
るようになつている。一方、前記表示機構１１
は、第１のメモリ部３７からの検査結果データを
読み出し、被検査物８表面上の欠陥分布及び欠陥
の大きさごとの個数を表示するCRT（Cathode
Ray Tube）４２及びプリンタ４３からなつてい
る。

つぎに、上記構成の表面検査装置の作動につい
て、第４図及び第５図に示すフローチヤートに基
づいて述べる。

レーザ光は、レーザ光絞り部２８ｂを介して楕
円状の微小スポツト状に絞られて被検査物８上を
照射できる状態にしておく。つまり、被検査物８
からのレーザ正反射光は、透孔３１を経由して外
部に放出される。このとき、レーザ光の楕円状の
スポツト光の長径方向が被検査物８の走査方向と
直交するように、つまり走査幅が広くなるよう
に、設定しておく。一方、レーザ散乱反射光は、
拡散面３０により集光される。また、被検査物８
からの散乱光を集光する積分球２７および光電変
換器２９も常時検査可能な状態にしておく。しか
して、まず、被検査物８をターンテーブル２２上
に載置し、吸着部２０により固定する（ブロツク
４４）。つぎに、ターンテーブル２２を駆動制御
部１９からの信号C_Sにより第２のモータ２６を駆
動して送りねじ２５を回転させることにより半径
方向に移動させ、半径方向中央部である半径ｒで
ターンテーブル２２の移動を停止させる（ブロツ
ク４５）。ついで、駆動制御部１９からの信号C_D
によりターンテーブル２２回転用の第１のモータ
１６を回転させる（ブロツク４６）。しかして、
上記半径ｒ位置において被検査物８を例えば10周
させる。この期間内において、光電変換器２９か
らは、受光量に対応した大きさの電圧値を有する
アナログ検出信号SAがＡ／Ｄ変換器３２に出力
される。ついで、このＡ／Ｄ変換器３２にては、
検出信号SAがＡ／Ｄ変換され（ブロツク４７）、
デイジタル検出信号SBが平均値算出部３４に出
力される。一方、ロータリ・エンコーダ１７から
は、ターンテーブル２２の回転開始時と、回転中
に回転開始信号R_S及び回転位置を示す回転位置
信号R_P（360パルス／回転）がサンプリング制御
部３５に出力される。すると、このサンプリング
制御部３５からは信号R_S、R_Pに基づき、ターン
テーブル２２の回転を示すサンプリング信号SC
が平均値算出部３４に出力される。このサンプリ
ング信号SCは、ターンテーブル２２が１回転す
るごとに360パルス出力されるパルス信号である。
この平均値算出部３４にては、上記サンプリング
信号SCに同期して検出信号SBを記憶し、これに
より得た全データ（X₁、X₂、……X_o）の算術平
均値V_Aが求められる（ブロツク４８）。ついで、
平均値V_Aは、第２のメモリ部４１にいつたん記
憶されたのち、CPU４０にて、ごみ、欠陥等の
表面欠陥の大きさに対応してあらかじめ第２のメ
モリ部４１に設定されているレベルL₁、L₂、L₃
が平均値V_Aに各別に加算されスレツシヨルドレ
ベルT₁、T₂、T₃が算出される（ブロツク４９）。
たとえば、第６図に示すように、最も小さい欠陥
（1.0μｍ以下）を検出するレベルをL₁とすると、
T₁（＝V_A＋L₁）を最も小さい欠陥を検出するス
レツシヨルドレベルとして設定する。同様に、さ
らに大きい欠陥を検出する場合もレベルL₂、L₃
（ただし、L₁＜L₂＜L₃）を設定し、これらのレベ
ルL₂、L₃を平均値V_Aに加算してスレツシヨルド
レベルT₂、T₃を求める。しかして、これらスレ
ツシヨルドレベルT₁、T₂、T₃は、システムバス
３８を介して欠陥分類部３６に転送・設定され
る。つぎに、ターンテーブル２２を駆動制御部１
９からの信号S_Sにより第２のモータ２６を駆動し
て半径方向に移動させ、レーザビームが被検査物
８の中心を照射するように、図示していないリミ
ツトスイツチ等により、位置を検出してターンテ
ーブル２２を停止させる（ブロツク５０）。さら
に、第２のモータ２６を駆動して１トラツク分半
径方向にターンテーブル２２を移動させる（ブロ
ツク５１）。このとき、１トラツクは、レーザ光
のスポツト径ｄをあらかじめ測定しておき、その
80〜90％すなわち（0.8〜0.9）×ｄとする。つぎ
に、前と同様にしてターンテーブル２２を回転さ
せる。すると、サンプリング制御部３５には、ロ
ータリ・エンコーダ１７からは回転開始と同時に
回転開始信号R_Sが、また１回転につき360パルス
ずつ回転位置信号R_Pが出力される。これらの信
号R_S，R_Pを入力したサンプリング制御部３５か
らは、１回転につき360パルスのサンプリング信
号SCがピーク検出部３３に印加される（ブロツ
ク５２）。一方、Ａ／Ｄ変換器３２にては、前と
同様にして光電変換器２９から出力されたアナロ
グ検出信号SAがデイジタル検出信号SBにＡ／Ｄ
変換される。このときのＡ／Ｄ変換のサンプリン
グ間隔は、第５図に示すように、信号R_Pの１周
期あたり８回とする。このデイジタル検出信号
SBは、ピーク検出部３３に出力される。しかし
て、ピーク検出部３３にては、サンプリング信号
SCの入力と同期してこのサンプリング信号SCの
１周期ごとにピーク値が求められる（ブロツク５
３）。求めたピーク値を示すピーク信号SDは逐次
に欠陥分類部３６に出力される。しかして、１回
転分のデータ（360個）を欠陥分類部３６に出力
すると、ターンテーブル２２をさらに半径方向に
１トラツク分移動させ、再びサンプリング信号
SCにより同様に１回転分のデータを欠陥分類部
３６に出力する（ブロツク５４）。このようにし
て、所定のｎトラツク分走査する（ブロツク５
５）。かくして、欠陥分類部３６には、第７図に
示すように、被検査物８の中心から同心状にｎト
ラツクに分割され、さらに1゜ごとに径方向に分割
された扇状領域のピーク値データX_o，θが第８
図に示すような順序で出力される。一方、欠陥分
類部３６では、ピーク値データの入力と同時に、
既に設定されているスレツシヨルドレベルT₁、
T₂、T₃とピーク値との比較がなされ、ピーク値
のレベルに応じた欠陥データが与えられる。例え
ば、T₁を超えない最も小さなピーク値に対して
は欠陥データ“０”が与えられ、T₁を超えるが
T₂より小さいに対しては“１”が与えられる。
同様に、T₂より大きい場合はT₃との大小比較に
より“２”又は“３”が与えられる。欠陥分類部
３６は上記の２ビツトからなる欠陥データを一時
保持し、８ビツト、即ち４個の欠陥データを一纏
めにして同時に出力する。出力された欠陥データ
は第１のメモリ部３７で記憶される（ブロツク５
３）。この第１のメモリ部３７にては、８ビツト
構成の４個の欠陥データが、１個のアドレスに格
納される。この格納処理は、各アドレスに対して
順次行われる。しかして、CPU４０にては、欠
陥データの第１のメモリ部３７への書込み状態
が、常時チエツクされ、ブロツク３７ａ，３７
ｂ，３７ｃ，３７ｄのうち書込みが完了したブロ
ツクから欠陥データの読出しを行う。そして、得
られた欠陥データを極座標系から直交座標系に変
換し、１mm×１mmの画素中に欠陥データが何個あ
るか否かを演算する。さらに、この直交座標系に
変換された欠陥データの分布及び欠陥の大きさ別
の個数を表示機構１１にて表示させる（ブロツク
５６）。このとき１画素の中に複数の欠陥が存在
する場合は、最も大きい欠陥データをその画素の
欠陥データとして表示させる。最後に、ターンテ
ーブル２２の回転を停止し（ブロツク５７）、タ
ーンテーブル２２を元の位置にもどし被検査物８
を取りはずして検査終了となる（ブロツク５８）。

以上のように、本実施例の表面検査装置によれ
ば、被検査物が異つた場合や、被検査物にソリが
あつた場合等、欠陥のない場所の散乱光強度の変
動があつた場合でも、各被検査物ごとに被検査物
の任意に選択された半径ｒの位置における任意周
分のデータの平均値V_Aを求め、この平均値V_Aに
対して欠陥検出するための欠陥の大きさに対応し
た複数のレベルL₁、L₂、L₃を加算してスレツシ
ヨルドレベルT₁、T₂、T₃を設定しているため、
各被検査物ごとにスレツシヨルドレベルを標準サ
ンプルにより校正する必要がなく、表面欠陥を正
確に検出することができる。また、平均値V_Aの
算出は、被検査物表面からの一部のデータに基づ
いているので、迅速に行うことができる。さら
に、本実施例においては、欠陥分類部３６にて、
８ビツトのピーク値データを２ビツトの欠陥デー
タにすることにより、データ長を圧縮するように
しているので、大量のデータを容量の少ないメモ
リに格納することが可能となる。また、CPU４
０にて取扱うデータ量も少なくてすみ、処理時間
が短縮する。さらに、第１のメモリ部３７は、書
込みと読出しが同時に可能であるので、検査能率
が大幅に向上する。

なお、上記実施例においては、回転位置信号と
して360パルス／回転を用いているが、適宜に選
択してよい。また、上記実施例においては、平均
値V_A算出は、実際の検査前に、被検査物１０の
特定半径ｒ位置におけるデータに基づいている
が、複数の異なる半径位置におけるデータに基づ
いて平均値を求めてもよい。さらに、ピーク値デ
ータ及び欠陥分類部３６からの出力データ及び第
１のメモリ部３７の１アドレスは、８ビツトとし
たが、16ビツト、32ビツト等、任意でよい。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明の表面検査装置によれば
被検査物が異つた場合や、被検査物にソリがあつ
た場合等欠陥のない場所の散乱光強度の変動があ
つた場合でも、各被検査物ごとに基準値を自動的
に検出し、その基準値に対して欠陥検出するため
の複数のレベルを加算してスレツシヨルドレベル
を設定しているため、各被検査物ごとにスレツシ
ヨルドレベルを標準サンプルにより校正する必要
がなく、表面欠陥を正確に検出することができ
る。さらに、欠陥分類部にて、ピーク検出部から
出力されたピーク値データのデータ長を圧縮する
ようにしているので、メモリへの格納が容易とな
るとともに、処理時間も短縮する。また、読出
し、書込みを同時に行うことができるバツフアメ
モリに欠陥データを一時的に格納するようにして
いることも、処理能率の向上に寄与している。し
たがつて、本発明の表面検査装置を集積回路製造
における検査工程に導入した場合、検査能率及び
検査精度が顕著に向上し、集積回路の品質及び歩
留の改善に寄与するところ大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の表面検査装置の全
体構成図、第２図は第１図に示す照射部の斜視
図、第３図は第１のメモリ部のアドレス構造を示
す図、第４図及び第５図は第１図の表面検査装置
の作動を説明するためのフローチヤート、第６図
はデータサンプリングを示すタイミングチヤー
ト、第７図は被検査物表面におけるデータサンプ
リング領域を示す図、第８図は一時メモリ部にお
けるデータ書込み例、第９図は従来の表面検査方
法を説明するための図、第１０図は従来の表面検
査方法の欠点を説明するためのグラフである。８：被検査物、１２：保持部、１３：照射部、
１４：ターンテーブル、１６：（第１の）モータ、
１８：送り部、２７：積分球、２７ａ：開口部、
２８ｃ：半導体レーザ装置、２９：光電変換部、
３１：透孔、３２：Ａ／Ｄ変換器、３３：ピーク
検出部、３４：平均値算出部、３６：欠陥分類部
（欠陥検出部）、３７：第１のメモリ部（バツフア
メモリ部）、３９：中央制御部。

Claims

【特許請求の範囲】１下記構成を具備することを特徴とする表面検
査装置。 (イ) 被検査物を載置するターンテーブルと、この
ターンテーブルを回転させるモータと、上記タ
ーンテーブルを上記モータによる回転軸線に直
交する方向に進退させる送り部とを有する保持
部。 (ロ) 開口部を有しこの開口部を上記ターンテーブ
ルに近接して配設された積分球と、この積分球
に連設され上記開口部を経由して上記ターンテ
ーブルに載置された被検査物にレーザ光を斜め
から照射するレーザ装置と、上記積分球に連設
され上記積分球により集光された上記被検査物
にて反射したレーザ散乱光を光電変換する光電
変換器を有し、上記積分球には上記被検査物に
て反射したレーザ正反射光を外部に放射させる
透孔が穿設された照射部。 (ハ) 上記光電変換器から出力されたアナログ検出
信号をアナログ−デイジタル変換するアナログ
−デイジタル変換器。 (ニ) 上記アナログ−デイジタル変換器から出力さ
れたデイジタル検出信号の平均値を求める平均
値算出部。 (ホ) 上記アナログ−デイジタル変換器から出力さ
れたデイジタル検出信号を入力し一定期間ごと
のピーク値を求めるピーク検出部。 (ヘ) 上記平均値算出部にて算出された平均値に基
づいて上記被検査物の表面欠陥検出のための複
数のスレツシヨルドレベルを設定し、上記ピー
ク検出部にて求められた上記ピーク値を示す信
号を入力して上記スレツシヨルドレベルと比較
演算してピーク値の大小に応じた所定ビツト数
の欠陥データを与え、上記欠陥データを一時保
持するとともに所定ビツト長に蓄積された欠陥
データを同時に出力する欠陥検出部。 (ト) 上記保持部及び上記平均値算出部及び上記欠
陥検出部のシーケンス制御を行い、かつ上記欠
陥検出部において求められた欠陥データを記憶
する中央制御部。 (チ) 上記欠陥検出部と上記中央制御部との間に設
けられ、上記欠陥データを一時的に格納すると
ともに、書込み動作中のブロツクを除いた他ブ
ロツクに対して中央制御部により任意に欠陥デ
ータを読み出し及び書込み自在なバツフアメモ
リ部。