JPS6165146A - 表面検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明（４，半導体ウェハ等の被検青物表面のゴミ、傷
等の欠陥を検査する表面検査装置に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来、例えば半導体装置用のシリコンウェノ・等の表面
検イ・しは作業者の目視による方法がほとんどであった
。’＆　７’ｃ　、最近、光の反射光を利用した各種の
ウェハ表面検査装置が、開発、市販されている。これら
の装置の検出原理は、第８図に示すように被検査物（１
）表面に白色光源又はレーザの光源（２）からブＣビー
ム（３）を照射し表面からの正反射光（４）および散乱
光（５）を光電変換器（６）により検出し、その出力気
圧に対して、１個あるいは複数のスレッシ言ルドレペル
を設定し、ゴミ、傷等の欠陥を検出し、大きさの分類を
行うものでおる。

しかるに、従来の目視による方法では１作業者に個人誤
差があシ、定量化が困難であった。また熟練を要し疲労
度の大きい作業であった。しかも、集積回路の微細化が
進んでくると、１μｍ以下の欠陥の有無が判別できない
と種々のプロセスの評価が困錨となってくるが、目視検
査では１μｍ以下の検出は困難である。他方、上記各種
表面検査装置は、第９図に示すように、一定のスレッシ
ョルドレベルｖＴを設足して検出しているため、被検査
物が異なった場合の出力信号（例えば、鏡面状態の場合
の出力信号■■と、膜形成されたウェハの場合の出力信
号ｖｌ）の基準レベルが変るため、スレッショルドレベ
ルも変化させる必要がある。そのため、あらかじめ学習
的にそのレベルを決定しておく必要があり１作業性がす
こぶる低くなっている。

また、被検査物にソリがあった場合も同様の問題が生じ
る。これらの場合、検出された欠陥の大きさの分類は定
量的ではなくなシ、毎回、標準サンプルによる校正が必
要となる。

〔発明の目的〕

本発明は、上記事情を参酌してなされたもので、被検査
物が変ってもあらかじめスレッシ５ルドレベルを学習的
に求めたシ１校正したりすることなく、定量的に欠陥を
高速かつ高精度に検出するととができる表面検査装置を
提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

ターンテーブル上に載置された被検査物に半導体レーザ
装置からレーザ光を照射してターンテーブルを回転させ
ることにより上記レーザ光にて被検査物を同心円状に走
査するとともに、被検査物の１回転ごとすなわち１回の
走奔ごとに上記ターンテーブルを半径方向に所定量ずつ
動かし、かつ走査中に積分球で集光された散乱光を光電
変換しテ得られた電気信号をアナログ−ディジタル変換
してイ］Ｌられた散乱光データを上記被検査物表面のう
ちから任意に選択された複数位置におけるデータに本づ
いてスレッショルドレベルを設定し、上記スレッショル
ドレベルと各散乱光データの一定期間ごとのピーク値と
を比較することにより表面欠陥検査を行うようにしたも
のでるる。

〔発明の実施例〕

以下１本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。

第１図は、この実施例の表面検査装置の全体構成を示し
ている。この表面検査装置は１例えば半導体ウェハなど
の円板状の被検査物（８）にレーザ光を照射する走置機
構（９）と、この走査機ｕ（９）から出力された信号に
基づき被検査物（８）の表面欠陥を検出する信号処理機
構ＱＯ）と、検査結果を表示する表示機構ａυとからな
っている。しかして、走食機構−（９）は、被検査物（
８）を保持する保持部α２と、この保ダ 持部（１のにより保持された被検査物（８）にレーザ光
を照射する照射部αＪとからなっている。上記保持部α
２は、被検査物（８）をその上面に同軸に載設するター
ンテーブル（１・ｖと、このターンテーブル０．４１を
回転自在に軸支する軸受体−と、この軸受体αつに軸支
されたターンテーブルα（イ）を回転駆動する第１のモ
ータ（Ｌ（９と、この第１のモータ茜に直結されターン
テーブルＩの回転量を検出するロータリ・エンコーダ卸
と、軸受体（を四に係着され軸受体ａ９を被検査物（８
）の径方向に進退させる送り部αねと、この送り部ａＦ
ｊ及び第１のモータαＱを制御してターンテーブル（１
４）に載設された被検査物（８）を所定量回転させると
ともに径方向に所定量進退させる駆動制御部ｕ９）と、
被検介物（８）をターンテーブル（１４Ｉに真空吸着さ
せる吸着部（２Ｉとからなっている。上記ターンテーブ
ルα荀は、円柱状の軸体（２＋）と、この軸体Ｑυの上
端部に同軸連結され上面が被検査物（８）の吸着面（１
４ａ）となっている・円板状の載置台Ｃのとからなって
いる。

上記吸着面（１４ａ）には、吸着部（イ）の一部をなす
吸着孔（ハ）が開口している。この吸着孔Ｃ劾は、軸体
−を軸方向に貝通し、軸体（２υの下部よυ図示せぬロ
ータリ・ジ冒インドを介して図示せぬ真空源に接続され
ている。また、送υ部（１１Ｏは、軸受体ａ９の下端部
に垂設された係合板（２４つと、この係合板（２）に螺
合されその軸線が軸体０ηの径方向となっている送りね
じ（ハ）と、この送りねじ（ハ）の一端部に連結され送
）ねじ（２最を回転させてターンテーブルＩを径方向に
進退させる第２のモータ（滅とからなっている。

しかして、第１及び第２のモータ（ＩＱ、（ハ）は、そ
れぞれ駆動制御部（［３から出力された制御信号ＣＤ、
Ｃ８を入力することにより所定量回転するようになって
いる。一方、照射部（Ｉ３）は、第２図に示すように。

吸着面ｉ２０に固着されている被検査物（８）に近接す
るように配設され下部に円孔状の開口部（２７ａ）を有
する球体状の中空部（２７ｂ）が設けられた円柱状の積
分球（ハ）と、この積分球（２７）に一端部が連結され
積分球（５）の開口部（２７ａ）を介して被検査物（８
）にレーザ光を斜めからスポット状に照射するレーザ光
発振部弼と、積分球（２１に連設されこの積分球（２７
）にて集光された被検査物（８）からのレーザ散乱反射
光を受光して光電変換する例えば光電子増倍管（フォト
マル）などの光電変換器０■とからなっている。

上記積分球罰の内面には例えば酸化マグネシウムが塗着
されて拡散面（至））に形成されている。また。

積分球匈の上部には、被検査物（８）からのレーザ正反
射光を外部に逃すための透孔０υが穿設されている。積
分球（２７）には光電変換器（イ）の受光部が嵌着され
ている窓部（２７Ｇ）が穿設されている。さらに、レー
ザ発振部（ハ）は、一端部が積分球（５）に連結して中
空部（２７ｂ）に連通ずる円管状の光路体（２Ｓａ）と
。

一端部がこの光路体（２Ｚａ）の他端部に同軸【連結さ
れた円筒状のレーザ光絞り部（２Ｚｂ）と、このし−ザ
光絞シ部（２Ｓｂ）の他端部に装着された半導体レーザ
装置（２ＺＣ）とからなっている。しかして、レーザ光
絞９部（２Ｚｂ）は、半導体レーザ装置（２ＺＣ）から
発振されたレーザ光を絞υ込むための光学系（図示せぬ
）が内装されている。そして、このレーザ光絞り部（２
Ｓｂ）によるレーザ光の光軸（２Ｚｄ）は、被検査物（
８）の法線（２ｅＡ８）に対して角度θ傾斜するように
設定されている。また、透孔Ｇυの軸線も、法線（２ｉ
ｅ）に対して角度θ傾斜するように設けられている。し
たがって、半導体レーザ装び（２？Ｃ）から発振された
レーザ光は、光軸（２Ｓｄ）に沿って被検査物（８）に
斜めから入射し、その正反射光は、透孔Ｃ３ｎｔ通過し
て外部にぬけるように設定されている。一方、前記信号
処理機構（１０）は、光覚変換器翰から出力されたアナ
ログ信号をアナログ−ディジタル（Ａ／Ｄ　）変換器（
，３つと、このＡ／Ｄ変換器０望から出力されたディジ
タル信号のピーク値を検出するピーク検出部（至）と、
同じ（Ａ／Ｄ変換器０のから出力されたディジタル信号
の平均値を算出する平均値算出部（：３・０と、入力ｆ
Ｌｉ、ｉｌがロータリ・エンコーダαη及び駆動制御部
／１９に接続され出力側がピーク検出部（至）及び平均
値算出部（ロ）に接続されこれらピーク検出部（慢及び
平均値算出部（ロ）におけるＡ／Ｄ変換器（３つから出
力されたディジタル信号サンプリングのための同期信号
を出力するサンプリング制御部（至）と、ピーク検出部
０■にて出力されたピーク値を示すディジタル信号を記
憶する第１のメモリ部（至）と、第１のメモリ部（ト）
から出力されたピーク値を示すディジタル信号を入力し
て欠陥の検出及び欠陥を大きさごとに分類する欠陥分類
部Ｃ３７）と、上記平均値算出部Ｇ４）、サンプリング
制御部（３５）、欠陥分類部Ｃ３７）　、第１のメモリ
部０６）、駆動制御部住９及び表示機朽（１１）にシス
テムバス（支）を介して接続されこれらを所定の測定プ
ログラムに従って有機的に統御する中央制御部ＧｒＯと
からなっている。この中央制御部（３１ｉ、ｌ：　、い
わゆるマイクロコンピユータであって、演算・制御機能
を有するＣＰＵ　（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎ
ＩｉＵｎｉｔ　：中央処理装置）（４Ｑと、一定の手順
で測定を行うための制御プログラム及び検査：怨果が格
納される第２のメモリ部（４υとからなっている。さら
に、上記平均値算出部０４Ｊにて算出された平均値は、
　ＣＰＵ（４０からの指令によりシステムバス（至）を
介して欠陥分類部Ｇ７）にて複数段階のスレッショルド
レベルとして設定されるようになっている。

しかして、この欠陥分類部（３７）にては、設定されて
いる複数のスレッショルドレベルとピーク検出部（３皺
から出力されたビークイ直とを比較して欠陥データを各
スレッショルドレベルに対応する欠陥の大きさごとに抽
出し、さらに抽出された欠陥データの数を計部するよう
になっている。一方、前記表示機構（１υは、第１のメ
モリ部（３７）からの検査結果データを読み出し、根挾
丘物（８）表面上の欠陥分布及び欠陥の大きさごとの個
数を表示するＣＲＴ　（ＣａｔｈｏｄｅＲａｙ　Ｔｕｂ
ｅ　）　（４２）及びプリンタ（４謙からなっている。

つき゛に、上記横取の表面検量装置の作動ｅこついて、
第３図及び２人４図に示すフローチャートに基づいて述
へる。

レーザ光は、レーザ光絞シ部（２％ｂ）を介して楕円状
の微小スポツト法に絞られて被検査物（８）上を照射で
きる状態にしておく。つまり、被検、介物（８）からの
レーザ正反射光は、透孔Ｃυを経由して外１：１；に放
出される。このとき、レーザ光の楕円状のスポット光の
長径方向が被検査物（８）の走査方向と直交するように
、つ−１′υ走亘ＮＡが広くなるように。

設定して２く。一方、レーザ散乱反射光は、拡散面（至
）により集光される。また、：４検五吻（８）からの散
乱光を集光する積分球シ０および元延変換器Ｃつも常時
検査可能な状態にしておく。しかして、まず。

被検査物（８）をターンテーブルの上に？Ａ　’ｎ　Ｌ
　、吸眉部（ト）により固定する（ブロック圓）。つぎ
に、ターンテーブル（２急を駆動ホ１］御部Ｕからの信
号Ｃｓにより第２のモータ１．２６）を、駆動して送シ
ねじ’２５）ｆ：回転させることにより半径方向に移動
させ、半径方向中央部である半径ｒでターンテーブルΩ
３の９動を停止させる（ブロック（ハ））。ついで、駆
動制御部住」からの信号ｃＤによりターンテーブル（２
９回転用の第１のモータ（ｌＧ＋を回転させる（ブロッ
クｔ４１１９　）。しかして、上記半径ｒ位置において
被検査物（８）を例えば１０周させる。この期間内に２
いて、光電変僕器翰からは、受光量に対応した大きさの
電圧１直を有するアナログ検出信号８ＡがＡρ変換器鵜
に出力される。ついで、このＡ／Ｄ変換器（３２１にて
は、検出信号ＳＡがＡ／Ｄ　ｆ換され（ブロック（４η
）、ディジタル検出信号ＳＢが平均値算出部０４）に出
力される。一方、ロータリ・エンコーダσカからは、タ
ーンテーブル（２２）の回転：：］始時と、回転中に回
転開始信号ＲＢ及び回転位置を示す回転位置信号Ｒｐ　
（３６０パルス／回転）がナノプリング制御部１′３鴎
に出力される。すると、このサンプリング制御部０■か
らは信号ａｓ　、　ＲＰに基づき、ターンテーブル（２
りの回転を示すサンプリング信号ＳＣが平均値算出部（
２）に出力される。このサンプリング信郵ＳＣば、ター
ンテーブル（２４が１回転するごとに３６０パルス出力
されるパルス信号である。この平均値算出部Ｇ、１）に
ては、上記サンプリング！、、ｔツーＳＣに同期して検
出信号ＳＢ′ｆ：記憶し、これにより得た全データ（Ｘ
ｌ、　第２　、・・・、Ｘｎ）の算術平均値ＶＡ７５求
めら九る（ブロック（４印）。ついで、平均飴■Ａは、
第２のメモリ部（１υにいったん記憶されたのち、　Ｃ
ＰＵ　（４ｒｉｌにて、ごみ、欠陥等の表面欠陥の大も
さに対応してあらかじめ第２のメモリ部０υに設定され
ているレベルＬ１．　Ｌ、　、　Ｌ、が平均値７人に各
別に加算されスレッショルドレベルＴＩ、Ｔ、、Ｔ、カ
算出される（ブロック（４９）　）。たとえは、第５図
に示すように、最も小さい欠陥（１，０μｍ以下）を検
出するレベルをり、とすると、Ｔ、　（＝　ＶＡ＋　Ｌ
＋　）を最も小さい欠陥を検出するスレッショルドレベ
ルとして設定する。同様に、さらに大きい欠陥を検出す
る場合もレベルＬ２．Ｌ３．（ただし、Ｌ、　＜　Ｌ２
＜　Ｌ、　）を設定し、これらのレベルＬ、、Ｌ３を平
均値ｖＡに加ｑ、シてスレッショルドレベルＴ、、Ｔ、
を求める。しかして、これらスレッショルドレベルＴ、
、Ｔ２．Ｔ、は、システムバス側を介して欠陥分類部（
３力に転送・設定される。つき゛に、ターンテーブルの
をルス動’＋６！］１’Ｌｉ１部叫からの信号Ｃｓによ
り第２のモータ（２ｅを五−区励して半径方向に移動さ
せ、レーザビームが披倹止吻（８）の中心を照射するよ
うに１図示していないリミットスイッチ等により、位置
を検出してターンテーブル（沖を停止させる（ブロック
ら０））。さらに、第２のモータ（２６）を駆動して１
トランク分半径力向にターンテーブル（淵を８動させる
（ブロック５ｉｉ　）。このとき、１トラツクは、レー
ザ光のスポット径ｄをあらかじめ測定しておき、その８
０〜９０％すなわち（０，８〜０．９　）　ｘ　ｄとす
る。つぎに、前と同様にしてターンテーブル（２２）を
回転させる。すると、サンプリング制る′す部Ｃ３５１
には、ロータリ・エンコーダ（１ηからは回転開始と同
時に回転開始信号Ｒｓが１丁た１回転につき３６０パル
スずつ回転開始信号ａｐが出力される。これらの信号ａ
Ｓ、ａＰを入力したサンプリング制御部（３５）からは
、１回転につき３６０パルスのサンプリング信号ＳＣが
ピーク検出部０３）に印加される（プロソクリ）。一方
、Ａ／Ｄ変換器（３２）にては、前と同様にして光電変
換器０！３）から出力されたアナログ検出信号ＳＡがデ
ィジタル検出信号５ＢＫＡ／Ｄ変換される。このときの
Ａ／Ｄ変換のサンプリング間隔は、第５図に示すように
、信号Ｒ，ｐの１周期あた９８回とする。このディジタ
ル検出信号ＳＢは。

ピーク検出部（３騰に出力される。しかして、ピーク検
出部０段にては、サンプリング信号ＳＣの入力と同期し
てこのサンプリング信号ＳＣの１周期ごとにピーク値が
求められる（ブロック５３）　）。求めたビーり値を示
すピーク信号ＳＤは逐次に第１のメモリ部（支））に出
力され所定のアドレスに格納される。しかして、１回転
分のデータ（３６０個）を第１のメモリ部（至）に書き
込むと、ターンテーブル＋２２）をさらに半径方向に１
トラツク分移Ｅ’ｖさせ、再びサンプリング信号ＳＣに
より同様に１回転分のデータを舊き込む（ブロック６イ
））。このようにして、所定の０トラツク分走査する（
ブロック６５））。かくして。

第１のメモリ部（３Ｇ）には、第６図に示すように、被
検査物（８）の中心から同心状にｎ　トラックに分割さ
れ、さらに１°ごとに径方向に分ＬｉＪされた扇状領域
のピーク値データ（Ｘ、、θ）が第７図に示すように格
納されている。つき゛に、へ１１のメモ’）　部（３ｆ
ｉ）からは、ピーク値データ（Ｘ、　、θ）を示すディ
ジタル信号が欠陥分類部（３７）に出力′される。する
と、この欠陥分類部（３７）にては、すでに設定されて
いるスレッショルドレペルＴ□、　Ｔ２．　Ｔ３により
欠陥を大ぎさ別に分類する。すなわち、最も小さい欠陥
（１，０μｍ以下）を検出するために全データに対して
、前記スレッシ１ルドレベル’ｒ１（＝ｖ人＋Ｌｔ　）
　ト比ｔ２　Ｌ　、　コのスレッシ曹ルドレペルＴＩよ
υ大きいデータを欠陥データとする。さらに大きい欠陥
を検出するために、全データをスレッシ薗ルドレベル’
ｒ、（＝ｖ。

＋Ｌ、）およびスレッショルドレベルＴ８（＝ＶＡ＋Ｌ
３）と比較し、これらのスレッショルドレベルＴ２．　
Ｔ３よシ大きいデータを欠陥データとし、大きさ別に分
類する。分類された欠陥データは蕗２のメモリ部（４υ
にて記憶する（ブロック６Ｇ））。しかして。

ＣＰＵ（４１にては、得られた欠陥データを極座標系か
ら直交座セプ系に変換し、１闘×１門の画素中に欠陥デ
ータが何個あるか否かを演算する。さらに、この直交座
標系に変換されプこ欠陥データの分布及び欠陥の大きさ
別の個数を表示機構（Ｌｌ）にて表示させる（ブロック
６７））。このとき１画素の中にｒＪ数の欠陥が存在す
る場合は、最も大きい欠陥データをその画素の欠陥デー
タとして表示させる。最後に、ターンテーブル（２２）
の回転を停止しくブロック（５Ｇ）　）　。

ターンテーブル（７ｊを元の位置にもどし被（・（介物
（８）を取り　（ｉ　＝ｒ’　ｌ、て倹を終了となる（
ブロックｆｆ１９）　）。

以上のように、本実フＩ′１１例の未面検企誌随によれ
ば、被検査物が異った場合や、被検査物にソリが　、あ
った場合等、欠陥のない場所の散乱光強度の変動があっ
た場合でも、各被検査物ごとに被検査物の任意に選択さ
れた半径ｒの位置における任意周分のデータの平均値ｖ
Ａを求め、この平均値Ｖ人（で対して欠陥検出するため
の欠陥の大きさに対応した複ｉ　ｔｖ　ｖ　ヘルＬｔ　
、　Ｌ２　、Ｌ３　ヲ加’Ａ−してスレノショルトレベ
”　ＴＩ　＋　Ｔ２　＋　Ｔ３を設定しているため、各
被検査物ごとにスレッショルドレベルを標準サンプルに
よ）校正する必要が方く、底面欠陥を正イ）′；に検出
することかできる。また、平均Ｇ２　Ｖ人の算出は、被
検査物狭面からの一部のデータに基づいているので、迅
速に行うことができる。さらに、４２１１３．０トラツ
ク分のデータをサンプリング、記（、在した後。

それらについて欠陥検出を行い、さらに画素ごとにデー
タを′まとめられるように一部メモリ部を設けたために
、被検丘物全夫面の、「：］定データを１反に記憶する
必要がないためメモリ等量が少なくてすむ。さらに１本
実１Ａ　’Ｃ”りに−いてＯ，ｊ、レーザ光Ｊ７として
、キー、ｙ体し−ザーｓ：ｉ、：’（（用゛、）ている
こと（てより以下の効果を得ることがで８る。すなわち
、（１）光出力として１５ｍＷ程度を得ることができ、
これにより被検査物からの散乱強度が、高い検出感度を
得るに十分なものとなる。（２）光出力を一定に保つパ
ワーコントロール回路を容易に組み込めるので５例えは
Ｈｅ−Ｎｅレーザ装ｊ直で生じていた経時的な出力変動
が解消され、測定の安定性が向上する。

（３）半導体レーザ装置から発振されたレーザ光は。

ビームの拡９角が水平方向に対して垂直方向が拡い楕円
状である。したがって、複雑な光学系を使用することな
く、容易に楕円ビームを得ることができる。このため、
レーザ光の走査幅を円形のビームに比べ広く取ることか
でさ、被検査面の走置時間が短縮する。（４）例えばＨ
ｅ−Ｎｅレーザ装置に比べ、半導体レーザ装置は小型で
あることはもとより、電源装短も小型であるので、照射
部の小型化。

軽量化が可能となる。それゆえ、表面検査装置全体の小
型化、軽量化が可能となシ、クリーンルーム内での省空
間に寄与することができる。

なお、上記実施例においては１回転位置信号として３６
０パルス／回転を用いているが、適宜に述択してよい。

また、上記実施例においては、平均値ｖＡ算出は、実際
の検査前に、被検査物ｕＣｊの特定半径ｒ位置における
データに基づいているか、複数の異なる半径位置におけ
るデータに糸づいて平均値を求めてもよい。

さらく、上記実施例においては、ピーク検出部Ｑからの
ピークイ直データは、いったん第１のメモリ部０Ｉ；）
に記憶させるようにしているが、ピーク信号ＳＤを直接
、欠陥分類部ｒ３７）に入力させ、リアルタイムで欠陥
６艶を行わせたのち、分類された欠陥データ２第１のメ
モリ部国又は第２のメモリ部（・１υに格納させるよう
にしてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように１本発明の表面検査装置によれば被検査物
が異った場合や、被検査物にソリがあった場合等欠陥の
ない堝所の散乱光強度の変動があった場合でも、各被検
査物ごとに基準値を自５し的に仮出し、その８準値に対
して欠陥検出するための複００レベルを加算してスレッ
ショルドレベルを設定しているため、各被検査物ごとに
スレッショルドレベルを標準サンプルにより校正する必
要がなく１表面欠陥を正確に検出することができる。

さらに、複数のトラック分のデータをサンプリング、記
憶した後、それらについて欠陥検出を行い。

さらに画素ごとにデータをまとめられるように一時メモ
リ部を設けたためＫ、被検査物全表面の測定データを１
度に記憶する必要がないためメモリ容量が少なくてすむ
。さらに１発明の表面検査装置は、レーザ光源として、
半導体レーザ装置を用いていることにより以下の効果を
得ることができる。すなわち、（１）光出力として１５
ｍＷ程度を得ることができ、これにより被検査物からの
散乱強度が、高い検出感度を得るに十分なものとなる。

（２）光出力を一定に保つパワーコントロール回路を容
易に組み込めるので、例えばＨｅ−Ｎｅレーザ装置で生
じていた経時的な出力変動が解消され、測定の安定性が
向上する。（３）半導体レーザ装置から発振されたレー
ザ光は、ビームの拡す角が水平方向に対して垂１σ方向
が拡い楕円状である。しだがって、複雑な光学系を使用
することなく、容易に楕円ビームを得ることができる。

このため、レーザ光の走査幅を円形のビームに比べ広く
取ることができ。

被検査面の走査時間が短縮する。（４）例えばＨｅ　−
Ｎｅレーザ装ｑに比べ、半導体レーザ製置は小型である
ことはもとより、電掠装置も小型であるので。

照射部の小型化、軽量化が可能となる結果１表面検査装
置全体の小型化、軽量化が可能となり、クリーンルーム
内での省空間に寄与することができる。した７５：って
、本発明の表面検査装置を集積回路製造における検査工
程に導入した場合、検査能率及び検米精度が顕著に向上
し集積回路の品質及び歩留の改善に寄与するところ大で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ｄ大発明の一実施例の表面検査装置の全体構ｒ
′１．図、第２図はゐ１１図に示す照射部の斜視図、第
３図及び２３４図は第１図の表面検査装９’ｆの作動を
説明するためのフローチャート、第５図はデータサンプ
リングを示すタイミングチャート、第６図１ｌ−１，被
検官物表面におけるデータサンプリング領域を示す図、
第７図は一時メモリ部におけるテーメ唇込み例、第８図
は従来の表面横置方法を説明するための図、第９図は従
来の表面積立方法の欠点を説明するためのグラフである
。 （８）二被検査物、　　　住り：保持部。 ｔ１３）　：照射部、　　　　住４）：ターンテーブル
、（１６）：（第１の）モータ、（［８）：送９部。 ｔａｒ）　：績分球、（２７ａ）：開口部。 （２５Ｃｊ　：半導体レーザ装置、　　（２■：光電変
換部、（３＋＞　：透　孔、　　　　　　９３　：　Ａ
／Ｄ袈挨器。 Ｃ１：Ｉ）　＠ビーク検出部、　　■：平均値算出部、
Ｉ、３７）：欠陥分類部（欠陥検出部）。 曹：中央制御部。 代理人　弁理士　　則　近　憲　佑 （ほか１名） 第２図 ７ｂ 第３図 第　４　図 第５ｒＡ 第　６　図 第　７　図 トラック、１立１［ 第８図 第９図 十 時間

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　下記構成を具備することを特徴とする表面検査装置。 （イ）被検査物を載置するターンテーブルと、このター
   ンテーブルを回転させるモータと、上記ターンテーブル
   を上記モータによる回転軸線に直交する方向に進退させ
   る送り部とを有する保持部。 （ロ）開口部を有しこの開口部を上記ターンテーブルに
   近接して配設された積分球と、この積分球に連設され上
   記開口部を経由して上記ターンテーブルに載置された被
   検査物にレーザ光を斜めから照射する半導体レーザ装置
   と、上記積分球に連設され上記積分球により集光された
   上記被検査物にて反射したレーザ散乱光を光電変換する
   光電変換器を有し、上記積分球には上記被検査物にて反
   射したレーザ正反射光を外部に放射させる透孔が穿設さ
   れた照射部。 （ハ）上記光電変換器から出力されたアナログ検出信号
   をアナログ−ディジタル変換するアナログ−ディジタル
   変換器。 （ニ）上記アナログ−ディジタル変換器から出力された
   ディジタル検出信号の平均値を求める平均値算出部。 （ホ）上記アナログ−ディジタル変換器から出力された
   ディジタル検出信号を入力し一定期間ごとのピーク値を
   求めるピーク検出部。 （ヘ）上記平均値算出部にて算出された平均値に基づい
   て上記被検査物の表面欠陥検出のためのスレッショルド
   レベルが設定され、かつ上記ピーク検出部にて求められ
   た上記ピーク値を示す信号を入力して上記スレッショル
   ドレベルと比較演算を行い比較結果に基づいて上記表面
   欠陥の判定処理を行う欠陥検出部。 （ト）上記保持部及び上記平均値算出部及び上記欠陥検
   出部のシーケンス制御を行い、かつ上記欠陥検出部にお
   いて求められた欠陥データを記憶する中央制御部。