JP3930129B2

JP3930129B2 - 表面検査方法及び装置

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Publication number: JP3930129B2
Application number: JP33656697A
Authority: JP
Inventors: 久磯崎
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Priority date: 1997-11-21
Filing date: 1997-11-21
Publication date: 2007-06-13
Anticipated expiration: 2017-11-21
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハのような主としてウェーハ形状の測定物の表面に存在する異物・キズを検査するのに適した表面検査方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、光学系を介して光源からの光を測定物の表面に照射するとともに測定物の表面から反射した散乱光を光電変換素子で受光し、その間に、測定物と光学系を相対的に変位させて、測定物の表面上の異物を検査し、異物の座標位置を記録する表面検査方法は、公知である。その変換素子としては、例えばフォトマルチプライヤ等が使用されている。
【０００３】
ウェーハ等の測定物では、その測定に有効範囲がある。異物・キズは、その有効範囲内で測定される。
【０００４】
高い感度を有するフォトマルチプライヤは、ウェーハ上の異物からの散乱光を測定する事が十分可能である。しかし、ウェーハの有効範囲外つまり外周範囲は汚れている事が多く、外周範囲では、有効範囲とは比ベる事ができないほど多量の散乱光が発生する。また、外周範囲にはウェーハのエッジ部分が存在しており、そこでは特に多量の散乱光が発生する。
【０００５】
ところが、従来の異物検査装置は、外周範囲と有効範囲で同じフォトマルチプライヤの信号を基に測定している。そのため、外周範囲で多量の散乱光がある場合、フォトマルチプライヤの特性上、飽和現象が起き、それから一定の時間は測定が不可能になることがある。
【０００６】
たとえば、図８は、そのような測定不可の状態を示している。光学系を介して光源からの光を測定物の表面に照射するとともに測定物の表面から反射した散乱光を光電変換素子で受光し、その間に、測定物と光学系を相対的に変位させて、矢印の方向に走査光を連続して複数の測定物に当てて、測定物の表面上の異物を検査する。有効範囲を測定しているときは、問題は発生しないが、走査光がウェーハの外周部分に到来すると、つまり、有効範囲を越えた外周範囲では、図８の下側に示すように、多量の散乱光が発生し、フォトマルチプライヤが飽和状態になり、それから一定の時間は測定が不可能になる。それは、図８に示すフォトマル不感帯領域である。
【０００７】
従来のフォトマルの表面検査方法においては、フォトマルチプライヤの原理上の問題があるため、ウェーハのエッジ部の強い散乱光の影響で不感帯ができることはさけられない。特にウェーハにＵ，Ｖノッチ等が存在する場合は正確な表面検査が困難になる。事実上、エッジの正確な測定はできない。
【０００８】
図８における従来のフォトマルの表面検査方法を採用するとともに、別のセンサでウェーハ表面を検査したとしても、座標位置が正確でないか全く記録されていないと、ウェーハ表面の測定データが保存されていても、図９に示すように役に立たない処理になってしまう。
【０００９】
そのため、外周範囲の測定データは様々な形でデータ処理が行われている。
【００１０】
しかし、いずれのデータ処理によっても、原理上正しい測定は困難であり、外周範囲の座標にいたっては、その正確な測定方法が確立されていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
仮に別のセンサで外周範囲のみを測定するとしても、有効範囲の測定に使用するセンサーとは別に測定およびデータ処理をせざるをえないので、両センサーに関して座標位置を正確に合わせることは原理上無理である。
【００１２】
また、検出光の正反射光を別な低感度センサで受け、そのデータを異物検査と同じ様な処理をすることで外周範囲を正確に測定する方法も考えられるが、検出光の正反射を用いた別センサにより外周範囲の測定データを正確に測定したとしても、異物データと同じように処理するには付属する座標データが多すぎるため、大量のメモリが必要になり、データ処理上、あるいはハードウエアの構成上、コストの問題が非常に大きくなる。
【００１３】
また、座標データを持たせることなく、ピクセル処理を行なった場合は、データは存在するが、座標データが欠落するため、正確な外周範囲の測定データを得ることができない。
【００１４】
本発明の目的は、有効範囲を越えた外周範囲でも適切にウェーハ上の異物等を検査できる表面検査方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の解決手段を例示すると、特許請求の範囲の各請求項に記載の表面検査方法及び装置である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
異物・キズを測定する有効範囲とその範囲を外れた外周範囲との間におけるスタート位置とエンド位置との間の測定の仕方と異物・キズを測定する有効範囲での測定の仕方とを切り替え、異物・キズと、オリフラ又はノッチのデータを共有化したアドレス体系として記憶する。上記共有化したアドレス体系とは、異物・キズ及びオリフラ又はノッチのデータが径方向の座標データと周方向の座標データを含むものである。有効範囲内で異物・キズを測定する際には、異物・キズの存在が検出されたときに、上記光電変換素子の出力信号のピーク値が記憶され、外周範囲の測定範囲では、オリフラ又はノッチの部分での検出素子の出力信号の最小値を記憶する。有効範囲と外周範囲の各々の測定範囲で、任意のサンプリング態様に切り替えることが可能であり、測定スピードも可変である。
【００１７】
測定物から反射する反射光速を検出する検出素子により該検出素子の出力信号に対して、異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲とを区別するスレッショルド信号レベルを設定する。そして、測定物から反射する反射光束を検出する該検出素子の出力信号がスレッショルド信号レベルを下回ったら、その位置をスタート位置とし、そのスタート位置からスレッショルド信号レベルを上回る位置までを外周範囲とする。その外周範囲ではなく上記有効範囲を測定しているとき、上記光電変換素子の出力信号に対して、異物・キズを測定するためのスライスレベルを設定して、上記光電変換素子の出力信号がスライスレベルを上回ったら、その位置をスタート位置とし、その後、スライスレベルを下回ったら、その位置をエンド位置として異物・キズの位置を求め、異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲との間におけるスタート位置とエンド位置との間の測定の仕方と、有効範囲での異物・キズの測定におけるスタート位置とエンド位置との間の測定の仕方とを相違させる。
【００１８】
本発明による表面検査方法において使用される主なデータは、つぎのとおりである。
【００１９】
（１）異物の最大値データ
（２）異物のスタート位置データ
（３）異物のエンド位置データ
（４）測定物の反射光量データ
本発明による表面検査方法において採用される主な処理は、つぎのとおりである。
【００２０】
（１）異物を検査する有効範囲とそれから外れた外周範囲との測定位置データを設定する。
【００２１】
（２）異物検査用の有効範囲内では、異物を主として測定する。この時、反射光量は異物が存在したときのみデータが記憶される。
【００２２】
（３）外周範囲内では、反射光量を主として測定する。この時、反射光量は最小値処理が実施され、そのデータにスタート位置データとエンドの位置データが記録される。
【００２３】
前述のような各種データを測定して処理を行うことにより、外周範囲においても、異物の検査のときと同じ座標精度を持たせることができる。それゆえ、正確なエッジ部（外周）の測定が可能になる。
【００２４】
また、異物を検査する有効範囲とそれから外れた外周範囲とのデータを共有化することで、大量のメモリを使用する必要がなくなる。その結果、低コストで作製できるようになる。
【００２５】
【実施例】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施例を説明する。
【００２６】
図１は、本発明による螺旋走査方式の表面検査装置の一例を示している。
光源１１０と、この光源１１０からの光を測定物の表面１１１に照射する照射光学系１１２と、照射光学系１１２で照射されて測定物１１１表面から反射された散乱光を受光して受光信号を形成する第１受光光学系１１３と、第１受光光学系１１３で受光された光を受光信号として出力する光電変換素子１１４と、光源１１０からの照射光が測定物で反射されたときの反射光が入射する位置に配置される第２受光光学系１１５と、第２受光光学系１１５で受光された光を出力信号として出力するエッジ検出素子１１６と、検査対象物１１１の表面と照射光学系１１２及び第１及び第２受光光学系１１３、１１５とに相対的な直線変位を与える直線変位部１１７と、検査対象物１１１の表面と照射光学系１１２並びに第１及び第２受光光学系１１３、１１５とに相対的な回転変位を与える回転変位部１１８とを有し、照射された光が測定物１１１の表面上を螺旋走査するように構成されている。直線変位部１１７と回転変位部１１８には、それぞれモーター１１９、１２０が接続されている。
【００２７】
図２は、本発明の実施例の一つを示すブロック図である。
【００２８】
図２において、エッジ検出素子と光電変換素子がそれぞれＡＭＰ回路、Ａ／Ｄ変換回路を介してピーク検出回路部と最小値検出回路部に接続され、両方ともデータ処理回路部に接続され、さらにメモリ部に接続されている。エンコーダ信号は、データ処理回路部とピーク検出回路部に送られる。操作部を介して測定者から所定の指示がなされる。
【００２９】
本発明が適用された表面検査装置は、測定物の有効範囲において異物・キズの検出を、また外周範囲においてオリフラ又はＶ若しくはＵノッチなどの切欠きを検出するように、それぞれで異なる処理を行う。
【００３０】
ここで測定物の有効範囲と外周範囲の区分けは、測定物を一義的に区別できる方法であれば様々な方法が採用できる。例えば、測定者が操作部を介して座標値を指定して定めること、即ち、検出に極座標系を利用している場合に動径ｒを指定したり、外周から○ｍｍというように指定することもできる。
【００３１】
また他の例として、照明光学系又は受光光学系と対象物間の位置関係を検出する位置検出センサーを設けて、その検出出力により区別するようにしてもよい。
【００３２】
ノッチを有するウェーハを測定物としてときの区分けの一例を図１０（ａ）に示し、オリフラを有するウェーハを測定物としてときの区分けの一例を図１０（ｂ）に示す。
【００３３】
一例として、半導体のウェーハを検査する用途に適用した場合、測定物はウェーハであり、ウェーハの有効範囲において異物・キズの検出を、また外周範囲においてオリフラなどの切欠きを検出することとなる。
【００３４】
まず測定物の有効範囲で測定する場合を以下に説明する。
測定物の有効範囲において、表面検査装置は、照射光学系を介して光源からの光を測定物の表面に照射するとともに測定物の表面から反射した散乱光を光電変換素子で受光し、その間に、測定物と照射光学系及び受光光学系とを相対的に変位させて、矢印方向に走査光を連続して複数の測定物に照射して測定物上の異物を測定する。光電変換素子１１４は、フォトマルチプライヤで構成することが高感度である点から望ましい。
【００３５】
この際に、光電変換素子で得られる異物からの散乱光を含んだ受光信号の一例を、図３に示す。
【００３６】
ピーク検出回路部は、光電変換素子からの信号に応じて、走査に従い異物からの散乱信号がスライスレベルを越えたらその時点をスタート位置とし、エンコーダーからの信号によりENm start data、直線変位部１１７による変位量に応じてYm start data を、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号からXm start data を、その座標データとして出力する。
【００３７】
その後異物散乱信号が、スライスレベルを下回ったらそこをエンド位置としてその座標を、エンコーダーからの信号によりENm end data、直線変位部１１７による変位量に応じてYm end data を、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号からXm end data を、その座標データとして出力する。
【００３８】
スタート位置とエンド位置の間で異物散乱信号が最も大きかったところ（最大値）をピーク値として、そのピーク値及びその座標を、エンコーダーからの信号によりENm data、直線変位部１１７による変位量に応じてYm data を、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号からXm data 、ピークレベルをDm peak として出力する。
【００３９】
ここでENm dataは、エンコーダーの出力で、例えば１周６０００パルスが発生されるもので、周方向の粗い位置を示す。 Ym dataは、直線変位部１１７による変位量、即ち径方向の位置を示す。Xm data は、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号により周方向の精密な位置を示す。
【００４０】
次に、外周範囲での測定は、次のように行われる。直線変位部の変位量により、有効範囲から外周範囲への測定であること判断すると、光電変換素子からの受光信号ではなく、エッジ検出素子の出力信号を用いて測定が行われる。
【００４１】
ここで、エッジ検出素子の感度は、照射光学系の照射光が測定物で反射した反射光と、照射光学系の照射光が測定物のオリフラなどで反射しなくなったときの入射光とを区別できるように選択されている。従って、光電変換素子の感度は、エッジ検出素子の感度よりも高く設定される。
【００４２】
走査によって、照射光が測定物からその切欠き部を通過したときのエッジ検出素子の出力信号を、図４に示す。
【００４３】
最小値検出回路部は、エッジ検出素子からの信号に応じて、照射光学系の照射光が測定物で反射した反射光と、照射光学系の照射光が測定物のオリフラなどで反射しなくなったときの入射光とを区別できるエッジ用スレッショルド信号レベルを設定し、走査に従い、エッジ検出素子からの信号がエッジ用スレッショルド信号レベルを下回ったらその時点をスタート位置とし、その座標を、ENmn start data 、直線変位部１１７による変位量に応じてYmn start dataを、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号からXmn start dataを、その座標データとして出力する。
【００４４】
その後、エッジ検出素子からの信号が、エッジ用スレッショルド信号レベルを上回ったらそこをエンド位置として、その座標を、エンコーダーからの信号によりENmn end data 、直線変位部１１７による変位量に応じてYmn end dataを、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号からXmnend dataとして出力する。
【００４５】
スタート位置とエンド位置の間でエッジ検出素子からの信号が最も小さかったところをボトム（底部）として、そのボトムレベル値及びその座標を、エンコーダーからの信号によりENm data、直線変位部１１７による変位量に応じてYmn dataを、クロック回路ＣＬＫからのクロック信号に応じてXmn data、ピークレベルをDmn bottom
として出力する。
【００４６】
これらの座標データ及びレベルデータは、データ処理回路部を介してメモリ部に記憶される。
【００４７】
そのときの記憶アドレスの状態を示したものが、図５である。
【００４８】
ここにおいては、各列の３行で１つの測定データ（異物データ又はオリフラ若しくはノッチのデータ）を示すものである。
【００４９】
有効範囲の測定の場合、第１行には異物のピークのデータが記憶される。第１行第１列には、ピークレベルDm peak が、第１行第２列には周方向の精密座標Xmn dataが、第１行第３列には径方向の座標Ymn dataが、第１行第４列には周方向の粗い座標データとしてENmn data,が記憶される。
【００５０】
第２行には、異物のスタート位置のデータが記憶される。即ち、第２行第１列は、ブランクとされ、第２行第２列には周方向の精密座標Xmn start dataが、第２行第３列には径方向の座標Ymn start dataが、第２行第４列には周方向の粗い座標データとしてENmn start data,が記憶される。
【００５１】
第３行には、異物のエンド位置のデータが記憶される。即ち、第３行第１列は、ブランクとされ、第３行第２列には周方向の精密座標Xmn end dataが、第３行第３列には径方向の座標Ymn end dataが、第２行第４列には周方向の粗い座標データとしてENmn end data,が記憶される。
【００５２】
一方、測定範囲が外周範囲に変わると、ボトムのデータが記憶される。
【００５３】
第３ｎ行第１列には、オリフラ又はノッチのボトムレベルDm peak が、第３ｎ行第２列には周方向の精密座標Xmn dataが、第３ｎ行第３列には径方向の座標Ymn dataが、第３ｎ行第４列には周方向の粗い座標データとしてENmn data,が記憶される。
【００５４】
第３ｎ＋１行には、オリフラ又はノッチのスタート位置のデータが記憶される。即ち、第３ｎ＋１行第１列は、ブランクとされ、第３ｎ＋１行第２列には周方向の精密座標Xmn start dataが、第３ｎ＋１行第３列には径方向の座標Ymn start dataが、第３ｎ＋１行第４列には周方向の粗い座標データとしてENmn start data,が記憶される。
【００５５】
第３ｎ＋２行には、オリフラ又はノッチのエンド位置のデータが記憶される。即ち、第３ｎ＋２行第１列は、ブランクとされ、第３ｎ＋２行第２列には周方向の精密座標Xmn end dataが、第３ｎ＋２行第３列には径方向の座標Ymn end dataが、第３ｎ＋２行第４列には周方向の粗い座標データとしてENmn end data,が記憶される。
【００５６】
上述したように有効範囲でも外周範囲でも、スタート位置、エンド位置及び、ピーク又はボトムのデータの３つの組合せのデータ形式を採用したので、有効範囲でも外周範囲でも、第２列乃至第４列の座標データに関しては、同じように記憶し、第１列に関してのみ、有効範囲においてはピークレベルを、また外周範囲においてはボトムレベルを記憶しさえすれば、異物のデータとオリフラ又はノッチのデータも同様のアドレス体系として記憶することができる。
【００５７】
従って、本実施例において、データメモリは、有効範囲及び外周範囲において、第２列乃至第４列のアドレスを共有化して利用している。即ちデータメモリは、任意のアドレスを少なくとも１つ共有化して、測定範囲に応じたメモリを使用している。
【００５８】
また、有効範囲でも外周範囲でも、スタート位置、エンド位置及び、ピーク又はボトムのデータの３つの組合せのデータ形式を採用したため、有効範囲でも外周範囲でも、データ処理の共通化が図れる。
【００５９】
データ処理回路部は、図６に示すように、測定物の切欠きに相当するウェーハのノッチの形状をデータメモリに記憶されたスタート位置座標とエンド位置座標を示す上記測定データに基づき、その形状を忠実に再現して表示部に表示させることができる。
【００６０】
このようにすれば、有効範囲を測定しているときだけでなく、走査光がウェーハの外周部分に到来したときも、つまり、有効範囲を越えて外周範囲に到来したときも、多量の散乱光の発生による問題は発生しない。すなわち、外周範囲においてフォトマルチプライヤが飽和状態になって、それから一定の時間は測定が不可能になる事態は回避されるのである。
【００６１】
従来のフォトマルの表面検査方法においては、フォトマルチプライヤの原理上の問題があるため、ウェーハのエッジ部の強い散乱光の影響で不感帯ができることは避けられなかったが、本発明の表面検査方法によれば、図６に示す異物からの散乱光を受光するフォトマルの不感帯領域が生じたとしても、オリフラ又はノッチを測定物から反射した反射光束に基づいて測定することとしているため、仮にウェーハにＵノッチや，Ｖノッチ等が存在する場合であっても、正確な表面検査が可能になる。
【００６２】
たとえば、図６に示すように、エッジの正確な測定も十分可能である。本発明の表面検査方法によれば、外周範囲の測定の際にも座標付きデータが記録できるので、ウェーハのエッジ部も正確な表面検査が可能になるのである。
【００６３】
次に本発明の変形例を説明する。
【００６４】
図７は、本発明による螺旋走査方式の表面検査装置の変形例を示している。
【００６５】
図７に示す表面検査装置においては、図１に示すものと、第２受光光学系１１５ａと、エッジ検出素子１１６ａの配置を除き共通しているので、共通要素の説明を省略し、相違点のみ説明を行う。
【００６６】
第２受光光学系１１５ａは、照明光学系１１２の光軸の延長線上に配置され、測定物の外周範囲にある切欠きを通過する光を受光する。
【００６７】
エッジ検出素子１１６ａは、第２受光光学系１１５ａで受光された光を出力信号として出力するものである。
【００６８】
この場合、照射光が測定物の切欠きを透過すると、照射光が直接第２受光光学系１１５ａに入射するので、エッジ検出素子１１６ａの出力は高くなる。
【００６９】
従って、図２において最小値検出回路をピーク検出部に交換するか、光電変換素子用のピーク検出部を兼用することにより、信号処理を行うことができる。いうまでもないが、この変形例では、有効範囲でも外周範囲でもスタート位置の座標、エンド位置の座標、及びピークデータの処理及び記憶がなされる。
【００７０】
【発明の効果】
本発明は、次のような効果を奏する。
【００７１】
（１）ウェーハのエッジ部のデータが正確に得られ、座標精度が向上する。
【００７２】
（２）メモリの共有化が可能になるため、低コストで作製できるようになる。
【００７３】
（３）異物測定用の有効範囲とそれ以外の外周範囲で異なる分解能を持たせことが可能になり、より正確なエッジ情報が得られる。
【００７４】
（４）測定範囲が異物測定用の有効範囲とそれ以外の外周範囲に分けられることで、ウェーハ上で感度の異なるものを測定できるようになる。例えば、ウェーハ周辺部に数字のマーキング等が存在する場合、それを異物検査と同じ測定光で測定し、ソフトウエアによる文字認識が可能になる。
【００７５】
（５）任意の測定範囲で走査スピード、サンプリングが可変なため、ウェーハ外周部では代表値のみでなく、サンプリングした値をすべてメモリしたり、間引きデータのみをメモリすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表面検査装置の一例を示す図である。
【図２】本発明の実施例の一つを示すブロック図である。
【図３】異物からの散乱信号を含む光電変換素子の出力を示す図である。
【図４】外周範囲での測定状態を示す図である。
【図５】データメモリ構造例を示す。
【図６】本発明による外周範囲における測定物の形状の表示を示す図である。
【図７】本発明の表面検査装置の変形例を示す図である。
【図８】従来のフォトマルによる表面検査方法を示す模式図である。
【図９】従来のフォトマルによる表面検査方法による表面検査結果を示す図である。
【図１０】測定物の有効範囲と外周範囲の区分けを示した図。
【符号の説明】
１１０光源
１１１表面
１１２照射光学系
１１３第１受光光学系
１１４光電変換素子
１１５第２受光光学系
１１７直線変位部
１１８回転変位部
１１９，１２０モータ

Claims

回転されている測定物の表面に存在する異物・キズを検査する表面検査方法において、
測定物を照明光学系により照明光束で螺旋状に走査し、
光電変換素子により異物・キズからの散乱光を受光し、
測定物から反射する反射光束を検出する検出素子により該検出素子の出力信号に対して、
異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲とを区別するスレッショルド信号レベルを設定して、
測定物から反射する反射光束を検出する該検出素子の出力信号がスレッショルド信号レベルを下回ったら、その位置をスタート位置とし、そのスタート位置からスレッショルド信号レベルを上回る位置までを外周範囲とし、
該外周範囲ではなく上記有効範囲を測定しているとき、上記光電変換素子の出力信号に対して、異物・キズを測定するためのスライスレベルを設定して、上記光電変換素子の出力信号がスライスレベルを上回ったら、その位置をスタート位置とし、その後、スライスレベルを下回ったら、その位置をエンド位置として異物・キズの位置を求め、
異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲との間におけるスタート位置とエンド位置との間の測定の仕方と、有効範囲での異物・キズの測定におけるスタート位置とエンド位置との間の測定の仕方とを相違させ、
異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲との間におけるスタート位置とエンド位置との間の測定の仕方と異物・キズを測定する有効範囲での測定の仕方とを切り替え、異物・キズと、オリフラ又はノッチのデータを共有化したアドレス体系として記憶することを特徴とする表面検査方法。
上記共有化したアドレス体系とは、異物・キズ及びオリフラ又はノッチのデータが径方向の座標データと周方向の座標データを含むものであることを特徴とする請求項１記載の表面検査方法。
有効範囲内で異物・キズを測定する際には、異物・キズの存在が検出されたときに、上記光電変換素子の出力信号のピーク値が記憶され、
外周範囲の測定範囲では、オリフラ又はノッチの部分での検出素子の出力信号の最小値を記憶することを特徴とする請求項２に記載の表面検査方法。
有効範囲と外周範囲の各々の測定範囲で、任意のサンプリング態様に切り替えることが可能であり、測定スピードも可変である請求項１〜３のいずれか１項に記載の表面検査方法。
光源と、
その光源からの光束で回転されている被検査表面を螺旋状に走査する照明光学系と、
該被検査対象物上の異物・キズからの散乱光を受光する光電変換素子とを備え、
測定物から反射する反射光束を検出する検出素子と、
該検出素子の出力信号に対して、異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲とを区別するスレッショルド信号レベルを設定して、測定物から反射する反射光束を検出する該検出素子の出力信号がスレッショルド信号レベルを下回ったら、その位置をスタート位置とし、そのスタート位置からスレッショルド信号レベルを上回る位置までを外周範囲とし、
該外周範囲ではなく上記有効範囲を測定しているとき、上記光電変換素子の出力信号に対して、異物・キズを測定するためのスライスレベルを設定して、上記光電変換素子の出力信号がスライスレベルを上回ったら、その位置をスタート位置とし、その後、スライスレベルを下回ったら、その位置をエンド位置として異物・キズの位置を求め、異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲との間におけるスタート位置と、エンド位置との間の測定の仕方とを相違させ、異物・キズを測定する有効範囲とその有効範囲を外れた外周範囲との間におけるスタート位置とエンド位置との間の測定の仕方と異物・傷を測定する有効範囲での測定の仕方とを切り替える信号処理部と、異物・キズ及びオリフラ又はノッチのデータを共有化したアドレス体系として記憶するデータメモリを有することを特徴とする表面検査装置。
上記データメモリは、異物・キズとオリフラ又はノッチのデータを径方向の座標データと周方向の座標データを含む共有化したアドレス体系で記憶するように構成されていることを特徴とする請求項５記載の表面検査装置。
上記データメモリは、有効範囲内で異物・キズを測定する場合において、異物・キズの存在が検出されたときに、上記光電変換素子の出力信号のピーク値をさらに記憶し、また外周範囲における測定の場合において、オリフラ又はノッチの部分での検出素子の出力信号の最小値を記憶するように構成されていることを特徴とする請求項５記載の表面検査方法。
有効範囲と外周範囲の各々の測定範囲で、任意のサンプリング態様に切り替えることが可能であり、測定スピードも可変である請求項５〜７のいずれか１項に記載の表面検査方法。