JP2006343331A - 試料のエッジ検査のためのシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】試料のエッジに光を斜め入射角で向けるように構成された照明サブシステムを含む。光の入射面は、試料のエッジにほぼ正接する面に対しほぼ垂直である。また、エッジからの散乱光を集光し、該散乱光に応答して信号を生成するように構成された検出サブシステムを含む。1つの方法は、試料のエッジに光を斜め入射角で向ける段階を含む。入射面は、試料のエッジにほぼ正接する面に対しほぼ垂直である。本方法はまた、エッジからの散乱光を集光する段階と、散乱光に応答して信号を生成する段階とを含む。上述の信号は、試料のエッジ上の欠陥の検出に使用できる。
【選択図】図3
Description
本発明は、種々の修正や代替的形態が可能であるが、各図面において説明として特定の実施形態が示され、本明細書において詳細に説明されている。各図面は、縮尺通りではない場合がある。しかしながら、本図面とその詳細な説明は、開示される特定の形態に本発明を限定するものではなく、逆に、その目的は、添付の請求項によって定義される本発明の精神と範囲に含まれる全ての修正物、均等物、代替物を保護するべきであることを理解されたい。
本明細書で使用する用語「試料」とは一般に、対象欠陥が配置されるエッジを有するウェハ、又はあらゆる別の試料を意味する。用語「試料」及び用語「ウェハ」は、本明細書では同義的に使用されるが、ウェハに関して説明する実施形態は、上述のいずれかの別の試料の検査に対して構成可能及び/又は使用可能であることを理解されたい。
Claims (24)
- 試料のエッジを検査するように構成されたシステムであって、
前記試料のエッジに斜め入射角で光を向けるように構成された照明サブシステムと、
前記試料のエッジからの散乱光を集光して、該散乱光に応答して信号を生成するように構成された検出サブシステムと、
を含み、
前記光の入射面が前記試料のエッジにほぼ正接する面に対しほぼ垂直であり、前記信号を用いて、前記試料のエッジ上の欠陥を検出することが可能であることを特徴とするシステム。 - 前記試料のエッジが、前記試料の上部ベベル部、頂部、底部ベベル部を含む請求項1に記載のシステム。
- 前記システムが更に、ほぼ同時に前記試料を回転及び並進することによって、前記試料のエッジ全体にわたり光をスキャンさせるように構成されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記システムが更に、前記試料の公称エッジを約2mmから約3mmまでの距離だけ越えて光をスキャンさせることによって、前記試料のエッジ全体にわたり光をスキャンさせるように構成されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記システムが更に、前記エッジに近接する前記試料の上面のある位置から前記試料の公称エッジを越えるある位置まで光をスキャンさせることによって前記試料のエッジ全体にわたり光をスキャンさせるように構成されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記検出サブシステムが、前記試料のエッジからの鏡面反射光が前記検出サブシステムの検出器に入射するのを実質的に阻止するように構成されたマスクを含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記信号を使用して前記試料のエッジ上の欠陥位置を求めるように構成されたプロセッサを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記パターン形成されたフューチャが前記試料のエッジに近接して前記試料の上面に配置され、前記システムが更に、どの信号が前記パターン形成されたフューチャからの散乱光に対応するかを判定して、前記パターン形成されたフューチャからの散乱光に対応する信号を前記欠陥の検出に使用される信号から除去するように構成されたプロセッサを含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記システムが更に、前記試料の上面を検査するように構成され、前記試料の上面検査に使用される前記システムのパラメータが、前記試料のエッジ検査に使用される前記システムのパラメータとは異なることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記システムが更に、前記試料の底面を検査するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記試料が、パターン形成されたウェハ又はパターン未形成のウェハを含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 試料のエッジを検査するための方法であって、
斜めの入射角で前記試料のエッジに光を向ける段階と、
前記試料のエッジからの散乱光を集光する段階と、
前記散乱光に応答して信号を生成する段階と、
を含み、
前記光の入射面が前記試料のエッジにほぼ正接する面に対しほぼ垂直であり、前記信号を用いて前記試料のエッジ上の欠陥を検出することができることを特徴とする方法。 - 前記試料のエッジが、前記試料の上部ベベル部、頂部、底部ベベル部を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記向ける段階が、ほぼ同時に前記試料を回転させ、並進させることによって前記試料のエッジ全体にわたり光をスキャンさせる段階を含む請求項12に記載の方法。
- 前記向ける段階が、前記試料の公称エッジを約2mmから約3mmまでの距離だけ越えて光をスキャンさせる段階を含む請求項12に記載の方法。
- 前記向ける段階が、前記エッジに近接する前記試料の上面のある位置から前記試料の公称エッジを越えるある位置まで前記試料全体にわたり光をスキャンさせる段階を含む請求項12に記載の方法。
- 前記試料のエッジからの鏡面反射光が前記生成段階に使用される検出器に入射するのを実質的に阻止する段階を更に含む請求項12に記載の方法。
- 前記信号を使用して前記試料のエッジ上の欠陥位置を求める段階を更に含む請求項12に記載の方法。
- 前記信号を使用して前記試料のエッジ上の欠陥位置を求める段階を更に含み、前記位置が前記欠陥位置のx、y座標を含む請求項12に記載の方法。
- 前記試料のエッジが、該試料の上部ベベル部、頂部、底部ベベル部を含み、本方法が更に、前記信号を用いて前記欠陥が上部ベベル部、頂部、又は底部ベベル部に位置するか否かを判定する段階を含む請求項12に記載の方法。
- パターン形成されたフューチャが、前記試料のエッジに近接して前記試料の上面に配置され、本方法が更に、どの信号が前記パターン形成されたフューチャからの散乱光に対応するかを判定する段階と、前記パターン形成されたフューチャからの散乱光に対応する信号を前記欠陥の検出に使用される前記信号から除去する段階とを含む請求項12に記載の方法。
- 前記試料の上面を検査する段階を更に含み、前記試料の上面検査に使用されるパラメータが、前記試料のエッジ検査に使用されるパラメータとは異なることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記試料の底面を検査する段階を更に含む請求項12に記載の方法。
- 前記試料が、パターン形成されたウェハ又はパターン未形成のウェハを含む請求項12に記載の方法。
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