JP2006343331A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 試料のエッジを検査するように構成されたシステムであって、
   前記試料のエッジに斜め入射角で光を向けるように構成された照明サブシステムと、
   前記試料のエッジからの散乱光を集光して、該散乱光に応答して信号を生成するように構成された検出サブシステムと、
   を備え、
   前記光の入射面が前記試料のエッジにほぼ正接する面に対しほぼ垂直であり、前記信号を用いて、前記試料のエッジ上の欠陥を検出することが可能であり、前記システムは前記試料の上面を検査し、前記試料上面の検査に使用される前記システムのパラメータは前記試料のエッジの検査に使用される前記システムのパラメータとは異なることを特徴とするシステム。
2. 前記試料のエッジは、前記試料の上部ベベル部、頂部、底部ベベル部を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
3. 前記システムは、ほぼ同時に前記試料を回転及び並進することによって、前記試料のエッジ全体にわたり光をスキャンさせるようにさらに構成されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
4. 前記システムは、前記試料の公称エッジを約２ｍｍから約３ｍｍまでの距離だけ越えて光をスキャンさせることによって、前記試料のエッジ全体にわたり光をスキャンさせるようにさらぶ構成されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
5. 前記システムは、前記エッジに近接する前記試料の上面のある位置から前記試料の公称エッジを越えるある位置まで光をスキャンさせることによって前記試料のエッジ全体にわたり光をスキャンさせるようにさらに構成されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
6. 前記検出サブシステムは、前記試料のエッジからの鏡面反射光が前記検出サブシステムの検出器に入射するのを実質的に阻止するように構成されたマスクを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
7. 前記信号を使用して前記試料のエッジ上の欠陥位置を求めるように構成されたプロセッサをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
8. 前記パターン形成されたフューチャは前記試料のエッジに近接して前記試料の上面に配置され、前記システムは、どの信号が前記パターン形成されたフューチャからの散乱光に対応するかを判定して、前記パターン形成されたフューチャからの散乱光に対応する信号を前記欠陥の検出に使用される信号から除去するようにさらに構成されたプロセッサを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
9. 前記システムは、前記試料の底面を検査するようにさらに構成されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
10. 前記試料は、パターン形成されたウェハ又はパターン未形成のウェハを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
11. 試料のエッジを検査するための方法であって、
    斜めの入射角で前記試料のエッジに光を向けるステップと、
    前記試料のエッジからの散乱光を集光するステップと、
    前記散乱光に応答して信号を生成するステップと、
    前記試料の上面を検査するステップと、
    から構成され、
    前記光の入射面が前記試料のエッジにほぼ正接する面に対しほぼ垂直であり、前記信号を用いて前記試料のエッジ上の欠陥を検出することが可能であり、前記試料の上面の検査に使用されるパラメータは前記試料のエッジを検査するのに使用されるパラメータとは異なることを特徴とする方法。
12. 前記試料のエッジは、前記試料の上部ベベル部、頂部、底部ベベル部を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. 前記向けるステップは、ほぼ同時に前記試料を回転させ、並進させることによって前記試料のエッジ全体にわたり光をスキャンさせるステップを有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
14. 前記向けるステップは、前記試料の公称エッジを約２ｍｍから約３ｍｍまでの距離だけ越えて光をスキャンさせるステップを有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
15. 前記向けるステップは、前記エッジに近接する前記試料の上面のある位置から前記試料の公称エッジを越えるある位置まで前記試料全体にわたり光をスキャンさせるステップを有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
16. 前記試料のエッジからの鏡面反射光が前記生成段階に使用される検出器に入射するのを実質的に阻止するステップをさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
17. 前記信号を使用して前記試料のエッジ上の欠陥位置を求めるステップをさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
18. 前記信号を使用して前記試料のエッジ上の欠陥位置を求めるステップをさらに有し、前記位置が前記欠陥位置のｘ、ｙ座標を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
19. 前記試料のエッジは、前記試料の上部ベベル部、頂部、底部ベベル部を含み、前記方法は、前記信号を用いて前記欠陥が上部ベベル部、頂部、又は底部ベベル部に位置するか否かを判定するステップをさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
20. パターン形成されたフューチャは、前記試料のエッジに近接して前記試料の上面に配置され、前記方法方法は、どの信号が前記パターン形成されたフューチャからの散乱光に対応するかを判定するステップと、前記パターン形成されたフューチャからの散乱光に対応する信号を前記欠陥の検出に使用される前記信号から除去するステップをさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
21. 前記試料の底面を検査するステップをさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
22. 前記試料は、パターン形成されたウェハまたはパターン未形成のウェハを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。