JP2007024758A - 光学式検査装置及びその照明方法 - Google Patents

光学式検査装置及びその照明方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007024758A
JP2007024758A JP2005209865A JP2005209865A JP2007024758A JP 2007024758 A JP2007024758 A JP 2007024758A JP 2005209865 A JP2005209865 A JP 2005209865A JP 2005209865 A JP2005209865 A JP 2005209865A JP 2007024758 A JP2007024758 A JP 2007024758A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
illumination
optical system
magnification
lens
changing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005209865A
Other languages
English (en)
Inventor
哲男 ▲高▼橋
Tetsuo Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2005209865A priority Critical patent/JP2007024758A/ja
Priority to US11/486,594 priority patent/US20070033680A1/en
Publication of JP2007024758A publication Critical patent/JP2007024758A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/06Means for illuminating specimens

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

【課題】 観察倍率を変更しても、観察視野外の無駄な領域を照明することなく、かつ捉えられた光学像を検出する検出器に導かれる光量の低下を防止することが可能な光学式検査装置及びその照明方法を提供する。
【解決手段】 光学式検査装置1を、光源11と、対物レンズ14と、光源11から生じた照明光を対物レンズ14を介して試料15に照射する照明光学系12と、対物レンズ14により投影された試料15の像を結像する結像光学系18と、結像光学系18の倍率を変更する結像系倍率変更手段50、92と、照明光学系12に設けられ、結像光学系18の倍率に応じて試料15に照射される照明光の断面寸法を変更する照明光断面寸法変更手段30、40、93、94と、を備えて構成する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、ウエハやマスクなどの半導体の検査に使用される光学式検査装置及びその照明方法に関し、特に照明光として深紫外光を用いる光学式検査装置及びその照明方法に関する。
半導体ウエハ、半導体メモリ用フォトマスク、液晶表示パネルなどにおいては、所定のパターンが繰返し形成される。そこで、このパターンの光学像を捕らえ、隣接するパターン同士を比較することによりパターンの欠陥を検出することが行われている。比較の結果、2つのパターン間に差異がなければ欠陥のないパターンであり、差異があればいずれか一方のパターンに欠陥が存在すると判定する。
このような半導体ウエハ用外観検査装置では、パターンの光学像を捕らえるために一般に光学式顕微鏡が使用される。
図12は、従来の光学式検査装置の概略構成を示す図である。図示するように、試料15を保持するステージ16と、試料15を照明するための光源11と、試料15の表面の光学像を投影する対物レンズ14と、光源11から生じた照明光を対物レンズ14を介して試料15に照射する照明光学系12と、対物レンズ14により投影された試料15の像を結像する結像光学系18と、照明光学系12から入射した照明光を対物レンズ14へと反射するとともに、対物レンズ14による試料15の像の投影光を結像光学系18へと透過させるビームスプリッタ13と、結像光学系18により投影された半導体ウエハ2の表面の光学像を電気的な画像信号に変換する撮像装置19と、を備えている。
照明光学系12は、光源11からの光を集光してその後側焦点位置に明るさの一様な光源像を作るコレクタレンズ21と、コレクタレンズ21の後側焦点位置に設けられた視野絞り31と、視野絞り31の空中像を後側に結ぶコンデンサレンズ40と、コンデンサレンズ40の後側に結ばれた視野絞り31の空中像を無限遠に投影させるリレーレンズ22と、を備える。リレーレンズ22により無限遠に投影された視野絞り31の空中像は、ビームスプリッタ13によって対物レンズ14へと反射され、その後対物レンズ14によって試料15へ集光され、試料15は一様な明るさの照明光によって照明される。
一方、結像光学系18は、対物レンズ14により投影された試料15の像をさらにイメージセンサ19上に結像する結像レンズ50を備える。
近年のパターンルールの微細化に伴い、半導体ウエハ用外観検査装置に使用される光学式顕微鏡では、光源を短波長化する、画像処理装置を高性能化するなどにより高解像度の画像を捕らえることが要求され、既に270nm以下の波長を有する深紫外線光を照明光に使用する光学式検査装置が製造されている。
また、半導体ウエハ用外観検査装置では観察対象のパターン領域の種類に応じて、光学式顕微鏡の観察倍率を変えることができれば好適である。例えば半導体ウエハに形成されるメモリセル領域では、形成パターンが微細であり微小な欠陥発見するために観察倍率を上げて観察を行う必要があるのに対し、論理領域や周辺領域ではメモリセル領域と比較して形成パターンが微細でないため、観察倍率を下げた方が効率がよい。
このような観察倍率を切り替える手法としては、光学式顕微鏡の対物レンズの倍率を切り替える手法と、対物レンズにより投影された検査対象の像を結像するための結像レンズの倍率を切り替える手法がある。このうち結像レンズを切り替える手法は、倍率毎に対物レンズを用意する必要がなく、かつ対物レンズを動かす必要がないために光軸の再現性が容易に出せる。このため特に、対物レンズが高価で高精度の調整が必要な深紫外線光の検査システムでは、このような結像レンズを切り替える手法が好適に使用されている。
なお、上記説明では特に半導体ウエハ用外観検査装置について述べたが、本発明は半導体ウエハ用外観検査装置に限定されるものではなく、光学式顕微鏡など様々な光学式検査装置に適用可能である。
特開2002−6226号公報 特開2004−103807号公報
しかしながら、結像レンズ側で観察倍率を変更すると、観察視野のみが狭くなり試料を照射する照明光の照明範囲が変わらないため、撮像装置19などの検出器に導かれる光量が減少したり、また観察視野外の無駄な領域を照明するという問題がある。特に深紫外光を用いた検査装置では、半導体製造工程中にある試料に塗布されたレジストにダメージを与えるため、不必要な深紫外光の照射を避ける必要がある。
上記問題点に鑑み、本発明は、観察倍率を変更しても、観察視野外の無駄な領域を照明することなく、かつ捉えられた光学像を検出する検出器に導かれる光量の低下を防止することが可能な光学式検査装置及びその照明方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による光学式検査装置及びその照明方法では、結像光学系の倍率に応じて、照明光学系における照明光の断面寸法を変更することによって試料上の照明範囲を拡縮する。
すなわち、本発明の第1形態による光学式検査装置は、光源と、対物レンズと、光源から生じた照明光を対物レンズを介して試料に照射する照明光学系と、対物レンズにより投影された試料の像を結像する結像光学系と、を備え、さらに結像光学系の倍率を変更する結像系倍率変更手段と、照明光学系に設けられ、結像光学系の倍率に応じて試料に照射される照明光の断面寸法を変更する照明光断面寸法変更手段と、を備える。
このような照明光断面寸法変更手段を設けることにより、観察視野外の無駄な領域を照明するという問題を解消し、特に深紫外光を用いた検査装置では試料へダメージを与えることを防止する。
照明光断面寸法変更手段は、例えば照明光学系に設けられた視野絞りを備え、視野絞りの開口寸法を変えることにより照明光の断面寸法を変更することとしてよい。
照明光学系は、光源からの照明光を集光して対物レンズの瞳面に光源の像を結像するコンデンサレンズを備え、照明光断面寸法変更手段は、コンデンサレンズの倍率を変えることにより照明光の断面寸法を変更することとしてよい。
または、照明光学系は、光源からの照明光を集光して対物レンズの瞳面に光源の像を結像するコンデンサレンズを備え、照明光断面寸法変更手段は、光源とコンデンサレンズとの間に配置されるリレー光学系を備え、リレー光学系の倍率を変えることにより照明光の断面寸法を変更することとしてもよい。
また、照明光断面寸法変更手段は、照明光学系に設けられたフライアイレンズを備え、フライアイレンズの倍率を変えることにより照明光の断面寸法を変更することとしてもよい。
このように光源からの照明光を集光する光学系の倍率を変えることによって試料に照射される照明光の断面寸法を変更すれば、照明光の照明範囲全体に照射される光量を一定に保つことが可能となる。
さらに、照明光学系は、光源からの照明光を集光して対物レンズの瞳面に光源の像を結像するコンデンサレンズと、コンデンサレンズに入射する照明光の断面寸法を変更して照明開口数を変更する照明開口数変更手段と、を備え、照明光断面寸法変更手段は、光源とコンデンサレンズとの間に配置されるフライアイレンズを備え、フライアイレンズの倍率を変えることにより照明光の断面寸法を変更し、照明開口数変更手段は光源とフライアイレンズとの間に配置されるリレー光学系を備え、リレー光学系の倍率を変えることにより照明開口数を変更してもよい。
このように倍率を切り替え又は変更することが可能なフライアイレンズとリレー光学系とを組み合わせることにより、後述の通り照明光の断面寸法とは独立して照明の開口数(NA)の調整を行うことが可能となる。
また、本発明の第2形態による光学式検査装置の照明方法は、光源と、対物レンズと、光源から生じた照明光を対物レンズを介して試料に照射する照明光学系と、対物レンズにより投影された試料の像を結像する結像光学系と、を備える光学式検査装置の照明方法であって、結像光学系の倍率に応じて、照明光学系における照明光の断面寸法を変更することにより、試料上の照明範囲を拡縮する。
照明光の断面寸法の変更は、例えば、照明光学系に視野絞りを設け視野絞りの開口寸法を変えることによって実現してよい。
または、照明光学系に、光源からの照明光を集光して対物レンズの瞳面に光源の像を結像するコンデンサレンズを設け、コンデンサレンズの倍率を変えることにより照明光の断面寸法を変更することとしてもよい。
また照明光学系に、光源からの照明光を集光して対物レンズの瞳面に光源の像を結像するコンデンサレンズと、光源とコンデンサレンズとの間に配置されるリレー光学系と、を備え、リレー光学系の倍率を変えることにより照明光の断面寸法を変更してもよい。
さらにまた、照明光学系にフライアイレンズを設け、フライアイレンズの倍率を変えることにより照明光の断面寸法を変更してもよい。
さらに、照明光学系に、光源からの照明光を集光して対物レンズの瞳面に光源の像を結像するコンデンサレンズと、光源とコンデンサレンズとの間に配置されるフライアイレンズと、光源とフライアイレンズとの間に配置されるリレー光学系と、を備え、フライアイレンズの倍率を変えることにより照明光の断面寸法を変更し、リレー光学系の倍率を変えることによりコンデンサレンズに入射する照明光の断面寸法を変更して照明開口数を変更してもよい。
本発明により、観察倍率を変更しても、観察視野外の無駄な領域を照明することなく、かつ捉えられた光学像を検出する検出器に導かれる光量の低下を防止することが可能な光学式検査装置及びその照明方法が提供される。
以下、添付する図面を参照して本発明の実施例を説明する。図1は、本発明の第1実施例による光学式検査装置の概略構成図である。
図12を参照して説明した従来の光学式検査装置と同様に、光学式検査装置1は、試料15を保持するステージ16と、試料15を照明するための光源11と、試料15の表面の光学像を投影する対物レンズ14と、光源11から生じた照明光を対物レンズ14を介して試料15に照射する照明光学系12と、対物レンズ14により投影された試料15の像を結像する結像光学系18と、照明光学系12から入射した照明光を対物レンズ14へと反射するとともに、対物レンズ14による試料15の像の投影光を結像光学系18へと透過させるビームスプリッタ13と、結像光学系18により投影された半導体ウエハ2の表面の光学像を電気的な画像信号に変換する撮像装置19と、を備えている。以下の実施例では、光源11として波長が365nmを中心とするUV光のランプ光源を用いるが、本発明はこれに限定されることなく、いかなる波長の光源であっても適用可能である。
照明光学系12は、光源11からの光を集光してその後側焦点位置に明るさの一様な光源像を作るコレクタレンズ21と、コレクタレンズ21の後側焦点位置に設けられた視野絞り31と、視野絞り31の空中像を後側に結ぶコンデンサレンズ40と、コンデンサレンズ40の後側に設けられた視野絞り30と、視野絞り30の像を無限遠に投影させるリレーレンズ22と、を備える。
視野絞り30の位置はリレーレンズ22の前側焦点位置となっているので、視野絞り30の像はリレーレンズ22によって無限遠に投影され、ビームスプリッタ13によって対物レンズ14へと反射され、その後対物レンズ14によって試料15へ集光され、試料15は一様な明るさの照明光によって照明される。
ここで、例えば本実施例では、視野絞り31の位置に結ばれる光束の直径は5.6mmであるとし、対物レンズ14の焦点距離は10mmであるとし、リレーレンズ22の焦点距離は500mmであるとする。したがって、視野絞り30の像はリレーレンズ22及び対物レンズ14によって500mm/100mm=50倍の倍率で試料15面に投影される。
一方、結像光学系18は、対物レンズ14により投影された試料15の像をさらにイメージセンサ4上に結像する結像レンズ部50を備える。図2に結像レンズ部50の概略構成を示す。
結像レンズ部50は、焦点距離f=500mmのレンズ51aと、f=1000mmのレンズ51bと、2000mmのレンズ51cと、を軸54を回転軸として回転可能な円盤52に設けたターレット構造を備えている。モータ53を回転させることによって、円盤52の回転位置を制御する。これによりレンズ51a〜51cのうち所望のレンズを対物レンズ14の光軸a1上に位置付けることによって、結像レンズ50部の焦点距離をf=500mm、1000mm及び2000mmのいずれかに切り替えることが可能である。
図1に戻って光学式検査装置1は、結像光学系18の倍率を変更して観察倍率を変更するための観察倍率変更部91と、観察倍率変更部91による制御に従って結像レンズ部50の焦点距離(倍率)を切り替える結像光学系倍率変更部92を備える。結像光学系倍率変更部92は、観察倍率変更部91による制御に従って図2に示すモータ53を駆動することにより、レンズ51a〜51cのうち所望のレンズを対物レンズ14の光軸a1上に位置付けることによって、結像レンズ50部の焦点距離をf=500mm、1000mm及び2000mmのいずれかに切り替えることが可能である。
ここで、レンズ51a、51b、51cのそれぞれと対物レンズ14を組み合わせたときの観察倍率は、500mm/10mm=50倍、1000mm/10mm=100倍及び2000mm/10mm=200倍となる。
撮像装置19としては、CCDやラインセンサ、TDI等が好適に使用される。本発明ではTDIセンサーを使用することとし、ステージ16を移動させることにより撮像装置19を試料15に対して相対的に走査しながら、ステージ16の移動に同期して撮像信号を読み取り試料15の2次元画像を取得する。本実施例では撮像装置19に使用されるTDIセンサーの受光面は長辺25mm×短辺10mmとし、その対角長は26.93mmであるとする。
結像レンズとして焦点距離f=500mmのレンズ51aを使用すると、視野絞り30の位置と撮像装置19の受光面は等倍の共役面となっているので、視野絞り30の位置には撮像装置19の受光面の寸法とほぼ同寸法の開口寸法を有する視野絞りを入れることにより、試料15も必要十分な領域だけが照明されることになる。
他のレンズ51b及び51cを使用する際にも、それぞれその倍率に対応した開口寸法を有する視野絞り30を入れることによって必要十分な領域だけが試料15が照明される。視野絞り30の寸法例を下記表1に示す。
Figure 2007024758
レンズ51aを使用する場合であれば、撮像装置19の受光面の全てに光が入るには、視野絞り30の開口寸法は最低で長辺25mm×短辺10mmだけあればよいが、表1に示す数値は、光学系の微妙な倍率変動やレンズ調整のマージンを考慮して若干余裕を持たせた数値としている。レンズ51b及び51cについても同様である。
図1に戻り、光学式検査装置1は、観察倍率変更部91が変更する結像光学系18の倍率に応じて(すなわち撮像レンズ51a〜51cのいずれを使用するかに応じて)、視野絞り30の開口寸法を変更する視野絞り寸法変更部93を備える。
図3に、視野絞り寸法変更部93の制御に従って開口寸法を切り替える視野絞り機構30の概略構成を示す。視野絞り機構30は、結像レンズ51a〜51cのそれぞれに対応して上記表1に定められた寸法の開口部32a〜32cを有する円盤33を有する。そして、モータ34を回転させることによって円盤33を軸35を回転軸として回転させる。そして、円盤33の回転位置を制御することにより開口部32a〜32cのうち所望の開口を照明光の光軸a2上に位置付けることによって、視野絞り30の開口寸法を切り替える。
視野絞り寸法変更部93は、結像レンズ50部のレンズ51a〜51cのいずれが使用されているかかに応じて、それぞれに対応する開口部32a〜32cを視野絞りの開口部として使用する。
結像光学系18の倍率に応じて視野絞り30の開口寸法が変化する(切り替わる)すると、視野絞り30によって照明光のケラレが増減する。特に観察倍率を高くした場合には照明光のケラレが増大して撮像装置19に検出される光量が減少してしまう。
そこで、光学式検査装置1は、観察倍率変更部91が変更する結像光学系18の倍率に応じて(すなわち撮像レンズ51a〜51cのいずれを使用するかに応じて)、コンデンサレンズ40の倍率を変更して、その後側にある視野絞り30の位置における照明光の光束の断面寸法を変更するコンデンサレンズ倍率変更部94を有する。観察倍率が高くなるにしたがって、コンデンサレンズ倍率変更部94が、視野絞り30の位置における照明光の光束の断面寸法を小さくすれば、上記ケラレが低減して撮像装置19に検出される光量が維持される。
結像光学系18の上述した倍率のそれぞれの場合において、使用されるコンデンサレンズ40のそれぞれの焦点距離と配置位置を下記表2に示す。表2において配置位置aはコンデンサレンズ40と視野絞り30との間隔を示し、配置位置bはコンデンサレンズ40と視野絞り31との間隔を示す。
Figure 2007024758
図4に、コンデンサレンズ倍率変更部94に従って倍率を切り替えるコンデンサレンズ機構40の概略構成を示す。コンデンサレンズ機構40は、上記表2に定められた各焦点距離のレンズ41a〜41cを軸44を回転軸として回転可能な円盤42に設けたターレット構造を備えている。モータ43の回転させることによって円盤52の回転位置を制御する。これによりレンズ41a〜41cのうち、上記表2によって結像光学系18の倍率に対応して定めるいずれかのレンズを照明光の光軸a2上に位置付けて、コンデンサレンズ40の焦点距離を上記定められた各焦点距離のいずれかに切り替えることが可能である。
また、コンデンサレンズ機構40は、軸44を枢動可能に固定しかつモータ43を固定するハウジング45と、このハウジング45を光軸a2に沿ってガイドする直動ガイド46と、ハウジング45を直動ガイド46に沿って駆動するモータ47とを備える。
コンデンサレンズ倍率変更部94はモータ43及び47を制御して、上記表2にしたがって、結像光学系18の倍率に対応して、コンデンサレンズ40の焦点距離及びその位置を制御することによって、観察倍率変更部91が変更する結像光学系18の倍率に応じて、コンデンサレンズ40の倍率を変更する。
なお、上記実施例では、視野絞り30の位置に開口寸法が可変の視野絞りを設けることとしたが、結像光学系18の倍率に応じてコンデンサレンズ40の倍率を変更するコンデンサレンズ倍率変更部94及び図4に示すようなコンデンサレンズ機構40を設ける場合には、視野絞り31の位置に固定寸法(長辺5.2mm×短辺2.2mm)の絞りを設けてもよい。
また、観察倍率の変更に伴う視野絞り30によりケラレを許容するのであれば、視野絞り寸法変更部93及び図3に示す視野絞り機構30だけで照明範囲を変更して、コンデンサレンズ倍率変更部94及び図4に示すようなコンデンサレンズ機構40を設けなくてもよい。
図1に示す光学式検査装置の照明光学系12と結像光学系18とを、共焦点光学系とすることも可能である。例えば、図5に示す本発明の第2実施例による光学式検査装置の概略構成のように、光学式検査装置1は、図1に示す光学式検査装置においてその撮像装置19の受光面であった、結像レンズ50の後側焦点位置にピンホールアレイ81を設け、またピンホールアレイ81の位置の共役面である、リレーレンズ22の前側焦点位置にピンホールアレイ83を備えることにより、照明光学系12と結像光学系18とを、共焦点光学系としてよい。
図6は本発明の第3実施例による光学式検査装置の概略構成図である。本実施例では、図1に示すコンデンサレンズ40を、2群以上のレンズ群で構成されたズーム光学系のリレーレンズ48に置き換えて構成する。このリレーレンズ48には、視野絞り30と視野絞り31の共役関係を変えずに倍率を可変的に変化させることが可能な公知のズーム光学系を使用し、本実施例では倍率5〜1.5倍の間を可変的に変化させることが可能であるとする。
また結像光学系18を、後側焦点位置を撮像装置19の受光面に固定させたまま焦点距離を変化させることが可能な公知のズーム光学系55により構成する。本実施例では撮像光学系18は、f=480〜1600mmまで変化させることが可能であるとする。
いま視野絞り31における照明光の光束の直径を6.6mmであるとし、リレーレンズ48の倍率が5倍であるとすれば、視野絞り30における光束の直径は33mmとなる。また、ズーム光学系55の焦点距離をリレーレンズ22の焦点距離(f=500mm)とほぼ同じf=480mmと設定すれば、視野絞り30と撮像装置19の受光面とはほぼ等倍の共役面となる。
本実施例における撮像装置19の受光面の寸法を長辺30mm×短辺12mm(対角長32.24)を使用するとすれば、視野絞り30の開口寸法をほぼ同寸法(例えば余裕をみて31mm×13mm)とすれば、リレーレンズ48からの照明光が視野絞り30の開口内の全ての位置を通過することになるので、試料15をほぼ過不足なく照明することが可能となる。
光学式検査装置1は、観察倍率変更部91が結像光学系18のズーム光学系55の焦点距離に変化させて観察倍率を変えるのに応じて、リレーレンズ48の倍率を変更して、その後側焦点位置である視野絞り30の位置における照明光の光束の断面寸法を変更するリレーレンズ倍率変更部94を有する。
結像光学系18のズーム光学系55の焦点距離に応じて、リレーレンズ倍率変更部94が、リレーレンズ48の倍率を変動させることによって、試料15をほぼ過不足なく照明することが可能となる。
このとき、視野絞り寸法変更部93は、結像光学系18のズーム光学系55の焦点距離に応じて、視野絞り30の寸法を変えてもよい。リレーレンズ48の倍率及びズーム光学系55の焦点距離を段階的に変化させる場合には、視野絞り機構の構造を(開口寸法を変えて)図3と同様に構成してよいが、リレーレンズ48の倍率及びズーム光学系55の焦点距離を無段階に変化させても照明光を過不足なく遮蔽するように、開口寸法が無段階に変更可能に視野絞り30を構成することが好ましい。また、視野絞り31を開口寸法が6.2mm×2.2mm固定の視野絞りとしてもよい。
上記のように、結像光学系18のズーム光学系55の焦点距離を連続的に(無段階に)変化させ、観察倍率を連続的に変化させることができれば、撮像装置19(TDI)の1ピクセルが捉える被検物のサイズを連続的に変化させることができる。
ここで、例えば半導体回路のラインアンドスペースパターン(線状の導体とその間隙とが反復する領域)を観察する場合には、1ピクセルが捉える被検物のサイズを微調整することによってパターンの画像のコントラストが変化するが、パターンのコントラストがあがりすぎると、逆にその中にある欠陥が見つけにくくなる。
したがって、1ピクセルが捉える被検物のサイズを連続的に変化させてパターンの画像のコントラストを適度に低下するように調整することにより、柔軟な欠陥検査が可能となる。
また、図6に示す光学式検査装置1においても、撮像装置19の受光面であったズーム光学系55の後側焦点位置にピンホールアレイ81を設け、またピンホールアレイ81の位置の共役面である、リレーレンズ22の前側焦点位置にピンホールアレイ83を備えることにより、照明光学系12と結像光学系18とを共焦点光学系としてよい。このような構成を図7に示す。
上記実施例では、試料15上の必要十分な領域だけ照明する、という本発明の目的を達成していたものの、観察倍率を変えるために照明開口数(照明NA)が変動してしまっていた。本発明のようにケーラー照明を使用する場合には、照明NAが変化すると可干渉性が変化しこれによって解像力、焦点深度、コントラストが影響を受ける。
一方で最適な照明NAは観察対象によって異なるものであり、検査装置は開口NAを変更することができるように構成されることが好ましい。
そこで下記実施例では、結像光学系の倍率に応じて照明エリアを変更可能とするとともに、照明エリアとは独立に照明NAを変更することが可能な構成を実現する。
図8は、本発明の第5実施例による光学式検査装置の概略構成図である。光学式検査装置1において、照明光学系12は、図1に示す光学式検査装置と同様にリレーレンズ22及びコンデンサレンズ40を備え、さらにコンデンサレンズ40よりも前側(光源11側)に順にフライアイレンズ60及びビームエクスパンダ70と、を備える。また、本実施例では光源11として波長が210nm程度の固体レーザーを用いた遠紫外(DUV)光のレーザー光源を用いる。
結像光学系18は、図1に光学式検査装置と同様に構成されるため、同一の構成要素には同じ参照番号を付して説明を省略する。
光源11からの照明光は、ビームエクスパンダ70、フライアイレンズ60、コンデンサレンズ40を経て視野絞り30の位置に集光される。リレーレンズ22の焦点距離は、図1の光学式検査装置と同様に500mmであり、視野絞り30の位置はリレーレンズ22の前側焦点距離となっている。このため、視野絞り30の像はリレーレンズ22によって無限遠に投影され、ビームスプリッタ13によって対物レンズ14へと反射され、その後対物レンズ14によって試料15へ共役に集光される。対物レンズ14の焦点距離は図1の光学式検査装置と同様に10mmであるため、リレーレンズ22と対物レンズ14による倍率は500mm/10mm=50倍となっている。
試料15からの反射光は再び対物レンズ14を通り、ビームスプリッタ13を通過して結像レンズ部50に至る。図1の光学式検査装置と同様に結像レンズ部50は、焦点距離500mm、1000mm及び2000mmの結像レンズ51a〜51c(図2参照)を切り替え可能に備えている。このため、結像レンズ部50及び対物レンズ14による観察倍率は、50倍、100倍及び200倍に切り替えること可能である。
観察倍率変更部91は、結像光学系倍率変更部92を介して、これら結像レンズ51a〜51cのいずれかを対物レンズ14の光軸位置に位置付け、結像レンズ部50の焦点距離(倍率)を切り替えて、結像光学系18の倍率を変更する。
なお、本実施例での対物レンズ14は、十分な解像度を得るためにそのNA(すなわちNAo)=0.9のレンズを使用している。また撮像装置19には図1の光学式検査装置と同様にTDIセンサーを使用し、その受光面の寸法は長辺40mm×短辺12mm(対角長41.76mm)である。
結像レンズ部50の焦点距離を500mm、1000mm及び2000mmへと切り替えることにより、リレーレンズ22と対物レンズ14による照明光の投影倍率に対する、結像レンズ部50及び対物レンズ14による観察倍率の比が、等倍、2倍及び4倍へと変化する。したがって視野絞り寸法変更部93は、結像光学系18の倍率に応じて(すなわち撮像レンズ51a〜51cのいずれを使用するかに応じて)、視野絞り30の開口寸法を下記表3に従って変更する。表3に示す数値は、光学系の微妙な倍率変動やレンズ調整のマージンを考慮して若干余裕を持たせた数値としている。
Figure 2007024758
以下、光源11〜視野絞り30の位置までの光学構成について以下説明する。ビームエクスパンダ70は、光源11の出口で直径2mm程度である照明光(レーザー光線)を最大で直径28mm程度まで拡大して、光軸に平行な光線に変換する。ビームエクスパンダ70を出た照明光は、フライアイレンズ60に入射する。
フライアイレンズ60は、小さな単位レンズを数個〜数十個だけ、それぞれの頂点が同一平面上に乗るように束ねて規則並べたもので、それぞれの単位レンズは、両面の曲率半径rが等しく、かつ両端の頂点がそれぞれ反対側から平行光を入れたときの焦点となっている。したがってその焦点距離fは次式(1)にて与えられる。
=l=(nー1)×r/n (1)
ここに、lはフライアイレンズ60のレンズ厚(長さ)であり、rは各単位レンズの曲率半径であり、nは屈折率である。本実施例では硝材にフッ化カルシウムを用いており屈折率nは約1.5である。
フライアイレンズ60は、その後側頂点部が、コンデンサレンズ40の開口絞り位置(前側焦点位置)とほぼ等しくなるように配置される。するとその前側頂点面が視野絞り30の位置と共役になり、その結像倍率βは次式(2)で与えられる。
β=f/f (2)
は、コンデンサレンズ40の焦点距離である。
ビームエクスパンダ70によって光源11からの照明光を平行光に変換してフライアイレンズ60に入射すると、視野絞り30の位置には、次式(3)で与えられる径Lの光束を有する一様な明るさの照明光の像が作られる。
L=βd=f/f×d (3)
ここでdは、フライアイレンズ60の各単位レンズの前側頂点面の開口の直径とする。
上式(3)から明らかなとおり、フライアイレンズ60の焦点距離fを変えることによって視野絞り30の位置に現れる照明光の光束の径すなわち断面寸法を変更することが可能である。
したがって、光学式検査装置1は、観察倍率変更部91が変更する結像光学系18の倍率に応じて(すなわち撮像レンズ51a〜51cのいずれを使用するかに応じて)、フライアイレンズ60の倍率を変更するフライアイレンズ倍率変更部95を備える。
図9に、フライアイレンズ倍率変更部95の制御に従って倍率を切り替えるフライアイレンズ機構60の概略構成を示す。フライアイレンズ機構60は、結像レンズ51a〜51cのそれぞれに対応して下記表4に定められた倍率及び寸法を有する複数のフライアイレンズ61a〜61cを有する。これらフライアイレンズ61a〜61cは、円盤62に設けられる。モータ63を回転させて軸64を回転軸として円盤62を回転させ、円盤62の回転位置を制御することによって、フライアイレンズ61a〜61cのうち所望のレンズをビームエクスパンダ70の光軸a2上に位置付けて、フライアイレンズ60の倍率を切り替える。
フライアイレンズ倍率変更部95は、モータ63を制御して、下記表4に従って結像光学系18の倍率に対応して、フライアイレンズ60の倍率を制御する。
Figure 2007024758
表4に示すとおり、本実施例で使用するフライアイレンズ60は、光軸から見た場合に各単位レンズが長方形をなし長辺及び短辺が異なる形状となっており、その比は撮像装置19(TDIセンサー)の受光面の縦横比とほぼ等しく設計されている。各フライアイレンズ61a〜61cのよって視野絞り30の位置に集光された照明光の光束の断面の長辺寸法L1と短辺寸法L2を上記表4に併記する。
一方で視野絞り30に照明光が入るときの光束の照明開口数NAiは、ビームエクスパンダ70から出たときの光束の径φから、次式(4)によって定まる。
NAi=φ/2f (4)
ここで、コンデンサレンズ40の焦点距離fを800mmとし、ビームエクスパンダ70から出たときの光束の径φを最大28mmとすると、照明開口数NAiは、
NAi=28/2/800=0.0175
とすることができ、この開口数はリレーレンズ22及び対物レンズ14を介してNAi=0.875となる。従って最大で可干渉性σ=0.972の照明NAを確保することが可能となる。
図8に示す実施例では、ビームエクスパンダ70は、2群以上のレンズ群を移動させることで、ビームエクスパンダ70から出る平行光の光束の径φを連続的に変えることが可能なズーム光学系として構成する。光学式検査装置1は、ビームエクスパンダ70のズーム光学系の拡縮倍率を制御して、ビームエクスパンダ70から出てフライアイレンズ60に入射する平行光の光束の径φを変更することによって、上記照明開口数NAiを変更する照明開口変更部96を備える。
このように、照明開口数の変更をフライアイレンズ60に入射する平行光の光束の径φを変更して行うことによって、観察倍率の変更に伴う照明範囲の変更とは独立して照明開口数を調整することが可能となる。
また、観察倍率を切り替える場合には結像レンズ部50のレンズ51a〜51cを切り替えて焦点距離を切り替えるとともに、これに対応してフライアイレンズ60の倍率を切り替えれば、照明NAを殆ど変えずに観察倍率のみを切り替えることができる。
図8に示す実施例では、ビームエクスパンダ70をズーム光学系として構成したが、これに変えて、拡縮倍率の異なる複数のビームエクスパンダを備えて、これを切り替えることにより、フライアイレンズ60に入射する平行光の光束の径φを段階的に変更することとしてもよい。このために図10に示すように、照明開口変更部96の制御に従って、ビームエクスパンダの拡縮倍率を切り替えるビームエクスパンダ機構71を備えてよい。視ビームエクスパンダ機構71は、拡縮倍率が異なる複数のビームエクスパンダ72a〜72cが設けられた円盤73を有する。そして、照明開口変更部96からの制御に従ってモータ74を回転させて軸75を回転軸として円盤73を回転させ、光軸a2上に位置付けるビームエクスパンダ72a〜72cを切り替えることによって、拡縮倍率を切り替える。
また、図8に示す光学式検査装置1においても、撮像装置19の受光面であった結像レンズ50の後側焦点位置にピンホールアレイ81を設け、またピンホールアレイ81の位置の共役面である、リレーレンズ22の前側焦点位置にピンホールアレイ83を備えることにより、照明光学系12と結像光学系18とを共焦点光学系としてよい。このような構成を図11に示す。
本発明は、ウエハやマスクなどの半導体の検査に使用される光学式検査装置及びその照明方法に利用可能であり、特に照明光として深紫外光を用いる光学式検査装置及びその照明方法に利用可能である。
本発明の第1実施例による光学式検査装置の概略構成図である。 図1に示す結像レンズ部の概略構成図である。 視野絞り機構の概略構成図である。 コンデンサレンズ機構の概略構成図である。 本発明の第2実施例による光学式検査装置の概略構成図である。 本発明の第3実施例による光学式検査装置の概略構成図である。 本発明の第4実施例による光学式検査装置の概略構成図である。 本発明の第5実施例による光学式検査装置の概略構成図である。 フライアレイレンズ機構の概略構成図である。 ビームエクスパンダ機構の概略構成図である。 本発明の第6実施例による光学式検査装置の概略構成図である。 従来の光学式検査装置の概略構成図である。
符号の説明
1 光学式検査装置
11 光源
12 照明光学系
13 ビームスプリッタ
14 対物レンズ
15 試料
16 ステージ
18 結像光学系
19 撮像装置
21 コレクタレンズ
30、31 視野絞り
40 コンデンサレンズ
50 結像レンズ

Claims (14)

  1. 光源と、対物レンズと、前記光源から生じた照明光を前記対物レンズを介して試料に照射する照明光学系と、前記対物レンズにより投影された前記試料の像を結像する結像光学系と、を備える光学式検査装置において、
    前記結像光学系の倍率を変更する結像系倍率変更手段と、
    前記照明光学系に設けられ、前記結像光学系の倍率に応じて前記試料に照射される照明光の断面寸法を変更する照明光断面寸法変更手段と、
    をさらに備えることを特徴とする光学式検査装置。
  2. 前記照明光学系は、前記光源からの照明光を集光して前記対物レンズの瞳面に該光源の像を結像するコンデンサレンズを備え、
    前記照明光断面寸法変更手段は、該コンデンサレンズの倍率を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更することを特徴とする請求項1に記載の光学式検査装置。
  3. 前記照明光学系は、前記光源からの照明光を集光して前記対物レンズの瞳面に該光源の像を結像するコンデンサレンズを備え、
    前記照明光断面寸法変更手段は、該光源と該コンデンサレンズとの間に配置されるリレー光学系を備え、該リレー光学系の倍率を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更することを特徴とする請求項1に記載の光学式検査装置。
  4. 前記照明光断面寸法変更手段は、前記照明光学系に設けられたフライアイレンズを備え、該フライアイレンズの倍率を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更することを特徴とする請求項1又は3に記載の光学式検査装置。
  5. 前記照明光学系は、前記光源からの照明光を集光して前記対物レンズの瞳面に該光源の像を結像するコンデンサレンズと、該コンデンサレンズに入射する前記照明光の断面寸法を変更して照明開口数を変更する照明開口数変更手段と、を備え、
    前記照明光断面寸法変更手段は、該光源と該コンデンサレンズとの間に配置されるフライアイレンズを備え、該フライアイレンズの倍率を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更し、
    前記照明開口数変更手段は該光源と該フライアイレンズとの間に配置されるリレー光学系を備え、該リレー光学系の倍率を変えることにより照明開口数を変更することを特徴とする請求項1に記載の光学式検査装置。
  6. 前記照明光断面寸法変更手段は、前記照明光学系に設けられた視野絞りを備え、該視野絞りの開口寸法を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学式検査装置。
  7. 前記照明光学系と前記結像光学系とは、共焦点光学系を成すことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学式検査装置。
  8. 光源と、対物レンズと、前記光源から生じた照明光を前記対物レンズを介して試料に照射する照明光学系と、前記対物レンズにより投影された前記試料の像を結像する結像光学系と、を備える光学式検査装置の照明方法において、
    前記結像光学系の倍率に応じて、前記照明光学系における照明光の断面寸法を変更することにより、前記試料上の照明範囲を拡縮することを特徴とする照明方法。
  9. 前記照明光学系は、前記光源からの照明光を集光して前記対物レンズの瞳面に該光源の像を結像するコンデンサレンズを備え、
    該コンデンサレンズの倍率を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更することを特徴とする請求項8に記載の照明方法。
  10. 前記照明光学系は、前記光源からの照明光を集光して前記対物レンズの瞳面に該光源の像を結像するコンデンサレンズと、該光源と該コンデンサレンズとの間に配置されるリレー光学系と、を備え、
    該リレー光学系の倍率を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更することを特徴とする請求項8に記載の照明方法。
  11. 前記照明光学系は、フライアイレンズを備え、
    該フライアイレンズの倍率を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更することを特徴とする請求項8又は10に記載の照明方法。
  12. 前記照明光学系は、前記光源からの照明光を集光して前記対物レンズの瞳面に該光源の像を結像するコンデンサレンズと、該光源と該コンデンサレンズとの間に配置されるフライアイレンズと、該光源と該フライアイレンズとの間に配置されるリレー光学系と、を備え、
    前記フライアイレンズの倍率を変えることにより前記照明光の断面寸法を変更し、
    前記リレー光学系の倍率を変えることにより該コンデンサレンズに入射する前記照明光の断面寸法を変更して照明開口数を変更する、
    ことを特徴とする請求項8に記載の照明方法。
  13. 前記照明光学系は、視野絞りを備え、
    該視野絞りの開口寸法を変えることによって、前記照明光の断面寸法を変更することを特徴とする請求項8〜12のいずれか一項に記載の照明方法。
  14. 前記照明光学系と前記結像光学系とは、共焦点光学系を成すことを特徴とする請求項8〜12のいずれか一項に記載の照明方法。
JP2005209865A 2005-07-20 2005-07-20 光学式検査装置及びその照明方法 Pending JP2007024758A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005209865A JP2007024758A (ja) 2005-07-20 2005-07-20 光学式検査装置及びその照明方法
US11/486,594 US20070033680A1 (en) 2005-07-20 2006-07-13 Optical inspection system and its illumination method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005209865A JP2007024758A (ja) 2005-07-20 2005-07-20 光学式検査装置及びその照明方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007024758A true JP2007024758A (ja) 2007-02-01

Family

ID=37719065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005209865A Pending JP2007024758A (ja) 2005-07-20 2005-07-20 光学式検査装置及びその照明方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20070033680A1 (ja)
JP (1) JP2007024758A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009168524A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp 光学系、パターン検査装置、パターンの検査方法、パターンを有する物品の製造方法
JP2012118139A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Olympus Corp 蛍光顕微鏡用照明光学系
JP2014209195A (ja) * 2013-03-27 2014-11-06 オリンパス株式会社 測定装置
JP2014211633A (ja) * 2013-04-19 2014-11-13 カール ツァイス マイクロスコピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy Gmbh デジタル光顕微鏡において物体を照明するための方法、デジタル光顕微鏡およびデジタル光顕微鏡用の明視野反射光照明デバイス
JP2014531065A (ja) * 2011-10-25 2014-11-20 デイライト ソリューションズ、インコーポレイテッド 赤外撮像顕微鏡
KR20150028415A (ko) * 2013-09-06 2015-03-16 삼성전자주식회사 기판의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP2022533555A (ja) * 2019-05-08 2022-07-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 方法および計測システム

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007054686B4 (de) * 2007-11-14 2017-07-20 Carl Zeiss Meditec Ag Operationsmikroskop mit Beleuchtungssystem und Beleuchtungssystem-Steuereinheit
JP5525336B2 (ja) * 2010-06-08 2014-06-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP5637895B2 (ja) * 2011-02-24 2014-12-10 キヤノン株式会社 画像投射装置
US20140135581A1 (en) * 2012-11-14 2014-05-15 Gynius Ab Portable battery powered self-illuminated multispectral multi-magnification colposcope
JP6318358B2 (ja) * 2013-04-08 2018-05-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 照明装置および検査装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4877326A (en) * 1988-02-19 1989-10-31 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for optical inspection of substrates
JP3186011B2 (ja) * 1994-06-24 2001-07-11 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイス製造方法
KR100422887B1 (ko) * 1995-03-16 2005-02-02 가부시키가이샤 니콘 노광장치및방법
US6122046A (en) * 1998-10-02 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection
JP2001196293A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US6488398B1 (en) * 2000-10-23 2002-12-03 Optical Gaging Products, Inc. Variable F/number substage illuminator for multiple magnification and zoom telecentric system
US6836560B2 (en) * 2000-11-13 2004-12-28 Kla - Tencor Technologies Corporation Advanced phase shift inspection method
US6794625B2 (en) * 2001-05-15 2004-09-21 Applied Materials Dynamic automatic focusing method and apparatus using interference patterns
JP2004004169A (ja) * 2002-05-30 2004-01-08 Nikon Corp 顕微鏡照明装置及び顕微鏡装置
US20040184653A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Baer Richard L. Optical inspection system, illumination apparatus and method for use in imaging specular objects based on illumination gradients
US7102740B2 (en) * 2003-09-03 2006-09-05 Xyratex Technology Ltd. Method and system for determining surface feature characteristics using slit detectors
US7489393B2 (en) * 2005-03-02 2009-02-10 Kla-Tencor Technologies Corporation Enhanced simultaneous multi-spot inspection and imaging

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009168524A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp 光学系、パターン検査装置、パターンの検査方法、パターンを有する物品の製造方法
JP2012118139A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Olympus Corp 蛍光顕微鏡用照明光学系
JP2014531065A (ja) * 2011-10-25 2014-11-20 デイライト ソリューションズ、インコーポレイテッド 赤外撮像顕微鏡
US10082654B2 (en) 2011-10-25 2018-09-25 Daylight Solutions, Inc. Infrared imaging microscope using tunable laser radiation
US10627612B2 (en) 2011-10-25 2020-04-21 Daylight Solutions, Inc. Infrared imaging microscope using tunable laser radiation
US11237369B2 (en) 2011-10-25 2022-02-01 Daylight Solutions, Inc. Infrared imaging microscope using tunable laser radiation
JP2014209195A (ja) * 2013-03-27 2014-11-06 オリンパス株式会社 測定装置
JP2014211633A (ja) * 2013-04-19 2014-11-13 カール ツァイス マイクロスコピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy Gmbh デジタル光顕微鏡において物体を照明するための方法、デジタル光顕微鏡およびデジタル光顕微鏡用の明視野反射光照明デバイス
KR20150028415A (ko) * 2013-09-06 2015-03-16 삼성전자주식회사 기판의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR102136671B1 (ko) * 2013-09-06 2020-07-22 삼성전자주식회사 기판의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP2022533555A (ja) * 2019-05-08 2022-07-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 方法および計測システム

Also Published As

Publication number Publication date
US20070033680A1 (en) 2007-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007024758A (ja) 光学式検査装置及びその照明方法
JP4260587B2 (ja) パターン欠陥検査装置
TWI405633B (zh) 雷射加工裝置
JPH0613289A (ja) 照明装置及びそれを用いた露光装置
JP2015222434A (ja) 小型カタジオプトリック型対物系を用いた検査システム
JP2008275612A (ja) 半導体製造用のサブストレート上の構造体を測定する高解像度を備えた装置及び測定装置におけるアパーチャの使用
JP2006023221A (ja) 外観検査装置及び投影方法
TW200530765A (en) Exposure apparatus and method
JP2530081B2 (ja) マスク検査装置
JP2003149169A (ja) ウエハ欠陥検査装置
JP6640482B2 (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法
JP2007033381A (ja) 光学式検査装置及びその照明方法
JP2006317544A (ja) 共焦点顕微鏡
JP2008153401A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP6226577B2 (ja) 共焦点レーザ走査型顕微鏡
JP7082482B2 (ja) ディスク走査型顕微鏡システム、プログラム
JP2004301705A (ja) パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置
JP2010257585A (ja) 照明装置及びこの照明装置を備えた光学装置
JP4112257B2 (ja) 共焦点顕微鏡
JP6815469B2 (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法
JP2010008458A (ja) 光学式測定装置および投影板に形成されたパターン
JP2011254027A (ja) 露光装置
JP2016027342A (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP4244305B2 (ja) 照明光学系及びこれを用いたパターン欠陥検査装置
JP3275407B2 (ja) 微小寸法測定装置