JP2011247768A - 素子構造体、慣性センサーおよび電子機器 - Google Patents
素子構造体、慣性センサーおよび電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011247768A JP2011247768A JP2010121727A JP2010121727A JP2011247768A JP 2011247768 A JP2011247768 A JP 2011247768A JP 2010121727 A JP2010121727 A JP 2010121727A JP 2010121727 A JP2010121727 A JP 2010121727A JP 2011247768 A JP2011247768 A JP 2011247768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- region
- element structure
- electrode
- movable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
- B81C1/00182—Arrangements of deformable or non-deformable structures, e.g. membrane and cavity for use in a transducer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5642—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating bars or beams
- G01C19/5663—Manufacturing; Trimming; Mounting; Housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
- H01G5/18—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes due to change in inclination, e.g. by flexing, by spiral wrapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
- H01G5/38—Multiple capacitors, e.g. ganged
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/025—Inertial sensors not provided for in B81B2201/0235 - B81B2201/0242
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
- B81C2201/019—Bonding or gluing multiple substrate layers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0837—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being suspended so as to only allow movement perpendicular to the plane of the substrate, i.e. z-axis sensor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
- G01P2015/0877—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system using integrated interconnect structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
- G01P2015/088—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system for providing wafer-level encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
Abstract
【解決手段】 素子構造体は、第1支持層100と、該第1支持層の上方に一端部が支持され他端部の周囲に空隙部が形成された第1可動梁800aと、を有する第1基板BS1と、第2支持層200と、該第2支持層に形成された第1固定電極900aと、を有し、且つ、前記第1基板に対向して配置された第2基板BS2と、を含み、前記第1可動梁80aには、第1可動電極が形成され、前記第1固定電極と前記第1可動電極とが間隙を介して対向して配置されて構成される。
【選択図】 図1
Description
前記第1固定電極と前記第1可動電極とが間隙を介して対向して配置される。
図1(A)〜図1(C)は、容量素子を含む素子構造体の構造例を示す図である。図1(A)の例では、素子構造体は、所定距離d1だけ離間して、互いに対向して配置される第1基板BS1および第2基板BS2によって構成されている。第1基板BS1および第2基板BS2としては、例えば、SOI基板を使用することができる(但し、これに限定されるものではなく、絶縁性基板としてガラス基板等を使用することができる)。
本実施形態では、好ましい電極の配置や電極の形状等について、具体的に説明する。
本実施形態では、素子構造体における接続端子の配置等についについて説明する。図7は、素子構造体における接続端子の配置例を示す図である。図7の例では、図6(B)の例と同様に、可動電極A−1,A−2、固定電極B−1,B−2の各々の形状として、平面視で円を4分割して得られる形状が採用されている。但し、素子構造体を実際に製造する場合には、電子回路を構成するための接続端子が必要である。よって、電極部の形状(容量電極として機能しない部分も含めた全体形状)は、実際には、接続端子の配置を考慮して決定される必要がある。
本実施形態では、好ましいスペーサー部材の配置例について説明する。図11(A)および図11(B)は、好ましいスペーサー部材の配置の一例を示す図である。
本実施形態では、回路の構成に必要な配線の構造例について説明する。図12は、配線の構造の一例を示す図である。図12の左上の図は平面図であり、下側の図は、平面図のA−A線に沿う断面図であり、右側の図は、平面図のB−B線に沿う断面図である。なお、図12では、第1基板BSにおける配線の構造例が示されている(図12の配線の構造は、第2基板BS2でも使用可能である)。
本実施形態では、素子構造体の具体的な構造例と、その製造方法について説明する。図14(A),図14(B)、素子構造体の具体的な構造例を示す図である。図14(A),図14(B)において、前掲の図面と共通する部分には、共通の参照符号を付している。
活性層120は、第1基板BS1側の中央接続用導体層(アルミやタングステン等の金属層)137に接触する。第1基板BS1側の中央接続用導体層(アルミやタングステン等の金属層)137は、樹脂コア410の少なくとも一部を覆うように形成されている導電層(導電膜)412と接触する。
図16(A)および図16(B)は、素子構造体(図14(B)の構造をもつ)の製造方法における、第1工程に対応する素子構造体の断面図である。素子構造体の製造のために、2枚のSOI基板(第1SOI基板および第2SOI基板)が用意される。第1SOI基板は、支持基板としての第1基板BS1に対応し、第2SOI基板は、蓋基板としての第2基板BS2に対応する。
図17(A)および図17(B)は、第2工程における素子構造体の断面図である。図17(A)および図17(B)は、各基板に共通の工程である。 図17(A)では、絶縁層130,230の中央部に、開口部OPAが形成される。図17(B)では、中央接続用導体層137,237が形成される。
図18(A)〜図18(C)は、第3工程における素子構造体の断面図である。図18(A),図18(B)は、第1基板BS1の断面図を示し、図18(C)は、第2基板BS2の断面図を示す。
図19(A)〜図19(C)は、第4工程における素子構造体の断面図である。図19(A)は、第1基板BS1の断面図を示し、図19(B)および図19(C)は、第2基板BS2の断面図を示す。
図20(A),図20(B)は、第5工程における素子構造体の断面図である。図20(A)では、第1基板BS1と第2基板BS2とを対向させて、貼り合わせる。図20(B)では、第2基板BS2をダイシングして、外周部を切断除去する。図中、除去された部分OPA1,OPA2は、点線で囲まれて示されている。これによって、図14(B)に示した素子構造体が完成する。
図21は、電子機器の構成の一例を示す図である。図21の電子機器には、上記いずれかの実施形態にかかる慣性センサー(静電容量型MEMS加速度センサー等)が含まれる。電子機器は、例えば、ゲームコントローラーやモーションセンサー等である。
110 第1絶縁層、120 第1活性層、130,230 活性層上の絶縁層、
200 第2支持層、250 慣性センサー 210 第2絶縁層、
220 第2活性層、240 第2基板側の導体、
300 スペーサー部材(絶縁性スペーサー部材)、
400(400−1,400−2) 導電性スペーサー部材(樹脂コア構造をもつ導電性スペーサー部材)、410 樹脂コア部、412 導体層(導電層)、
414 接着層(接着フィルム等)、
800a 第1可動梁(第1可動部,第1可動電極)、
800b 第2可動梁(第2可動部,第2可動電極)、
900a 第1固定部(第1固定電極)、900b 第2固定部(第2固定電極)、
c1 第1容量素子、c2 第2容量素子
Claims (11)
- 第1支持層と、該第1支持層の上方に一端部が支持され他端部の周囲に空隙部が形成された第1可動梁と、を有する第1基板と、
第2支持層と、該第2支持層に形成された第1固定電極と、を有し、且つ、前記第1基板に対向して配置された第2基板と、を含み、
前記第1可動梁には、第1可動電極が形成され、
前記第1固定電極と前記第1可動電極とが間隙を介して対向して配置されたことを特徴とする素子構造体。 - 請求項1に記載の素子構造体であって、
前記第1支持層と前記第1可動梁との間、および、前記第2支持層と前記第1固定電極との間の少なくとも一方に絶縁層が形成されたことを特徴とする素子構造体。 - 請求項1または2に記載の素子構造体であって、
前記第1基板には、さらに、第2固定電極が設けられ、
前記第2基板には、さらに、一端部が前記第2支持層の上に支持され、かつ他端部の周囲に空隙部が形成された第2可動梁が設けられ、
前記第2可動梁には、第2可動電極が形成され、
前記第2固定電極と前記第2可動電極とが間隙を介して対向して配置されたことを特徴とする素子構造体。 - 請求項3に記載の素子構造体であって、
前記第1基板は、平面視で、前記第1基板の中心を通る第1軸と、前記中心で前記第1軸に直交する第2軸と、によって第1〜第4の領域に区画され、
前記中心に対し互いに点対称な位置にある第1の領域および第2の領域の少なくとも一部には、前記第1可動電極の形成領域が配置され、
前記中心に対し互いに点対称な位置にある前記第3の領域および前記第4の領域の少なくとも一部には、前記第2固定電極の形成領域が配置され、
前記2基板は、平面視で、前記第1の領域に対向する第5の領域と、前記第2の領域に対向する第6の領域と、前記第3の領域に対向する第7の領域と、前記第4の領域に対向する第8の領域に区画され、
前記第5の領域および前記第6の領域の少なくとも一部には、前記第1固定電極の形成領域が配置され、
前記第7の領域および前記第8の領域の少なくとも一部には、前記第2可動電極の形成領域が配置されたことを特徴とする素子構造体。 - 請求項4に記載の素子構造体であって、
前記第1可動電極は、前記第1可動電極の形成領域に前記中心に対し点対称に形成され、
前記第1固定電極は、前記第1固定電極の形成領域に前記中心に対し点対称に形成され、
前記第2可動電極は、前記第2可動電極の形成領域に前記中心に対し点対称に形成され、
前記第2固定電極は、前記第2固定電極の形成領域に前記中心に対し点対称に形成されたことを特徴とする素子構造体。 - 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の素子構造体であって、
前記第1基板と前記第2基板との間にはスペーサー部材が設けられたことを特徴とする素子構造体。 - 請求項6に記載の素子構造体であって、
前記スペーサー部材は枠状であり、
前記第1基板、前記第2基板、および前記スペーサー部材によって内部に空間が形成された封止体が形成されたことを特徴とする素子構造体。 - 請求項6に記載の素子構造体であって、
前記スペーサー部材は柱状であり、
前記第1基板と前記第2基板とが重なっている領域の中央付近に設けられたことを特徴とする素子構造体。 - 請求項6〜請求項8のいずれかに記載の素子構造体であって、
前記スペーサー部材は、
樹脂コア部と、
前記樹脂コア部の表面の少なくとも一部を覆うように形成された導電層と、
を有することを特徴とする素子構造体。 - 請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載の素子構造体と、
前記素子構造体から出力された電気信号を処理する信号処理回路と、
を有することを特徴とする慣性センサー。 - 請求項10記載の慣性センサーを有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010121727A JP5527017B2 (ja) | 2010-05-27 | 2010-05-27 | 素子構造体、慣性センサーおよび電子機器 |
US13/115,632 US20110291208A1 (en) | 2010-05-27 | 2011-05-25 | Element structure, inertia sensor, and electronic device |
CN2011101390881A CN102331514A (zh) | 2010-05-27 | 2011-05-26 | 元件结构体、惯性传感器以及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010121727A JP5527017B2 (ja) | 2010-05-27 | 2010-05-27 | 素子構造体、慣性センサーおよび電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011247768A true JP2011247768A (ja) | 2011-12-08 |
JP2011247768A5 JP2011247768A5 (ja) | 2013-06-27 |
JP5527017B2 JP5527017B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=45021384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010121727A Expired - Fee Related JP5527017B2 (ja) | 2010-05-27 | 2010-05-27 | 素子構造体、慣性センサーおよび電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110291208A1 (ja) |
JP (1) | JP5527017B2 (ja) |
CN (1) | CN102331514A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017061635A1 (ko) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 주식회사 스탠딩에그 | Mems 장치 및 그 제조 방법 |
WO2017183646A1 (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | 富士フイルム株式会社 | 複合センサ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013250133A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス及びその製造方法、並びに電子機器 |
US9505607B2 (en) | 2015-03-27 | 2016-11-29 | Intel Corporation | Methods of forming sensor integrated packages and structures formed thereby |
TWI599764B (zh) * | 2015-10-19 | 2017-09-21 | 國立清華大學 | 多階感測元件 |
JP6816603B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器、および移動体 |
US10643006B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-05-05 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip including integrated security circuit |
CN109946482A (zh) * | 2019-04-02 | 2019-06-28 | 四川知微传感技术有限公司 | 一种高信噪比的三明治式微加速度计 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0623782B2 (ja) * | 1988-11-15 | 1994-03-30 | 株式会社日立製作所 | 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ |
US5092174A (en) * | 1989-10-19 | 1992-03-03 | Texas Instruments Incorporated | Capacitance accelerometer |
DE4439238A1 (de) * | 1994-11-03 | 1996-05-09 | Telefunken Microelectron | Kapazitiver Beschleunigungssensor |
DE19541388A1 (de) * | 1995-11-07 | 1997-05-15 | Telefunken Microelectron | Mikromechanischer Beschleunigungssensor |
US6105427A (en) * | 1998-07-31 | 2000-08-22 | Litton Systems, Inc. | Micro-mechanical semiconductor accelerometer |
JP2006078444A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Hosiden Corp | 加速度センサ |
JP5117716B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2013-01-16 | セイコーインスツル株式会社 | 力学量センサ |
-
2010
- 2010-05-27 JP JP2010121727A patent/JP5527017B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-25 US US13/115,632 patent/US20110291208A1/en not_active Abandoned
- 2011-05-26 CN CN2011101390881A patent/CN102331514A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017061635A1 (ko) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 주식회사 스탠딩에그 | Mems 장치 및 그 제조 방법 |
WO2017183646A1 (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | 富士フイルム株式会社 | 複合センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110291208A1 (en) | 2011-12-01 |
JP5527017B2 (ja) | 2014-06-18 |
CN102331514A (zh) | 2012-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5527015B2 (ja) | 素子構造体、慣性センサー、電子機器 | |
JP5527017B2 (ja) | 素子構造体、慣性センサーおよび電子機器 | |
JP5527019B2 (ja) | 物理量センサーおよび電子機器 | |
US7258011B2 (en) | Multiple axis accelerometer | |
CN105372451B (zh) | 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体 | |
JP5070778B2 (ja) | 力学量センサ | |
JP6020793B2 (ja) | 物理量センサーおよび電子機器 | |
JP5450451B2 (ja) | 垂直方向に集積した電子回路およびウェハスケール密封包装を含むx−y軸二重質量音叉ジャイロスコープ | |
JP2013250133A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2007101531A (ja) | 力学量センサ | |
EP2284545A2 (en) | Coplanar proofmasses employable to sense acceleration along three axes | |
JP5870532B2 (ja) | 物理量検出素子、物理量検出装置および電子機器 | |
JP6258977B2 (ja) | センサおよびその製造方法 | |
JP5831582B2 (ja) | 物理量センサーおよび電子機器 | |
JP6343102B2 (ja) | 慣性力センサ | |
JP2005283428A (ja) | 力学量センサ装置 | |
TWI681192B (zh) | 三軸加速度計 | |
WO2021111887A1 (ja) | 力覚センサモジュール | |
JP2011237265A (ja) | 力学量センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130513 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130513 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5527017 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |