JP2011243988A - 低温ポリシリコン薄膜及びその製造方法と、トランジスタ及び表示装置 - Google Patents
低温ポリシリコン薄膜及びその製造方法と、トランジスタ及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011243988A JP2011243988A JP2011111542A JP2011111542A JP2011243988A JP 2011243988 A JP2011243988 A JP 2011243988A JP 2011111542 A JP2011111542 A JP 2011111542A JP 2011111542 A JP2011111542 A JP 2011111542A JP 2011243988 A JP2011243988 A JP 2011243988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- low
- temperature polysilicon
- polysilicon thin
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 86
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 74
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- -1 is also formed Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02672—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using crystallisation enhancing elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1277—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using a crystallisation promoting species, e.g. local introduction of Ni catalyst
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】当該方法は、基板を予備する工程と、前記基板にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層に第1の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記第1の非結晶シリコン薄膜に触媒の粒子を形成する工程と、第2の非結晶シリコン薄膜で前記第1の非結晶シリコン薄膜及び触媒の粒子を覆うように第2の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記触媒の粒子を利用して前記第1の非結晶シリコン薄膜及び第2の非結晶シリコン薄膜に対して結晶化し,結晶することで低温ポリシリコン薄膜を形成する工程と、を含む。
【選択図】図8
Description
図4は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図(1)であり、図5は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図(2)であり、図6は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図(3)であり、図7は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図(4)であり、図8は本発明による低温ポリシリコン薄膜の製造方法に係る実施例の製造工程の断面概略図(5)である。上記の各図面によると、本実施例の方法は以下の工程を含む。即ち、
工程101:基板にバッファ層を形成する。
本実施例は低温ポリシリコン薄膜を提供する。当該低温ポリシリコン薄膜は上記第1の実施例に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法により得られる。
本実施例は低温ポリシリコン薄膜トランジスタを提供する。当該トランジスタは第2の実施例に記載の低温ポリシリコン薄膜より得られる。
本発明の実施例はさらに表示装置を提供する。当該表示装置はアレイ基板と、前記アレイ基板に形成された低温ポリシリコン薄膜トランジスタとを含む。前記低温ポリシリコン薄膜は上記第3の実施例に記載の低温ポリシリコン薄膜トランジスタを採用してスイッチング素子とする。
12 バッフア層
13 ニッケル
14 非結晶層
15 ポリシリコン結晶粒子
16 接触面
21 第1の非結晶シリコン薄膜層
22 触媒粒子
23 第2の非結晶シリコン薄膜層
24 ポリシリコン結晶粒子
Claims (9)
- 低温ポリシリコン薄膜の製造方法であって、
基板を予備する工程と、
前記基板にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層に第1の非結晶シリコン形成を堆積する工程と、
前記第1の非結晶シリコン薄膜に触媒の粒子を形成する工程と、
第2の非結晶シリコン薄膜で前記第1の非結晶シリコン薄膜及び触媒の粒子を覆うように第2の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、
前記触媒の粒子を利用して前記第1の非結晶シリコン薄膜及び第2の非結晶シリコン薄膜に対して結晶化することで低温ポリシリコン薄膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする低温ポリシリコン薄膜の製造方法。 - 前記基板に形成されたバッファ層はケイ素の酸化物層であることを特徴とする請求項1に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法。
- 前記触媒の粒子はNi、Cu、Al、Er、又はCr粒子を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法。
- 前記結晶化は高速のアニール熱処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法。
- 前記結晶化は高速のアニール熱処理であることを特徴とする請求項3に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法。
- 請求項1に記載の低温ポリシリコン薄膜の製造方法により得られた低温ポリシリコン薄膜である。
- 低温ポリシリコン薄膜トランジスタであって、
基板と、
請求項5に記載の低温ポリシリコン薄膜を備えて前記基板の上方に形成されるとともに、ソースの領域、ドレインの領域と、前記ソース領域及びドレイン領域間に位置するチャンネル領域とを含む半導体層と、
前記半導体領域の上に順次形成されるゲート絶縁層及び前記チャンネル領域の位置に対応するゲートと、
前記ゲート及びゲート絶縁層の上方に形成されるとともに、その中に第1のビアーホール及び第2のビアーホールが形成されている誘電層と、
前記第1のビアーホールを介して前記ソース領域と接続されているソース電極と、
前記第2のビアーホールを介して前記ドレイン領域と接続されているドレイン電極と、
を含むことを特徴とする低温ポリシリコン薄膜トランジスタ。 - アレイ基板を備えている表示装置であって、前記アレイ基板に請求項7に記載の前記低温ポリシリコン薄膜トランジスタが形成されていることを特徴とする表示装置。
- 前記表示装置はアクティブマトリックス型の有機発光ダイオード又は液晶表示装置であることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010101809710A CN102254797A (zh) | 2010-05-18 | 2010-05-18 | 低温多晶硅薄膜及其制造方法、晶体管和显示装置 |
CN201010180971.0 | 2010-05-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243988A true JP2011243988A (ja) | 2011-12-01 |
Family
ID=44971765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011111542A Pending JP2011243988A (ja) | 2010-05-18 | 2011-05-18 | 低温ポリシリコン薄膜及びその製造方法と、トランジスタ及び表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110284861A1 (ja) |
JP (1) | JP2011243988A (ja) |
CN (1) | CN102254797A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2972108B1 (fr) | 2011-03-03 | 2014-08-29 | Maurice Granger | Appareil distributeur de materiau d'essuyage predecoupe enroule en bobine |
KR20130116099A (ko) * | 2012-04-13 | 2013-10-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
FR2995520B1 (fr) | 2012-09-17 | 2016-08-05 | Maurice Granger | Appareil distributeur de materiaux predecoupes enroules en bobine ou plies en "z" |
US8946062B2 (en) * | 2012-11-21 | 2015-02-03 | Guardian Industries Corp. | Polycrystalline silicon thick films for photovoltaic devices or the like, and methods of making same |
US11133390B2 (en) * | 2013-03-15 | 2021-09-28 | The Boeing Company | Low temperature, thin film crystallization method and products prepared therefrom |
CN103887244B (zh) * | 2014-03-07 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN104020572A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-09-03 | 四川虹视显示技术有限公司 | 一种裸眼3d触控amoled显示装置及其制造方法 |
CN106098628B (zh) * | 2016-06-07 | 2019-04-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft背板的制作方法及tft背板 |
CN108493094B (zh) * | 2018-01-19 | 2021-06-15 | 昆山国显光电有限公司 | 多晶硅薄膜的制作方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186164A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001267587A (ja) * | 1993-03-12 | 2001-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体回路及び半導体装置 |
JP2001326177A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン半導体装置およびその製造方法 |
JP2002093706A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-29 | Semisysco Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜の結晶化方法 |
JP2005251794A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20070105305A1 (en) * | 2003-03-17 | 2007-05-10 | Shuo Gu | Method to form large grain size polysilicon films by nuclei-induced solid phase crystallization |
US20070105352A1 (en) * | 2003-10-07 | 2007-05-10 | Shuo Gu | Uniform seeding to control grain and defect density of crystallized silicon for use in sub-micron thin film transistors |
JP2008166785A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法及び有機電界発光表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3322440B2 (ja) * | 1993-06-24 | 2002-09-09 | 三洋電機株式会社 | 薄膜多結晶シリコンの製造方法 |
JP2000208771A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置、液晶表示装置およびこれらの製造方法 |
KR100450595B1 (ko) * | 2000-02-09 | 2004-09-30 | 히다찌 케이블 리미티드 | 결정실리콘 반도체장치 및 그 장치의 제조방법 |
JP2005340695A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP3826145B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-09-27 | 株式会社クラレ | 集光フィルム、液晶パネルおよびバックライト並びに集光フィルムの製造方法 |
KR100611762B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조 방법 |
US7629209B2 (en) * | 2005-10-17 | 2009-12-08 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Methods for fabricating polysilicon film and thin film transistors |
CN100433260C (zh) * | 2006-01-16 | 2008-11-12 | 中华映管股份有限公司 | 多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法 |
KR20080111693A (ko) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 |
-
2010
- 2010-05-18 CN CN2010101809710A patent/CN102254797A/zh active Pending
-
2011
- 2011-05-17 US US13/109,356 patent/US20110284861A1/en not_active Abandoned
- 2011-05-18 JP JP2011111542A patent/JP2011243988A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267587A (ja) * | 1993-03-12 | 2001-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体回路及び半導体装置 |
JPH11186164A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001326177A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン半導体装置およびその製造方法 |
JP2002093706A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-29 | Semisysco Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜の結晶化方法 |
US20070105305A1 (en) * | 2003-03-17 | 2007-05-10 | Shuo Gu | Method to form large grain size polysilicon films by nuclei-induced solid phase crystallization |
US20070105352A1 (en) * | 2003-10-07 | 2007-05-10 | Shuo Gu | Uniform seeding to control grain and defect density of crystallized silicon for use in sub-micron thin film transistors |
JP2005251794A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008166785A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法及び有機電界発光表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102254797A (zh) | 2011-11-23 |
US20110284861A1 (en) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011243988A (ja) | 低温ポリシリコン薄膜及びその製造方法と、トランジスタ及び表示装置 | |
US10692975B2 (en) | Thin-film transistor array substrate | |
CN102479752B (zh) | 薄膜晶体管、有源矩阵背板及其制造方法和显示器 | |
KR100882909B1 (ko) | 박막트랜지스터, 그의 제조 방법, 이를 포함하는유기전계발광표시장치, 및 그의 제조 방법 | |
EP2735629B1 (en) | Method of manufacturing low temperature polysilicon film, thin film transistor and manufacturing method thereof | |
CN102969250B (zh) | Ltps薄膜及薄膜晶体管的制备方法,阵列基板及显示装置 | |
KR101456405B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 어레이 기판, 및 그 제조방법 | |
US10879328B2 (en) | Thin film transistor (TFT) substrate, manufacturing method thereof, and organic light-emitting diode (OLED) substrate | |
US20070187676A1 (en) | Organic electro-luminescent display and method of fabricating the same | |
TWI520219B (zh) | 形成多晶矽層的方法和製造薄膜電晶體的方法 | |
US20050105037A1 (en) | Flat panel display and method for fabricating the same | |
TWI527087B (zh) | 多晶矽層、備製多晶矽層之方法、使用多晶矽層之薄膜電晶體及包含該薄膜電晶體之有機發光顯示裝置 | |
US8890165B2 (en) | Method of forming polycrystalline silicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device having the same, and methods of fabricating the same | |
JP2009088106A (ja) | 半導体層とこの半導体層を用いた半導体装置および表示装置 | |
WO2015192558A1 (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置 | |
US9887213B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus | |
US9040988B2 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, and array substrate | |
US8729553B2 (en) | Thin film transistor including catalyst layer, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the TFT | |
CN107342298B (zh) | 显示装置、阵列基板及其制造方法 | |
KR20110127091A (ko) | 저온 폴리실리콘 박막 및 그 제조 방법과, 트랜지스터 및 표시 장치 | |
US10515800B2 (en) | Solid phase crystallization method and manufacturing method of low-temperature poly-silicon TFT substrate | |
US8278716B2 (en) | Method of fabricating polysilicon, thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, and organic light emitting diode display device including the thin film transistor | |
CN108281350B (zh) | 固相结晶方法与低温多晶硅tft基板的制作方法 | |
KR101049810B1 (ko) | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 | |
KR20100028952A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160314 |