JP2011243687A - 太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 90
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 87
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 85
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 41
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 51
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 28
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 81
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000033444 hydroxylation Effects 0.000 description 1
- 238000005805 hydroxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 235000020681 well water Nutrition 0.000 description 1
- 239000002349 well water Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
【解決手段】太陽電池素子の基板となるシリコンウエハ2の表面をアルカリ性水溶液槽に浸漬することによってエッチングする太陽電池素子の製造方法において、前記アルカリ性水溶液槽は、少なくとも第1槽と、該第1槽よりもアルカリ性水溶液の液温が低い第2槽とを有し、前記シリコンウエハを前記第1槽および前記第2槽の順で前記アルカリ性水溶液に浸漬させる工程を含む。
【選択図】図4
Description
まず本発明の一実施形態における太陽電池素子について図を用いて説明する。
次に本発明の太陽電池素子の製造方法の一実施形態について図を用いて説明する。
実施例の試料としては、多結晶シリコンウエハ2(150mm×150mm×200μm)を用いて、エッチング工程における第1槽12aと第2槽12bのアルカリ性水溶液13a、bの液温、アルカリ性水溶液における水酸化ナトリウムの濃度、浸漬時間の条件を変化させたシリコンウエハ2を作製した。
外観ムラおよびエッチング不足の度合いについて評価した。
2:シリコンウエハ
2a:第1面
2b:第2面
3:バスバー電極
4:フィンガー電極
5:集電電極
6:出力取出電極
7:除去部
8:反射防止膜
9:N型層
10:P型バルク領域
11:カセット
12:槽
12a:第1槽
12b:第2槽
12c:洗浄槽
13:アルカリ性水溶液
13a:第1槽のアルカリ性水溶液
13b:第2槽のアルカリ性水溶液
14:載置台
15:ヒーター
16:排液管
17:冷却管
18:洗浄液
Claims (10)
- 太陽電池素子の基板となるシリコンウエハの表面をアルカリ性水溶液槽に浸漬することによってエッチングする太陽電池素子の製造方法において、
前記アルカリ性水溶液槽は、少なくとも第1槽と、該第1槽よりもアルカリ性水溶液の液温が低い第2槽とを有し、
前記シリコンウエハを前記第1槽および前記第2槽の順で前記アルカリ性水溶液に浸漬させる工程を含む太陽電池素子の製造方法。 - 前記第2槽の前記アルカリ性水溶液の液温を57℃以下とする請求項1に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記第1槽の前記アルカリ性水溶液の液温を70℃以上とし、前記第2槽の前記アルカリ性水溶液の液温を30〜57℃とする請求項1または2に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記アルカリ性水溶液に主として水酸化ナトリウムを含む水溶液を用いる請求項1〜3のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記アルカリ性水溶液の前記水酸化ナトリウムの濃度を3〜45重量%とする請求項4に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記第1槽における前記アルカリ性水溶液の水酸化ナトリウムの濃度を15〜45重量%とし、前記第2槽における前記アルカリ性水溶液の水酸化ナトリウムの濃度を3〜10重量%とする請求項5に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記第2槽での浸漬時間を前記第1槽での浸漬時間よりも短くする請求項1〜6のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記第2槽での浸漬時間を90秒以内とする請求項1〜7のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記第1槽を複数用いる請求項1〜8のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記第2槽に前記シリコンウエハを浸漬した後に、洗浄液を含む洗浄槽に前記シリコンウエハを浸漬する洗浄工程を含み、
前記洗浄槽の前記洗浄液の液温を前記第2槽の前記アルカリ性水溶液の液温よりも高くする請求項1〜9のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010113199A JP5534933B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | 太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010113199A JP5534933B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | 太陽電池素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243687A true JP2011243687A (ja) | 2011-12-01 |
JP5534933B2 JP5534933B2 (ja) | 2014-07-02 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014041261A1 (fr) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives (C.E.A.) | Dispositif et procédé de restauration des cellules solaires à base de silicium avec transducteur ultrason |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278701A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体ウェハの製造方法 |
JP2006344765A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278701A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | 半導体ウェハの製造方法 |
JP2006344765A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014041261A1 (fr) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives (C.E.A.) | Dispositif et procédé de restauration des cellules solaires à base de silicium avec transducteur ultrason |
FR2995728A1 (fr) * | 2012-09-14 | 2014-03-21 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de restauration des cellules solaires a base de silicium avec transducteur ultrason |
US9484483B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-11-01 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Device and method for restoring silicon-based solar cells using an ultrasound transducer |
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