JP2011238537A - 照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＥＤパッケージから近い位置と同等にＬＥＤパッケージから離れた位置を明るく照らす。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ10の発光面1-1a1をレンズ31によって投影する照明装置100において、ＬＥＤ素子1-1の電極1-1g1,..,1-1g9から支持基板2側に延びているバンプ3p1a,..,3p9aと、支持基板2からＬＥＤ素子1-1側に延びているバンプ3p1b,..,3p9bとを接合してＬＥＤ素子1-1の電極1-1g1,..,1-1g9と支持基板2とを電気的・熱的に接続し、発光面1-1a1のうち、ＬＥＤパッケージ10から離れた位置に照射される光L1を発光する部分の背面の電極1-1g1,..,1-1g3から支持基板2への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ10から近い位置に照射される光L2を発光する部分の背面の電極1-1g4,..,1-1g6から支持基板2への伝熱量より大きくなるように、バンプ3p1a,..,3p6a,3p1b,..,3p6bを配置した。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤパッケージの発光面をレンズによって投影する照明装置に関し、特には、簡易な手法により、ＬＥＤパッケージから第１の距離の位置を、ＬＥＤパッケージから第１の距離より小さい第２の距離の位置と同等に明るく照らすことができる照明装置に関する。

更に、本発明は、ＬＥＤパッケージの発光面を投影する照明装置に関し、特には、簡易な手法により、照射領域の周囲部分が照射領域の中央部分よりも暗くなってしまうのを回避することができる照明装置に関する。

従来から、光源としてＬＥＤ（発光素子）を用いた照明装置が知られている。この種の照明装置の例としては、例えば特許文献１（特開２０１０−０４０２４８号公報）の図１〜図４に記載されたものがある。特許文献１の図１〜図４に記載された照明装置では、照射領域を一様に照射できるような配光を実現するために、光源からの光を配光制御するレンズにプリズム、シリンドリカルレンズ等が設けられている（特許文献１の段落〔００２３〕参照）。

つまり、特許文献１の図１〜図４に記載された照明装置では、光源の発光面を投影レンズによって投影することにより、光源の発光面と同様の光度分布（照度分布、輝度分布）を有する配光パターンが形成されるのではなく、複雑な形状を有するレンズによって光源からの光を配光制御することにより、一様な光度分布（照度分布、輝度分布）を有する配光パターンを形成するように意図されている。

特開２０１０−０４０２４８号公報

ところで、特許文献１の図１〜図４に記載された照明装置では、一様な光度分布（照度分布、輝度分布）を有する配光パターンを形成するように意図されているものの、実際には、光源が点光源ではなく、広がりを持っているため、照射領域の中央部分の照度が高く、照射領域の周囲部分の照度が低くなってしまう（特許文献１の段落〔００４４〕、段落〔００４７〕参照）。

つまり、特許文献１の図１〜図４に記載された照明装置では、一様な光度分布（照度分布、輝度分布）を有する配光パターンを形成するために複雑な形状を有するレンズが用いられているにもかかわらず、実際には、一様な光度分布（照度分布、輝度分布）を有する配光パターンを形成することができず、光源から第１の距離の位置（光源から遠い位置）が、光源から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光源から近い位置）よりも暗くなってしまう。

前記問題点に鑑み、本発明は、簡易な手法により、ＬＥＤパッケージから第１の距離の位置を、ＬＥＤパッケージから第１の距離より小さい第２の距離の位置と同等に明るく照らすことができる照明装置を提供することを目的とする。

更に、本発明は、簡易な手法により、照射領域の周囲部分が照射領域の中央部分よりも暗くなってしまうのを回避することができる照明装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）をレンズ（３１）によって投影する照明装置（１００）において、
発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設け、
ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）と、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）とを接合することによってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ）および複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ）および複数の支持基板側バンプ（３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）が提供される。

請求項２に記載の発明によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）をレンズ（３１）によって投影する照明装置（１００）において、
発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設け、
ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の接合によってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）が提供される。

請求項３に記載の発明によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）をレンズ（３１）によって投影する照明装置（１００）において、
発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設け、
支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の接合によってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の支持基板側バンプ（３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）が提供される。

請求項４に記載の発明によれば、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の側に延びている１個の支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）に対し、ＬＥＤ素子（１−１）の電極（１−１ｇ７）から支持基板（２）の側に延びている複数の素子側バンプ（３ｐ７ａ）を接合したことを特徴とする請求項１に記載の照明装置（１００）が提供される。

請求項５に記載の発明によれば、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の側に延びている複数の支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）に対し、ＬＥＤ素子（１−１）の電極（１−１ｇ７）から支持基板（２）の側に延びている１個の素子側バンプ（３ｐ７ａ）を接合したことを特徴とする請求項１に記載の照明装置（１００）が提供される。

請求項６に記載の発明によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）を投影する照明装置（１００）において、
発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設けると共に、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）を発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置し、
ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）と、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）とを接合することによってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ５ａ）および支持基板側バンプ（３ｐ５ｂ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）および支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）が提供される。

請求項７に記載の発明によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）を投影する照明装置（１００）において、
発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設けると共に、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）を発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置し、
ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の接合によってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ５ａ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）が提供される。

請求項８に記載の発明によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）を投影する照明装置（１００）において、
発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設けると共に、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）を発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置し、
支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の接合によってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する支持基板側バンプ（３ｐ５ｂ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）が提供される。

請求項１に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）がレンズ（３１）によって投影される。

仮に、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ（１０）が構成されている場合には、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、請求項１に記載の照明装置（１００）では、発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とがＬＥＤパッケージ（１０）に設けられている。更に、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）がＬＥＤ素子（１−１）に設けられている。

また、請求項１に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）と、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）とを接合することによって、ＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とが電気的および熱的に接続されている。

更に、請求項１に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ）および複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ）および複数の支持基板側バンプ（３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ）の配置とが異ならされている。

そのため、請求項１に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の輝度を、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の輝度よりも高くすることができる。

その結果、請求項１に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置を、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置と同等に明るく照らすことができる。

請求項２に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）がレンズ（３１）によって投影される。

仮に、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ（１０）が構成されている場合には、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、請求項２に記載の照明装置（１００）では、発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とがＬＥＤパッケージ（１０）に設けられている。更に、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）がＬＥＤ素子（１−１）に設けられている。

また、請求項２に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の接合によって、ＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とが電気的および熱的に接続されている。

更に、請求項２に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ）の配置とが異ならされている。

そのため、請求項２に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の輝度を、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の輝度よりも高くすることができる。

その結果、請求項２に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置を、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置と同等に明るく照らすことができる。

請求項３に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）がレンズ（３１）によって投影される。

仮に、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ（１０）が構成されている場合には、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、請求項３に記載の照明装置（１００）では、発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とがＬＥＤパッケージ（１０）に設けられている。更に、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）がＬＥＤ素子（１−１）に設けられている。

また、請求項３に記載の照明装置（１００）では、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の接合によって、ＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とが電気的および熱的に接続されている。

更に、請求項３に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の支持基板側バンプ（３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ）の配置とが異ならされている。

そのため、請求項３に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の輝度を、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の輝度よりも高くすることができる。

その結果、請求項３に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置を、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置と同等に明るく照らすことができる。

請求項４に記載の照明装置（１００）では、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の側に延びている１個の支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）に対し、ＬＥＤ素子（１−１）の電極（１−１ｇ７）から支持基板（２）の側に延びている複数の素子側バンプ（３ｐ７ａ）が接合されている。

そのため、請求項４に記載の照明装置（１００）によれば、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の側に延びている１個の支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）に対しＬＥＤ素子（１−１）の電極（１−１ｇ７）から支持基板（２）の側に延びている１個の素子側バンプ（３ｐ７ａ）が接合されている場合よりも、支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）と素子側バンプ（３ｐ７ａ）との機械的な接合強度を向上させることができる。

請求項５に記載の照明装置（１００）では、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の側に延びている複数の支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）に対し、ＬＥＤ素子（１−１）の電極（１−１ｇ７）から支持基板（２）の側に延びている１個の素子側バンプ（３ｐ７ａ）が接合されている。

そのため、請求項５に記載の照明装置（１００）によれば、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の側に延びている１個の支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）に対しＬＥＤ素子（１−１）の電極（１−１ｇ７）から支持基板（２）の側に延びている１個の素子側バンプ（３ｐ７ａ）が接合されている場合よりも、支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）と素子側バンプ（３ｐ７ａ）との機械的な接合強度を向上させることができる。

請求項６に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）が投影される。

仮に、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ（１０）が構成されている場合には、照射領域の周囲部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から離れている位置）が照射領域の中央部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から近い位置）よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、請求項６に記載の照明装置（１００）では、発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とがＬＥＤパッケージ（１０）に設けられている。更に、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）がＬＥＤ素子（１−１）に設けられ、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）が発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置されている。

また、請求項６に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）と、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）とを接合することによって、ＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とが電気的および熱的に接続されている。

更に、請求項６に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ５ａ）および支持基板側バンプ（３ｐ５ｂ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）および支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の配置とが異ならされている。

そのため、請求項６に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の輝度を、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の輝度よりも高くすることができる。

その結果、請求項６に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分に対応する照射領域の周囲部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から離れている位置）が、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の中央部分に対応する照射領域の中央部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から近い位置）よりも暗くなってしまうのを回避することができる。

請求項７に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）が投影される。

仮に、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ（１０）が構成されている場合には、照射領域の周囲部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から離れている位置）が照射領域の中央部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から近い位置）よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、請求項７に記載の照明装置（１００）では、発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とがＬＥＤパッケージ（１０）に設けられている。更に、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）がＬＥＤ素子（１−１）に設けられ、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）が発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置されている。

また、請求項７に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の接合によって、ＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とが電気的および熱的に接続されている。

更に、請求項７に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ５ａ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の配置とが異ならされている。

そのため、請求項７に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の輝度を、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の輝度よりも高くすることができる。

その結果、請求項７に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分に対応する照射領域の周囲部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から離れている位置）が、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の中央部分に対応する照射領域の中央部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から近い位置）よりも暗くなってしまうのを回避することができる。

請求項８に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）が投影される。

仮に、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ（１０）が構成されている場合には、照射領域の周囲部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から離れている位置）が照射領域の中央部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から近い位置）よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、請求項８に記載の照明装置（１００）では、発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とがＬＥＤパッケージ（１０）に設けられている。更に、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）がＬＥＤ素子（１−１）に設けられ、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）が発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置されている。

また、請求項８に記載の照明装置（１００）では、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の接合によって、ＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とが電気的および熱的に接続されている。

更に、請求項８に記載の照明装置（１００）では、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する支持基板側バンプ（３ｐ５ｂ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の配置とが異ならされている。

そのため、請求項８に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の輝度を、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の輝度よりも高くすることができる。

その結果、請求項８に記載の照明装置（１００）によれば、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分に対応する照射領域の周囲部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から離れている位置）が、ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）の中央部分に対応する照射領域の中央部分（ＬＥＤパッケージ（１０）から近い位置）よりも暗くなってしまうのを回避することができる。

第１の実施形態の照明装置１００の概略的な全体構成図である。 第１の実施形態の照明装置１００の一部を構成するランプモジュール３３を概略的に示した図である。 ランプモジュール３３から照射される光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を説明するための図である。 図２（Ｅ）に示すＬＥＤパッケージ１０のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４の発光面１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１等の拡大図である。 図４に示すケーシング４が取り付けられる前の状態におけるＬＥＤパッケージ１０の支持基板２等を示した図である。 図４に示すＬＥＤ素子１−１の拡大図などである。 ＬＥＤ素子１−１の概略的な断面図である。 ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。 第１の実施形態の照明装置１００のＬＥＤパッケージ１０のＬＥＤ素子１−１のＬＥＤ素子基板１−１ａの発光面１−１ａ１内の位置（図１１のグラフの横軸）と輝度（図１１のグラフの縦軸）との関係などを示した図である。 第２の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されておらず、ｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない状態を示した図である。 第２の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されておらず、ｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない状態を示した図である。 第２の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが支持基板２のｐ側配線層２ａに接合された状態を示した図である。 第３の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されておらず、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 第３の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されておらず、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 第３の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９が接合された状態を示した図である。 第４の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 第４の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 第４の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。 第５の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態などを示した図である。 第５の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態などを示した図である。 第６の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態などを示した図である。 第６の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態などを示した図である。 第７の実施形態の照明装置１００の概略的な全体構成図である。 第７の実施形態の照明装置１００の一部を構成するランプモジュール３３を概略的に示した図である。 ランプモジュール３３から照射される光Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６を説明するための図である。 ランプモジュール３３から照射される光Ｌ２，Ｌ５，Ｌ８を説明するための図である。 図２６（Ｃ）に示すＬＥＤパッケージ１０のＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１等の拡大図である。 図２９に示すケーシング４が取り付けられる前の状態におけるＬＥＤパッケージ１０の支持基板２等を示した図である。 ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。 図２９および図３０（Ａ）に示すＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１を図２６〜図２８に示すレンズ３１によって投影することにより形成される配光パターンＰを示した図である。 第８の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されておらず、ｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない状態を示した図である。 第８の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されておらず、ｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない状態を示した図である。 第８の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが支持基板２のｐ側配線層２ａに接合された状態を示した図である。 第９の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されておらず、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 第９の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されておらず、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。 第９の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９が接合された状態を示した図である。

以下、本発明の照明装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の照明装置１００の概略的な全体構成図である。図２は第１の実施形態の照明装置１００の一部を構成するランプモジュール３３を概略的に示した図である。詳細には、図２（Ａ）はランプモジュール３３を図１の右下側から見た図、図２（Ｂ）はランプモジュール３３を図１の手前側（図２（Ａ）の右側）から見た図、図２（Ｃ）はランプモジュール３３を図１の右上側（図２（Ａ）の下側）から見た図である。図２（Ｄ）は図２（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略的な断面図、図２（Ｅ）はレンズ３１を取り外した状態におけるランプモジュール３３を図１の右下側から見た図である。図３はランプモジュール３３から照射される光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を説明するための図である。

図４は図２（Ｅ）に示すＬＥＤパッケージ１０のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４の発光面１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１等の拡大図である。図５は図４に示すケーシング４が取り付けられる前の状態におけるＬＥＤパッケージ１０の支持基板２等を示した図である。詳細には、図５（Ａ）は支持基板２に対してＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４がフリップチップ実装された状態におけるＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４および支持基板２を図１の右下側から見た図である。図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った概略的な断面図である。図５（Ｃ）はＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４がフリップチップ実装される前の状態における支持基板２を図１の右下側から見た図である。図５（Ｄ）は第１の実施形態の照明装置１００の変形例の支持基板２を示した図である。

図６は図４に示すＬＥＤ素子１−１の拡大図などである。詳細には、図６（Ａ）は図４に示すＬＥＤ素子１−１の拡大図である。図６（Ｂ）は図６（Ａ）に示すＬＥＤ素子１−１を裏側（図１の左上側）から見た図である。図７はＬＥＤ素子１−１の概略的な断面図である。詳細には、図７（Ａ）は図６（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った概略的な断面図、図７（Ｂ）は図６（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿った概略的な断面図、図７（Ｃ）は図６（Ａ）のＥ−Ｅ線に沿った概略的な断面図である。

図８および図９はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。詳細には、図８（Ａ）はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態を図１の左上側から見た図である。図８（Ｂ）は支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を図１の右下側から見た図である。図９（Ａ）は図８（Ａ）および図８（Ｂ）のＦ−Ｆ線に沿った概略的な断面図、図９（Ｂ）は図８（Ａ）および図８（Ｂ）のＧ−Ｇ線に沿った概略的な断面図、図９（Ｃ）は図８（Ａ）および図８（Ｂ）のＨ−Ｈ線に沿った概略的な断面図である。

図１０はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。詳細には、図１０（Ａ）は図８（Ａ）および図８（Ｂ）のＦ−Ｆ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが接合された状態を示した図である。図１０（Ｂ）は図８（Ａ）および図８（Ｂ）のＧ−Ｇ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａと支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが接合された状態を示した図である。図１０（Ｃ）は図８（Ａ）および図８（Ｂ）のＨ−Ｈ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。図１１は第１の実施形態の照明装置１００のＬＥＤパッケージ１０のＬＥＤ素子１−１のＬＥＤ素子基板１−１ａの発光面１−１ａ１内の位置（図１１のグラフの横軸）と輝度（図１１のグラフの縦軸）との関係などを示した図である。

第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１（図４参照）が、レンズ３１（図２および図３参照）のうち、例えば平凸シリンドリカルレンズなどのような投影レンズとしての機能を有する部分によって投影されるように、第１の実施形態の照明装置１００の光学系が設定されている。詳細には、第１の実施形態の照明装置１００では、図２（Ｄ）および図２（Ｅ）に示すように、例えば、ＬＥＤパッケージ１０がヒートシンク３２に搭載されている。また、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）に示すように、ヒートシンク３２とレンズ３１とが接続されている。更に、図１および図２に示すように、ＬＥＤパッケージ１０とレンズ３１とヒートシンク３２とによって構成される複数のランプユニット３３が、支柱４２に取り付けられたフレーム４１に接続され、第１の実施形態の照明装置１００が構成されている。つまり、第１の実施形態の照明装置１００は、例えば街路灯、スタジアム照明装置などに適用可能に構成されている。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、図４に示すように、例えば４個のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４と、支持基板２と、貫通穴４ａを有するケーシング４とが、ＬＥＤパッケージ１０に設けられている。詳細には、第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１と、ＬＥＤ素子１−２と、ＬＥＤ素子１−３と、ＬＥＤ素子１−４とが同様に構成されている。また、第１の実施形態の照明装置１００では、例えば、波長が４６０ｎｍの青色を発光するＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４が用いられ、ケーシング４の貫通穴４ａ内に例えば黄色味を帯びた例えばＹＡＧ系の蛍光体が充填されている。そのため、第１の実施形態の照明装置１００では、例えば、ＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４が発光すると、ケーシング４の貫通穴４ａ内の蛍光体が励起される。その結果、発光色が混色されて、白色を帯びた光がＬＥＤパッケージ１０から照射される。

第１の実施形態の照明装置１００では、４個のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４がＬＥＤパッケージ１０に設けられているが、第１の実施形態の照明装置１００の変形例では、代わりに、４個以外の任意の数のＬＥＤ素子をＬＥＤパッケージ１０に設けることも可能である。また、第１の実施形態の照明装置１００では、例えば１ｍｍ□のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４が用いられているが、第１の実施形態の照明装置１００の変形例では、代わりに、第１の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４とはサイズが異なるＬＥＤ素子を用いることも可能である。更に、第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４の相互の間隔が例えば１００μｍに設定されているが、第１の実施形態の照明装置１００の変形例では、代わりに、ＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４の相互の間隔を１００μｍ以外の任意の値に設定することも可能である。

また、第１の実施形態の照明装置１００では、図５（Ｃ）に示すように、例えば、ｐ側配線層２ａと、ｎ側配線層２ｂとが、例えばＳｉ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＡｌＯ_２などによって形成された支持基板２に設けられているが、第１の実施形態の照明装置１００の変形例では、代わりに、図５（Ｄ）に示すように、例えば、ｐ側配線層２ａと、ｎ側配線層２ｂとを、例えばＳｉ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＡｌＯ_２などによって形成された支持基板２に設けることも可能である。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、図７に示すように、例えば、ＬＥＤ素子基板１−１ａと、ｎ型半導体層１−１ｂと、発光層１−１ｃ１，１−１ｃ２，１−１ｃ３，１−１ｃ４，１−１ｃ５，１−１ｃ６，１−１ｃ７，１−１ｃ８，１−１ｃ９とが、ＬＥＤ素子１−１に設けられている。詳細には、例えば、図７（Ａ）に示すように、発光層１−１ｃ７，１−１ｃ８，１−１ｃ９に隣接してｐ型半導体層１−１ｄ７，１−１ｄ８，１−１ｄ９が形成され、図７（Ｂ）に示すように、発光層１−１ｃ４，１−１ｃ５，１−１ｃ６に隣接してｐ型半導体層１−１ｄ４，１−１ｄ５，１−１ｄ６が形成され、図７（Ｃ）に示すように、発光層１−１ｃ１，１−１ｃ２，１−１ｃ３に隣接してｐ型半導体層１−１ｄ１，１−１ｄ２，１−１ｄ３が形成されている。更に、例えば、図７（Ａ）に示すように、ｐ型半導体層１−１ｄ７，１−１ｄ８，１−１ｄ９に隣接してｐ側電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９が形成され、図７（Ｂ）に示すように、ｐ型半導体層１−１ｄ４，１−１ｄ５，１−１ｄ６に隣接してｐ側電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６が形成され、図７（Ｃ）に示すように、ｐ型半導体層１−１ｄ１，１−１ｄ２，１−１ｄ３に隣接してｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３が形成されている。つまり、第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１の発光層１−１ｃ１，１−１ｃ２，１−１ｃ３，１−１ｃ４，１−１ｃ５，１−１ｃ６，１−１ｃ７，１−１ｃ８，１−１ｃ９が発光すると、ＬＥＤ素子基板１−１ａの表面（図７の上側の表面）が発光面１−１ａ１として機能する。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、図７に示すように、例えば、ｎ側パッド電極１−１ｅと、ｎ側オーミック電極１−１ｆとが、ＬＥＤ素子１−１に設けられている。詳細には、第１の実施形態の照明装置１００では、図６（Ｂ）に示すように、例えば９個のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９が、例えば図６（Ｂ）の縦３列×図６（Ｂ）の横３列に配列されている。また、例えば４個のｎ側パッド電極１−１ｅが、ＬＥＤ素子１−１の例えば４隅に配置されている。第１の実施形態の照明装置１００では、９個のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９が図６（Ｂ）の縦３列×図６（Ｂ）の横３列に配列されているが、第１の実施形態の照明装置１００の変形例では、代わりに、９個より多いの任意の数のｐ側電極をＬＥＤ素子１−１に設け、図６（Ｂ）の縦４列以上になるように複数のｐ側電極を配列することも可能である。また、第１の実施形態の照明装置１００では、ｎ側パッド電極１−１ｅがＬＥＤ素子１−１の４隅に配置されているが、第１０の実施形態の照明装置１００の変形例では、代わりに、ｎ側パッド電極をＬＥＤ素子１−１の４隅以外の任意の位置に配置することも可能である。

また、第１の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図５（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図８（Ａ）および図９に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ１ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ２に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ２ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ３に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ３ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ４に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ４ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ５に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ５ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ６に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ６ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ７に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ７ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ８に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ８ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ９に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ９ａが形成されている。また、図８（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅに、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｎ１ａが形成されている。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図５（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図８（Ｂ）および図９に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａに、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ１ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ２ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ３ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ４ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ５ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ６ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ７ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ８ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ９ｂが形成されている。更に、図８（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂに、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｎ１ｂが形成されている。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、図１０に示すように、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１が、図５（Ｃ）に示す支持基板２に対してフリップチップ実装されている。詳細には、第１の実施形態の車両用前照灯１００では、図８および図１０に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ１ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ１ｂとが融着・接合され（図１０（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ２ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ２ｂとが融着・接合され（図１０（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ３ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ３ｂとが融着・接合され（図１０（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ４ａと支持基板２の２個のバンプ３ｐ４ｂとが融着・接合され（図１０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ５ａと支持基板２の２個のバンプ３ｐ５ｂとが融着・接合され（図１０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ６ａと支持基板２の２個のバンプ３ｐ６ｂとが融着・接合され（図１０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ７ａと支持基板２の１個のバンプ３ｐ７ｂとが融着・接合され（図１０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ８ａと支持基板２の１個のバンプ３ｐ８ｂとが融着・接合され（図１０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ９ａと支持基板２の１個のバンプ３ｐ９ｂとが融着・接合され（図１０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｎ１ａ（図８（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｎ１ｂ（図８（Ｂ）参照）とが融着・接合されている。

その結果、第１の実施形態の照明装置１００では、図１０に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂおよびバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図８（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図８（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図８（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ａ（図８（Ａ）参照）およびバンプ３ｎ１ｂ（図８（Ｂ）参照）を介して支持基板２（図８（Ｂ）参照）に電流が流れる。

同様に、第１の実施形態の照明装置１００では、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子１−２，１−３，１−４が支持基板２に対してフリップチップ実装されている。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１（図４参照）がレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）によって投影される。

ところで、仮に、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１（図４参照）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ１０が構成されている場合には、ランプユニット３３（図１、図２および図３参照）から照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）の明るさと、光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）の明るさと、光Ｌ３（図１および図３（Ｃ）参照）の明るさとが等しくなり、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置）が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置）よりも暗くなってしまい、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置）が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置）よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図４および図６参照）の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図８（Ａ）参照）から支持基板２（図８（Ｂ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ（図８（Ａ）参照）と、支持基板２（図８（Ｂ）参照）からＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図８（Ａ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図８（Ｂ）参照）とを接合することによって、ＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図８（Ａ）参照）と支持基板２（図８（Ｂ）参照）とが電気的および熱的に接続されている。

詳細には、第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図８（Ａ）参照）から支持基板２（図８（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図８（Ａ）参照）から支持基板２（図８（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ１を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図８（Ａ）参照）と支持基板２（図８（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ａ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ａ，３ｐ３ｂ（図８参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ１ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ａ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ａ，３ｐ３ｂの数）と、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図８（Ａ）参照）と支持基板２（図８（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ（図８参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂの数）とが異ならされている。

そのため、第１の実施形態の照明装置１００によれば、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）を発光する部分（図１１中のＦ−Ｆ線上の部分）の輝度を、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）を発光する部分（図１１中のＧ−Ｇ線上の部分）の輝度よりも高くすることができる。その結果、第１の実施形態の照明装置１００によれば、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置（図１参照））を、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））と同等に明るく照らすことができる。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図８（Ａ）参照）から支持基板２（図８（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図８（Ａ）参照）から支持基板２（図８（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図８（Ａ）参照）と支持基板２（図８（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ（図８参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂの数）と、ＬＥＤパッケージ１０から第３の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図８（Ａ）参照）と支持基板２（図８（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ａ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ａ，３ｐ９ｂ（図８参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ７ａ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ａ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ａ，３ｐ９ｂの数）とが異ならされている。

そのため、第１の実施形態の照明装置１００によれば、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）を発光する部分の輝度（図１１中のＧ−Ｇ線上の部分）を、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３（図１および図３（Ｃ）参照）を発光する部分（図１１中のＨ−Ｈ線上の部分）の輝度よりも高くすることができる。その結果、第１の実施形態の照明装置１００によれば、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））を、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置（図１参照））と同等に明るく照らすことができる。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、略同一の直径を有するバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図８、図９および図１０参照）が用いられている。そのため、第１の実施形態の照明装置１００によれば、個々のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂの直径が異ならされている場合よりも、照明装置１００全体の製造コストを削減することができる。

以下、本発明の照明装置の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態の照明装置１００は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様に構成されている。従って、第２の実施形態の照明装置１００によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様の効果を奏することができる。

図１２および図１３は第２の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されておらず、ｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない状態を示した図である。詳細には、図１２（Ａ）はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態を図１の左上側から見た図である。図１２（Ｂ）は支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されておらず、ｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない状態を図１の右下側から見た図である。図１３（Ａ）は図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）のＦ−Ｆ線に沿った概略的な断面図、図１３（Ｂ）は図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）のＧ−Ｇ線に沿った概略的な断面図、図１３（Ｃ）は図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）のＨ−Ｈ線に沿った概略的な断面図である。

図１４は第２の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが支持基板２のｐ側配線層２ａに接合された状態を示した図である。詳細には、図１４（Ａ）は図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）のＦ−Ｆ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａが支持基板２に接合された状態を示した図である。図１４（Ｂ）は図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）のＧ−Ｇ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａが支持基板２に接合された状態を示した図である。図１４（Ｃ）は図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）のＨ−Ｈ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが支持基板２に接合された状態を示した図である。

第１の実施形態の照明装置１００では、図８（Ｂ）および図９に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成されているが、第２の実施形態の照明装置１００では、図１２（Ｂ）および図１３に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されていない。また、第１の実施形態の照明装置１００では、図８（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成されているが、第２の実施形態の照明装置１００では、図１２（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、例えば超音波振動によって、図１０（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが融着・接合され、図１０（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａと支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが融着・接合され、図１０（Ｃ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｎ１ａ（図８（Ａ）参照）と支持基板２のバンプ３ｎ１ｂ（図８（Ｂ）参照）とが融着・接合されているが、第２の実施形態の照明装置１００では、図１２および図１４に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ１ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ２ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ３ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ４ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ５ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ６ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ７ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ８ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ９ａが支持基板２に融着・接合され（図１４（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｎ１ａ（図１２（Ａ）参照）が支持基板２に融着・接合されている。

その結果、第２の実施形態の照明装置１００では、図１４に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１２（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第２の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図１２（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図１２（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ａ（図１２（Ａ）参照）を介して支持基板２（図１２（Ｂ）参照）に電流が流れる。

第１の実施形態の照明装置１００では、図１０に示すように、ＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図８（Ａ）参照）から支持基板２の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとを接合することによってＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９と支持基板２とが電気的および熱的に接続されているが、第２の実施形態の照明装置１００では、図１４に示すように、ＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１２（Ａ）参照）から支持基板２の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａの接合によってＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９と支持基板２とが電気的および熱的に接続されている。

更に、第２の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図１２（Ａ）参照）から支持基板２（図１２（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１２（Ａ）参照）から支持基板２（図１２（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ１を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図１２（Ａ）参照）と支持基板２（図１２（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ（図１２（Ａ）参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａの数）と、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１２（Ａ）参照）と支持基板２（図１２（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ（図１２（Ａ）参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａの数）とが異ならされている。

また、第２の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１２（Ａ）参照）から支持基板２（図１２（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１２（Ａ）参照）から支持基板２（図１２（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１２（Ａ）参照）と支持基板２（図１２（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ（図１２（Ａ）参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａの数）と、ＬＥＤパッケージ１０から第３の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１２（Ａ）参照）と支持基板２（図１２（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ（図１２（Ａ）参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａの数）とが異ならされている。

更に、第２の実施形態の照明装置１００では、略同一の直径を有するバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ（図１２（Ａ）、図１３および図１４参照）が用いられている。

以下、本発明の照明装置の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態の照明装置１００は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様に構成されている。従って、第３の実施形態の照明装置１００によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様の効果を奏することができる。

図１５および図１６は第３の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されておらず、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。詳細には、図１５（Ａ）はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されておらず、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない状態を図１の左上側から見た図である。図１５（Ｂ）は支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を図１の右下側から見た図である。図１６（Ａ）は図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）のＦ−Ｆ線に沿った概略的な断面図、図１６（Ｂ）は図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）のＧ−Ｇ線に沿った概略的な断面図、図１６（Ｃ）は図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）のＨ−Ｈ線に沿った概略的な断面図である。

図１７は第３の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９が接合された状態を示した図である。詳細には、図１７（Ａ）は図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）のＦ−Ｆ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１と支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが接合された状態を示した図である。図１７（Ｂ）は図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）のＧ−Ｇ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１と支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが接合された状態を示した図である。図１７（Ｃ）は図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）のＨ−Ｈ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１と支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。

第１の実施形態の照明装置１００では、図８（Ａ）および図９に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成されているが、第３の実施形態の照明装置１００では、図１５（Ａ）および図１６に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されていない。また、第１の実施形態の照明装置１００では、図８（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅに、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｎ１ａが形成されているが、第３の実施形態の照明装置１００では、図１５（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない。

更に、第１の実施形態の照明装置１００では、例えば超音波振動によって、図１０（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが融着・接合され、図１０（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａと支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが融着・接合され、図１０（Ｃ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｎ１ａ（図８（Ａ）参照）と支持基板２のバンプ３ｎ１ｂ（図８（Ｂ）参照）とが融着・接合されているが、第３の実施形態の照明装置１００では、図１５および図１７に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ１ｂとが融着・接合され（図１７（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ２ｂとが融着・接合され（図１７（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ３ｂとが融着・接合され（図１７（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の２個のバンプ３ｐ４ｂとが融着・接合され（図１７（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の２個のバンプ３ｐ５ｂとが融着・接合され（図１７（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の２個のバンプ３ｐ６ｂとが融着・接合され（図１７（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の１個のバンプ３ｐ７ｂとが融着・接合され（図１７（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の１個のバンプ３ｐ８ｂとが融着・接合され（図１７（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の１個のバンプ３ｐ９ｂとが融着・接合され（図１７（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の４個のバンプ３ｎ１ｂ（図１５（Ｂ）参照）とが融着・接合されている。

その結果、第３の実施形態の照明装置１００では、図１７に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１５（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第３の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図１５（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図１５（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ｂ（図１５（Ｂ）参照）を介して支持基板２（図１５（Ｂ）参照）に電流が流れる。

第３の実施形態の照明装置１００では、図１７に示すように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１５（Ａ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂの接合によってＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１５（Ａ）参照）と支持基板２とが電気的および熱的に接続されている。

更に、第３の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図１５（Ａ）参照）から支持基板２（図１５（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１５（Ａ）参照）から支持基板２（図１５（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ１を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図１５（Ａ）参照）と支持基板２（図１５（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ（図１５（Ｂ）参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂの数）と、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１５（Ａ）参照）と支持基板２（図１５（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ（図１５（Ｂ）参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂの数）とが異ならされている。

また、第３の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１５（Ａ）参照）から支持基板２（図１５（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１５（Ａ）参照）から支持基板２（図１５（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１５（Ａ）参照）と支持基板２（図１５（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ（図１５（Ｂ）参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂの数）と、ＬＥＤパッケージ１０から第３の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１５（Ａ）参照）と支持基板２（図１５（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図１５（Ｂ）参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂの数）とが異ならされている。

以下、本発明の照明装置の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態の照明装置１００は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様に構成されている。従って、第４の実施形態の照明装置１００によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様の効果を奏することができる。

図１８および図１９は第４の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。詳細には、図１８（Ａ）は第４の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態を図１の左上側から見た図である。図１８（Ｂ）は第４の実施形態の照明装置１００の支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を図１の右下側から見た図である。図１９（Ａ）は図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）のＩ−Ｉ線に沿った概略的な断面図、図１９（Ｂ）は図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）のＪ−Ｊ線に沿った概略的な断面図、図１９（Ｃ）は図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）のＫ−Ｋ線に沿った概略的な断面図、図１９（Ｄ）は図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）のＬ−Ｌ線に沿った概略的な断面図である。

図２０は第４の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。詳細には、図２０（Ａ）は図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）のＩ−Ｉ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが接合された状態を示した図である。図２０（Ｂ）は図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）のＪ−Ｊ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが接合された状態を示した図である。図２０（Ｃ）は図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）のＫ−Ｋ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａと支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが接合された状態を示した図である。図２０（Ｄ）は図１８（Ａ）および図１８（Ｂ）のＬ−Ｌ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。

第４の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図５（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図１８（Ａ）および図１９に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ１ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ２に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ２ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ３に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ３ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ４に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ４ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ５に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ５ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ６に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ６ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ７に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ７ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ８に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ８ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ９に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ９ａが形成されている。また、図１８（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅに、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｎ１ａが形成されている。

更に、第４の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図５（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図１８（Ｂ）および図１９に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａに、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ１ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ２ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ３ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ４ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ５ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ６ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ７ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ８ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ９ｂが形成されている。更に、図１８（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂに、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｎ１ｂが形成されている。

更に、第４の実施形態の照明装置１００では、図２０に示すように、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１が、図５（Ｃ）に示す支持基板２に対してフリップチップ実装されている。詳細には、第４の実施形態の照明装置１００では、図１８および図２０に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ１ａと支持基板２の４個のバンプ３ｐ１ｂとが融着・接合され（図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ２ａと支持基板２の４個のバンプ３ｐ２ｂとが融着・接合され（図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ３ａと支持基板２の４個のバンプ３ｐ３ｂとが融着・接合され（図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ４ａと支持基板２の２個のバンプ３ｐ４ｂとが融着・接合され（図２０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ５ａと支持基板２の２個のバンプ３ｐ５ｂとが融着・接合され（図２０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ６ａと支持基板２の２個のバンプ３ｐ６ｂとが融着・接合され（図２０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ７ａと支持基板２の１個のバンプ３ｐ７ｂとが融着・接合され（図２０（Ｄ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ８ａと支持基板２の１個のバンプ３ｐ８ｂとが融着・接合され（図２０（Ｄ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ９ａと支持基板２の１個のバンプ３ｐ９ｂとが融着・接合され（図２０（Ｄ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｎ１ａ（図１８（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｎ１ｂ（図１８（Ｂ）参照）とが融着・接合されている。

その結果、第４の実施形態の照明装置１００では、図２０に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂおよびバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１８（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第４の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図１８（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図１８（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ａ（図１８（Ａ）参照）およびバンプ３ｎ１ｂ（図１８（Ｂ）参照）を介して支持基板２（図１８（Ｂ）参照）に電流が流れる。

更に、第４の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図１８（Ａ）参照）から支持基板２（図１８（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１８（Ａ）参照）から支持基板２（図１８（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ１を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図１８（Ａ）参照）と支持基板２（図１８（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ａ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ａ，３ｐ３ｂ（図１８参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ１ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ａ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ａ，３ｐ３ｂの数）と、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１８（Ａ）参照）と支持基板２（図１８（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ（図１８参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂの数）とが異ならされている。

また、第４の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１８（Ａ）参照）から支持基板２（図１８（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１８（Ａ）参照）から支持基板２（図１８（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図１８（Ａ）参照）と支持基板２（図１８（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ（図１８参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂの数）と、ＬＥＤパッケージ１０から第３の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図１８（Ａ）参照）と支持基板２（図１８（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ａ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ａ，３ｐ９ｂ（図１８参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ７ａ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ａ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ａ，３ｐ９ｂの数）とが異ならされている。

以下、本発明の照明装置の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態の照明装置１００は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様に構成されている。従って、第５の実施形態の照明装置１００によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２１および図２２は第５の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態などを示した図である。詳細には、図２１（Ａ）は第５の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態を図１の左上側から見た図である。図２１（Ｂ）は第５の実施形態の照明装置１００の支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を図１の右下側から見た図である。図２２（Ａ）は図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）のＭ−Ｍ線に沿った概略的な断面図、図２２（Ｂ）は図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）のＭ−Ｍ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ４ａ，３ｐ７ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ７ｂとが接合された状態を示した図である。

第５の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図５（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図２１（Ａ）および図２２（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ１ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ２に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ２ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ３に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ３ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ４に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ４ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ５に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ５ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ６に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ６ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ７に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ７ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ８に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ８ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ９に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ９ａが形成されている。また、図２１（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅに、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｎ１ａが形成されている。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図５（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図２１（Ｂ）および図２２（Ａ）に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａに、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ１ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ２ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ３ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ４ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ５ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ６ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ７ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ８ｂが形成され、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ９ｂが形成されている。更に、図２１（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂに、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｎ１ｂが形成されている。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、図２２（Ｂ）に示すように、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１が、図５（Ｃ）に示す支持基板２に対してフリップチップ実装されている。詳細には、第５の実施形態の照明装置１００では、図２１および図２２に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ１ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ１ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され（図２２（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ２ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ２ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ３ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ３ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ４ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の２個のバンプ３ｐ４ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され（図２２（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ５ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の２個のバンプ３ｐ５ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ６ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の２個のバンプ３ｐ６ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ７ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の１個のバンプ３ｐ７ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され（図２２（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ８ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の１個のバンプ３ｐ８ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ９ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の１個のバンプ３ｐ９ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｎ１ａ（図２１（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｎ１ｂ（図２１（Ｂ）参照）とが融着・接合されている。

詳細には、第５の実施形態の照明装置１００では、図２１および図２２に示すように、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ４ａ（図２１（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の１個のバンプ３ｐ４ｂ（図２１（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ４ａ（図２１（Ａ）参照）の間隔が設定されている。また、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ５ａ（図２１（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の１個のバンプ３ｐ５ｂ（図２１（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ５ａ（図２１（Ａ）参照）の間隔が設定されている。更に、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ６ａ（図２１（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の１個のバンプ３ｐ６ｂ（図２１（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ６ａ（図２１（Ａ）参照）の間隔が設定されている。また、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ７ａ（図２１（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の１個のバンプ３ｐ７ｂ（図２１（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ７ａ（図２１（Ａ）参照）の相互の間隔が設定されている。更に、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ８ａ（図２１（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の１個のバンプ３ｐ８ｂ（図２１（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ８ａ（図２１（Ａ）参照）の相互の間隔が設定されている。また、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ９ａ（図２１（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の１個のバンプ３ｐ９ｂ（図２１（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ９ａ（図２１（Ａ）参照）の相互の間隔が設定されている。

その結果、第５の実施形態の照明装置１００では、図２１および図２２に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂおよびバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２１（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第５の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図２１（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図２１（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ａ（図２１（Ａ）参照）およびバンプ３ｎ１ｂ（図２１（Ｂ）参照）を介して支持基板２（図２１（Ｂ）参照）に電流が流れる。

ところで、仮に、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１（図４参照）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ１０が構成されている場合には、ランプユニット３３（図１、図２および図３参照）から照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）の明るさと、光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）の明るさと、光Ｌ３（図１および図３（Ｃ）参照）の明るさとが等しくなり、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置）が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置）よりも暗くなってしまい、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置）が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置）よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、第５の実施形態の照明装置１００では、図２１および図２２に示すように、ＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２１（Ａ）参照）から支持基板２（図２１（Ｂ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ（図２１（Ａ）参照）と、支持基板２（図２１（Ｂ）参照）からＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２１（Ａ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図２１（Ｂ）参照）とを接合することによって、ＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２１（Ａ）参照）と支持基板２（図２１（Ｂ）参照）とが電気的および熱的に接続されている。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図２１（Ａ）参照）から支持基板２（図２１（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図２１（Ａ）参照）から支持基板２（図２１（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ１を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図２１（Ａ）参照）と支持基板２（図２１（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ａ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ａ，３ｐ３ｂ（図２１および図２２参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ１ａからバンプ３ｐ１ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、バンプ３ｐ２ａからバンプ３ｐ２ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、および、バンプ３ｐ３ａからバンプ３ｐ３ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ）と、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図２１（Ａ）参照）と支持基板２（図２１（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ（図２１および図２２参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａからバンプ３ｐ４ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、バンプ３ｐ５ａからバンプ３ｐ５ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、および、バンプ３ｐ６ａからバンプ３ｐ６ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ）とが異ならされている。

また、第５の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図２１（Ａ）参照）から支持基板２（図２１（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２１（Ａ）参照）から支持基板２（図２１（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図２１（Ａ）参照）と支持基板２（図２１（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ（図２１および図２２参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａからバンプ３ｐ４ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、バンプ３ｐ５ａからバンプ３ｐ５ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、および、バンプ３ｐ６ａからバンプ３ｐ６ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ）と、ＬＥＤパッケージ１０から第３の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２１（Ａ）参照）と支持基板２（図２１（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ａ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ａ，３ｐ９ｂ（図２１および図２２参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ７ａからバンプ３ｐ７ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、バンプ３ｐ８ａからバンプ３ｐ８ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、および、バンプ３ｐ９ａからバンプ３ｐ９ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ）とが異ならされている。

詳細には、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ１ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ１ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ１ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ１ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ１ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ１ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ１ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ１ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

また、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ２ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ２ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ２ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ２ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ２ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ２ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ２ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ２ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ３ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ３ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ３ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ３ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ３ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ３ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ３ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ３ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

また、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ４ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ４ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ４ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ４ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ４ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ４ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ４ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ４ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ５ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ５ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ５ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ５ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ５ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ５ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ５ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ５ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

また、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ６ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ６ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ６ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ６ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ６ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ６ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ６ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ６ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ７ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ７ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ７ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ７ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ７ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ７ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ７ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ７ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

また、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ８ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ８ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ８ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ８ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ８ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ８ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ８ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ８ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ９ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ９ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ９ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ９ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第５の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ９ａ（図２１および図２２参照）からバンプ３ｐ９ｂ（図２１および図２２参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ９ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ９ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、略同一の直径を有するバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図２１および図２２参照）が用いられている。そのため、第５の実施形態の照明装置１００によれば、個々のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂの直径が異ならされている場合よりも、照明装置１００全体の製造コストを削減することができる。

例えば図８〜図１０に示す例のように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ７ｂに対し、ＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ７から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ７ａが接合される場合には、バンプ３ｐ７ａ，３ｐ７ｂの先端が平面状ではなく概略球面状であるため、仮にＬＥＤ素子１−１と支持基板２との間隔が所望の値より大きくなった時に、図１０（Ｃ）に示す例とは異なり、概略球状面のバンプ３ｐ７ａの先端の最頂部と概略球状面のバンプ３ｐ７ｂの先端の最頂部とが点接触で接合されてしまい、十分な接合面積を確保できず、十分な接合強度を確保できなくなるおそれがある。

この点に鑑み、第５の実施形態の照明装置１００では、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）に示すように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ７ｂに対し、ＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ７から支持基板２の側に延びている複数のバンプ３ｐ７ａが接合されている。そのため、第５の実施形態の照明装置１００によれば、図９（Ｃ）および図１０（Ｃ）に示すように支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ７ｂに対しＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ７から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ７ａが接合されている第１の実施形態の照明装置１００よりも、バンプ３ｐ７ｂとバンプ３ｐ７ａとの機械的な接合強度を向上させることができ、ヒートショック環境などで熱応力がかかる場合における信頼性を向上させることができる。

同様に、第５の実施形態の照明装置１００では、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）に示すように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ８ｂに対し、ＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ８から支持基板２の側に延びている複数のバンプ３ｐ８ａが接合されている。そのため、第５の実施形態の照明装置１００によれば、図９（Ｃ）および図１０（Ｃ）に示すように支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ８ｂに対しＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ８から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ８ａが接合されている第１の実施形態の照明装置１００よりも、バンプ３ｐ８ｂとバンプ３ｐ８ａとの機械的な接合強度を向上させることができ、ヒートショック環境などで熱応力がかかる場合における信頼性を向上させることができる。

更に、第５の実施形態の照明装置１００では、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）に示すように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ９ｂに対し、ＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ９から支持基板２の側に延びている複数のバンプ３ｐ９ａが接合されている。そのため、第５の実施形態の照明装置１００によれば、図９（Ｃ）および図１０（Ｃ）に示すように支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ９ｂに対しＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ９から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ９ａが接合されている第１の実施形態の照明装置１００よりも、バンプ３ｐ９ｂとバンプ３ｐ９ａとの機械的な接合強度を向上させることができ、ヒートショック環境などで熱応力がかかる場合における信頼性を向上させることができる。

以下、本発明の照明装置の第６の実施形態について説明する。第６の実施形態の照明装置１００は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様に構成されている。従って、第６の実施形態の照明装置１００によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の照明装置１００とほぼ同様の効果を奏することができる。

図２３および図２４は第６の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態などを示した図である。詳細には、図２３（Ａ）は第６の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態を図１の左上側から見た図である。図２３（Ｂ）は第６の実施形態の照明装置１００の支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を図１の右下側から見た図である。図２４（Ａ）は図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）のＮ−Ｎ線に沿った概略的な断面図、図２４（Ｂ）は図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）のＮ−Ｎ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ４ａ，３ｐ７ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ７ｂとが接合された状態を示した図である。

第６の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図５（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図２３（Ａ）および図２４（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ１ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ２に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ２ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ３に、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ３ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ４に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ４ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ５に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ５ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ６に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ６ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ７に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ７ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ８に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ８ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ９に、例えば金バンプなどのような１個のバンプ３ｐ９ａが形成されている。また、図２３（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅに、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｎ１ａが形成されている。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図５（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図２３（Ｂ）および図２４（Ａ）に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａに、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ１ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ２ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ３ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ４ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ５ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ６ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ７ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ８ｂが形成され、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｐ９ｂが形成されている。更に、図２３（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂに、例えば金バンプなどのような４個のバンプ３ｎ１ｂが形成されている。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、図２４（Ｂ）に示すように、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１が、図５（Ｃ）に示す支持基板２に対してフリップチップ実装されている。詳細には、第６の実施形態の照明装置１００では、図２３および図２４に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ１ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ１ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され（図２４（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ２ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ２ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｐ３ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ３ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ４ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の３個のバンプ３ｐ４ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され（図２４（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ５ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ５ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ６ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の３個のバンプ３ｐ６ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ７ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ７ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され（図２４（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ８ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ８ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ９ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｐ９ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｎ１ａ（図２３（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｎ１ｂ（図２３（Ｂ）参照）とが融着・接合されている。

詳細には、第６の実施形態の照明装置１００では、図２３および図２４に示すように、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ４ａ（図２３（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の２個のバンプ３ｐ４ｂ（図２３（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、支持基板２の２個のバンプ３ｐ４ｂ（図２３（Ｂ）参照）の間隔が設定されている。また、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ５ａ（図２３（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の２個のバンプ３ｐ５ｂ（図２３（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、支持基板２の２個のバンプ３ｐ５ｂ（図２３（Ｂ）参照）の間隔が設定されている。更に、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ６ａ（図２３（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の２個のバンプ３ｐ６ｂ（図２３（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、支持基板２の２個のバンプ３ｐ６ｂ（図２３（Ｂ）参照）の間隔が設定されている。また、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ７ａ（図２３（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の４個のバンプ３ｐ７ｂ（図２３（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、支持基板２の４個のバンプ３ｐ７ｂ（図２３（Ｂ）参照）の相互の間隔が設定されている。更に、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ８ａ（図２３（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の４個のバンプ３ｐ８ｂ（図２３（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、支持基板２の４個のバンプ３ｐ８ｂ（図２３（Ｂ）参照）の相互の間隔が設定されている。また、ＬＥＤ素子１−１の１個のバンプ３ｐ９ａ（図２３（Ａ）参照）の先端部分と支持基板２の４個のバンプ３ｐ９ｂ（図２３（Ｂ）参照）の先端部分とが融着・接合されるように、支持基板２の４個のバンプ３ｐ９ｂ（図２３（Ｂ）参照）の相互の間隔が設定されている。

その結果、第６の実施形態の照明装置１００では、図２３および図２４に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂおよびバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２３（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第６の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図２３（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図２３（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ａ（図２３（Ａ）参照）およびバンプ３ｎ１ｂ（図２３（Ｂ）参照）を介して支持基板２（図２３（Ｂ）参照）に電流が流れる。

ところで、仮に、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１，１−２，１−３，１−４（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１（図４参照）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ１０が構成されている場合には、ランプユニット３３（図１、図２および図３参照）から照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）の明るさと、光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）の明るさと、光Ｌ３（図１および図３（Ｃ）参照）の明るさとが等しくなり、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置）が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置）よりも暗くなってしまい、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置）が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置）よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、第６の実施形態の照明装置１００では、図２３および図２４に示すように、ＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２３（Ａ）参照）から支持基板２（図２３（Ｂ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ（図２３（Ａ）参照）と、支持基板２（図２３（Ｂ）参照）からＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２３（Ａ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図２３（Ｂ）参照）とを接合することによって、ＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２３（Ａ）参照）と支持基板２（図２３（Ｂ）参照）とが電気的および熱的に接続されている。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置（光Ｌ１が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ１（図１および図３（Ａ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図２３（Ａ）参照）から支持基板２（図２３（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離より小さい第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図２３（Ａ）参照）から支持基板２（図２３（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第１の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ１を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３（図２３（Ａ）参照）と支持基板２（図２３（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ａ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ａ，３ｐ３ｂ（図２３および図２４参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ１ａからバンプ３ｐ１ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、バンプ３ｐ２ａからバンプ３ｐ２ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、および、バンプ３ｐ３ａからバンプ３ｐ３ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ）と、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図２３（Ａ）参照）と支持基板２（図２３（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ（図２３および図２４参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａからバンプ３ｐ４ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、バンプ３ｐ５ａからバンプ３ｐ５ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、および、バンプ３ｐ６ａからバンプ３ｐ６ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ）とが異ならされている。

また、第６の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２（Ｄ）、図２（Ｅ）および図４参照）のＬＥＤ素子１−１（図２（Ｅ）および図４参照）の発光面１−１ａ１（図４参照）のうち、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置（光Ｌ２が到達する位置（図１参照））にレンズ３１（図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）参照）を介して照射される光Ｌ２（図１および図３（Ｂ）参照）を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図２３（Ａ）参照）から支持基板２（図２３（Ｂ）参照）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離より小さい第３の距離の位置（光Ｌ３が到達する位置（図１参照））にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２３（Ａ）参照）から支持基板２（図２３（Ｂ）参照）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ１０から第２の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ２を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６（図２３（Ａ）参照）と支持基板２（図２３（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ（図２３および図２４参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ４ａからバンプ３ｐ４ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、バンプ３ｐ５ａからバンプ３ｐ５ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、および、バンプ３ｐ６ａからバンプ３ｐ６ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ）と、ＬＥＤパッケージ１０から第３の距離の位置にレンズ３１を介して照射される光Ｌ３を発光する部分の背面に位置する電極１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図２３（Ａ）参照）と支持基板２（図２３（Ｂ）参照）とを接続する複数のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ａ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ａ，３ｐ９ｂ（図２３および図２４参照）の配置（詳細には、バンプ３ｐ７ａからバンプ３ｐ７ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、バンプ３ｐ８ａからバンプ３ｐ８ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ、および、バンプ３ｐ９ａからバンプ３ｐ９ｂへの伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさ）とが異ならされている。

詳細には、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ１ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ１ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ１ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ１ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ１ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ１ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ１ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ１ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

また、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ２ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ２ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ２ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ２ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ２ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ２ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ２ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ２ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ３ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ３ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ３ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ３ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ３ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ３ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ３ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ３ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

また、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ４ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ４ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ４ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ４ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ４ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ４ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ４ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ４ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ５ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ５ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ５ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ５ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ５ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ５ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ５ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ５ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

また、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ６ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ６ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ６ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ６ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ６ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ６ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ６ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ６ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ７ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ７ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ７ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ７ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ７ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ７ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ７ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ７ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

また、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ８ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ８ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ８ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ８ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ８ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ８ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ８ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ８ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、バンプ３ｐ９ａ（図２３および図２４参照）からバンプ３ｐ９ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさが、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ９ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ９ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱経路の断面積が最少になる部分の断面積の大きさと等しくされている。つまり、第６の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ９ａ（図１２３および図２４参照）からバンプ３ｐ９ｂ（図２３および図２４参照）への伝熱量と、第４の実施形態の照明装置１００のバンプ３ｐ９ａ（図１８および図２０参照）からバンプ３ｐ９ｂ（図１８および図２０参照）への伝熱量とが等しくされている。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、略同一の直径を有するバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図２３および図２４参照）が用いられている。そのため、第６の実施形態の照明装置１００によれば、個々のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂの直径が異ならされている場合よりも、照明装置１００全体の製造コストを削減することができる。

また、第６の実施形態の照明装置１００では、図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）に示すように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている複数のバンプ３ｐ７ｂと、ＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ７から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ７ａとが接合されている。そのため、第６の実施形態の照明装置１００によれば、図９（Ｃ）および図１０（Ｃ）に示すように支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ７ｂとＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ７から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ７ａとが接合されている第１の実施形態の照明装置１００よりも、バンプ３ｐ７ｂとバンプ３ｐ７ａとの機械的な接合強度を向上させることができる。

同様に、第６の実施形態の照明装置１００では、図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）に示すように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている複数のバンプ３ｐ８ｂと、ＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ８から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ８ａとが接合されている。そのため、第６の実施形態の照明装置１００によれば、図９（Ｃ）および図１０（Ｃ）に示すように支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ８ｂとＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ８から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ８ａとが接合されている第１の実施形態の照明装置１００よりも、バンプ３ｐ８ｂとバンプ３ｐ８ａとの機械的な接合強度を向上させることができる。

更に、第６の実施形態の照明装置１００では、図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）に示すように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている複数のバンプ３ｐ９ｂと、ＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ９から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ９ａとが接合されている。そのため、第６の実施形態の照明装置１００によれば、図９（Ｃ）および図１０（Ｃ）に示すように支持基板２からＬＥＤ素子１−１の側に延びている１個のバンプ３ｐ９ｂとＬＥＤ素子１−１の電極１−１ｇ９から支持基板２の側に延びている１個のバンプ３ｐ９ａとが接合されている第１の実施形態の照明装置１００よりも、バンプ３ｐ９ｂとバンプ３ｐ９ａとの機械的な接合強度を向上させることができる。

以下、本発明の照明装置の第７の実施形態について説明する。図２５は第７の実施形態の照明装置１００の概略的な全体構成図である。図２６は第７の実施形態の照明装置１００の一部を構成するランプモジュール３３を概略的に示した図である。詳細には、図２６（Ａ）はランプモジュール３３を図２５の手前側から見た図、図２６（Ｂ）はランプモジュール３３を図２５の下側（図２６（Ａ）の下側）から見た図、図２６（Ｃ）はレンズ３１を取り外した状態におけるランプモジュール３３を図２５の下側から見た図である。図２６（Ｄ）は図２６（Ｂ）のａ−ａ線に沿った概略的な断面図、図２６（Ｅ）は図２６（Ｂ）のａ’−ａ’線に沿った概略的な断面図である。図２７はランプモジュール３３から照射される光Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６を説明するための図である。詳細には、図２７は図２６（Ｄ）に示す断面内を進む光Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６を示した図である。図２８はランプモジュール３３から照射される光Ｌ２，Ｌ５，Ｌ８を説明するための図である。詳細には、図２８は図２６（Ｅ）に示す断面内を進む光Ｌ２，Ｌ５，Ｌ８を示した図である。

図２９は図２６（Ｃ）に示すＬＥＤパッケージ１０のＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１等の拡大図である。図３０は図２９に示すケーシング４が取り付けられる前の状態におけるＬＥＤパッケージ１０の支持基板２等を示した図である。詳細には、図３０（Ａ）は支持基板２に対してＬＥＤ素子１−１がフリップチップ実装された状態におけるＬＥＤ素子１−１および支持基板２を図２５の下側から見た図である。図３０（Ｂ）は図３０（Ａ）のｂ−ｂ線に沿った概略的な断面図である。図３０（Ｃ）はＬＥＤ素子１−１がフリップチップ実装される前の状態における支持基板２を図２５の下側から見た図である。

図３１および図３２はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。詳細には、図３１（Ａ）はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態を図２５の上側から見た図である。図３１（Ｂ）は支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を図２５の下側から見た図である。図３２（Ａ）は図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）のｆ−ｆ線に沿った概略的な断面図、図３２（Ｂ）は図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）のｇ−ｇ線に沿った概略的な断面図、図３２（Ｃ）は図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）のｈ−ｈ線に沿った概略的な断面図である。

図３３はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。詳細には、図３３（Ａ）は図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）のｆ−ｆ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが接合された状態を示した図である。図３３（Ｂ）は図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）のｇ−ｇ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａと支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが接合された状態を示した図である。図３３（Ｃ）は図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）のｈ−ｈ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。図３４は図２９および図３０（Ａ）に示すＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１を図２６〜図２８に示すレンズ３１によって投影することにより形成される配光パターンＰを示した図である。

第７の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２９参照）のＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）が、レンズ３１（図２６参照）のうち、例えば平凸レンズなどのような投影レンズとしての機能を有する部分によって投影されるように、第７の実施形態の照明装置１００の光学系が設定されている。詳細には、第７の実施形態の照明装置１００では、図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）および図２６（Ｅ）に示すように、例えば、ＬＥＤパッケージ１０がヒートシンク３２に搭載されている。また、図２６（Ａ）、図２６（Ｂ）、図２６（Ｄ）および図２６（Ｅ）に示すように、ヒートシンク３２とレンズ３１とが接続され、ランプユニット３３が構成されている。更に、図２５および図２６に示すように、ＬＥＤパッケージ１０とレンズ３１とヒートシンク３２とによって構成される複数のランプユニット３３により、第７の実施形態の照明装置１００が構成されている。つまり、第７の実施形態の照明装置１００は、例えば屋内用照明装置、屋外用照明装置などに適用可能に構成されている。詳細には、図２５に示す例では、ＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）と、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１からの光Ｌ２，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ８（図２５、図２７および図２８参照）が照射される例えば床面、地面などのような照射面とが概略平行になるように、第７の実施形態の照明装置１００が配置されている。

更に、第７の実施形態の照明装置１００では、図２９に示すように、例えば１個のＬＥＤ素子１−１と、支持基板２と、貫通穴４ａを有するケーシング４とが、ＬＥＤパッケージ１０に設けられている。詳細には、第７の実施形態の照明装置１００では、第１の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１（図６および図７参照）と同様のＬＥＤ素子１−１が用いられている。

また、第７の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図３０（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図３１（Ａ）および図３２に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ１ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ２に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ２ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ３に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ３ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ４に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ４ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ５に、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ５ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ６に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ６ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ７に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ７ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ８に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ８ａが形成され、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ９に、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ９ａが形成されている。また、図３１（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅに、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｎ１ａが形成されている。

更に、第７の実施形態の照明装置１００では、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１を図３０（Ｃ）に示す支持基板２に実装するために、図３１（Ｂ）および図３２に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａに、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ１ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ２ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ３ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ４ｂが形成され、例えば金バンプなどのような２個のバンプ３ｐ５ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ６ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ７ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ８ｂが形成され、例えば金バンプなどのような３個のバンプ３ｐ９ｂが形成されている。更に、図３１（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂに、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｎ１ｂが形成されている。

更に、第７の実施形態の照明装置１００では、図３３に示すように、図６および図７に示すＬＥＤ素子１−１が、図３０（Ｃ）に示す支持基板２に対してフリップチップ実装されている。詳細には、第７の実施形態の車両用前照灯１００では、図３１および図３３に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ１ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ１ｂとが融着・接合され（図３３（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ２ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ２ｂとが融着・接合され（図３３（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ３ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ３ｂとが融着・接合され（図３３（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ４ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ４ｂとが融着・接合され（図３３（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ５ａと支持基板２の２個のバンプ３ｐ５ｂとが融着・接合され（図３３（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ６ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ６ｂとが融着・接合され（図３３（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ７ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ７ｂとが融着・接合され（図３３（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ８ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ８ｂとが融着・接合され（図３３（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ９ａと支持基板２の３個のバンプ３ｐ９ｂとが融着・接合され（図３３（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｎ１ａ（図３１（Ａ）参照）と支持基板２の４個のバンプ３ｎ１ｂ（図３１（Ｂ）参照）とが融着・接合されている。

その結果、第７の実施形態の照明装置１００では、図３３に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂおよびバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３１（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第７の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図３１（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図３１（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ａ（図３１（Ａ）参照）およびバンプ３ｎ１ｂ（図３１（Ｂ）参照）を介して支持基板２（図３１（Ｂ）参照）に電流が流れる。

更に、第７の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２９参照）のＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）がレンズ３１（図２６参照）によって投影される。

ところで仮に、ＬＥＤパッケージ１０（図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）全体が均一に発光するようにＬＥＤパッケージ１０が構成されている場合には、特許文献１（特開２０１０−０４０２４８号公報）の図１に記載された照明装置と同様に、配光パターン（照射領域）Ｐ（図３４参照）の周囲部分（ＬＥＤパッケージ１０から離れている位置）Ｐ２（図３４参照）が、配光パターン（照射領域）Ｐの中央部分（ＬＥＤパッケージ１０から近い位置）Ｐ１（図３４参照）よりも暗くなってしまう。

この点に鑑み、第７の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３１（Ａ）参照）から支持基板２（図３１（Ｂ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ（図３１（Ａ）参照）と、支持基板２（図３１（Ｂ）参照）からＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３１（Ａ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図３１（Ｂ）参照）とを接合することによって、ＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３１（Ａ）参照）と支持基板２（図３１（Ｂ）参照）とが電気的および熱的に接続されている。

詳細には、第７の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）の中央部分の背面に位置する電極１−１ｇ５（図３１（Ａ）参照）から支持基板２（図３１（Ｂ）参照）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の周囲部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３１（Ａ）参照）から支持基板２（図３１（Ｂ）参照）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の中央部分の背面に位置する電極１−１ｇ５（図３１（Ａ）参照）と支持基板２（図３１（Ｂ）参照）とを接続するバンプ３ｐ５ａ，３ｐ５ｂ（図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）参照）の配置と、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の周囲部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３１（Ａ）参照）と支持基板２（図３１（Ｂ）参照）とを接続するバンプ３ｐ１ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ａ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ａ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ａ，３ｐ４ｂ，３ｐ６ａ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ａ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ａ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ａ，３ｐ９ｂ（図３１（Ａ）および図３１（Ｂ）参照）の配置とが異ならされている。

そのため、第７の実施形態の照明装置１００によれば、ＬＥＤパッケージ１０（図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）の周囲部分の輝度を、ＬＥＤパッケージ１０の発光面１−１ａ１の中央部分の輝度よりも高くすることができる。

詳細には、第７の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）のうち、電極１−１ｇ２（図３１（Ａ）参照）の背面に位置する部分から照射される光Ｌ２（図２８（Ｃ）参照）が、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１のうち、電極１−１ｇ５（図３１（Ａ）参照）の背面に位置する部分から照射される光Ｌ５（図２５、図２７（Ｂ）および図２８（Ｂ）参照）よりも明るくなる。また、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１のうち、電極１−１ｇ４（図３１（Ａ）参照）の背面に位置する部分から照射される光Ｌ４（図２５および図２７（Ａ）参照）が、光Ｌ５（図２５、図２７（Ｂ）および図２８（Ｂ）参照）よりも明るくなる。更に、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１のうち、電極１−１ｇ６（図３１（Ａ）参照）の背面に位置する部分から照射される光Ｌ６（図２５および図２７（Ｃ）参照）が、光Ｌ５（図２５、図２７（Ｂ）および図２８（Ｂ）参照）よりも明るくなる。また、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１のうち、電極１−１ｇ８（図３１（Ａ）参照）の背面に位置する部分から照射される光Ｌ８（図２８（Ａ）参照）が、光Ｌ５（図２５、図２７（Ｂ）および図２８（Ｂ）参照）よりも明るくなる。更に、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１のうち、電極１−１ｇ１，１−１ｇ３，１−１ｇ７，１−１ｇ９（図３１（Ａ）参照）の背面に位置する部分から照射される光（図示せず）が、光Ｌ５（図２５、図２７（Ｂ）および図２８（Ｂ）参照）よりも明るくなる。

その結果、第７の実施形態の照明装置１００によれば、ＬＥＤパッケージ１０（図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）の周囲部分に対応する配光パターン（照射領域）Ｐ（図３４参照）の周囲部分Ｐ２（図３４参照）が、ＬＥＤパッケージ１０の発光面１−１ａ１の中央部分に対応する配光パターン（照射領域）Ｐの中央部分Ｐ１（図３４参照）よりも暗くなってしまうのを回避することができる。

更に、第７の実施形態の照明装置１００では、略同一の直径を有するバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図３１、図３２および図３３参照）が用いられている。そのため、第７の実施形態の照明装置１００によれば、個々のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ，３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂの直径が異ならされている場合よりも、照明装置１００全体の製造コストを削減することができる。

第７の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤパッケージ１０（図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２９参照）のＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）を投影するためにレンズ３１（図２６参照）が用いられているが、第７の実施形態の照明装置１００の変形例では、代わりに、例えば特開２００７−２０７７３５号公報の図１に記載されたピンホールを有する板材などのような投影レンズ以外の任意の投影部材を用いることにより、ＬＥＤパッケージ１０（図２６（Ｃ）、図２６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２９参照）のＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）を投影することも可能である。

以下、本発明の照明装置の第８の実施形態について説明する。第８の実施形態の照明装置１００は、後述する点を除き、上述した第７の実施形態の照明装置１００とほぼ同様に構成されている。従って、第８の実施形態の照明装置１００によれば、後述する点を除き、上述した第７の実施形態の照明装置１００とほぼ同様の効果を奏することができる。

図３５および図３６は第８の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されておらず、ｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない状態を示した図である。詳細には、図３５（Ａ）はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成され、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプ３ｎ１ａが形成された状態を図２５の上側から見た図である。図３５（Ｂ）は支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されておらず、ｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない状態を図２５の下側から見た図である。図３６（Ａ）は図３５（Ａ）および図３５（Ｂ）のｆ−ｆ線に沿った概略的な断面図、図３６（Ｂ）は図３５（Ａ）および図３５（Ｂ）のｇ−ｇ線に沿った概略的な断面図、図３６（Ｃ）は図３５（Ａ）および図３５（Ｂ）のｈ−ｈ線に沿った概略的な断面図である。

図３７は第８の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に形成されたバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが支持基板２のｐ側配線層２ａに接合された状態を示した図である。詳細には、図３７（Ａ）は図３５（Ａ）および図３５（Ｂ）のｆ−ｆ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａが支持基板２に接合された状態を示した図である。図３７（Ｂ）は図３５（Ａ）および図３５（Ｂ）のｇ−ｇ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａが支持基板２に接合された状態を示した図である。図３７（Ｃ）は図３５（Ａ）および図３５（Ｂ）のｈ−ｈ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが支持基板２に接合された状態を示した図である。

第７の実施形態の照明装置１００では、図３１（Ｂ）および図３２に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成されているが、第８の実施形態の照明装置１００では、図３５（Ｂ）および図３６に示すように、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプが形成されていない。また、第７の実施形態の照明装置１００では、図３１（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成されているが、第８の実施形態の照明装置１００では、図３５（Ｂ）に示すように、支持基板２のｎ側配線層２ｂにバンプが形成されていない。

更に、第７の実施形態の照明装置１００では、例えば超音波振動によって、図３３（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが融着・接合され、図３３（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａと支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが融着・接合され、図３３（Ｃ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｎ１ａ（図３１（Ａ）参照）と支持基板２のバンプ３ｎ１ｂ（図３１（Ｂ）参照）とが融着・接合されているが、第８の実施形態の照明装置１００では、図３５および図３７に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ１ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ２ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ３ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ４ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の２個のバンプ３ｐ５ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ６ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ７ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ８ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の３個のバンプ３ｐ９ａが支持基板２に融着・接合され（図３７（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１の４個のバンプ３ｎ１ａ（図３５（Ａ）参照）が支持基板２に融着・接合されている。

その結果、第８の実施形態の照明装置１００では、図３７に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３５（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第８の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図３５（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図３５（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ａ（図３５（Ａ）参照）を介して支持基板２（図３５（Ｂ）参照）に電流が流れる。

第７の実施形態の照明装置１００では、図３３に示すように、ＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３１（Ａ）参照）から支持基板２の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとを接合することによってＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９と支持基板２とが電気的および熱的に接続されているが、第８の実施形態の照明装置１００では、図３７に示すように、ＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３５（Ａ）参照）から支持基板２の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａの接合によってＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９と支持基板２とが電気的および熱的に接続されている。

更に、第８の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）の中央部分の背面に位置する電極１−１ｇ５（図３５（Ａ）参照）から支持基板２（図３５（Ｂ）参照）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の周囲部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３５（Ａ）参照）から支持基板２（図３５（Ｂ）参照）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の中央部分の背面に位置する電極１−１ｇ５（図３５（Ａ）参照）と支持基板２（図３５（Ｂ）参照）とを接続するバンプ３ｐ５ａ（図３５（Ａ）参照）の配置と、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の周囲部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３５（Ａ）参照）と支持基板２（図３５（Ｂ）参照）とを接続するバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ（図３５（Ａ）参照）の配置とが異ならされている。

また、第８の実施形態の照明装置１００では、略同一の直径を有するバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ（図３５（Ａ）、図３６および図３７参照）が用いられている。

以下、本発明の照明装置の第９の実施形態について説明する。第９の実施形態の照明装置１００は、後述する点を除き、上述した第７の実施形態の照明装置１００とほぼ同様に構成されている。従って、第９の実施形態の照明装置１００によれば、後述する点を除き、上述した第７の実施形態の照明装置１００とほぼ同様の効果を奏することができる。

図３８および図３９は第９の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されておらず、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない状態、および、支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を示した図である。詳細には、図３８（Ａ）はＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されておらず、ｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない状態を図２５の上側から見た図である。図３８（Ｂ）は支持基板２のｐ側配線層２ａにバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂが形成され、ｎ側配線層２ｂにバンプ３ｎ１ｂが形成された状態を図２５の下側から見た図である。図３９（Ａ）は図３８（Ａ）および図３８（Ｂ）のｆ−ｆ線に沿った概略的な断面図、図３９（Ｂ）は図３８（Ａ）および図３８（Ｂ）のｇ−ｇ線に沿った概略的な断面図、図３９（Ｃ）は図３８（Ａ）および図３８（Ｂ）のｈ−ｈ線に沿った概略的な断面図である。

図４０は第９の実施形態の照明装置１００のＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に、支持基板２のｐ側配線層２ａに形成されたバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９が接合された状態を示した図である。詳細には、図４０（Ａ）は図３８（Ａ）および図３８（Ｂ）のｆ−ｆ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１と支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが接合された状態を示した図である。図４０（Ｂ）は図３８（Ａ）および図３８（Ｂ）のｇ−ｇ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１と支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが接合された状態を示した図である。図４０（Ｃ）は図３８（Ａ）および図３８（Ｂ）のＨ−Ｈ線に沿った断面内におけるＬＥＤ素子１−１と支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが接合された状態を示した図である。

第７の実施形態の照明装置１００では、図３１（Ａ）および図３２に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９に、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａが形成されているが、第９の実施形態の照明装置１００では、図３８（Ａ）および図３９に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９にバンプが形成されていない。また、第７の実施形態の照明装置１００では、図３１（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅに、例えば金バンプなどのようなバンプ３ｎ１ａが形成されているが、第９の実施形態の照明装置１００では、図３８（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のｎ側パッド電極１−１ｅにバンプが形成されていない。

更に、第７の実施形態の照明装置１００では、例えば超音波振動によって、図３３（Ａ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａと支持基板２のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂとが融着・接合され、図３３（Ｂ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａと支持基板２のバンプ３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂとが融着・接合され、図３３（Ｃ）に示すように、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａと支持基板２のバンプ３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂとが融着・接合され、ＬＥＤ素子１−１のバンプ３ｎ１ａ（図３１（Ａ）参照）と支持基板２のバンプ３ｎ１ｂ（図３１（Ｂ）参照）とが融着・接合されているが、第９の実施形態の照明装置１００では、図３８および図４０に示すように、例えば超音波振動によって、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ１ｂとが融着・接合され（図４０（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ２ｂとが融着・接合され（図４０（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ３ｂとが融着・接合され（図４０（Ａ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ４ｂとが融着・接合され（図４０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の２個のバンプ３ｐ５ｂとが融着・接合され（図４０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ６ｂとが融着・接合され（図４０（Ｂ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ７ｂとが融着・接合され（図４０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ８ｂとが融着・接合され（図４０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の３個のバンプ３ｐ９ｂとが融着・接合され（図４０（Ｃ）参照）、ＬＥＤ素子１−１と支持基板２の４個のバンプ３ｎ１ｂ（図３８（Ｂ）参照）とが融着・接合されている。

その結果、第９の実施形態の照明装置１００では、図４０に示すように、支持基板２からバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂを介してＬＥＤ素子１−１のｐ側電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３８（Ａ）参照）に電流が流れる。また、第９の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図３８（Ａ）参照）のｎ側パッド電極１−１ｅ（図３８（Ａ）参照）からバンプ３ｎ１ｂ（図３８（Ｂ）参照）を介して支持基板２（図３８（Ｂ）参照）に電流が流れる。

第９の実施形態の照明装置１００では、図４０に示すように、支持基板２からＬＥＤ素子１−１の複数の電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３８（Ａ）参照）の側に延びている略同一の直径を有する複数のバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂの接合によってＬＥＤ素子１−１の各電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３８（Ａ）参照）と支持基板２とが電気的および熱的に接続されている。

更に、第９の実施形態の照明装置１００では、ＬＥＤ素子１−１（図６、図７、図２６（Ｃ）および図２９参照）の発光面１−１ａ１（図６（Ａ）、図７および図２９参照）の中央部分の背面に位置する電極１−１ｇ５（図３８（Ａ）参照）から支持基板２（図３８（Ｂ）参照）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の周囲部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３８（Ａ）参照）から支持基板２（図３８（Ｂ）参照）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の中央部分の背面に位置する電極１−１ｇ５（図３８（Ａ）参照）と支持基板２（図３８（Ｂ）参照）とを接続するバンプ３ｐ５ｂ（図３８（Ｂ）参照）の配置と、ＬＥＤ素子１−１の発光面１−１ａ１の周囲部分の背面に位置する電極１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９（図３８（Ｂ）参照）と支持基板２（図３８（Ｂ）参照）とを接続するバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図３８（Ｂ）参照）の配置とが異ならされている。

また、第９の実施形態の照明装置１００では、略同一の直径を有するバンプ３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ（図３８（Ｂ）、図３９および図４０参照）が用いられている。

第１０の実施形態では、上述した第１から第９の実施形態およびそれらの変形例を適宜組み合わせることも可能である。

１−１，１−２，１−３，１−４ ＬＥＤ素子
１−１ａ１，１−２ａ１ 発光面
１−３ａ１，１−４ａ１ 発光面
１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３ 電極
１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６ 電極
１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９ 電極
２ 支持基板
３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ バンプ
３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ バンプ
３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ バンプ
３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ バンプ
３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ バンプ
３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ バンプ
１０ ＬＥＤパッケージ
３１ レンズ
１００ 照明装置

Claims (8)

1. ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）をレンズ（３１）によって投影する照明装置（１００）において、
   発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
   支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設け、
   ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）と、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）とを接合することによってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
   ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ）および複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ）および複数の支持基板側バンプ（３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）。
2. ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）をレンズ（３１）によって投影する照明装置（１００）において、
   発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
   支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設け、
   ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の接合によってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
   ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の素子側バンプ（３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）。
3. ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）をレンズ（３１）によって投影する照明装置（１００）において、
   発光面（１−１ａ１，１−２ａ１，１−３ａ１，１−４ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）と、ＬＥＤ素子（１−１，１−２，１−３，１−４）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
   支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設け、
   支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の接合によってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
   ＬＥＤパッケージ（１０）のＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）のうち、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）から支持基板（２）への伝熱量が、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離より小さい第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）から支持基板（２）への伝熱量よりも大きくなるように、ＬＥＤパッケージ（１０）から第１の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ１）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３）と支持基板（２）とを接続する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ）の配置と、ＬＥＤパッケージ（１０）から第２の距離の位置にレンズ（３１）を介して照射される光（Ｌ２）を発光する部分の背面に位置する電極（１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６）と支持基板（２）とを接続する複数の支持基板側バンプ（３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）。
4. 支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の側に延びている１個の支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）に対し、ＬＥＤ素子（１−１）の電極（１−１ｇ７）から支持基板（２）の側に延びている複数の素子側バンプ（３ｐ７ａ）を接合したことを特徴とする請求項１に記載の照明装置（１００）。
5. 支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の側に延びている複数の支持基板側バンプ（３ｐ７ｂ）に対し、ＬＥＤ素子（１−１）の電極（１−１ｇ７）から支持基板（２）の側に延びている１個の素子側バンプ（３ｐ７ａ）を接合したことを特徴とする請求項１に記載の照明装置（１００）。
6. ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）を投影する照明装置（１００）において、
   発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
   支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設けると共に、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）を発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置し、
   ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）と、支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）とを接合することによってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
   ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ５ａ）および支持基板側バンプ（３ｐ５ｂ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）および支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）。
7. ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）を投影する照明装置（１００）において、
   発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
   支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設けると共に、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）を発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置し、
   ＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）の側に延びている略同一の直径を有する複数の素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ５ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の接合によってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
   ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ５ａ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する素子側バンプ（３ｐ１ａ，３ｐ２ａ，３ｐ３ａ，３ｐ４ａ，３ｐ６ａ，３ｐ７ａ，３ｐ８ａ，３ｐ９ａ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）。
8. ＬＥＤパッケージ（１０）の発光面（１−１ａ１）を投影する照明装置（１００）において、
   発光面（１−１ａ１）を有するＬＥＤ素子（１−１）と、ＬＥＤ素子（１−１）を支持する支持基板（２）とをＬＥＤパッケージ（１０）に設け、
   支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）に電流を供給するための複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）をＬＥＤ素子（１−１）に設けると共に、複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）を発光面（１−１ａ１）の反対側の面に配置し、
   支持基板（２）からＬＥＤ素子（１−１）の複数の電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）の側に延びている略同一の直径を有する複数の支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ５ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の接合によってＬＥＤ素子（１−１）の各電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ５，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを電気的および熱的に接続し、
   ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）から支持基板（２）への伝熱量よりも、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）から支持基板（２）への伝熱量が大きくなるように、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の中央部分の背面に位置する電極（１−１ｇ５）と支持基板（２）とを接続する支持基板側バンプ（３ｐ５ｂ）の配置と、ＬＥＤ素子（１−１）の発光面（１−１ａ１）の周囲部分の背面に位置する電極（１−１ｇ１，１−１ｇ２，１−１ｇ３，１−１ｇ４，１−１ｇ６，１−１ｇ７，１−１ｇ８，１−１ｇ９）と支持基板（２）とを接続する支持基板側バンプ（３ｐ１ｂ，３ｐ２ｂ，３ｐ３ｂ，３ｐ４ｂ，３ｐ６ｂ，３ｐ７ｂ，３ｐ８ｂ，３ｐ９ｂ）の配置とを異ならせたことを特徴とする照明装置（１００）。

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