JP2011237550A - 反応現像画像形成法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、特定構造のポリエステル系樹脂及びジアゾナフトキノンなどの光酸発生剤を含むフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクし、このパターン面に紫外線を照射して、テトラ置換アンモニウムヒドロキシド、低分子アルコール及び水を含む溶媒から成る液体を用いて現像する。
【選択図】なし
Description
ミクロ電子工学の半導体集積部品の製造において回路構造を作るために半導体基材はフォトレジストで被覆される。フォトレジスト層の画像形成露光及びこれに続く現像はフォトレジストレリーフ構造を作り出す。このレリーフ構造は半導体基材上に、金属又は他の半導体又は絶縁基材を用いたエッチング−ドーピング、被覆により実際の回路パターンを作るためのマスクとして使用される。その後、フォトレジストマスクは通常除かれる。複数のかかる加工サイクルを用いてマイクロチップのレリーフ構造は基材に形成される。
異なる2種のフォトレジスト、即ちポジ型レジストとネガ型レジストが知られている。2種の違うところはポジ型フォトレジストの露光域は現像プロセスにより除去され、未露光域が基材上に層として残る。一方、ネガ型作用フォトレジストの照射域はレリーフ構造として残ることにある。
本発明者らは、既に、ヘテロ原子に結合したカルボニル基(C=O)を主鎖に有する樹脂を用いて、ポジ型フォトレジストを行うために「反応現像画像形成法」という手段を開発した(特許文献1、非特許文献1)。
本発明者らは、この「反応現像画像形成法」を改良して、ネガ型フォトレジストを効率的に製造することができる方法を開発した(特許文献2)。
及び少なくとも1種の下記構造式
このポリエステル系樹脂は、少なくとも1種の繰返し単位(1)及び少なくとも1種の繰返し単位(2)から成る。この重合体はブロックであってもランダムであってもよい。
このXは、具体的には、分子量が100以上であって、下記いずれかの2価の基である。この2価の基は、−C(R5R6)−(但し、R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基を表す。)、置換基を有していてもよい炭素数5〜12のシクロアルキリデン基、置換基を有していてもよい9,9'−フルオレニリデン基、置換基を有していてもよい1,8−メンタンジイル基、置換基を有していてもよい2,8−メンタンジイル基、置換基を有していてもよいピラジリデン基、置換基を有していてもよいフタリジル基、置換基を有していてもよい炭素数6〜12のアリーレン基、又は−C(CH3)2−ph−C(CH3)2−(但し、phはフェニレン基を表す。)であり、より耐熱性に優れていることから、好ましくは、−C(R5R6)−(但し、R5及びR6は上記と同様である。)、9,9'−フルオレニリデン基である。置換基としては、アルキル基、例えば、炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシル基、例えば、炭素数1〜6のアルコキシル基、アリール基、例えば、炭素数6〜12のアリール基、アラルキル基又はアリール置換アルケニル基、例えば、炭素数7〜13のアラルキル基又はアリール置換アルケニル基、フルオロアルキル基、例えば、炭素数1〜6のフルオロアルキル基、及びハロゲン原子、例えば、フッ素等、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基、例えば、メチル基、炭素数6〜12のアリール基、例えばフェニル基、及びハロゲン原子が挙げられる。
この炭素数1〜6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、i−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基などが挙げられる。また、炭素数6〜12のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、トリフェニル基、ナフチル基などが挙げられ、炭素数7〜13のアリール置換アルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。さらに、炭素数1〜6のフルオロアルキル基としては、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。
そして、この一般式(1)におけるm及びnは、それぞれ独立して、0すなわち水素原子であってもよいし、1〜4個の上記置換基を有していてもよい。このm及びnについては、0〜2であるものがより好ましい。
このYは、具体的には、分子量が100未満であって、下記いずれかの2価の基である。この2価の基は、単結合、−O−、−CO−、−S−、−SO−、−SO2−、−C(R7R8)−(但し、R7及びR8は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基又はトリフルオロメチル基を表す。ただし、R7とR8の組み合わせのうち、−C(R7R8)−の分子量が100未満のものに限られる。)、置換若しくは無置換の炭素数5〜7のシクロアルキリデン基、置換若しくは無置換のピラジリデン基、又は置換若しくは無置換のフェニレン基、好ましくは単結合又は−C(R7R8)−(但し、R7及びR8は、炭素数1〜6のアルキル基、特にメチル基を表す。)である。置換基としては、Xについて記載したものが挙げられる。
そして、Yが表わす2価の基としては、−C(R7R8)−(ただし、R7及びR8は上記と同様に定義される。)、置換若しくは無置換のシクロアルキリデン基であるものが、より耐熱性に優れていることから好ましい。
Zは上記と同様である。
このハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられる。そして、炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、炭素数1〜12のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、i−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基などが挙げられる。また、炭素数6〜12のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、トリフェニル基、ナフチル基などが挙げられ、炭素数7〜13のアリール置換アルケニル基としては、ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、シンナミル基などが挙げられる。さらに、炭素数1〜12のフルオロアルキル基としては、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。これら各種の置換基の中でも、メチル基、エチル基、シクロヘキシル基、フェニル基などが好ましいものとして挙げられる。
o及びpは、それぞれ独立して、0であってもよいし、1〜4個の上記置換基を有していてもよい。このo及びpについては、0〜2であるものがより好ましい。
また、繰返し単位(1)又は(1)'及び(2)又は(2)'は、それぞれ1種であっても、2種以上であってもよいが、好ましくは1種である。
本願発明で用いるポリエステル系樹脂の分子量は通常約10,000〜50,000程度である。
このアニオン再生剤は、現像時に現像液中のヒドロキシルアニオンにより、マイケル付加、水素引き抜き、又は求核攻撃を受けアニオン性化合物を生成し、さらにプリベーク時に揮発せず膜中に残存することが好ましい。
このアニオン再生剤は、下記のいずれかの化合物である。
(1)下式で表される構造を有する化合物:
これらの式中、R9は、それぞれ独立して、水素原子、脂肪族基又は芳香族基、好ましくは芳香族基、より好ましくはフェニル基を表す。脂肪族基としては、メチル基、プロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基などのアルキル基が挙げられる。
R10−CONHR9
又は
R10−COCH(R9)2
式中、R10は、それぞれ独立して、脂肪族基又は芳香族基を表す。脂肪族基としては、ブチル基、イソブチル基、ヘキシル基などのアルキル基が挙げられ、芳香族基としては、フェニル基、フェニレン基などが挙げられる。
R9は上記と同様に定義される。
Qは酸素原子(−O−)又は硫黄原子(−S−)を表す。
CH(R12)2C(R9)2OCO−N(R9)2
式中、R12の少なくとも一方は電子求引基を表し、その他は水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表す。脂肪族基としてはアルキル基、芳香族基としては、フェニル基、フェニレン基などが挙げられる。電子求引基としては、フルオレニル基、有機スルホキシド基、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カルボニル基、アミド基、ピリジル基、好ましくは、フルオレニル基が挙げられる。芳香族基としては、フェニル基、フェニレン基などが挙げられる。
R9は上記と同様に定義される。
光酸発生剤はフォトレジスト中に全固形含量に対して5〜50重量%、好ましくは10〜40重量%、より好ましくは15〜30重量%用いられる。
本発明のフォトレジストはそれ自身公知の方法により成分を溶剤又は溶剤混合物中に混合又は溶解することにより配合される。一旦成分は溶液中に溶解され、得られたフォトレジスト溶液は0.1〜1μmの細孔を有するろ過膜を用いて、ろ過してもよい。
基板上への被覆は通常、浸漬、噴霧、ロール塗り又はスピンコーティングによって行われる。生じた層の厚さはフォトレジスト溶液の粘度、固形分含量及びスピンコーティング速度に依存する。本発明のフォトレジストは0.1〜500μm、好ましくは1〜100μmの層厚を持つ層及びレリーフ構造を作ることができる。多層回路における薄層は一時の間に合わせのフォトレジストとして又は絶縁層として1〜50μmにすることができる。
フォトレジストを基材に塗布した後、これに普通50〜120℃の温度範囲で予備乾燥させる。オーブン又は加熱プレートを使用できる。オーブン中での乾燥時間は5〜60分である。
普通、輻射は紫外線ランプを用いて行われる。市販で入手できる輻射装置、例えば接触又は非接触露光機、走査投光型露光装置又はウエハステッパーを使用することが好ましい。
本発明で用いる現像液は、テトラ置換アンモニウムヒドロキシド、低分子アルコール及び水を含む溶媒から成る。
このテトラ置換アンモニウムヒドロキシドは、現像液中のアルコール成分をアルコキシドにさせる。
このテトラ置換アンモニウムヒドロキシドは、下式で表される。
NR'4OH
式中、R'は、それぞれ同じであっても異なってもよく、炭化水素基、好ましくはアルキル基、より好ましくは炭素数が1〜3のアルキル基を表す。
好ましいテトラ置換アンモニウムヒドロキシドとしては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。
現像後、適当な溶媒で洗浄してもよい。
本発明のネガ型フォトレジストは0.1〜500μm、好ましくは1〜100μmの層厚を有するポリマー被膜及び鋭い輪郭丸みを付けられたれレリーフ構造をとることができる。
現像液中に、上記照射後の塗布膜を浸漬又は超音波処理した後、純水で洗浄し、赤外線ランプで乾燥後、解像度を観察した。いくつかの実施例においては、形成したフォトレジストをSEM(日本電子製、走査型電子顕微鏡:JSM-6390LV、加速電圧:1.2kV)により観察した。
フッ素樹脂製板付きのガラス製攪拌棒、温度計、滴下ロートを備えた四つ口フラスコに、ビスフェノールA(東京化成工業(株)製)2.85 g(12.5 mmol)及び9,9-ビス(4-ヒドロキシフェニル)フルオレン(東京化成工業(株)製)13.14 g(37.5 mmol)を1,2-ジクロロエタン80 mlに加えゆっくりと撹拌し、トリエチルアミンを14 mlを加えたのちに、氷浴下でフラスコ内を10℃に保ち一時間撹拌を続けた。その後、塩化テレフタロイル(東京化成工業(株)製)5.08 g(25 mmol)及び塩化イソフタロイル5.08 g(25 mmol)を20 mlの1,2-ジクロロエタンに溶解させた溶液を滴下ロートを用いて滴下し、氷浴下で120分間反応させた。この時フラスコ内の温度は10℃に保った。得られた混合物をメタノール1.5 Lに滴下し、一晩静置したのちに沈殿物をろ過し、75℃で一晩減圧乾燥し粗生成物を得た。この生成物を温めたDMFに溶解したのちに室温にまで冷却し、析出した沈殿物をろ過により取り除いたのちに、溶液を1.5Lのメタノールに滴下した。一晩静置したのちに沈殿物をろ過し、120℃で一晩減圧乾燥することにより、下式に示すポリアリレート共重合体PAr-FL-A (75:25)を収率89%で得た。
なお、このポリアリレートを1H-NMRスペクトルにより分析したところ、式中のm : nの比は仕込み比通り75 : 25であった。また、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(東ソー(株)製、GPC-8020システム、ポリスチレン標準)により、得られたポリマーの分子量を測定したところ、数平均分子量が27,000であり、多分散度は1.6であった。
N-メチルピロリドン(NMP)4.8gにPAr-FL-A (75:25) 1.0gを添加して溶解させた後、光酸発生剤としてジアゾナフトキノン系感光剤PC-5(R)(東洋合成製、1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸-p-クレゾールエステル)0.2g、を添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した。この溶液を35μmの電解銅箔上(マット面)にスピンコート法(500rpm/10sec + 700rpm/20sec)にて塗布し、遠赤外線熱風循環式乾燥機でプリベーク(90℃/10min)後、膜厚11.3μmの感光性ポリアリレート被塗膜を得た。
これにPET製のフォトマスクを介して、紫外線露光機(オーク社製)によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。
露光後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)/水/エタノール=0.1/0.9/2.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は10分26秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで25μmであり、露光部の残膜率は72%であった。このフォトレジストのSEM写真を図1(1)に示す。
実施例1と同様の操作により得た感光性PAr被塗膜(膜厚11.4μm)に、実施例1と同様の方法及び露光量で露光を行った。
露光後、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/3.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は7分28秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで15μmであり、露光部の残膜率は75%であった。このフォトレジストのSEM写真を図1(2)に示す。
NMP4.8gに、上記化学式(化12)においてビスフェノールA構造含有ユニットが存在しないポリアリレート(PAr-FL-A (100:0)、m:n = 100:0、数平均分子量19,000) 1.0gを添加して溶解させた後、感光剤PC-5(R)0.2gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した。実施例1と同様の操作でスピンコート、プリベークし、膜厚9.8μmの感光性ポリアリレート被塗膜を得た。その後、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。
露光済みのポリアリレート被塗膜を、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/2.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は9分であった。解像度はラインアンドスペースパターンで25μmであり、露光部の残膜率は66%であった。このフォトレジストのSEM写真を図1(3)に示す。
実施例3と同様の操作により得た感光性PAr被塗膜(膜厚10.7μm)に、実施例3と同様の方法及び露光量で露光を行った。
露光後、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/3.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は9分であった。解像度はラインアンドスペースパターンで40μmであり、露光部の残膜率は64%であった。このフォトレジストのSEM写真を図1(4)に示す。
NMP4.8gに、ポリアリレート(PAr-FL-A (100:0))、m:n = 100:0、数平均分子量19,000) 1.0gを添加して溶解させた後、感光剤PC-5(R)0.2gとN-フェニルマレイミド(以下「PMI」という) 0.2gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した。実施例1と同様の操作でスピンコート、プリベークし、膜厚8.5μmの感光性ポリアリレート被塗膜を得た。その後、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。
露光済みのポリアリレート被塗膜を、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/3.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は5分9秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで15μmであり、露光部の残膜率は87%であった。このフォトレジストのSEM写真を図2(5)に示す。
実施例5と同様の操作により得た感光性PI被塗膜にPET製のフォトマスクを介して、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は300mJ/cm2であった。その後、実施例5と同様の操作により現像を行った。このときの現像時間は6分54秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで10μmであり、残膜率は84%であった。このフォトレジストのSEM写真を図2(6)に示す。
NMP4.8gに、ポリアリレートPAr-FL-A (50:50)(上記化学式(化12)におけるm:n = 50:50のポリアリレート、数平均分子量14,000) 1.0gを添加して溶解させた後、感光剤PC-5(R)0.2gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した。実施例1と同様の操作でスピンコート、プリベークし、膜厚9.2μmの感光性ポリアリレート被塗膜を得た。その後、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。
露光済みのポリアリレート被塗膜を、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/2.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は10分43秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで15μmであり、露光部の残膜率は68%であった。このフォトレジストのSEM写真を図2(7)に示す。
実施例7と同様の操作により得た感光性PAr被塗膜(膜厚8.8μm)に、実施例7と同様の方法及び露光量で露光を行った。
露光後、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/3.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は8分27秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで20μmであり、露光部の残膜率は61%であった。このフォトレジストのSEM写真を図2(8)に示す。
NMP4.8gに、ポリアリレートPAr-FL-A (20:80)(上記化学式(化12)におけるm:n = 20:80のポリアリレート、数平均分子量21,000) 1.0gを添加して溶解させた後、感光剤PC-5(R)0.2gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した。実施例1と同様の操作でスピンコート、プリベークし、膜厚10.3μmの感光性ポリアリレート被塗膜を得た。その後、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。
露光済みのポリアリレート被塗膜を、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/2.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は12分46秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで10μmであり、露光部の残膜率は68%であった。このフォトレジストのSEM写真を図3(9)に示す。
実施例9と同様の操作により得た感光性PAr被塗膜(膜厚8.8μm)に、実施例9と同様の方法及び露光量で露光を行った。
露光後、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/3.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は10分34秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで10μmであり、露光部の残膜率は80%であった。このフォトレジストのSEM写真を図3(10)に示す。
実施例1と同様の操作により得た感光性PAr被塗膜(膜厚10.8μm)に、実施例1と同様の方法及び露光量で露光を行った。
露光後、TMAH/水/メタノール=0.1/0.9/3.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得たが、微細部では一部パターンの剥離やひび割れが見られた。このときの現像時間は6分25秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで25μmであり、露光部の残膜率は84%であった。このフォトレジストのSEM写真を図3(11)に示す。
実施例3と同様の操作により得た感光性PAr被塗膜(膜厚10.4μm)に、実施例3と同様の方法及び露光量で露光を行った。
露光後、TMAH/水/エタノール/NMP=0.1/0.9/2.0/1.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得たがパターンの一部は剥離していた。このときの現像時間は7分25秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで55μmであり、露光部の残膜率は54%であった。このフォトレジストのSEM写真を図3(12)に示す。
NMP4.8gに、ポリアリレート(PAr-FL-A (100:0))、m:n = 100:0、数平均分子量13,000) 1.0gを添加して溶解させた後、感光剤PC-5(R)0.2gとPMI 0.2gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した。実施例1と同様の操作でスピンコート、プリベークし、膜厚11.5μmの感光性ポリアリレート被塗膜を得た。その後、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。
露光済みのポリアリレート被塗膜を、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/2.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は9分であった。解像度はラインアンドスペースパターンで20μmであり、露光部の残膜率は60%であった。このフォトレジストのSEM写真を図4(13)に示す。
NMP4.8gに、製造例1で作製したポリアリレートにおいてフルオレニル構造含有ユニットを除去したポリアリレート(PAr-FL-A (0:100)、上記化学式(化12)においてm:n = 0:100、数平均分子量31,000) 1.0gを添加して溶解させた後、感光剤PC-5(R)0.2gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した。実施例1と同様の操作でスピンコート、プリベークし、膜厚10.1μmの感光性ポリアリレート被塗膜を得た。その後、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。
露光済みのポリアリレート被塗膜を、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/2.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で36分11秒浸漬した結果、ネガ型傾向はみられたが未露光部が完全には溶解しなかったため、満足なフォトレジストは得られなかった。現像液から取り出しイオン交換水100gで1分間洗浄したとき、露光部の残膜率は85%であり、未露光部の膜も9.9%残存していた。
比較例1と同様の操作により得た感光性PAr被塗膜(膜厚11.1μm)に、実施例10と同様の方法及び露光量で露光を行った。
露光後、TMAH/水/エタノール=0.1/0.9/3.0 (重量比)からなる現像液100gに50℃で一定時間浸漬させた後、イオン交換水100gで1分間洗浄した。その結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は35分52秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで10μmであり、露光部の残膜率は78%であった。このフォトレジストのSEM写真を図4(14)に示す。
Claims (10)
- ポリエステル系樹脂及び光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物であって、該ポリエステル系樹脂が、少なくとも1種の下記構造式
及び少なくとも1種の下記構造式
- 全繰返し単位に対する前記繰返し単位(1)の含有割合(モル比)が1.00である請求項1記載のフォトレジスト組成物。
- 全繰返し単位に対する前記繰返し単位(1)の含有割合(モル比)が0.10〜0.95である請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 全繰返し単位に対する前記繰返し単位(1)の含有割合(モル比)が0.40〜0.80である請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤が、下式
- 前記アルキル基の炭素数が1〜10であり、前記アリール基が、置換基として炭素数が1〜3のアルキル基を有していてもよいフェニル基又はα若しくはβ−ナフチル基である請求項5に記載のフォトレジスト組成物。
- 更にアニオン再生剤を含む請求項1〜6のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
- 基板上に、請求項1〜7のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、該現像液がテトラ置換アンモニウムヒドロキシド、低分子アルコール及び水を含む溶媒から成る反応現像画像形成法。
- 基板上に請求項8に記載の方法によって形成されたフォトレジスト層を有し、該フォトレジスト層の膜厚が0.1〜500μmであるネガ型フォトレジスト構造物。
- 前記フォトレジスト層が所望のパターンのレリーフ構造が形成された請求項9に記載のフォトレジスト構造物。
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