JPWO2014109143A1 - 感光性組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法ならびに電子部品 - Google Patents

感光性組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法ならびに電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2014109143A1
JPWO2014109143A1 JP2014556342A JP2014556342A JPWO2014109143A1 JP WO2014109143 A1 JPWO2014109143 A1 JP WO2014109143A1 JP 2014556342 A JP2014556342 A JP 2014556342A JP 2014556342 A JP2014556342 A JP 2014556342A JP WO2014109143 A1 JPWO2014109143 A1 JP WO2014109143A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
formula
resin film
photosensitive composition
polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014556342A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6358095B2 (ja
Inventor
太郎 内田
太郎 内田
西村 功
功 西村
融 松村
融 松村
猪俣 克巳
克巳 猪俣
丸山 洋一郎
洋一郎 丸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of JPWO2014109143A1 publication Critical patent/JPWO2014109143A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6358095B2 publication Critical patent/JP6358095B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/34Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
    • C08G65/38Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols
    • C08G65/40Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols from phenols (I) and other compounds (II), e.g. OH-Ar-OH + X-Ar-X, where X is halogen atom, i.e. leaving group
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/0008Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/22Compounds containing nitrogen bound to another nitrogen atom
    • C08K5/27Compounds containing a nitrogen atom bound to two other nitrogen atoms, e.g. diazoamino-compounds
    • C08K5/28Azides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyethers (AREA)

Abstract

[課題] 解像性に優れたフォトレジスト材料を提供する。[解決手段] (A)式(A1)で表される構造単位を有する重合体と、(B)感光性酸発生剤とを含有する感光性組成物。[式(A1)中、Ar1は、芳香環を有し、かつ2つの結合手が芳香環構造にある二価の基であり;ただし、Ar1はフェノール性水酸基およびカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種の基を有し;R1は、アルカンジイル基、飽和脂肪族環を有する二価の基、または式(A2):−R2−Ar2−R3−で表される二価の基(式(A2)中、Ar2は、アリーレン基であり;R2およびR3は、それぞれ独立にアルカンジイル基である。)である。]

Description

本発明は、電子部品等が有する表面保護膜および層間絶縁膜等の形成に好適に用いられる感光性組成物に関し;さらに、前記組成物の含有成分として好適に用いられる重合体、前記組成物から形成される樹脂膜およびその製造方法、ならびに前記樹脂膜を有する電子部品に関する。
機械的強度に優れたポリアリーレンエーテルを使用したフォトレジスト材料として、従来、様々な感光性組成物が提案されている(例えば、特許文献1および2参照)。
特許文献1には、フェノール性水酸基を有するポリフェニレンオキシド(A)と、光により酸を発生する化合物(B)とを含有するポジ型感光性樹脂組成物が開示されている。
特許文献2には、多価フェノール化合物とビニルエーテル化合物とを重付加して得られる重合体(a)、および放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤(b)を含有するポジ型感放射線性組成物が開示されている。
特開2000−275842号公報 特開2005−266049号公報
近年、半導体集積回路等を製造する分野において、表面保護膜および層間絶縁膜等のパターンの微細化が進んでいる。この微細化には、パターン形成に用いられるフォトレジスト材料の高解像度化が必要となる。
本発明の課題は、フォトレジスト材料の解像性のさらなる向上にある。
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討を行った。その結果、以下の特定構造を有する重合体を用いることで上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、例えば以下の[1]〜[10]である。
[1](A)式(A1)で表される構造単位を有する重合体と、(B)感光性酸発生剤とを含有する感光性組成物。
Figure 2014109143
[式(A1)中、Ar1は、芳香環を有し、かつ2つの結合手が芳香環構造にある二価の基であり;ただし、Ar1はフェノール性水酸基およびカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種の基を有し;R1は、アルカンジイル基、飽和脂肪族環を有する二価の基、または式(A2):−R2−Ar2−R3−で表される二価の基(式(A2)中、Ar2は、アリーレン基であり;R2およびR3は、それぞれ独立にアルカンジイル基である。)である。]
[2]式(A1)中のAr1がフェノール性水酸基を有する、前記[1]の感光性組成物。
[3]式(A1)で表される構造単位が繰返し構造単位である、前記[1]または[2]の感光性組成物。
[4]感光性酸発生剤(B)がキノンジアジド基を有する化合物を含む、前記[1]〜[3]のいずれか1項の感光性組成物。
[5](C)架橋剤をさらに含有する、前記[1]〜[4]のいずれか1項の感光性組成物。
[6]式(A1)で表される構造単位を有する重合体。
Figure 2014109143
[式(A1)中、Ar1は、芳香環を有し、かつ2つの結合手が芳香環構造にある二価の基であり;ただし、Ar1はフェノール性水酸基およびカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種の基を有し;R1は、アルカンジイル基、飽和脂肪族環を有する二価の基、または式(A2):−R2−Ar2−R3−で表される二価の基(式(A2)中、Ar2は、アリーレン基であり;R2およびR3は、それぞれ独立にアルカンジイル基である。)である。]
[7]前記[6]に記載の重合体を含有する樹脂膜。
[8]前記[1]〜[5]のいずれか1項の感光性組成物から得られる樹脂膜。
[9]前記[1]〜[5]のいずれか1項の感光性組成物を支持体上に塗布して樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜を露光する工程、アルカリ性現像液により前記樹脂膜を現像する工程を有する、パターン化樹脂膜の製造方法。
[10]前記[7]または[8]の樹脂膜を有する電子部品。
本発明によれば、解像性に優れたフォトレジスト材料を提供することができる。
図1は、実施例の評価で製造した構造体を示す模式図である。
以下、本発明を実施するための形態について好適態様も含めて説明する。
〔感光性組成物〕
本発明の感光性組成物は、以下に説明する重合体(A)および感光性酸発生剤(B)を含有する。以下では、前記感光性組成物の含有成分として好適に用いられる、本発明の重合体(A)もあわせて説明する。
〈重合体(A)〉
重合体(A)は、式(A1)で表される構造単位を有し、好ましくは式(A1)で表される繰返し構造単位を有する。以下、式(A1)で表される構造単位を「構造単位(A1)」ともいう。
Figure 2014109143
式(A1)中の記号の意味は以下のとおりである。
Ar1は、芳香環を有し、かつ2つの結合手が芳香環構造にある二価の基である。すなわち、−R1−O−で表される二価の基中の当該酸素原子が、Ar1中の芳香環を構成する炭素原子に結合している。
ただし、Ar1はフェノール性水酸基およびカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種の基を有し、好ましくはフェノール性水酸基を有する。これらの酸性基は、重合体(A)に良好なアルカリ可溶性を付与する。
1は、アルカンジイル基、飽和脂肪族環を有する二価の基、または式(A2):−R2−Ar2−R3−で表される二価の基である。式(A2)中、Ar2は、アリーレン基であり;R2およびR3は、それぞれ独立にアルカンジイル基である。
重合体(A)は、−Ar1−で表される基にエーテル結合を介して−R1−で表される基が結合した構造を有する。重合体(A)中のアルキルエーテル構造等の−O−R1−構造により、重合体(A)に可とう性を付与でき、その結果、重合体(A)の現像液への溶解性が向上したと考えられる。そして、この重合体(A)を含有する感光性組成物を用いることで、解像度が高い樹脂膜を形成することができる。
《−Ar 1 −で表される二価の基》
Ar1は、芳香環を有し、かつ2つの結合手が芳香環構造にある二価の基であり;ただし、Ar1は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基から選ばれる少なくとも1種の基を有する。
式(A1)中のAr1の炭素数は、好ましくは6〜50であり、より好ましくは6〜30である。Ar1が有する芳香環としては、例えば、ベンゼン環;ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環等のベンゾ縮合環;複素環が挙げられる。
Ar1としては、例えば、「フェノール性水酸基を2つ以上、好ましくは3つ以上50以下有するフェノール化合物(a1)」に由来する二価の基が挙げられる。フェノール化合物(a1)は、フェノール性水酸基数が2である場合は、カルボキシル基を1つ以上有する。
フェノール化合物(a1)をHO−Ar1−OHと表した場合、前記2つのヒドロキシル基は、フェノール化合物中に含まれる任意の2つのフェノール性水酸基であり;Ar1は、フェノール化合物から任意の2つのフェノール性水酸基を除いてなる二価の残基であり、フェノール性水酸基およびカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種の基を有する。芳香環が複数ある場合、2つ以上の芳香環がフェノール性水酸基を有することが好ましい。
このフェノール化合物(a1)に含まれるフェノール性水酸基のうち、後述するハロゲン化合物(a2)と反応しなかったフェノール性水酸基が、構造単位(A1)が有するAr1中に含まれるフェノール性水酸基となる。
フェノール化合物(a1)としては、特開平5−027446号公報、特開平8−106159号公報、特開平7−120917号公報、特開平4−301851号公報、特開平5−027430号公報、特開平10−142783号公報、特開2003−064013号公報、および特開2005−266049号公報に記載のノボラック樹脂、フェノール樹脂、フェノール類、フェノール性化合物、フェノール化合物、ポリヒドロキシ化合物、ポリフェノールおよびポリビニルフェノールが挙げられる。
具体的には、フェノール化合物(a1)としては、例えば、式(A1−1)〜式(A1−10)で表される化合物が挙げられる。以下、前記化合物をそれぞれ「化合物(a1−1)」〜「化合物(a1−10)」ともいう。
式(A1−1)〜式(A1−10)の説明において、炭素数1〜15の二価の炭化水素基およびハロゲン化炭化水素基としては、例えば、−(CH2i−および−C(CH32−等の炭素数1〜10のアルカンジイル基、−(CF2j−および−C(CF32−等の炭素数1〜10のハロアルカンジイル基、ジフェニルメチレン基、フェニレン基、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基が挙げられる。前記式中、iおよびjは1〜10の整数である。
Figure 2014109143
式(A1−1)および式(A1−2)中の各記号の意味は以下のとおりである。
4は、それぞれ独立に−OHまたは−COOHであり、ただし複数あるR4のうち少なくとも2つは−OHである。複数あるR4の全てが−OHであることが好ましい。芳香環が複数ある場合、2つ以上の芳香環がフェノール性水酸基を有することが好ましい。
5は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはアミノ基であり、好ましくは炭素数1〜12のアルキル基である。
1は、それぞれ独立に単結合、酸素原子、硫黄原子、−CO−、−COO−、−NHCO−、−NHCOO−、−SO−、−SO2−、−CH(CH2OH)−、炭素数1〜15の二価の炭化水素基、または炭素数1〜15の二価のハロゲン化炭化水素基であり;好ましくは炭素数1〜15の二価の炭化水素基である。
nは、0〜3の整数である。
式(A1−1)中、a1は3〜6の整数であり、好ましくは3〜4の整数であり;b1は0〜3の整数であり、好ましくは0〜2の整数であり;3≦a1+b1≦6を満たす。
式(A1−2)中、a1、b1、a3およびb3は0〜5の整数であり、a2およびb2は0〜4の整数であり;0≦a1+b1≦5、0≦a2+b2≦4、かつ0≦a3+b3≦5を満たし;ただし、a1、a2およびa3の合計、すなわち−OHおよび−COOHから選ばれる酸性基の合計は3以上22以下の整数であり、好ましくは3以上12以下の整数である。
Figure 2014109143
式(A1−3)〜式(A1−5)中、R4〜R5は式(A1−1)中の同一記号と同義であり;R6は、それぞれ独立に水素原子またはアルキル基であり、好ましくは炭素数1〜10のアルキル基であり;R7は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル基またはアシロキシ基であり、好ましくは炭素数1〜10のアルキル基である。
1は、それぞれ独立に単結合または酸素原子であり、好ましくは単結合である。
2は、単結合、酸素原子または硫黄原子であり、好ましくは単結合である。
式(A1−3)および式(A1−5)中、a1〜a2およびb1〜b2は0〜4の整数であり;0≦a1+b1≦4、かつ0≦a2+b2≦4を満たし;ただし、a1およびa2の合計は3以上8以下の整数であり、好ましくは3以上6以下の整数である。
式(A1−4)中、a1およびb1は0〜4の整数であり、a2およびb2は0〜5の整数であり;0≦a1+b1≦4、かつ0≦a2+b2≦5を満たし;ただし、a1およびa2の合計は3以上9以下の整数であり、好ましくは3以上6以下の整数である。
Figure 2014109143
式(A1−6)〜式(A1−7)中、R4〜R5は式(A1−1)中の同一記号と同義であり;Z1は、−CO−または−SO2−である。
式(A1−6)中、a1〜a2およびb1〜b2は0〜5の整数であり、a3およびb3は0〜4の整数であり;0≦a1+b1≦5、0≦a2+b2≦5、かつ0≦a3+b3≦4を満たし;ただし、a1〜a3の合計は3以上14以下の整数であり、好ましくは3以上9以下の整数である。
式(A1−7)中、a1〜a3およびb1〜b3は0〜4の整数であり;0≦a1+b1≦4、0≦a2+b2≦4、かつ0≦a3+b3≦4を満たし;ただし、a1〜a3の合計は3以上12以下の整数であり、好ましくは3以上9以下の整数である。
Figure 2014109143
式(A1−8)中、R4〜R5は式(A1−1)中の同一記号と同義であり;R8は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはアミノ基であり、好ましくは水素原子または炭素数1〜12のアルキル基である。
2は、単結合、酸素原子、硫黄原子、−CO−、−COO−、−NHCO−、−NHCOO−、−SO−、−SO2−、−CH(CH2OH)−、炭素数1〜10のアルカンジイル基、炭素数1〜10のハロアルカンジイル基、または
Figure 2014109143
で表される二価の基である。
9は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはアミノ基である。X3およびX4は、それぞれ独立に単結合、酸素原子、硫黄原子、−CO−、−COO−、−CH(CH2OH)−、炭素数1〜10のアルカンジイル基、または炭素数1〜10のハロアルカンジイル基である。
式(A1−8)中、a1〜a3およびb1〜b3は0〜5の整数であり;0≦a1+b1≦5、0≦a2+b2≦5、かつ0≦a3+b3≦5を満たし;ただし、a1〜a3の合計は3以上15以下の整数であり、好ましくは3以上9以下の整数である。
Figure 2014109143
式(A1−9)中、R4〜R5は式(A1−1)中の同一記号と同義であり;Aは、それぞれ独立に単結合、酸素原子、硫黄原子、−CO−、−COO−、−NHCO−、−NHCOO−、−SO−、−SO2−、−CH(CH2OH)−、炭素数1〜15の二価の炭化水素基、または炭素数1〜15の二価のハロゲン化炭化水素基である。
式(A1−9)中、a1〜a3およびb1〜b3は0〜5の整数であり、a4およびb4は0〜3の整数であり;0≦a1+b1≦5、0≦a2+b2≦5、0≦a3+b3≦5、かつ0≦a4+b4≦3を満たし;ただし、a1〜a4の合計は3以上18以下の整数であり、好ましくは3以上12以下の整数である。
Figure 2014109143
式(A1−10)中、R4〜R5は式(A1−1)中の同一記号と同義であり;R10は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基またはアミノ基であり、好ましくは水素原子または炭素数1〜10のアルキル基であり;X5は、単結合、−CH(CH2OH)−、炭素数1〜10のアルカンジイル基、炭素数1〜10のハロアルカンジイル基、またはフェニレン基である。
式(A1−10)中、a1〜a4およびb1〜b4は0〜5の整数であり;0≦a1+b1≦5、0≦a2+b2≦5、0≦a3+b3≦5、かつ0≦a4+b4≦5を満たし;ただし、a1〜a4の合計は3以上20以下の整数であり、好ましくは3以上12以下の整数である。
フェノール化合物(a1)の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
Figure 2014109143
Figure 2014109143
Figure 2014109143
Figure 2014109143
Figure 2014109143
フェノール化合物(a1)の好適例としては、以下の化合物が挙げられる。
Figure 2014109143
式(1)中、mは3〜6の整数である。
式(2)中、Xはそれぞれ独立に単結合、酸素原子、硫黄原子、−CO−、−SO2−、−CH(CH2OH)−、−CH2−および−C(CH32−等の炭素数1〜10のアルカンジイル基、−CF2−および−C(CF32−等の炭素数1〜10のハロアルカンジイル基、またはジフェニルメチレン基であり;式(2)〜(4)中、mおよびnは0〜4の整数であり、かつm+nは1〜8の整数であり;式(6)中、mおよびnは0〜3の整数であり、かつm+nは1〜6の整数である。
式(5)中、Xは式(2)中の同一記号と同義であり;Rは炭素数1〜12のアルキル基であり;lは0〜4の整数であり、mは0〜4の整数であり、nは0〜4の整数であり、かつl+m+nは1〜9の整数であり;oは0〜4の整数であり、かつm+oは0〜4の整数である。
《−R 1 −で表される二価の基》
1は、アルカンジイル基、飽和脂肪族環を有する二価の基、または式(A2):−R2−Ar2−R3−で表される二価の基である。式(A2)中、Ar2は、アリーレン基であり;R2およびR3は、それぞれ独立にアルカンジイル基である。
重合体(A)は、−Ar1−で表される基にエーテル結合を介して−R1−で表される基が結合した構造を有する。重合体(A)中のアルキルエーテル構造等の−O−R1−構造により、重合体(A)に可とう性を付与でき、その結果、重合体(A)の現像液への溶解性が向上したと考えられる。そして、この重合体(A)を含有する感光性組成物を用いることで、解像度が高い樹脂膜を形成することができる。
1におけるアルカンジイル基の炭素数は、通常1〜30、好ましくは1〜20である。R1における飽和脂肪族環を有する二価の基の炭素数は、通常3〜30、好ましくは5〜20である。R2〜R3におけるアルカンジイル基の炭素数は、通常1〜6である。Ar2におけるアリーレン基の炭素数は、通常6〜30である。
1〜R3におけるアルカンジイル基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;前記例示の直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1〜4のアルキル基からなる側鎖を1つまたは複数付加してなる分枝鎖状アルカンジイル基が挙げられる。
1における飽和脂肪族環としては、例えば、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロデカンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。前記飽和脂肪族環を有する二価の基は、シクロアルカンジイル基であってもよく、前記飽和脂肪族環と共に、アルカンジイル基、−SO2−、−C(O)−O−、−C(O)−、および−S−等の二価の基(ただし、アセタール構造は除く)を有していてもよい。
式(A2)で表される二価の基としては、例えば、式(A2'):−R2−Ar−R3−で表される二価の基が挙げられる。式(A2')中、Arは、フェニレン基、ナフタレンジイル基であり;R2およびR3は、それぞれ式(A2)中の同一記号と同義である。具体例としては、−CH2−Ar−CH2−、−CH2−CH2−Ar−CH2−CH2−、−C(CH32−Ar−C(CH32−が挙げられる。
1としては、アルカンジイル基または式(A2)で表される二価の基が好ましく、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、−CH2−Ar−CH2−で表される二価の基がより好ましい。
1としては、例えば、「ハロゲン原子を2つ有するハロゲン化合物(a2)」に由来する二価の基が挙げられる。ハロゲン化合物(a2)をX−R1−Xと表した場合、Xはそれぞれ独立にフッ素原子、臭素原子、塩素原子等のハロゲン原子であり;R1は式(A1)中の同一記号と同義である。
ハロゲン化合物(a2)としては、例えば、1,5−ジブロモペンタン、1,6−ジブロモヘキサン、1,10−ジブロモデカン、α,α’−ジクロロ−p−キシレン、α,α’−ジクロロ−m−キシレンが挙げられる。
《重合体(A)のその他構造単位》
本発明の重合体(A)は、式(A1)で表される構造単位以外の構造単位を含有してもよい。例えば、式(A1)で表される構造単位中の−Ar1−で表される二価の基を、下記に示す、−Ar3−で表される二価の基に置き換えた構造単位(式(A1’)で表される構造単位)が挙げられる。
Figure 2014109143
Ar3は、芳香環を有し、かつ2つの結合手が芳香環構造にある二価の基であり、フェノール性水酸基およびカルボキシル基を有していない基である。Ar3としては、例えば、HO−Ar3−OHで表されるフェノール化合物(a1’)に由来する二価の基が挙げられる。
1は、式(A1)中のR1と同義である。
また、重合体(A)は、フェノール性水酸基を3つ以上有するフェノール化合物に由来する構造であって、当該フェノール化合物が有するフェノール性水酸基の3つ以上が、ハロゲン化合物(a2)と反応して導かれる構造、すなわち分岐構造を有してもよい。
《重合体(A)の構成》
重合体(A)において、構造単位(A1)の含有割合は、重合体(A)100質量%に対して、通常30質量%以上、好ましくは50〜100質量%、さらに好ましくは70〜100質量%である。構造単位(A1)の含有割合が前記範囲にあると、感光性組成物の解像性、感光性組成物から得られる樹脂膜の弾性率、クラック耐性が向上する傾向にある。重合体(A)の構造単位の含有量は、13C−NMRにより測定することができる。
重合体(A)のゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定される重量平均分子量(Mw)は、感光性組成物の解像性、感光性組成物から得られる樹脂膜の弾性率、クラック耐性の観点から、ポリスチレン換算で、通常1,000〜200,000、好ましくは2,000〜100,000、さらに好ましくは5,000〜50,000である。Mwの測定方法の詳細は、実施例に記載したとおりである。
重合体(A)は1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
重合体(A)の含有量は、本発明の感光性組成物から溶剤(D)を除いた全成分の合計100質量%に対して、通常30〜95質量%、好ましくは40〜90質量%、さらに好ましくは50〜90質量%である。重合体(A)の含有量が前記範囲にあると、解像度が高く伸び物性に優れた樹脂膜を形成可能な感光性組成物が得られる傾向にある。
《重合体(A)の製造方法》
本発明の重合体(A)は、例えば、HO−Ar1−OHで表されるフェノール化合物(a1)と、X−R1−Xで表されるハロゲン化合物(a2)とを用いて製造することができる。
重合体(A)の合成では、例えば、アルカリ金属化合物の存在下、重合溶媒中でフェノール化合物(a1)とハロゲン化合物(a2)と、必要に応じて他の原料モノマーとを重合させる。フェノール化合物(a1)およびハロゲン化合物(a2)等の原料モノマーは、それぞれ1種用いてもよく、それぞれ2種以上用いてもよい。
重合体(A)の原料モノマーとしては、フェノール性水酸基を2つ有し、かつカルボキシル基を有さないフェノール化合物(a1’)、ハロゲン原子を3つ以上有するハロゲン化合物(a2’)、およびハロゲン原子を2つ有する、ハロゲン化合物(a2)以外のハロゲン化合物(a2”)から選ばれる少なくとも1種をさらに用いてもよい。
フェノール化合物(a1’)を含む原料モノマーから得られる重合体(A)を用いると、樹脂膜の伸び物性が向上する傾向にある。フェノール化合物(a1’)を用いる場合、その使用量は、フェノール化合物(a1)100モルに対して、通常5〜200モルであり、好ましくは10〜50モルである。
フェノール化合物(a1’)の具体例としては、前記フェノール化合物(a1)に挙げたフェノール化合物において、フェノール性水酸基の数を2つにし、かつカルボキシル基の数を0にした化合物が挙げられる。
ハロゲン化合物(a2’)を含む原料モノマーから得られる重合体(A)を用いると、解像性がより向上し、パターン化膜のゆがみをより防止することができる傾向にある。ハロゲン化合物(a2’)を用いる場合、その使用量は、ハロゲン化合物(a2)100モルに対して、通常1〜100モルであり、好ましくは1〜20モルである。
ハロゲン化合物(a2’)において、ハロゲン原子数は、好ましくは3〜6、より好ましくは3〜4である。ハロゲン原子は、それぞれ独立にフッ素原子、臭素原子、塩素原子等である。また、ハロゲン化合物(a2’)の炭素数は、例えば1〜20、好ましくは3〜10である。
ハロゲン化合物(a2’)を用いると、ハロゲン原子のうち3つ以上がフェノール化合物のフェノール性水酸基と反応した場合、重合体(A)に分岐構造が導入されると推測される。
ハロゲン化合物(a2’)としては、例えば、上述のハロゲン化合物(a2)に挙げたハロゲン化合物において、ハロゲン原子数を3つ以上にした化合物が挙げられ;具体的には、脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素化合物が有する水素原子の3つ以上をハロゲン原子に置き換えてなる化合物(ハロゲン化炭化水素)が挙げられる。
ハロゲン化合物(a2’)の中でも、炭素数3〜10のアルカンが有する水素原子の3つ以上をハロゲン原子に置き換えてなる化合物が好ましく;具体例としては、1,2,3,4−テトラブロモブタン、1,2,3−トリブロモプロパン、1,3−ジブロモ−2−クロロプロパンが挙げられる。
ハロゲン化合物(a2”)を用いる場合、その使用量は、本発明の効果を損わない限り特に限定されないが、ハロゲン化合物(a2)100モルに対して、通常60モル以下である。ハロゲン化合物(a2”)の具体例としては、ジフルオロジフェニルスルホンが挙げられるが、特に限定されない。
ハロゲン化合物の使用量は、フェノール化合物100モルに対して、好ましくは30〜300モルである。フェノール化合物の量は、フェノール化合物(a1)および(a1’)の合計量であるが、フェノール化合物(a1’)を用いない場合はその量は0モルである。ハロゲン化合物の量は、ハロゲン化合物(a2),(a2’)および(a2”)の合計量であるが、ハロゲン化合物(a2’)および(a2”)を用いない場合はそれらの量は0モルである。
例えばフェノール化合物(a1)とハロゲン化合物(a2)とを用い、他の原料モノマーを用いない場合、フェノール化合物(a1)とハロゲン化合物(a2)との使用量比は、例えば、フェノール化合物(a1)100モルに対して、ハロゲン化合物(a2)が30〜300モルである。
アルカリ金属化合物としては、例えば、リチウム、ナトリウムおよびカリウム等のアルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩および水酸化物が挙げられる。これらの中でも、炭酸塩および水酸化物が好ましく、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムがより好ましい。アルカリ金属化合物は1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
アルカリ金属化合物は、上記フェノール化合物または上記ハロゲン化合物のうち少ない方1モルに対して、通常1〜10モル、好ましくは1.5〜5モルの量で用いることができる。例えばフェノール化合物(a1)とハロゲン化合物(a2)とを用い、他の原料モノマーを用いない場合、アルカリ金属化合物は、フェノール化合物(a1)またはハロゲン化合物(a2)のうち少ない方1モルに対して、通常1〜10モル、好ましくは1.5〜5モルの量で用いることができる。
重合溶媒としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノンおよびシクロペンタノン等の非プロトン性溶媒、ならびにプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルおよび水等のプロトン性溶媒が挙げられる。溶媒は1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、重合反応で副生する水を除去するために、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソール等の共沸溶媒を用いることができる。また、テトラブチルアンモニウムブロミド等の相間移動触媒を用いることができる。これらは1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
反応温度は、通常30〜250℃、好ましくは40〜180℃、より好ましくは60〜160℃である。
得られた重合体(A)は、公知の方法で精製することができる。例えば、得られた重合体(A)溶液から濾過によって無機塩を除去した後、濾別後の溶液を塩酸水溶液等に注いで重合体(A)を析出させる方法が挙げられる。
また、本発明の効果を損わない限り、重合体(A)の合成には、フェノール化合物(a1)以外の他のフェノール化合物や、ハロゲン化合物(a2)以外の他のハロゲン化合物を用いてもよい。他のフェノール化合物としては、例えば、フェノール化合物(a1’)が挙げられる。他のハロゲン化合物としては、例えば、ハロゲン化合物(a2’)および(a2”)が挙げられる。
〈感光性酸発生剤(B)〉
本発明の感光性組成物は、感光性酸発生剤(B)を含有する。感光性酸発生剤(B)は、光照射により酸を発生する化合物である。本発明の感光性組成物から形成される樹脂膜に対する露光処理によって、感光性酸発生剤(B)に基づき露光部に酸が発生し、この酸の作用に基づき露光部のアルカリ水溶液への溶解性が変化する。
本発明の感光性組成物は、ポジ型またはネガ型のいずれであってもよい。感光性酸発生剤(B)の種類は、ポジ型の感光性組成物またはネガ型の感光性組成物に応じて、適宜選択することができる。
感光性酸発生剤(B)としては、例えば、キノンジアジド基を有する化合物、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物が挙げられる。以下、キノンジアジド基を有する化合物を「キノンジアジド化合物(B1)」ともいい、これ以外の前記例示の感光性酸発生剤を「他の酸発生剤(B2)」ともいう。
キノンジアジド化合物(B1)は、光照射によりキノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生じる化合物である。キノンジアジド化合物(B1)を含有する感光性組成物から得られる樹脂膜は、アルカリ性現像液に対して難溶な膜である。光照射により前記膜がアルカリ難溶の状態からアルカリ易溶の状態になることを利用することにより、ポジ型のパターンが形成される。
他の酸発生剤(B2)は、光照射により酸を形成する化合物である。他の酸発生剤(B2)を含有する感光性組成物から得られる樹脂膜は、光照射により発生する前記酸が後述する架橋剤(C)等に作用することにより架橋構造が形成され、アルカリ難溶な膜となる。光照射により前記膜がアルカリ易溶の状態からアルカリ難溶の状態に変化することを利用することにより、ネガ型のパターンが形成される。
《キノンジアジド化合物(B1)》
キノンジアジド化合物(B1)は、フェノール性水酸基を1つ以上有する化合物と、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸または1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸とのエステル化合物である。
フェノール性水酸基を1つ以上有する化合物としては、例えば、下記式(B1−1)〜(B1−5)で表される化合物が挙げられる。これらの化合物は1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Figure 2014109143
式(B1−1)中、X1〜X10はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基または水酸基である。X1〜X5の少なくとも1つは水酸基である。Aは直接結合、−O−、−S−、−CH2−、−C(CH32−、−C(CF32−、カルボニル基(−C(=O)−)またはスルホニル基(−S(=O)2−)である。
Figure 2014109143
式(B1−2)中、X11〜X24はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基または水酸基である。X11〜X15の少なくとも1つは水酸基である。Y1〜Y4はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1〜4のアルキル基である。
Figure 2014109143
式(B1−3)中、X25〜X39はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基または水酸基である。X25〜X29の少なくとも1つは水酸基であり、X30〜X34の少なくとも1つは水酸基である。Y5は水素原子または炭素数1〜4のアルキル基である。
Figure 2014109143
式(B1−4)中、X40〜X58はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基または水酸基である。X40〜X44の少なくとも1つは水酸基であり、X45〜X49の少なくとも1つは水酸基であり、X50〜X54の少なくとも1つは水酸基である。Y6〜Y8はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1〜4のアルキル基である。
Figure 2014109143
式(B1−5)中、X59〜X72はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基または水酸基である。X59〜X62の少なくとも1つは水酸基であり、X63〜X67の少なくとも1つは水酸基である。
キノンジアジド化合物(B1)としては、例えば、4,4'−ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4'−ジヒドロキシジフェニルエーテル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2',4'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,3−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、1,4−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−1,3−ジヒドロキシベンゼンおよび1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エタンから選ばれる化合物と、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸または1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸とのエステル化合物が挙げられる。
キノンジアジド化合物(B1)は1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明の感光性組成物において、感光性酸発生剤(B)としてキノンジアジド化合物(B1)を用いる場合、キノンジアジド化合物(B1)の含有量は、重合体(A)100質量部に対して、好ましくは5〜50質量部、より好ましくは10〜30質量部、さらに好ましくは15〜30質量部である。キノンジアジド化合物(B1)の含有量が前記下限値以上であると、未露光部の残膜率が向上し、マスクパターンに忠実な像が得られやすい。キノンジアジド化合物(B1)の含有量が前記上限値以下であると、パターン形状に優れた樹脂膜が得られやすく、製膜時の発泡も防止できる傾向にある。
《他の酸発生剤(B2)》
他の酸発生剤(B2)は、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物およびジアゾメタン化合物から選ばれる少なくとも一種である。
オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩が挙げられる。好ましいオニウム塩の具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフリオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフリオロメタンスルホネート、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウムトリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファートが挙げられる。
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物が挙げられる。好ましいハロゲン含有化合物の具体例としては、1,10−ジブロモ−n−デカン、1,1−ビス(4−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタン;フェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、4−メトキシフェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、スチリル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス−(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン等のs−トリアジン誘導体が挙げられる。
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物およびこれらの化合物のα−ジアゾ化合物が挙げられる。好ましいスルホン化合物の具体例としては、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェナシルスルホニル)メタンが挙げられる。
スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル類、ハロアルキルスルホン酸エステル類、アリールスルホン酸エステル類、イミノスルホネート類が挙げられる。好ましいスルホン酸化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、o−ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、o−ニトロベンジルp−トルエンスルホネートが挙げられる。
スルホンイミド化合物としては、例えば、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミドが挙げられる。
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタンが挙げられる。
他の酸発生剤(B2)は1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明の感光性組成物において、感光性酸発生剤(B)として他の酸発生剤(B2)を用いる場合、酸発生剤(B2)の含有量は、重合体(A)100質量部に対して、好ましくは0.1〜10質量部、より好ましくは0.3〜5質量部、さらに好ましくは0.5〜5質量部である。酸発生剤(B2)の含有量が前記下限値以上であると、露光部の硬化が充分となり、耐熱性が向上しやすい。酸発生剤(B2)の含有量が前記上限値以下であると、露光光に対する透明性が低下することなく、解像度が高いパターンが得られやすい。
〈架橋剤(C)〉
本発明の感光性組成物は、樹脂膜の硬化性を向上させるため、架橋剤(C)をさらに含有することができる。架橋剤(C)は、重合体(A)や、架橋剤同士と反応する架橋成分(硬化成分)として作用する。
架橋剤(C)としては、例えば、アルキルエーテル化されたアミノ基を2つ以上有する化合物(以下「アミノ基含有化合物」ともいう。)、メチロール基含有フェノール化合物、アルキルメチロール基含有フェノール化合物、オキシラン環含有化合物、オキセタン環含有化合物、オキサゾリン環含有化合物、イソシアネート基含有化合物(ブロック化されたものを含む。)、アルデヒド基含有フェノール化合物が挙げられる。
アルキルエーテル化されたアミノ基は、例えば、下記式で表される基である。
Figure 2014109143
式中、R11はメチレン基またはアルキレン基であり、R12はアルキル基である。
アミノ基含有化合物としては、例えば、(ポリ)メチロール化メラミン、(ポリ)メチロール化グリコールウリル、(ポリ)メチロール化ベンゾグアナミン、(ポリ)メチロール化ウレア等の窒素化合物中の活性メチロール基(CH2OH基)の全部または一部(少なくとも2個)がアルキルエーテル化された化合物が挙げられる。ここで、アルキルエーテルを構成するアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基が挙げられ、これらは互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、アルキルエーテル化されていないメチロール基は、一分子内で自己縮合していてもよく、二分子間で縮合して、その結果、オリゴマー成分が形成されていてもよい。具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリル等を用いることができる。
架橋剤(C)は1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明の感光性組成物において、架橋剤(C)の含有量は、重合体(A)100質量部に対して、通常1〜60質量部、好ましくは5〜50質量部、より好ましくは5〜40質量部である。架橋剤(C)の含有量が前記範囲にあると、解像度、伸び物性および耐熱性に優れた樹脂膜が形成される傾向にある。
〈溶剤(D)〉
本発明の感光性組成物は、溶剤(D)を含有することが好ましい。溶剤(D)を用いることで、前記感光性組成物の取扱い性を向上させたり、粘度や保存安定性を調節したりすることができる。
溶剤(D)としては、例えば、
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;ブチルカルビトール等のカルビトール類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エステル類;酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸n−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;
2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;
N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類;γ-ブチロラクン等のラクトン類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;が挙げられる。
これらの中でも、乳酸エステル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類が好ましく;乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルがより好ましい。
溶剤(D)は1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明の感光性組成物において、溶剤(D)の含有量は、当該組成物中の溶剤(D)以外の成分の合計100質量部に対して、通常40〜900質量部、好ましくは60〜400質量部である。
〈その他添加剤〉
本発明の樹脂組成物には、その他、重合体(A)以外のアルカリ可溶性重合体、密着助剤、架橋微粒子、レベリング剤、界面活性剤、増感剤、無機フィラー、クエンチャー等の各種添加剤を、本発明の目的および特性を損わない範囲で含有させることができる。
〈感光性組成物の調製方法〉
本発明の感光性組成物は、各成分を均一に混合することにより調製できる。また、ゴミを取り除くために、各成分を均一に混合した後、得られた混合物をフィルター等で濾過してもよい。
〔樹脂膜〕
本発明の樹脂膜は、重合体(A)を含有し、例えば上述の感光性組成物から形成される。前記感光性組成物を用いることにより、解像度が高く、伸び物性に優れ、衝撃を受けてもクラックが発生しづらい樹脂膜を製造することができる。したがって、本発明の樹脂膜は、回路基板(半導体素子)、半導体パッケージまたは表示素子等の電子部品が有する、表面保護膜、層間絶縁膜および平坦化膜等の形成材料や、高密度実装基板用絶縁膜材料、感光性接着剤および感圧接着剤として好適に用いることができる。
本発明の樹脂膜において、パターン化樹脂膜の製造例を以下に示す。
この製造例は、本発明の感光性組成物を支持体上に塗布して樹脂膜を形成する工程(塗布工程)、所望のマスクパターンを介して前記樹脂膜を露光する工程(露光工程)、およびアルカリ性現像液により前記樹脂膜を現像して、ポジ型の場合は露光部を、ネガ型の場合は非露光部を溶解・除去することにより、支持体上に所望のパターンを形成する工程(現像工程)を有する。
[1]塗布工程
塗布工程では、前記感光性組成物を、最終的に得られるパターン化樹脂膜の膜厚が例えば0.1〜100μmとなるように、支持体上に塗布する。これをオーブンやホットプレートを用いて、通常、50〜140℃で10〜360秒間加熱する。このようにして支持体上に樹脂膜を形成する。
支持体としては、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、金属薄膜付きウエハ、ガラス基板、石英基板、セラミックス基板、アルミ基板、およびこれらの支持体の表面に半導体チップを有する基板が挙げられる。塗布方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法、カーテンコート法、グラビア印刷法、シルクスクリーン法、インクジェット法が挙げられる。
[2]露光工程
露光工程では、所望のマスクパターンを介して、例えばコンタクトアライナー、ステッパーまたはスキャナーを用いて、上記樹脂膜に対して露光を行う。露光光としては、紫外線、可視光線などが挙げられ、通常、波長200〜500nmの光(例:i線(365nm))を用いる。活性光線の照射量は、感光性組成物中の各成分の種類、配合割合、樹脂膜の厚さなどによって異なるが、露光光にi線を使用する場合、露光量は通常100〜1500mJ/cm2である。
また、ネガ型の感光性組成物を用いる場合は、露光後に加熱処理を行うこともできる。以下、この処理を「PEB処理」ともいう。PEB条件は、感光性組成物の各成分の含有量および膜厚等によって異なるが、通常70〜150℃、好ましくは80〜120℃で、1〜60分間程度である。
[3]現像工程
現像工程では、アルカリ性現像液により前記樹脂膜を現像して、ポジ型の場合は露光部を、ネガ型の場合は非露光部を溶解・除去することにより、支持体上に所望のパターンを形成する。現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法等が挙げられる。現像条件は、通常、20〜40℃で1〜10分間程度である。
アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、コリン等のアルカリ性化合物を、1〜10質量%濃度となるように水に溶解させたアルカリ性水溶液が挙げられる。前記アルカリ性水溶液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性の有機溶剤および界面活性剤などを適量添加することもできる。なお、アルカリ性現像液で樹脂膜を現像した後は、水で洗浄し、乾燥してもよい。
[4]硬化工程
現像工程後、絶縁膜としての特性を充分に発現させるため、必要に応じて、加熱により上記パターンを充分に硬化させることができる。硬化条件は特に限定されないが、樹脂膜の用途に応じて、例えば100〜250℃の温度で30分間〜10時間程度加熱する。
〔電子部品〕
本発明の感光性組成物を用いれば、上述の樹脂膜を有する電子部品、例えば表面保護膜、層間絶縁膜および平坦化膜から選択される1種以上の樹脂膜を有する、回路基板(半導体素子)、半導体パッケージまたは表示素子等の電子部品を製造することができる。
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、特に言及しない限り、「部」は「質量部」の意味で用いる。
1.物性の測定方法
重合体(A)その他の重合体の重量平均分子量(Mw)の測定方法
下記条件下でゲルパーミエーションクロマトグラフィー法にてMwを測定した。
・カラム:東ソー社製カラムのTSK−MおよびTSK2500を直列に接続
・溶媒:N,N−ジメチルホルムアミド
・温度:40℃
・検出方法:屈折率法
・標準物質:ポリスチレン
・GPC装置:東ソー製、装置名「HLC-8220-GPC」
2.重合体の合成
重合体の合成に用いたフェノール化合物(a1−1)〜(a1−6)およびフェノール化合物(a1’−1)〜(a1’−5)を以下に示す。
Figure 2014109143
Figure 2014109143
[実施例A1]
フラスコに、重合溶媒としてジメチルアセトアミドを210g、および共沸溶媒としてトルエンを50g装入した。このフラスコに、フェノール化合物として化合物(a1−1)を89g(0.253mol)、ハロゲン化合物として1,5−ジブロモペンタンを52g(0.226mol)、重合触媒として炭酸カリウムを70g(0.503mol)加えた。フラスコを130℃のオイルバスで6時間加熱しながら、トルエンと重合反応で副生する水とを共沸させた。その後、フラスコ内に生成した無機塩を濾別し、濾別後の溶液を塩酸水溶液(1N)に注いだ。析出した沈殿物を水洗し、重合体(A1)を得た。
重合体(A1)の重量平均分子量(Mw)は14200であった。また、重合体(A1)の13C−NMR(DMSO−d6)において、1,5−ジブロモペンタンのハロゲン原子に直結している炭素のシグナル(3.5ppm)は消失し、酸素原子に直結している炭素のシグナル(4.0ppm)を確認できた。1H−NMR(DMSO−d6)において、フェノール性水酸基のピーク(8.7ppm)のピーク面積が、芳香環に結合した水素原子のピーク(6.0〜7.0ppm)のピーク面積の2.5倍であることから、フェノール化合物(a1-1)由来の構造中に平均して2.5個のフェノール性水酸基が存在していることが確認できた。
[実施例A2〜A18、比較例A1]
実施例A1において、表1に示す種類および量のフェノール化合物、ハロゲン化合物、重合触媒、重合溶媒、共沸溶媒を用いたこと以外は実施例A1と同様にして、重合体(A2)〜(A19)を得た。
Figure 2014109143
3.感光性組成物の調製
感光性組成物の調製に用いた各成分を以下に示す。
感光性酸発生剤(B1):1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エタンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸との縮合物(モル比=1.0:2.0)
感光性酸発生剤(B2):2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス−(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン
Figure 2014109143
溶剤(D1):乳酸エチル
[実施例B1]
重合体(A1)100部、感光性酸発生剤(B1)20部、架橋剤(C1)10部を溶剤(D1)180部に25℃で溶解させ、感光性組成物を調製した。得られた感光性組成物を用いて、所定の評価を行った。
[実施例B2〜B19、比較例B1〜B2]
実施例B1において、表2に示すとおりに配合成分の種類および量を変更したこと以外は実施例B1と同様にして、感光性組成物を調製した。得られた感光性組成物を用いて、所定の評価を行った。
Figure 2014109143
4.評価
感光性組成物の評価方法は以下のとおりである。
4−1.解像度および残膜率
6インチのシリコンウエハに感光性組成物をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、厚さ10μmの均一な樹脂膜を作製した。次いで、アライナー(Suss Microtec社製、型式「MA−150」)を用い、高圧水銀灯からの紫外線を、パターンマスクを介して、波長350nmにおける露光量が500mJ/cm2となるように樹脂膜に照射した。次いで、樹脂膜を、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて23℃で120秒間、浸漬現像した。次いで、現像後の樹脂膜を、超純水にて30秒間洗浄し、エアーにて風乾した後、顕微鏡(オリンパス(株)社製、MHL110)にて観察し、解像した最小パターンのパターン寸法を解像度とした。また、現像前後の膜厚差から残膜率(100%×(現像後の膜厚/現像前の膜厚))を算出し、下記評価基準にて評価した。なお、実施例B12、比較例B2の場合にのみ、露光後にホットプレートを用いて110℃で3分間加熱した。
AA:残膜率90%以上
BB:残膜率80%以上90%未満
CC:残膜率80%未満
4−2.伸び(弾性率)
離型材付き基板上に、感光性組成物20gを塗布し、その後、オーブンを用いて110℃で5分間加熱し、厚さ30μmの均一な樹脂膜を作製した。次いで、樹脂膜を、対流式オーブンを用いて200℃で1時間加熱した。
離型材付き基板から、加熱後の樹脂膜を剥離し、5cm×0.5cmの短冊状に切断した。樹脂膜の弾性率を引張圧縮試験機(SDWS−0201型、(株)今田製作所製)によって測定した。測定条件は、チャック距離=2.5cm、引張速度=5mm/分、測定温度=23℃とした。結果は、5回の測定値の平均値である。
4−3.クラック耐性
Cu配線20を有するSi基板10上に感光性組成物をバーコート法で塗布し、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱して、図1に示すような、Si基板10とCu配線20と樹脂膜30とを有する構造体を作成した。Cu配線20の厚さは5μmであり、樹脂膜30の厚さは10μmであった。図1(b)は前記構造体の上視図であり、図1(a)は前記構造体のAA線断面図である。オーブンを用いて、前記構造体を150℃で30分間加熱し、次いで−50℃で30分間冷却する熱負荷(ヒートサイクル)を1000回行った。熱負荷を1000回実施した後の樹脂膜を電子顕微鏡で観察し、以下の基準にてクラック耐性を評価した。
AA:樹脂膜にクラックおよび剥がれ無し。
BB:樹脂膜にクラックおよび/または剥がれ有り。
10…Si基板
20…Cu配線
30…感光性組成物からなる樹脂膜

Claims (10)

  1. (A)式(A1)で表される構造単位を有する重合体と、
    (B)感光性酸発生剤と
    を含有する感光性組成物。
    Figure 2014109143
    [式(A1)中、Ar1は、芳香環を有し、かつ2つの結合手が芳香環構造にある二価の基であり;ただし、Ar1はフェノール性水酸基およびカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種の基を有し;R1は、アルカンジイル基、飽和脂肪族環を有する二価の基、または式(A2):−R2−Ar2−R3−で表される二価の基(式(A2)中、Ar2は、アリーレン基であり;R2およびR3は、それぞれ独立にアルカンジイル基である。)である。]
  2. 式(A1)中のAr1がフェノール性水酸基を有する、請求項1の感光性組成物。
  3. 式(A1)で表される構造単位が繰返し構造単位である、請求項1または2の感光性組成物。
  4. 感光性酸発生剤(B)がキノンジアジド基を有する化合物を含む、請求項1〜3のいずれか1項の感光性組成物。
  5. (C)架橋剤
    をさらに含有する、請求項1〜4のいずれか1項の感光性組成物。
  6. 式(A1)で表される構造単位を有する重合体。
    Figure 2014109143
    [式(A1)中、Ar1は、芳香環を有し、かつ2つの結合手が芳香環構造にある二価の基であり;ただし、Ar1はフェノール性水酸基およびカルボキシル基から選ばれる少なくとも一種の基を有し;R1は、アルカンジイル基、飽和脂肪族環を有する二価の基、または式(A2):−R2−Ar2−R3−で表される二価の基(式(A2)中、Ar2は、アリーレン基であり;R2およびR3は、それぞれ独立にアルカンジイル基である。)である。]
  7. 請求項6に記載の重合体を含有する樹脂膜。
  8. 請求項1〜5のいずれか1項の感光性組成物から得られる樹脂膜。
  9. 請求項1〜5のいずれか1項の感光性組成物を支持体上に塗布して樹脂膜を形成する工程、前記樹脂膜を露光する工程、アルカリ性現像液により前記樹脂膜を現像する工程を有する、パターン化樹脂膜の製造方法。
  10. 請求項7または8の樹脂膜を有する電子部品。
JP2014556342A 2013-01-09 2013-11-29 感光性組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法ならびに電子部品 Active JP6358095B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013001681 2013-01-09
JP2013001681 2013-01-09
PCT/JP2013/082202 WO2014109143A1 (ja) 2013-01-09 2013-11-29 感光性組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法ならびに電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2014109143A1 true JPWO2014109143A1 (ja) 2017-01-19
JP6358095B2 JP6358095B2 (ja) 2018-07-18

Family

ID=51166806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014556342A Active JP6358095B2 (ja) 2013-01-09 2013-11-29 感光性組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法ならびに電子部品

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6358095B2 (ja)
WO (1) WO2014109143A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210255544A1 (en) * 2020-02-06 2021-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Resist composition

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6217230B2 (ja) * 2013-08-19 2017-10-25 Jsr株式会社 感光性樹脂組成物および樹脂組成物、ならびに樹脂膜の製造方法
JP6205967B2 (ja) * 2013-08-19 2017-10-04 Jsr株式会社 感光性樹脂組成物、樹脂膜およびその製造方法、ならびに電子部品
WO2018025673A1 (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 日立化成株式会社 含窒素化合物を含有するポリケトン組成物、ポリケトン硬化物、光学素子及び画像表示装置
TW202411289A (zh) * 2022-09-09 2024-03-16 日商Jsr 股份有限公司 聚合物、組成物、硬化物及顯示元件

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11102071A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型画像記録材料
WO2009060897A1 (ja) * 2007-11-08 2009-05-14 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. エポキシ樹脂、その製造方法、エポキシ樹脂組成物及び硬化物
JP2009242756A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法および電子デバイス
JP2011074314A (ja) * 2009-10-01 2011-04-14 Fujifilm Corp 高分子化合物、感光性樹脂組成物、および硬化レリーフパターン形成方法
JP2011237550A (ja) * 2010-05-10 2011-11-24 Yokohama National Univ 反応現像画像形成法
JP2012208360A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂組成物
JP2014024831A (ja) * 2012-06-18 2014-02-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 有機膜形成用化合物、これを用いた有機膜材料、有機膜形成方法、パターン形成方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002251014A (ja) * 2001-02-27 2002-09-06 Sumitomo Chem Co Ltd 化学増幅型レジスト組成物
JP2010113142A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Sekisui Chem Co Ltd ポジ型感光性組成物及び導電パターンの形成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11102071A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型画像記録材料
WO2009060897A1 (ja) * 2007-11-08 2009-05-14 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. エポキシ樹脂、その製造方法、エポキシ樹脂組成物及び硬化物
JP2009242756A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、高分子化合物、パターンの製造法および電子デバイス
JP2011074314A (ja) * 2009-10-01 2011-04-14 Fujifilm Corp 高分子化合物、感光性樹脂組成物、および硬化レリーフパターン形成方法
JP2011237550A (ja) * 2010-05-10 2011-11-24 Yokohama National Univ 反応現像画像形成法
JP2012208360A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂組成物
JP2014024831A (ja) * 2012-06-18 2014-02-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 有機膜形成用化合物、これを用いた有機膜材料、有機膜形成方法、パターン形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210255544A1 (en) * 2020-02-06 2021-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Resist composition

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014109143A1 (ja) 2014-07-17
JP6358095B2 (ja) 2018-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5987984B2 (ja) 樹脂組成物、感光性樹脂組成物、絶縁膜およびその製法ならびに電子部品
TWI793336B (zh) 感光性樹脂組成物、具有圖案的樹脂膜的製造方法、具有圖案的樹脂膜、及半導體電路基板
JP6358095B2 (ja) 感光性組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法ならびに電子部品
JP6489289B2 (ja) レジスト形成用感光性樹脂組成物、樹脂膜、硬化膜、および半導体装置
KR101434010B1 (ko) 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물
JP7003988B2 (ja) 感放射線樹脂組成物および電子部品
JP5109471B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
JP6341317B2 (ja) 重合体、樹脂膜および電子部品
KR101733961B1 (ko) 감광성 조성물, 수지 조성물, 경화막 및 그의 제조 방법 그리고 전자 부품
JP4154953B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたパターンの製造方法および電子部品
JP2015052694A (ja) 感光性樹脂組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法、ならびに電子部品
JP6205967B2 (ja) 感光性樹脂組成物、樹脂膜およびその製造方法、ならびに電子部品
JP5267415B2 (ja) 樹脂組成物およびその用途
WO2015178074A1 (ja) 感光性樹脂組成物およびその用途
JPWO2019031114A1 (ja) 重合体、樹脂組成物、樹脂膜、パターン化樹脂膜の製造方法、および電子部品
JP6468068B2 (ja) 感光性樹脂組成物およびその用途
JP2020056847A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および電子部品
JP6217230B2 (ja) 感光性樹脂組成物および樹脂組成物、ならびに樹脂膜の製造方法
JP2020154246A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、及び、電子部品
KR102669132B1 (ko) 수지 조성물 및 전자 부품
JP5526757B2 (ja) 新規化合物およびそれを用いた重合体組成物
JP2005148111A (ja) 感光性樹脂前駆体組成物
TW202403448A (zh) 負型感光性樹脂組成物、具有圖案的樹脂膜的製造方法、具有圖案的樹脂膜、及半導體電路基板
JP5142918B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP2021085977A (ja) 感光性ポリイミド樹脂組成物、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180112

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180604

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6358095

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250