JP2011236305A - ZnO蛍光体薄膜およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】EuがドープされたZnOからなる薄膜を基板の上にスパッタ法で形成する。次に、加熱の条件を選択する(ステップS102)。ここで、酸素が存在する雰囲気で加熱する条件が選択されれば、薄膜を形成した基板を、酸素の存在する雰囲気で900〜1000℃に加熱する(ステップS103)。この処理により、青緑色の発光が得られるZnO:EuからなるZnO蛍光体薄膜が形成される。一方、酸素が除去された雰囲気で加熱する条件が選択されれば、薄膜を形成した基板を、例えば真空排気中などの酸素が除去された雰囲気で900〜1000℃に加熱する(ステップS104)。この処理により、赤色の発光が得られるZnO:EuからなるZnO蛍光体薄膜が形成される。
【選択図】 図1
Description
まず、電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマスパッタ法を用いてZnO:Eu薄膜を形成する。ターゲットは、ZnO粉末にEu粉末を1mol%混合した材料(ZnO:Eu)を用い、円筒型に成型したものを用いる。希土類であるEuの添加量は、1mol%程度の場合に、最も発光効率が高くなることが経験的に知られている。また、スパッタ成膜時の条件は、アルゴンガス流量を8sccm、マイクロ波パワーを500W、ターゲットへ印加するRFパワーを500Wとする。また、基板温度は、室温あるいは450℃に設定する。
Claims (6)
- EuがドープされたZnOからなる薄膜を基板の上にスパッタ法で形成する第1工程と、
前記薄膜を酸素の存在する雰囲気および酸素が除去された雰囲気の中の選択された条件で900〜1000℃に加熱する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とするZnO蛍光体薄膜の製造方法。 - 請求項1記載のZnO蛍光体薄膜の製造方法において、
前記スパッタ法は、電子サイクロトロン共鳴スパッタ法であることを特徴とするZnO蛍光体薄膜の製造方法。 - 請求項2記載のZnO蛍光体薄膜の製造方法において、
電子サイクロトロン共鳴スパッタ法による前記薄膜の形成時の酸素分圧は、4×10-3Pa以上4×10-2Pa以下とすることを特徴とするZnO蛍光体薄膜の製造方法。 - 基板の上にスパッタ法で形成されたEuがドープされたZnOからなるZnO蛍光体薄膜であって、
前記ZnO蛍光体薄膜は、酸素の存在する雰囲気および酸素が除去された雰囲気の中の選択された条件で900〜1000℃に加熱されて形成されたものである
ことを特徴とするZnO蛍光体薄膜。 - 請求項4記載のZnO蛍光体薄膜において、
前記スパッタ法は、電子サイクロトロン共鳴スパッタ法であることを特徴とするZnO蛍光体薄膜。 - 請求項5記載のZnO蛍光体薄膜において、
電子サイクロトロン共鳴スパッタ法による前記薄膜の形成時の酸素分圧は、4×10-3Pa以上4×10-2Pa以下とされていることを特徴とするZnO蛍光体薄膜。
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