JP5694837B2 - 蛍光体薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
はじめに、実施例1について説明する。実施例1では、上述したECRスパッタ法により、EuがドープされたZnOからなるZnO:Eu膜を、H2Oガスを導入して形成した場合について説明する。まず、基板温度は、室温(20〜25℃)とした。ここで、成膜時の基板温度を室温より高くすると、「ZnO+H2O→Zn(OH)2↑・・・(1)」の反応により、基板の表面に一旦導入されたZnOが再蒸発してしまい、膜が形成されなかった。
次に、実施例2について説明する。実施例2では、上述したECRスパッタ法により、O2ガスを導入してZnO:Eu膜を形成した場合について説明する。まず、基板温度は、450℃としてZnO:Eu膜を形成した。ZnO:Eu膜を形成した後、大気圧の水素ガス(水素ガスのみ)の中で加熱した。このようにして形成したZnO:Eu膜について、波長325nmのHe−Cdレーザにより室温状態で励起し、分光器で分光した後、光電子増倍管によりPLスペクトルを検出した。ZnO:Eu膜からの光には1次光の反射成分も含まれるが、これは発光スペクトルの650nmの位置にピークを出現させる。この1次光を取り除くために、分光器の前にフィルターを挿入したが、このフィルターでも除き切れなかった光が650nmに重畳した。
Claims (2)
- 基板の上にEuがドープされたZnOからなる薄膜を形成する第1工程と、
水素が存在する雰囲気の加熱により前記薄膜の中に水素が含まれた状態として前記薄膜のEuを活性化する第2工程と
を少なくとも備え、
前記第1工程では、H 2 Oガスを圧力を1×10 -2 Pa〜1×10 -1 Paの範囲として導入し、Euを含有するZnOからなるターゲットを用いた電子サイクロトロン共鳴スパッタ法により前記薄膜を形成し、
前記第2工程では、300℃〜400℃の範囲で加熱を行う
ことを特徴とする蛍光体薄膜の形成方法。 - 基板の上にEuがドープされたZnOからなる薄膜を形成する第1工程と、
水素が存在する雰囲気の加熱により前記薄膜の中に水素が含まれた状態として前記薄膜のEuを活性化する第2工程と
を少なくとも備え、
前記第1工程では、Euを含有するZnOからなるターゲットを用い、酸素ガスを圧力を2.7×10 -2 Pa〜5.3×10 -2 Paの範囲として導入する電子サイクロトロン共鳴スパッタ法で前記薄膜を形成し、
前記第2工程では、450℃〜500℃の範囲で加熱を行うことを特徴とする蛍光体薄膜の形成方法。
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