JP5462124B2 - EuドープZnO膜形成方法 - Google Patents
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Description
まず、ECRプラズマスパッタ法を用いてZnO:Eu薄膜を形成する。ターゲットは、濃度1%のEu2O3を含有したZnOを用いる。また、スパッタ成膜時の条件は、まず、アルゴンガス流量を6sccmとする。この条件では、成膜室内の圧力は、3×10-2Paとなる。なお、sccmは流量の単位であり、0℃・1気圧の流体が1分間に1cm3流れることを示す。
Claims (4)
- H2Oガスを導入するスパッタ法で、EuがドープされたZnOからなる薄膜を基板の上に形成する第1工程と、
前記薄膜を加熱する第2工程と
を少なくとも備え、
H 2 Oガスの分圧は、0.01Pa以上0.1Pa以下とし、
前記加熱の温度は、600〜700℃の範囲とすることを特徴とするEuドープZnO膜形成方法。 - 請求項1記載のEuドープZnO膜形成方法において、
前記第1工程では、Euを含有するZnOからなるターゲットを用いた電子サイクロトロン共鳴スパッタ法により、前記薄膜を形成することを特徴とするEuドープZnO膜形成方法。 - 請求項1記載のEuドープZnO膜形成方法において、
前記第1工程では、ZnOからなるターゲットを用いた電子サイクロトロン共鳴スパッタ法、およびEu2O3からなるターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法により、前記薄膜を形成することを特徴とするEuドープZnO膜形成方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のEuドープZnO膜形成方法において、
前記加熱は、酸素ガスが存在する雰囲気で行うことを特徴とするEuドープZnO膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP (1) | JP5462124B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5694837B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-04-01 | 日本電信電話株式会社 | 蛍光体薄膜の形成方法 |
JP6146670B2 (ja) * | 2013-11-26 | 2017-06-14 | 株式会社村田製作所 | 蛍光材料、蛍光体、及び蛍光体の製造方法 |
JP6339972B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2018-06-06 | 日本電信電話株式会社 | 酸化亜鉛化合物発光膜とその作製方法 |
JP7070374B2 (ja) * | 2018-11-28 | 2022-05-18 | 日本電信電話株式会社 | エルビウムドープビスマス酸化物膜の製造方法 |
DE102019218499A1 (de) * | 2019-11-28 | 2021-06-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030025354A (ko) * | 2001-09-20 | 2003-03-29 | 한국과학기술연구원 | 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법 |
JP2003238952A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体の製造方法 |
JP2004296597A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Canon Inc | 積層型光起電力素子の製造方法 |
JP5376117B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2013-12-25 | 三菱マテリアル株式会社 | ZnOスパッタリングターゲットとその製造方法 |
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JP2012077359A (ja) | 2012-04-19 |
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