JP6718413B2 - EuドープZnGa2O4蛍光体膜の形成方法 - Google Patents
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Description
2、12、13 ターゲット
3、14、15 保持機構
4、16 基板
5、17 ヒーター
6、18 ガス導入ポート
Claims (8)
- EuドープZnGa2O4膜の形成方法であって、
H2O蒸気ガスを反応ガスとして用い、サファイア基板上へスパッタにより成膜するステップと、
真空中においてポストアニールするステップと
を備えることを特徴とする形成方法。 - 上記成膜するステップは、室温において行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- EuドープZnGa2O4膜の形成方法であって、
O2ガスを反応ガスとして用い、サファイア基板上へスパッタにより成膜するステップと、
真空中においてポストアニールするステップと
を備えることを特徴とする形成方法。 - 上記成膜するステップは、300℃から400℃の基板温度において行われることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記成膜するステップは、
Euを含有するZnOターゲットからのスパッタおよびGa2O3ターゲットからのスパッタを同時に行うことを含むことを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載の方法。 - 前記成膜するステップは、
電子サイクロトロン共鳴(ECR)スパッタ法を用いることを含むことを特徴とする請求項1乃至5いずれかに記載の方法。 - EuドープZnGa2O4膜の製造方法であって、
H2O蒸気ガスまたはO2ガスのいずれかを反応ガスとして用い、サファイア基板上へスパッタにより成膜するステップと、
真空中においてポストアニールするステップと
を備えることを特徴とするEuドープZnGa2O4膜の製造方法。 - 前記H2O蒸気ガスを用いたときは、結晶軸がランダム配向した膜が得られ、
前記O2ガスを用いたときは、結晶軸が(111)方向へ配向した膜が得られること
を特徴とする請求項7に記載のEuドープZnGa2O4膜の製造方法。
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