JP2011233597A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109997213A (zh) * 2016-09-28 2019-07-09 堺显示器制品株式会社 激光退火装置和激光退火方法
US11004682B2 (en) * 2016-12-15 2021-05-11 Sakai Display Products Corporation Laser annealing apparatus, laser annealing method, and mask
CN110462787A (zh) * 2017-01-24 2019-11-15 堺显示器制品株式会社 激光退火装置、激光退火方法和掩模
US11121262B2 (en) 2017-07-12 2021-09-14 Sakai Display Products Corporation Semiconductor device including thin film transistor and method for manufacturing the same
CN110870078A (zh) 2017-07-12 2020-03-06 堺显示器制品株式会社 半导体装置以及其制造方法
WO2019102548A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 堺ディスプレイプロダクト株式会社 レーザアニール方法、レーザアニール装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法
CN108227376A (zh) * 2018-01-03 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种微结构的制备方法、压印模版、显示基板
WO2019171502A1 (ja) * 2018-03-07 2019-09-12 堺ディスプレイプロダクト株式会社 レーザアニール装置、レーザアニール方法およびアクティブマトリクス基板の製造方法
US20210225653A1 (en) * 2018-06-06 2021-07-22 Sakai Display Products Corporation Laser annealing method, laser annealing apparatus and method for producing active matrix substrate
JP2020004861A (ja) 2018-06-28 2020-01-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2020004859A (ja) 2018-06-28 2020-01-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2020004860A (ja) 2018-06-28 2020-01-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
US11495689B2 (en) 2018-08-08 2022-11-08 Sakai Display Products Corporation Thin-film transistor and method for producing same
CN112916873B (zh) 2021-01-26 2022-01-28 上海交通大学 基于脉冲激光驱动的微滴三维打印系统及方法
CN114799225B (zh) * 2022-05-05 2023-05-23 上海交通大学 脉冲激光驱动金属微滴打印系统及调节方法
KR102738691B1 (ko) * 2022-12-06 2024-12-05 (주)알엔알랩 기판 구조체에 대한 레이저 열처리 방법 및 이를 적용한 전자 소자의 제조 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3326654B2 (ja) * 1994-05-02 2002-09-24 ソニー株式会社 表示用半導体チップの製造方法
JP3239314B2 (ja) * 1994-09-16 2001-12-17 日本板硝子株式会社 平板レンズアレイおよびそれを用いた液晶表示素子
JP2001269789A (ja) * 2000-01-20 2001-10-02 Komatsu Ltd レーザ加工装置
US6625181B1 (en) * 2000-10-23 2003-09-23 U.C. Laser Ltd. Method and apparatus for multi-beam laser machining
JP2003109911A (ja) * 2001-10-01 2003-04-11 Sharp Corp 薄膜処理装置、薄膜処理方法および薄膜デバイス
JP2004311906A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Phoeton Corp レーザ処理装置及びレーザ処理方法
KR100606450B1 (ko) * 2003-12-29 2006-08-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 주기성을 가진 패턴이 형성된 레이저 마스크 및 이를이용한 결정화방법
JP4199820B2 (ja) * 2005-06-01 2008-12-24 フェトン株式会社 レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2008294186A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Shimadzu Corp 結晶化装置および結晶化方法
JP5145598B2 (ja) * 2008-09-29 2013-02-20 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ加工方法及それに使用する装置

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