JP2011228744A - Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている面とは反対の面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とする反射層付き基板。
【選択図】図1
Description
また、特許文献4には、前記導電膜に加えて、電界印加により誘電分極を生じる膜、例えばBaTiO3、PZT(PbZr1−xTixO3)などの膜も、前記チャック層として使用可能であることが記載されている。
また、EUVマスクを作製する場合、反射層、中間層、吸収層など各種層を形成する工程、およびEUVマスクブランク上のレジスト膜にレーザ光線や電子線などを用いてパターンを描画する工程、さらには投影露光機により微細回路パターンが形成されたEUVマスクを用いてSiウェハなどの基板上レジストにマスク上に形成されたパターンを縮小転写する工程など各種工程が存在する。前記各種工程においては、許容範囲以上のパーティクル数が存在すると所望の微細回路パターンが寸法精度よく得られないため、層表面や層中へのパーティクル付着を極力抑制する必要がある。
EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている表面とは反対の面である裏面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とする反射層付き基板。
基板上に反射層および吸収層を有し、かつ前記反射層および前記吸収層が形成されている表面とは反対の面である裏面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層および前記吸収層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
本発明の反射層付き基板は、チャック層と反射層との導通が消失されており、一部のパーティクルがマイナス(またはプラス)に荷電した基板上にひきつけられなくなるため、パーティクルの発生を防止でき、結果的に欠陥の少ない反射層付き基板を得ることができる。また、本発明のEUVマスクブランクは、チャック層と積層膜との導通が消失されており、一部のパーティクルがマイナス(またはプラス)に荷電した基板上にひきつけられなくなるため、パーティクルの発生を防止でき、結果的に欠陥の少ないEUVマスクブランクを得ることができる。
本発明の反射層付き基板は、欠陥が少ないEUVマスクブランクを製造できるため、特にEUVの露光用マスクとして有用である。
本発明の反射層付き基板、EUVマスクブランクおよびEUVマスクは、上記の様に膜間(反射層およびチャック層との膜間、反射層および吸収層とチャック層との膜間)の導通が消失しているので、層表面や層中へのパーティクルの付着が抑制され、結果的に欠点の少ないEUVマスクを形成でき、効率的な露光が可能となる。
なお、本発明において、「反射層付き基板」とは、反射層およびチャック層が形成された基板を意味し、「チャック層付き基板」とは、チャック層のみが形成された基板を意味する。
上記の特性を満たす反射層としては、Si膜とMo膜とを交互に積層させたSi/Mo多層膜、BeとMo膜とを交互に積層させたBe/Mo多層膜、Si化合物とMo化合物層とを交互に積層させたSi化合物/Mo化合物多層膜、Si膜、Mo膜およびRu膜をこの順番に積層させたSi/Mo/Ru多層膜、Si膜、Ru膜、Mo膜およびRu膜をこの順番に積層させたSi/Ru/Mo/Ru多層膜が挙げられる。
前記反射層の成膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法のいずれであってもよい。但し、欠点が少なく、膜厚均一性に優れた膜が得られることからイオンビームスパッタリング法で成膜することが好ましい。
チャック層は、上記シート抵抗値を満たすものであれば特に限定されないが、Cr、Ni、Ti、Ta、Mo、SiおよびWからなる群から選ばれる1種以上の金属材料であることが好ましく、特にCrであることが以下の理由から好ましい。上記金属材料のチャック層中の含有率は、10〜70at%であることがチャック層能力の点で好ましい。また、チャック層は、ITOや酸化スズなどの金属酸化物材料であってもよい。
上記EUVマスクパターン形成の際やEUVマスクを使用して微細回路を縮小投影露光する場合、電子線や極紫外線(EUV光)の吸収によりEUVマスクの温度が上昇する。EUVマスクの温度上昇はパターン精度に悪影響を及ぼすおそれがあることから好ましくない。このため、パターン形成の際にEUVマスクを冷却することが検討されている。
図3においては図2と同様に、基板111の上に、反射層112、中間層113および吸収層114をこの順に積層した構造となっているが、基板の側面に到達したスパッタ粒子が側面で積層し回り込み部120を形成している。なお、反射層112、中間層113および吸収層114は、それぞれがスパッタリング法により形成される場合が多く、その場合は、各層の形成において回り込みが発生し、回り込み部120を形成することとなる。なお、図3においては各膜の回り込み部120は、図中左側側面にのみ記載されているが、実際には、形成される膜の膜厚均一性を確保するために、基板を回転させながら成膜することが一般的であるため、この回り込み部120は基板の全周に形成されることとなる。また、回り込み部120は、場合によっては裏面にも形成され、この場合も、裏面の全周に形成されることとなる。
しかし、前述したとおり、通常のスパッタリング法で形成されたチャック層は、特に何も施策をすることなくそのまま成膜すると、基板111の表面に積層されるのみならず、基板111の側面や裏面にも自然と膜が回り込むこととなる。よって、実際に製造されるチャック層付き基板は図5のような構成をしていることになる。
図5においては図3における反射層と同様に、基板111の裏面にチャック層125を形成した構造となっており、基板の側面に到達したスパッタ粒子が側面で積層し回り込み部130を形成している。なお、反射層の場合と同様、回り込み部130は基板の側面の全周のみならず、場合によっては表面の全周にも形成されうる。
なお、図6においては、基板の側面にてオーバーラップ部140が形成されているが、膜の形成時の条件設定によっては、図6(b)に記載されているとおり、基板の反射層を形成する面や、吸収層を形成する面においてもオーバーラップ部140が形成される可能性もある。なお、この場合も、オーバーラップ部140は、回り込み部120および130と同様に、基板の裏面の全周に形成されうる。
反射層付き基板やEUVマスクブランクを製造する場合、チャック層と静電チャックとが成膜中に接触しているため、吸収層の膜剥れや、成膜時の異常放電等によるパーティクルが発生する可能性がある。このようなパーティクルの発生により、製品(反射層付き基板、EUVマスクブランク、またはEUVマスク)における欠陥が多くなり、高品質の製品が得られない問題が生じる。従来の透過型マスクを用いたパターン転写の場合には、露光光の波長が紫外域(150〜247nm程度)と比較的長いため、マスク面に凹凸欠陥が生じても、これが重大な欠陥とまではなりにくく、そのため従来では成膜時のパーティクルの発生は課題としては格別認識されていなかった。しかし、EUV光のような短波長の光を露光光として用いる場合には、マスク面上の微細な凹凸欠陥があっても、転写像への影響が大きくなるため、パーティクルの発生は無視できない。
スパッタリング法で成膜するチャンバー内のパーティクルは、通常プラスまたはマイナスに帯電しているため、上記のとおり基板表面が帯電していると、一部のパーティクルがマイナス(またはプラス)に荷電した基板上にひきつけられることとなり、結果的に膜中の欠点数が多くなる可能性がある。また、反射層が多層膜である場合、反射層における第1層目を形成した後でも導通は生じる可能性があるため、第1層目を形成した直後に電荷を帯びる結果、他の多層膜を構成するすべての膜の成膜中において、パーティクルがひきつけられ、結果的に反射層中に広い範囲で欠点を生じさせる可能性がある。また、このパーティクルが基板上にひきつけられる状況は、反射層を形成している場合のみならず、吸収層や中間層を形成している場合でも起こりうる。この場合は、パーティクスの付着がさらに助長されることとなる。
さらに、基板の側面に膜が回りこまなければ、基板の搬送時に発生する接触による側面からの膜の剥がれを防止でき、さらにパーティクルの発生を防止できる、という別な効果も有する。
なお、導通していない、とは、反射層付き基板の場合は、反射層とチャック層との間の抵抗値が1MΩ以上であることを意味し、特に5MΩ以上、10MΩ以上、さらには測定不可能な程度まで抵抗値が高いことが好ましい。また、反射層とチャック層との間の抵抗値は、露光エリア(通常は基板中央の104×132mmの四角形のエリア)に相当する領域内の1点と、基板裏面に形成された静電チャックのために必要な膜の、静電チャックに使用される領域内の1点との2点間で、2端子法あるいは4端子法により測定した場合の抵抗値を用いることが可能である。なお、EUVマスクブランクの場合は、反射層および吸収層とチャック層(低反射層を有する場合は、低反射層)との間の抵抗値が上述したような値となることを意味する。
また、図6におけるオーバーラップ部140は、上述したような理由により、できるだけ少ないほうが好ましく、存在しないことが特に好ましい。なお、後述する絶縁膜を形成した場合は、オーバーラップ部140が存在していても、絶縁膜により導通が生じなくなるため、特に問題はない。
第1の態様としては、チャック層の形成領域を基板よりも小さくすること、具体的には、基板の端に近い周辺部分にはチャック層を設けず、中央部分にのみチャック層を有する態様や、基板の裏面に導通を消失させるような不導通部を有する態様が挙げられる。チャック層の形成領域を小さくすれば、反射層が回り込んできたとしても、チャック層の形成領域がその回り込んだ領域から離れているため、お互いの膜のオーバーラップが存在せず、導通が生じないからである。上記理由により、不導通部は、図7のとおり、基板全周にわたって形成されていることが好ましい。
なお、特許文献3の[0019]には、基板の端から30mmの範囲にチャック層を記載しないことで、静電チャック時の基板周縁部からのパーティクル発生を防止できるとしている。確かに、基板の周縁部に膜を形成しなければ、そこからの膜剥がれによりパーティクルの発生は防止できる。しかし、反射層や、その上に中間層や吸収層を形成した場合、膜は、基板側面のみならず、基板の裏面まで膜は回り込むことが多い。よって、端から30mmの部分にチャック層を形成しなかったとしても、その部分には反射層が積層され、チャック層と反射層との間で導通が生じる可能性がある。つまり、引用文献3の方法では、本願発明の目的は達成できない。
さらに、チャック層の形成領域の面積は、静電チャックで基板を保持した場合の基板への接触面積よりも小さいことが好ましい。よって、静電チャックが円形状の場合、チャック層の円形状の円の面積は、静電チャックで基板を保持した場合の基板への接触面積よりも小さいことが好ましい。その理由を下記に説明する。
例えば、EUVマスクブランク用のSiO2−TiO2基板として、一般的に使用されるガラス基板(外形6インチ(152.4mm)角、厚さ6.3mm、熱膨張率0.2×10-7/℃、ヤング率67GPa、比剛性3.1×107m2/s2)に、反射層の成膜による400〜500MPaの圧縮応力が加わった場合、基板は反射層側に1.9〜2.1μm程度凸状に反った状態に変形する。EUVマスクブランクにおいて、平坦度の許容限界値はマスクブランクの端から端までで100nm以下である。なお、反射層を成膜後の基板の平坦度とは、反射層上の平坦度を意味する。
例えば、直径100mmの円形状を有する静電チャックの場合、チャック層の形成領域は、直径98mm以内の円形状、特に直径90mm以内の円形状、さらには直径80mm以内の円形状であることが好ましい。
また、もし、上記のように特定の部分を被覆部材で被覆し反射層を形成する場合、その部分には確実に反射層が形成されないことになるため、チャック層の形成領域は上述したような狭い範囲に限定される必要はない。具体的には、チャック層の形成領域は、基板の端から1mm以上内側に入った領域、特には5mm以上内側に入った領域であることが好ましい。上記範囲であれば、反射層とチャック層との導通をさけることができ、欠陥の発生が少ない反射層付き基板を得ることが可能となる。
反射層とチャック層との導通がない反射層付き基板の第2の態様としては、反射層の形成領域を基板よりも小さくすること、具体的には、基板の端に近い周辺部分には反射層を形成せず、基板中央にのみ反射層を形成する態様や、基板の表面に導通を生じさせないような不導通部を形成する態様が挙げられる。反射層の形成領域を小さくすれば、チャック層が基板の側面、場合によっては表面にまで回り込んでいたとしても、その回り込んだ部分から反射層の形成領域が離れているため、各々の膜のオーバーラップがなく、導通を生じないからである。前記不導通部は、図9のとおり、基板全周にわたって形成されていることが好ましい。
また、反射層の形状は、円(図9(a)に記載)、楕円、三角形または四角形(図9(b)に記載)等の多角形等特に限定されないが、マスクとして製造した後の露光可能なエリアを考慮すると、四角形であることが好ましい。
遮蔽部材を用いて反射層を成膜する方法とは、成膜チャンバ内のターゲットから基板までの間に、基板の側面や裏面にスパッタ粒子が届かないような遮蔽部材を設置し、物理的に基板の側面や裏面に膜が成膜されないようにする方法である。遮蔽部材としては、反射層の成膜時の形状に合わせた形状に加工した遮蔽マスクや、成膜する経路を遮断するように加工した邪魔板のようなものであってもよい。また、遮蔽部材の設置場所は、ターゲット側よりも、基板側に設置することが、より多くのスパッタ粒子が反射層の形成領域に到達することができる点で好ましい。
反射層を基板全面に成膜後、反射層の一部を除去する方法は、まず、遮蔽部材を設置する等の施策をすることなく通常どおり基板全面に膜を形成し、その後、膜を何らかの方法で除去して不導通部を形成する方法である。膜の除去の方法としては、具体的には、化学的エッチング、エアロゾルによるブラスト、サンドブラストや機械的研磨等が挙げられる。また、膜を除去する箇所は、基板の周辺部分であってもよいし、基板の側面であってもよいし、または基板の角部(面取り)であってもよい。膜の反射層の除去は、導通を生じなくさせることが必要な点で、基板の全周にわたって行うことが好ましい。
反射層とチャック層との導通がない反射層付き基板の第3の態様としては、基板の側面、裏面および表面のうちの少なくとも一面において、不導通部が形成されるように膜の少なくともある一部分で、基板全周にわたって導通を生じさせるような膜(チャック層、反射層または吸収層)が存在しないような削除部55を設けることである。図10(a)のEUVマスクブランクの断面図においては基板の側面に削除部を形成した例、図10(b)には基板の裏面に削除部を形成した例、図10(c)には基板の表面に削除部を形成した例を挙げている。削除部55を形成することで、チャック層50と反射層20との導通を生じさせていた膜の縁を切ることができ、導通を消失させることができるからである。また、反射層20上に吸収層30を形成した場合であっても、同様に削除部55を形成することで、導通を消失させることができる。なお、図10では、膜の2箇所に削除部を設けているが、これは基板の全周にわたって削除部を設けていることを意味する。
削除部55の幅は、導通を消失させることができる点で、0.0001〜1mm、特に0.001〜0.5mmであることが好ましい。さらに、膜が存在しない削除部55の深さ(膜を掘り進めて基板に到達してからの基板への掘り込み深さ)は、導通を所望の程度まで消失させることができる点で、0.0001〜5mm、特に0.001〜1mmであることが好ましい。
膜を除去する方法としては、化学的エッチング、エアロゾルによるブラスト、サンドブラストや機械的研磨等が挙げられる。また、除去する箇所は、基板の表面、側面、裏面のいずれかの1面でもよいし、2面、3面全部でもよいし、複数の面にまたがってもよい。また、除去する箇所は、1箇所のみならず、数箇所であってもよい。
反射層とチャック層との導通がない反射層付き基板の第4の態様としては、不導通部を形成するための特定の絶縁層を基板と反射層との間に形成することである。図11には、基板10の裏面にチャック層50が形成され、基板10の表面に絶縁層80を介して反射層20および吸収層30を形成された態様が記載されている。絶縁層80を形成することで、導電膜50と反射層20との導通を生じさせていた膜の縁を切ることができ、導通が生じなくさせることが可能となるからである。また、図11に記載のとおり、反射層20上に吸収層30を形成した場合であっても、同様に絶縁層80を形成することで、導通を消失させることができる。
上記のような絶縁層を介した反射層付き基板を形成する方法としては、まず、チャック層を基板の裏面に形成した後、少なくとも反射層を形成する領域に絶縁層を形成し、続いて反射層を該絶縁膜と同領域またはそれよりも小さい領域に形成する方法が例示される。絶縁層を形成する方法としては、スパッタ法等、チャック層を形成する方法と同様の方法を使用することが可能である。
なお、上記のような第1〜第4の態様は、主として、チャック層と反射層とが形成された反射層付き基板についての態様であるが、チャック層と反射層および吸収層(場合によっては、後述する中間層や低反射層も形成可能)とが形成された吸収層付き基板(EUVマスクブランク)にも同様の態様が使用できる。なお、反射層、中間層および吸収層は同一の形状で成膜されることが、マスクの露光エリアを効率的に広げることができる点で好ましい。
本発明のEUVマスクブランクにおいて用いられる基板、チャック層および反射層の組成および方法は、反射層付き基板と同様の組成・方法が使用できる。例えば、反射層付き基板において使用された(1)基板の材質や平坦度、(2)反射層の組成、形成方法、特性や層厚、(3)キャップ層の組成、形成方法、特性や層厚、(4)吸収層の組成、形成方法、特性や層厚などは、反射層付き基板において記載した内容をそのまま使用することが可能である。
本発明のEUVマスクブランクにおいて、反射層上に成膜される吸収層としては、EUV光に対する吸収係数の高い材料、具体的には、Cr、Taまたはこれらの窒化物、ホウ素化物、ホウ窒化物が挙げられる。中でも、TaNがアモルファスであり、表面が平滑であるという理由で好ましい。吸収層の厚さは、50〜100nmであることが好ましい。吸収層の成膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法のいずれであってもよい。
スパッタリング法を用いて、吸収層30を成膜する際、表面分布が均一な膜厚を得るために、回転体により基板をチャックして保持させながら基板を回転させて、成膜を行うことが好ましい。
中間層としては、たとえば、Cr、Al、Ru、Taおよびこれらの窒化物、ならびにSiO2、Si3N4、Al2O3が挙げられる。中間層は厚さ10〜60nmであることが好ましい。
中間層の成膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法のいずれであってもよい。
EUVマスクブランクを形成する場合、反射層付き基板と同様に、スパッタリング法で特に何も施策をすることなくそのまま成膜すると、反射層のみならず、吸収層も基板の側面や場合によっては裏面まで膜が回り込むことになる。よって、特許文献1の図1には、本願の図2のようなEUVマスクブランクが形成されているが、実際に製造されるEUVマスクブランクは、図3に記載されたような回り込み部120が形成されていることとなる。
チャック層についても、上述したとおり図5に記載されたような回り込み部130が形成され、結果的に図6に記載されたようなオーバーラップ部140が、EUVマスクブランクについても形成されていることになる。この回り込み部120および130は、特許文献1および2には特に記載されていないが、特に何も施策をすることなく通常のスパッタリング法で形成されれば、必然的に現れる部分である。
なお、導通していない、とは、積層膜とチャック層との間の抵抗値が1MΩ以上であることを意味し、特に5MΩ以上、10MΩ以上、さらには測定不可能な程度まで抵抗値が高いことが好ましい。また、反射層とチャック層との間の抵抗値は、露光エリア(通常は基板中央の104×132mmの四角形のエリア)に相当する領域内の1点と、基板裏面に形成された静電チャックのために必要な膜の、静電チャックに使用される領域内の1点との2点間で、2端子法あるいは4端子法により測定した場合の抵抗値を用いることが可能である。
また、オーバーラップ部140は、上述したような理由により、できるだけ少ないほうが好ましく、存在しないことが特に好ましい。なお、絶縁膜を形成した場合は、オーバーラップ部140が存在していても、絶縁膜により導通が消失されているため特に問題はない。
上記のような積層膜とチャック層との導通がないEUVマスクブランクとしては、下記のような態様が考えられる。これらの態様は、反射層付き基板における第1〜4の態様とほぼ同じである。
また、上記のような導通がないEUVマスクブランクを形成する方法としては、(1)チャック層を成膜時にマスク等の遮蔽部材を用いる方法、(2)チャック層を基板全面に成膜後、基板の一部を研磨する方法が例示される。マスクの材質や大きさ、研磨方法などは、上述した反射層付き基板の場合と同様である。
また、上記のような導通がないEUVマスクブランクを形成する方法としては、(1)積層膜を成膜時に遮蔽マスク等の遮蔽部材を用いる方法、(2)積層膜を基板全面に成膜後、基板の一部を研磨する方法が挙げられる。なお、遮蔽部材の材質や大きさ、研磨方法などは、上述した反射層付き基板と同様である。
なお、基板にあらかじめ全周にわたって切り込み部を設け、前記切り込み部に形成されたオーバーラップ部を除去する方法も考えられる。オーバーラップ部を除去する方法としては、化学的エッチング、エアロゾルによるブラスト、サンドブラストや機械的研磨等が例示される。
また、上記のような導通がないEUVマスクブランクを形成する方法としては、(1)チャック層および積層膜を形成後、基板の側面、裏面および表面のうちの少なくとも一面から膜の一部を除去する、(2)チャック層を形成後、基板の側面、裏面および表面のうちの少なくとも一面から膜を除去し、その後積層膜を形成する、という方法が挙げられる。なお、膜の除去方法などは、上述した反射層付き基板と同様である。
10、111:基板
10a:基板表面
10b:基板裏面
20:反射層
30、114:吸収層
40、115:積層膜
50、125:チャック層
55:削除部
60:静電チャック
65:不導通部
80:絶縁膜
112:反射層
113:中間層
120、130:回り込み部
140:オーバーラップ部
Claims (24)
- EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている表面とは反対の面である裏面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、
前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面に不導通部が形成されていることを特徴とする反射層付き基板。 - 遮蔽部材を用いて前記反射層を成膜することにより、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面に不導通部が形成されている請求項1に記載の反射層付き基板。
- 前記不導通部の形成領域は、前記形成領域における幅の最小値で表した場合、1mm以上である請求項2に記載の反射層付き基板。
- 前記反射層の形状が四角形である請求項2または3に記載の反射層付き基板。
- 前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面において、基板全周にわたって導通を生じさせる膜が存在しないような削除部を設けることで、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面に不導通部が形成されている請求項1に記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層および前記反射層を形成後、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面から膜を除去して前記削除部が形成されているか、または前記チャック層を形成後、前記基板の側面および表面のうちの少なくとも一面から膜を除去し前記削除部が形成されている請求項5に記載の反射層付き基板。
- 前記削除部の幅が0.0001〜1mmである請求項5または6に記載の反射層付き基板。
- 前記削除部の深さが0.0001〜5mmである請求項5〜7のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 遮蔽部材を用いて前記チャック層を成膜することにより、前記基板の裏面にも不導通部が形成されている請求項1〜8のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記基板の裏面の不導通部の形成領域は、前記形成領域における幅の最小値で表した場合、2mm以上である請求項9に記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層の形状が円形状である請求項9または10に記載の反射層付き基板。
- 前記反射層と前記チャック層との間の抵抗値が1MΩ以上である請求項1〜11のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記基板はSiO2−TiO2ガラスであり、前記SiO2−TiO2ガラス中の水素分子含有量が5×1017分子/cm3未満である請求項1〜12のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層の体積抵抗率が106Ω・cm以下である請求項1〜13のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層のビッカーズ硬度が200以上である請求項1〜14のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層の表面の平滑性は、Rmsで2nm以下である請求項1〜15のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層は、Cr、Ni、Ti、Ta、Mo、SiおよびWからなる群から選ばれる1種以上の金属材料である請求項1〜16のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層の膜厚は、10〜500nmである請求項1〜17のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層がCrであってBを含有する膜であるか、またはCrであってBおよびNを含有する膜である請求項1〜18のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記チャック層の熱伝導率が、2.8J/cm・sec・℃以上である請求項1〜19のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 前記反射層の最上層としてキャップ層が設けられた請求項1〜20のいずれかに記載の反射層付き基板。
- 請求項1〜21のいずれかに記載の反射層付き基板における反射層上に吸収層を形成されてなるEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 前記反射層と、前記吸収層と、の間に中間層が設けられた請求項22に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 請求項22または23に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクをパターニングすることにより形成されてなるEUVリソグラフィ用反射型マスク。
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