JP2011216651A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】斜めイオン注入法やホトレジストをエッチングマスクとして用いることなくウェーハ全面に亘ってトレンチ底部に高精度の膜厚を有する絶縁膜を形成する。
【解決手段】半導体層に形成したトレンチの内壁上と半導体層上とに、第1の絶縁膜を形成し、第1のエッチャントに対するエッチングレートが第1の絶縁膜よりも小さい第2の絶縁膜をトレンチの内部を埋め込むようにCVD法により第1の絶縁膜上に形成する。第2の絶縁膜を残留し、半導体層上の第2の絶縁膜を除去し、第1の絶縁膜を半導体層の表面から所定の深さまで除去し、トレンチの上部内壁を露出しトレンチの内部に残留する第2絶縁膜を第1の絶縁膜に対するよりも第2の絶縁膜に対するエッチングレートが高い第2のエッチャントでエッチング除去する。トレンチの底部に第1の絶縁膜を残留しトレンチの内部にゲート電極を埋設する。
【選択図】図3
【解決手段】半導体層に形成したトレンチの内壁上と半導体層上とに、第1の絶縁膜を形成し、第1のエッチャントに対するエッチングレートが第1の絶縁膜よりも小さい第2の絶縁膜をトレンチの内部を埋め込むようにCVD法により第1の絶縁膜上に形成する。第2の絶縁膜を残留し、半導体層上の第2の絶縁膜を除去し、第1の絶縁膜を半導体層の表面から所定の深さまで除去し、トレンチの上部内壁を露出しトレンチの内部に残留する第2絶縁膜を第1の絶縁膜に対するよりも第2の絶縁膜に対するエッチングレートが高い第2のエッチャントでエッチング除去する。トレンチの底部に第1の絶縁膜を残留しトレンチの内部にゲート電極を埋設する。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関して、特に、トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法に関する。
トレンチゲート構造を有する半導体装置において、トレンチ内部に埋設されたゲート電極と、ドレイン領域との間の容量を低減させることを目的として、トレンチ底部に比較的厚い絶縁膜を設ける構成が知られている(特許文献1、2および3)。
例えば、特許文献1に係る半導体装置の製造方法は、トレンチ底部に厚い絶縁膜を設けた構成が記載されている。特許文献1に記載の半導体装置の製造方法について、図5および図6を参照しつつ説明する。
図5、図6は、関連する技術(特許文献1)に係る半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。
図5(a)に示すように、シリコン基板1主面に、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜からなるエッチングマスク2を設けてエッチングを行い、所定の幅および所定の深さを有するトレンチ4を形成する。次に、図5(b)に示すように、エッチングマスク2を除去する。その後、図5(c)に示すように、シリコン基板1主面およびトレンチ4内部の全面にCVD法を用いてシリコン酸化膜3を形成する。
次に、図6(d)に示すように、イオン注入装置によりシリコン酸化膜3にアルゴンイオンを斜めイオン注入する。このとき、シリコン酸化膜3のうち最終的に残留させたい膜部分にアルゴンイオンが注入されないように、斜めイオン注入の角度を調節する。この斜めイオン注入により、図6(e)に示すように、シリコン基板1主面とトレンチ4側壁の開口部近傍のシリコン酸化膜3のみに注入ダメージ領域5が形成される。つまり、トレンチ4側壁の下部や底部のシリコン酸化膜3は未導入領域6となる。注入ダメージ領域5は、イオン注入によりシリコン酸化膜3の結晶構造にダメージが与えられた部分である。
その後、図6(f)に示すように、シリコン酸化膜3の一部をエッチング除去する。注入ダメージ領域5は、フッ化水素系水溶液によるウェットエッチングにより選択的にエッチングされる。そして、最終的にトレンチ4側壁の下部と底部だけに、相対的に厚い酸化膜(残留酸化膜7)が形成される。
また、他の関連する技術として、特許文献2に半導体装置の製造方法が記載されている。特許文献2に係る半導体装置の製造方法について、図7を参照しつつ説明する。
図7は、関連する技術(特許文献2)の半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。
図7において、n−型半導体層32、p型半導体領域33、n型半導体領域34、トレンチ35が、n型半導体基板31に、それぞれ公知の製法により、形成される。
図7において、n−型半導体層32、p型半導体領域33、n型半導体領域34、トレンチ35が、n型半導体基板31に、それぞれ公知の製法により、形成される。
図7(a)に示すように、トレンチ35内に第1熱酸化膜36を形成した後に、CVD法により、TEOS(テトラエチルオルソシリケート(traethylorthosilicate))膜37を設ける。TEOS膜37の表面に、レジスト40を塗布し、露光および現像により、レジスト40の上面がチャネル領域となるp型半導体領域33の下面より下部に位置するように形成する。
次に、図7(b)に示すように、レジスト40をエッチングマスクとして、TEOS膜37と第1熱酸化膜36をエッチング除去する。その後、レジスト40を剥離する。
その後、図7(c)に示すように、熱酸化によりゲート酸化膜41を形成する。次に、図7(d)に示すように、トレンチ35内部にゲート電極42を形成した後、ゲート電極42上に、絶縁膜43を介してソース電極44を形成する。これにより、底部に厚い絶縁膜を有するトレンチゲート構造の半導体装置が形成される。
さらに、他の関連する技術として、特許文献3に、レジストと下地との密着性について解決しようとする半導体の製造方法が、記載されている。
特許文献3に係る半導体の製造方法について、図8および図9を参照しつつ説明する。図8、図9は、関連する技術(特許文献3)のトレンチ内部に厚い絶縁膜を形成する方法を示す工程説明図である。
図8(a)に示すように、P型半導体基板50の表面にエピタキシャル成長で、N+型半導体層51およびN−型半導体層52を形成する。次いで、N−型半導体層52上に、CVD法または熱酸化法により、シリコン酸化膜53を形成する。さらに、シリコン酸化膜53上に、所定のレジストマスク(不図示)を形成して、それをマスクとしてシリコン酸化膜53をエッチングして、シリコン酸化膜53に開口部53Mを形成する。その後、レジストマスク(不図示)を除去した後、シリコン酸化膜53をマスクとして、N−型半導体層52をエッチングしてトレンチ54を形成する。
次に、図8(b)に示すように、熱酸化処理を行い、トレンチ54内を含むN−型半導体層52にシリコン酸化膜55Aを形成する。その後、図8(c)に示すように、トレンチ54内を含むシリコン酸化膜55A上に、CVD法により、ホトレジスト補強膜56を形成する。
ホトレジスト補強膜56は、後述するウェットエッチング工程において、ホトレジスト層R2とシリコン酸化膜55Aとの界面にエッチング溶液が侵入して、残留させるべき箇所のシリコン酸化膜55Aが欠損することを防ぐものである。このホトレジスト補強膜56は、例えばシリコン窒化膜からなり、その厚さは、約60nmである。
次に、図8(d)に示すように、トレンチ54内を含むホトレジスト補強膜56上に、ホトレジスト層R2を形成する。その後、図9(e)に示すように、ホトレジスト層R2およびホトレジスト補強膜56の一部を、エッチングバックして除去する。これにより、ホトレジスト層R2およびホトレジスト補強膜56は、トレンチ54内のみに残留され、トレンチ54の端部から外側にかけてシリコン酸化膜55Aを露出させる。
次に、図9(f)に示すように、ホトレジスト層R2およびホトレジスト補強膜56をマスクとして、露出されたシリコン酸化膜55Aに対してエッチングを行う。このエッチングは、フッ酸系のエッチング溶液を用いたウェットエッチングであり、これにより、N−型半導体層52の表面およびトレンチ54の側壁の上方(トレンチ54の開口部の近い領域)からトレンチ54の外側にかけて、シリコン酸化膜55Aが除去され、N−型半導体層52が露出する。トレンチ54内で除去されるシリコン酸化膜55Aの領域は、トレンチ54の開口部から底部へ向って約600nm〜1μmである。
その後、図9(g)に示すように、ホトレジスト層R2およびホトレジスト補強膜56を除去する。次に、図9(h)に示すように、熱酸化処理を行うことにより、トレンチ54の側壁の上方からトレンチ54の外側にかけて、トレンチ54の底部のシリコン酸化膜55Aよりも薄いシリコン酸化膜55Bを形成する。
上記の特許文献3の製造方法を、図10を参照しつつさらに説明する。
図10は、図9(e)に示すエッチバック工程を詳細な段階に分割して示す説明図である。
図10は、図9(e)に示すエッチバック工程を詳細な段階に分割して示す説明図である。
特許文献3に係る半導体の製造方法における、図9(e)の工程で、まず、ホトレジスト層R2がエッチバック除去される際に、上述したように、ウェーハ面内には、無視できない一定のレジスト膜厚差や収縮差などがあるため、例えば、図10(a)に示すように、ホトレジスト層R2の上面位置が所定の位置(図10(a)中、破線L1で示す。)よりも深い位置になるものがある。
この場合、引き続き行なわれるホトレジスト補強膜56(窒化膜)のエッチバックの際に、ホトレジスト補強膜56の上部が、ホトレジスト層R2から露出した状態でエッチバックされる。このため、図10(b)に示すように、その上面位置が所定の位置(図10(b)中、破線L2で示す。)よりも深い位置までエッチング除去されることになる。
その結果、図10(c)に示すように、エッチングマスクとなるホトレジスト補強膜56(窒化膜)が所定位置よりも深いために、それに伴って、トレンチ54底部に残留させるシリコン酸化膜55Aの上面位置が所定の位置(図10(c)中、破線L3で示す。)よりも深くエッチング除去されることになる。
しかしながら、発明者は、上記の半導体装置の製造方法には、改善すべき点があると考えた。特許文献1に係る半導体装置の製造方法は、斜めイオン注入による選択的注入を行う方法であり、残留酸化膜7の形成領域の寸法精度を精度よくコントロールするのは技術的に困難であるという問題があった。
特に、トレンチ4の深さが深い場合や、トレンチ4の開口幅が狭い場合には、斜めイオン注入の際に、注入イオンがトレンチ4内で乱反射を起こし、注入ダメージ領域5の境界が安定して明瞭にならず、その結果、残留酸化膜7の形成領域の寸法にばらつきが生じることになる。
また、エッチングマスクを用いることなく、注入ダメージ領域と非注入ダメージ領域とのエッチング速度差だけを利用したウェットエッチングを行うため、非注入ダメージ領域全面に対して、エッチングが同時進行する。このため、エッチング条件のばらつきが直接、残留酸化膜7の寸法精度に影響を与え、所定の膜厚を安定して得ることは困難であるという問題点があった。
また、特許文献2に係る半導体の製造方法は、トレンチ35内部をレジスト40で埋め込み、それをエッチングマスクとして、第1熱酸化膜36とTEOS膜37との積層膜をエッチングする方法であり、以下の問題点を有していた。
第1点として、レジスト40はポストベークなどの際に収縮性が大きいため、下地(TEOS膜37)との密着性が悪くなり、下地との間に隙間が生じ、エッチャントがその隙間から侵入して下地を浸食するおそれが生じていた。
第2点として、ウェーハにレジスト40を回転塗布する際に、レジストの有する粘性のために、ウェーハの中央部と外周部とで膜厚差が生じ、ウェーハ面内の膜厚分布を安定して均一にするには限界があるという問題があった。
第3点として、露光/現像の条件制御だけで、レジスト40の上面位置を所定の位置にウェーハ全面に亘って均一かつ精度よく制御することは技術的に困難であった。さらに、レジストの耐エッチング性向上のために行うポストベークやUVキュアリングで膜厚減少が生じるため、所定のレジスト膜厚を得ることは困難であるという問題があった。
さらに、特許文献3に係る半導体の製造方法は、ホトレジスト補強膜56を設けて下地55Aとの密着性を改善したものであるが、上記の第2の問題点である、ウェーハの中央部と外周部とで膜厚差が生じ、ウェーハ面内の膜厚分布の不均一化を解決することはできなかった。
すなわち、ホトレジストをエッチングマスクとして用いて、かつ、そのホトレジストの膜厚を基準にして残留絶縁膜の膜厚を、ウェーハ全面に亘って均一で寸法精度よく得ることは困難であった。
さらに、エッチングマスクとして、ホトレジスト層とホトレジスト補強膜の積層膜(2層)でトレンチ内部を埋め込むため、レジストの塗布工程、露光/現像工程、キュア工程、レジスト剥離工程などの工程数を増やす必要があった。
上述のように、関連する技術にかかる半導体装置の製造方法では、収縮性が大きく、かつ、ウェーハ面内の膜厚分布に一定の差異(ばらつき)が生じてしまうホトレジストをエッチングマスクおよび寸法基準として使用する限り、ウェーハ全面に亘って、均一で高精度な膜厚の絶縁膜を得ることができなかった。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体層に所定の深さのトレンチを形成し、前記トレンチの内壁上と前記半導体層上とに、第1の絶縁膜を形成し、第1のエッチャントに対するエッチングレートが、前記第1の絶縁膜よりも小さい第2の絶縁膜を、前記トレンチの内部を埋め込むように、CVD法により前記第1の絶縁膜上に形成し、前記トレンチの内部に前記第2の絶縁膜を残留し、前記半導体層上の第2の絶縁膜を除去し、前記第2の絶縁膜をエッチングマスクとして、前記第1のエッチャントにより、前記第1の絶縁膜をエッチバックして、前記第1の絶縁膜を前記半導体層の表面から所定の深さまで除去し、前記トレンチの上部内壁を露出し、前記トレンチの内部に残留する前記第2絶縁膜を、前記第1の絶縁膜に対するよりも前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが高い第2のエッチャントでエッチング除去し、前記トレンチの底部に第1の絶縁膜を残留し、前記露出した前記トレンチの内壁に、ゲート絶縁膜を形成し、前記トレンチの内部に、ゲート電極を埋設する。
このような構成にすることにより、第2絶縁膜をCVD法で形成することで、第1絶縁膜のエッチングに際しても耐えられる十分な密着性が確保でき、製造工数を低減するとともに、トレンチ底部に高精度の膜厚を有する絶縁膜を形成することが可能である。
本発明によれば、斜めイオン注入法や、ホトレジストをエッチングマスクとして用いることなく、ウェーハ全面に亘って、トレンチ底部に高精度の膜厚を有する絶縁膜を形成することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。説明の明確化のため、以下の記載および図面は、適宜、省略、および簡略化がなされている。各図面において同一の構成または機能を有する構成要素および相当部分には、同一の符号を付し、その説明は省略する。
(実施の形態1)
本発明の半導体装置の製造方法の一例を、図1〜図3を参照して説明する。
図1〜図3は、本発明の実施の形態1に係る半導体の製造方法を示す工程説明図である。
本発明の半導体装置の製造方法の一例を、図1〜図3を参照して説明する。
図1〜図3は、本発明の実施の形態1に係る半導体の製造方法を示す工程説明図である。
図1(a)に示すように、N+型のシリコン基板101上に、N−型のエピタキシャル層102を成長させてドレイン領域を形成した後、イオン注入等により、P−型のベース領域103およびN+型のソース領域104をそれぞれ形成する。
なお、P−型のベース領域103はエピタキシャル成長法で形成してもよい。あるいは、P−型のベース領域103およびN+型のソース領域104の形成方法は、気相拡散法や塗布拡散法であってもよい。
なお、P−型のベース領域103はエピタキシャル成長法で形成してもよい。あるいは、P−型のベース領域103およびN+型のソース領域104の形成方法は、気相拡散法や塗布拡散法であってもよい。
次いで、図1(b)に示すように、基板表面上にシリコン酸化膜105aおよびシリコン窒化膜105bからなる酸化膜マスク105を形成する。
次に、図1(c)に示すように、酸化膜マスク105をエッチングマスクとして、N−型のエピタキシャル層102に達するようにトレンチ106を形成する。
次に、図2(d)に示すように、酸化膜マスク105を除去した後、基板表面上およびトレンチ106内部にCVD法を用いてNSG膜(Non-Doped-Silicate Glass)107(第1絶縁膜)を形成する。このように、第1絶縁膜についてCVD法を用いて形成することにより、比較的少ない熱負荷(700〜800℃程度)で、ウェーハ面内の膜厚分布が良く、かつトレンチ内部の被覆性のよい成膜ができる。
ここで、NSG膜107(第1絶縁膜)は、トレンチ106内部を完全に埋め込まない程度の膜厚で形成される。例えば、トレンチ幅0.4μmの場合、NSG膜の膜厚を0.1μm程度とし、トレンチ幅トレンチ幅0.6μmの場合、NSG膜の膜厚を0.2μm程度とする。
ここで、NSG膜107(第1絶縁膜)は、トレンチ106内部を完全に埋め込まない程度の膜厚で形成される。例えば、トレンチ幅0.4μmの場合、NSG膜の膜厚を0.1μm程度とし、トレンチ幅トレンチ幅0.6μmの場合、NSG膜の膜厚を0.2μm程度とする。
次に、図2(e)に示すように、基板主面およびトレンチ106内部のNSG膜107(第1絶縁膜)の上に、トレンチ106内部を完全に埋め込むように、CVD法により形成される。これにより、第1絶縁膜のウェットエッチングに際しても耐えられる十分な密着性が確保できる。
特に、減圧化学気相成長法LP−CVD法(Low Pressure−Chemical Vapor Deposition法)を用いてSiN膜108(第2絶縁膜)を形成すると、ウェーハ面内の膜厚ばらつきが少ない上、トレンチ内部の埋め込み性がよく、かつNSG膜との密着性がよくエッチャントの侵入を防止できる。
特に、減圧化学気相成長法LP−CVD法(Low Pressure−Chemical Vapor Deposition法)を用いてSiN膜108(第2絶縁膜)を形成すると、ウェーハ面内の膜厚ばらつきが少ない上、トレンチ内部の埋め込み性がよく、かつNSG膜との密着性がよくエッチャントの侵入を防止できる。
次に、図2(f)に示すように、SiN膜108(第2絶縁膜)を異方性エッチング法でエッチバックして、基板表面上のSiN膜108(第2絶縁膜)を除去し、SiN膜108(第2絶縁膜)をトレンチ16内部だけ残留させる。
次に、図3(g)に示すように、NSG膜107(第1絶縁膜)をフルオロカーボン系ガス(例えば、CF4、CHF3、Heの混合ガスをエッチャント(第1のエッチャント)とするプラズマエッチング法でエッチバックして、基板主面上のNSG膜107(第1絶縁膜)を除去し、さらにトレンチ106内部のNSG膜107(第1絶縁膜)を基板表面から所定の深さd1まで除去する。これにより、トレンチ106の上部側壁を露出させる。
ここで、所定の深さd1は、ベース層深さd2よりも深く(d1>d2)、かつ、トレンチ106底部に所定の膜厚のNSG膜107(第1絶縁膜)が残留するような深さとする。前者のd1>d2とする理由は、後工程で形成予定のゲート電極と対向するチャネル領域の酸化膜が厚くなるとゲート電圧によるチャネルの形成が不十分となりオン抵抗が上昇するためである。また、後者の深さとする理由は、ゲート−ドレイン間の寄生容量を低減するためである。
但し、ベース層深さより深さd1が深くなりすぎると、ドレイン・ゲート間の容量が増加してしまうため、ベース層深さとの差が少なくなる様にd1の深さにコントロールすることが好ましい。
但し、ベース層深さより深さd1が深くなりすぎると、ドレイン・ゲート間の容量が増加してしまうため、ベース層深さとの差が少なくなる様にd1の深さにコントロールすることが好ましい。
すなわち、エッチング量(エッチング深さ)を安定して、コントロールしやすいプラズマエッチング法を用いて、NSG膜107(第1絶縁膜)をエッチバックすることで高い寸法精度の残留膜107を得る。
次に、図3(h)に示すように、トレンチ106内部に残留するSiN膜108(第2絶縁膜)を、熱リン酸(第2のエッチャント)を用いたウェットエッチングで完全に除去する。
この時、熱リン酸(第2のエッチャント)に対するSiN膜108(第2絶縁膜)のエッチングレートは、NSG膜107(第1絶縁膜)のエッチングレートよりも大きいため、トレンチ106底部にNSG膜107(第1絶縁膜)のみを残留させることができる。
次いで、図3(i)に示すように、基板表面上および露出したトレンチ106側壁に熱酸化法を用いて、シリコン酸化膜109(ゲー絶縁膜)を形成する。
ここで、シリコン酸化膜109の膜厚は、例えば、数十nm程度、具体的には、20〜50nmが好ましい。この範囲内では、所定のゲート耐圧が得られるとともに、低電圧(VGS)駆動が可能になるという効果が得られる。なお、これは、NSG膜107(第1絶縁膜)の膜厚(1μm程度)と比べて薄い膜厚である。
その後、基板表面上およびトレンチ106内部に、ポリシリコン膜を形成した後、所定のエッチングマスク(図示せず)を用いてエッチバックして、トレンチ106内部に埋設されたゲート電極120が形成される。ゲート電極120上は層間膜(不図示)で被覆され、トレンチゲート構造が形成される。
このようなトレンチゲート構造によれば、トレンチ106内に比較的厚いNSG膜107(第1絶縁膜)を設けているので、厚い絶縁膜を設けない場合と比較して、ゲート−ドレイン間容量を小さくでき、その結果、スイッチングスピードを速くすることができる。また、本発明に係る製造方法によると、斜めイオン注入法やホトレジストをエッチングマスクとして用いることがない。さらに、下地との密着性がよく、ウェーハ全面に亘って安定して均一な膜厚が得られやすいSiN膜をエッチングマスクとして採用し、かつ、エッチング量を精度よく制御しやすい異方性エッチング法でSiN膜のエッチバックを行うため、高い寸法精度のエッチングマスク(SiN膜)を得ることができ、その結果、トレンチ底部に高い寸法精度の膜厚を有する絶縁膜を残留形成できる。
さらに、エッチングマスクとして、ホトレジスト層R2とホトレジスト補強膜56の積層膜(2層)でトレンチ内部を埋め込むのに対して(特許文献3参照)、本発明においては、SiN膜108の単層でトレンチを埋め込むため、レジストの塗布工程、露光/現像工程、キュア工程、レジスト剥離工程などが不要となり、その分、工程数を削減できる。
本実施の形態においては、第1絶縁膜としてCVD法で形成したNSG膜107、第2絶縁膜としてSiN膜108を採用したが、これに何ら限定されるものではない。例えば、第1絶縁膜としてNSG膜107の代わりに、熱酸化法で形成したシリコン酸化膜を形成してもよい。この場合には、SiN膜(第2絶縁膜)をエッチングマスクとして熱酸化膜(第1絶縁膜)をエッチバックする工程は、フッ酸(HF)を含む溶液(第1のエッチャント)を用いたウェットエッチングでもよい。
その理由としては、熱酸化膜は緻密であるためウェットエッチングにおけるエッチング速度が比較的遅くエッチング量(深さ)が制御しやすいからである。
また、集積化が進み、益々、トレンチのアスペクト比が大きくなり、図2(e)の工程で、SiN膜108を堆積する際に、図4に示すように、内部ボイドVが生じたとしても、エッチングマスクとしての機能上、問題とならない。つまり、内部ボイドVの発生を考慮する必要はなく、その分、LP−CVD法の設定条件範囲の自由度は大きくなる。
尚、以上の半導体装置の構成は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
1 シリコン基板
2 エッチングマスク
3 シリコン酸化膜
4 トレンチ
5 注入ダメージ領域
6 未導入領域
7 残留酸化膜
31 n型半導体基板
32 n-型半導体層
33 p型半導体領域
34 n型半導体領域
35 トレンチ
36 第1熱酸化膜
37 TEOS膜
40 レジスト
41 ゲート酸化膜
42 ゲート電極
43 絶縁膜
44 ソース電極
50 P型半導体基板
51 N+型半導体層
52 N-型半導体層
53 シリコン酸化膜
53M 開口部
54 トレンチ
55A シリコン酸化膜
55B シリコン酸化膜
56 ホトレジスト補強膜
R2 ホトレジスト層
101 N+型シリコン基板
102 N-型エピタキシャル層
103 P-型ベース領域
104 N+型ソース領域
105 酸化膜マスク
105a シリコン酸化膜
105b シリコン窒化膜
106 トレンチ
107 NSG膜(第1絶縁膜)
108 SiN膜(第2絶縁膜)
109 シリコン酸化膜
120 ゲート電極
2 エッチングマスク
3 シリコン酸化膜
4 トレンチ
5 注入ダメージ領域
6 未導入領域
7 残留酸化膜
31 n型半導体基板
32 n-型半導体層
33 p型半導体領域
34 n型半導体領域
35 トレンチ
36 第1熱酸化膜
37 TEOS膜
40 レジスト
41 ゲート酸化膜
42 ゲート電極
43 絶縁膜
44 ソース電極
50 P型半導体基板
51 N+型半導体層
52 N-型半導体層
53 シリコン酸化膜
53M 開口部
54 トレンチ
55A シリコン酸化膜
55B シリコン酸化膜
56 ホトレジスト補強膜
R2 ホトレジスト層
101 N+型シリコン基板
102 N-型エピタキシャル層
103 P-型ベース領域
104 N+型ソース領域
105 酸化膜マスク
105a シリコン酸化膜
105b シリコン窒化膜
106 トレンチ
107 NSG膜(第1絶縁膜)
108 SiN膜(第2絶縁膜)
109 シリコン酸化膜
120 ゲート電極
Claims (6)
- 半導体層に所定の深さのトレンチを形成し、
前記トレンチの内壁上と前記半導体層上とに、第1の絶縁膜を形成し、
第1のエッチャントに対するエッチングレートが、前記第1の絶縁膜よりも小さい第2の絶縁膜を、前記トレンチの内部を埋め込むように、CVD法により前記第1の絶縁膜上に形成し、
前記トレンチの内部に前記第2の絶縁膜を残留し、前記半導体層上の第2の絶縁膜を除去し、
前記第2の絶縁膜をエッチングマスクとして、前記第1のエッチャントにより、前記第1の絶縁膜をエッチバックして、前記第1の絶縁膜を前記半導体層の表面から所定の深さまで除去し、前記トレンチの上部内壁を露出し、
前記トレンチの内部に残留する前記第2絶縁膜を、前記第1の絶縁膜に対するよりも前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが高い第2のエッチャントでエッチング除去し、前記トレンチの底部に第1の絶縁膜を残留し、
前記露出した前記トレンチの内壁に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記トレンチの内部に、ゲート電極を埋設する、半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜をエッチバックして、前記第1の絶縁膜を前記半導体層の表面から所定の深さまで除去する工程において、
前記所定の深さは、ベース領域の深さより深いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜がNSG膜から形成され、前記第2の絶縁膜がSiN膜から形成される場合、第1のエッチャントとしてフルオロカーボン系ガスを用いたプラズマエッチング法を用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜が熱酸化膜から形成され、前記第2の絶縁膜がSiN膜から形成される場合、前記第1のエッチャントとしてフッ酸(HF)を含む溶液を用いたウェットエッチング法を用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜がSiN膜から形成される場合、前記第2のエッチャントは熱リン酸であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜は、LP−CVD法を用いて形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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