JP2011211144A5 - 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー - Google Patents

液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー Download PDF

Info

Publication number
JP2011211144A5
JP2011211144A5 JP2010122800A JP2010122800A JP2011211144A5 JP 2011211144 A5 JP2011211144 A5 JP 2011211144A5 JP 2010122800 A JP2010122800 A JP 2010122800A JP 2010122800 A JP2010122800 A JP 2010122800A JP 2011211144 A5 JP2011211144 A5 JP 2011211144A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric layer
liquid ejecting
cerium
ejecting head
bismuth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010122800A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011211144A (ja
JP5672433B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010122800A priority Critical patent/JP5672433B2/ja
Priority claimed from JP2010122800A external-priority patent/JP5672433B2/ja
Priority to CN201110060738.3A priority patent/CN102205719B/zh
Priority to US13/046,671 priority patent/US8616682B2/en
Publication of JP2011211144A publication Critical patent/JP2011211144A/ja
Publication of JP2011211144A5 publication Critical patent/JP2011211144A5/ja
Priority to US14/078,447 priority patent/US9147829B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5672433B2 publication Critical patent/JP5672433B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、ノズル開口に連通する圧力発生室に圧力変化を生じさせ、圧電体層と圧電体層に電圧を印加する電極を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド、液体噴射装置圧電素子、焦電素子及びIRセンサーに関する。
本発明はこのような事情に鑑み、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができ且つ環境負荷の少ない圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置圧電素子、焦電素子及びIRセンサーを提供することを目的とする。
本発明の他の態様は、ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であって、セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で0.01以上0.13以下含むことを特徴とする焦電素子にある。これによれば、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができる焦電素子となる。また、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減できる。
また、本発明の他の態様は、上記態様の焦電素子を具備することを特徴とするIRセンサーにある。かかる態様では、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができる焦電素子を有するため、絶縁破壊が防止され信頼性に優れたIRセンサーとなる。また、鉛の含有量を抑え環境への負荷が低減されたIRセンサーを提供できる。

Claims (10)

  1. ノズル開口に連通する圧力発生室と、
    圧電体層および前記圧電体層に設けられた電極を備えた圧電素子と、を具備し、
    前記圧電体層は、ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であり、
    前記圧電体層は、セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で0.01以上0.13以下含むことを特徴とする液体噴射ヘッド。
  2. 前記圧電体層は、さらに、ランタンを含むことを特徴とする請求項1に記載する液体噴射ヘッド。
  3. 前記圧電体層は、ランタンを、ビスマスとセリウムとランタンの総量に対してモル比で0.05以上0.20以下含むことを特徴とする請求項2に記載する液体噴射ヘッド。
  4. 前記圧電体層は、電界誘起相転移を示すことを特徴とする請求項2または3に記載する液体噴射ヘッド。
  5. 前記圧電体層は、強誘電体であることを特徴とする請求項2または3に記載する液体噴射ヘッド。
  6. 前記圧電体層は、粉末X線回折パターンにおいて、強誘電性を示す相に帰属される回折ピークと、反強誘電性を示す相に帰属される回折ピークが同時に観測されることを特徴とする請求項5に記載する液体噴射ヘッド。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
  8. 圧電体層および前記圧電体層に設けられた電極を備えた圧電素子であって、
    前記圧電体層は、ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であり、
    前記圧電体層は、セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で0.01以上0.13以下含むことを特徴とする圧電素子。
  9. ビスマス、鉄およびセリウムを含むペロブスカイト型複合酸化物であって、
    セリウムを、ビスマスおよびセリウムの総量に対してモル比で0.01以上0.13以下含むことを特徴とする焦電素子
  10. 請求項9に記載する焦電素子を具備することを特徴とするIRセンサー。
JP2010122800A 2010-03-12 2010-05-28 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー Active JP5672433B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010122800A JP5672433B2 (ja) 2010-03-12 2010-05-28 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー
CN201110060738.3A CN102205719B (zh) 2010-03-12 2011-03-10 液体喷射头、液体喷射装置和压电元件以及压电材料
US13/046,671 US8616682B2 (en) 2010-03-12 2011-03-11 Liquid ejection head
US14/078,447 US9147829B2 (en) 2010-03-12 2013-11-12 Liquid ejection head

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010056806 2010-03-12
JP2010056806 2010-03-12
JP2010122800A JP5672433B2 (ja) 2010-03-12 2010-05-28 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011211144A JP2011211144A (ja) 2011-10-20
JP2011211144A5 true JP2011211144A5 (ja) 2013-09-12
JP5672433B2 JP5672433B2 (ja) 2015-02-18

Family

ID=44559572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010122800A Active JP5672433B2 (ja) 2010-03-12 2010-05-28 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8616682B2 (ja)
JP (1) JP5672433B2 (ja)
CN (1) CN102205719B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6146453B2 (ja) * 2010-03-15 2017-06-14 キヤノン株式会社 ビスマス鉄酸化物粉体、その製造方法、誘電体セラミックス、圧電素子、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ
JP5440795B2 (ja) * 2010-05-07 2014-03-12 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子
JP5765525B2 (ja) * 2011-02-10 2015-08-19 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びirセンサー
JP5817926B2 (ja) * 2012-05-01 2015-11-18 コニカミノルタ株式会社 圧電素子
US9503656B2 (en) 2013-12-11 2016-11-22 Seiko Epson Corporation Solid state imaging device and image acquisition method using solid state imaging elements having a PN junction
US9837596B2 (en) * 2014-06-13 2017-12-05 Tdk Corporation Piezoelectric device, piezoelectric actuator, piezoelectric sensor, hard disk drive, and inkjet printer apparatus
WO2016210189A1 (en) * 2015-06-23 2016-12-29 Mastel David Current powered generator apparatus
CN110239221B (zh) * 2018-03-09 2021-03-09 上海锐尔发数码科技有限公司 一种喷墨打印装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4051654B2 (ja) 2000-02-08 2008-02-27 セイコーエプソン株式会社 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びこれらの製造方法並びにインクジェットプリンタ
JP2003191477A (ja) * 2001-10-19 2003-07-08 Hitachi Koki Co Ltd インクジェットプリントヘッド及びその製造方法
JP4720969B2 (ja) * 2003-03-28 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 強誘電体膜、圧電体膜、強誘電体メモリ及び圧電素子
DE602005002060T2 (de) * 2004-01-27 2007-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Piezoelektrisches Element und dessen Herstellungsverfahren sowie Tintenstrahldruckkopf und -aufzeichnungsgerät mit demselben
JP2005246656A (ja) * 2004-03-02 2005-09-15 Ricoh Co Ltd 液滴吐出ヘッド、液体吐出装置及び画像形成装置
TWI261273B (en) 2004-04-26 2006-09-01 Tdk Corp Composition for thin film capacitive device, insulating film with high dielectric constant, thin film capacitive device, thin-film laminated capacitor and process for producing thin film capacitive device
JP4800989B2 (ja) * 2006-11-15 2011-10-26 日本碍子株式会社 圧電/電歪材料、圧電/電歪体、及び圧電/電歪素子
EP2138473B1 (en) 2007-04-19 2015-06-24 NGK Spark Plug Co., Ltd. Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric device
JP5253895B2 (ja) * 2007-06-08 2013-07-31 富士フイルム株式会社 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置
US20080302658A1 (en) 2007-06-08 2008-12-11 Tsutomu Sasaki Oxide body, piezoelectric device, and liquid discharge device
JP5394765B2 (ja) * 2008-03-31 2014-01-22 富士フイルム株式会社 ペロブスカイト型酸化物膜、強誘電体、圧電素子、液体吐出装置
JP5345868B2 (ja) 2008-03-31 2013-11-20 富士フイルム株式会社 ペロブスカイト型酸化物膜、強誘電体、圧電素子、液体吐出装置
JP5248168B2 (ja) * 2008-04-01 2013-07-31 セイコーエプソン株式会社 圧電材料および圧電素子
JP5110703B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-26 富士フイルム株式会社 ペロブスカイト型酸化物膜、強誘電体、圧電素子、液体吐出装置
US20110012051A1 (en) * 2009-07-14 2011-01-20 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition
JP5621964B2 (ja) * 2009-11-02 2014-11-12 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに超音波デバイス
JP2011207202A (ja) * 2009-11-02 2011-10-20 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料
JP5577844B2 (ja) * 2009-11-02 2014-08-27 セイコーエプソン株式会社 液体噴射装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011211144A5 (ja) 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー
JP2011211141A5 (ja) 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに超音波デバイス
Brajesh et al. Relaxor ferroelectricity and electric-field-driven structural transformation in the giant lead-free piezoelectric (Ba, Ca)(Ti, Zr) O 3
Li et al. Huge strain and energy storage density of A-site La3+ donor doped (Bi0. 5Na0. 5) 0.94 Ba0. 06TiO3 ceramics
WO2013137421A3 (en) Piezoelectric material, piezoelectric element, liquid discharge head, ultrasonic motor, and dust removing device
Choi et al. Relation between piezoelectric properties of ceramics and output power density of energy harvester
Wang et al. Composition induced structure evolution and large strain response in ternary Bi0. 5Na0. 5TiO3-Bi0. 5K0. 5TiO3-SrTiO3 solid solution
JP2012164968A5 (ja) 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー
Wang et al. Bi0. 48 (Na0. 84K0. 16) 0.48 Sr0. 04 (Ti1-xTax) O3 lead-free ceramics with enhanced electric field-induced strain
Li et al. Electrical properties of lead-free KNN films on SRO/STO by RF magnetron sputtering
JP2017020928A5 (ja)
Seo et al. Multilayer piezoelectric haptic actuator with CuO-modified PZT-PZNN ceramics
Hamad First-principle calculations of structural and electronic properties of rutile-phase dioxides (MO 2), M= Ti, V, Ru, Ir and Sn
EP2463925A3 (en) Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, piezoelectric element, and piezoelectric ceramic
JP2016113355A5 (ja)
JP2011207204A5 (ja) 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子及び焦電センサー
JP2011211139A5 (ja)
Sharma et al. Impedance and modulus spectroscopy characterization of sodium-bismuth titanate-based lead-free ferroelectric materials
JP2006303426A5 (ja)
Habib et al. Donor multiple effects on the ferroelectric and piezoelectric performance of lead-free BiFeO3-BaTiO3 ceramics
Kumar et al. Induced slim ferroelectric hysteresis loops and enhanced energy-storage properties of Mn-doped (Pb0· 93La0. 07)(Zr0· 82Ti0. 18) O3 anti-ferroelectric thick films by aerosol deposition
Wang et al. Polymorphic phase transition and enhanced electrical properties of (Ba0. 91Ca0. 09− xSrx)(Ti0. 92Sn0. 08) O3 lead-free ceramics
Sun et al. High energy-storage all-inorganic Mn-doped Bi0. 5 Na0. 5TiO3-BiNi0. 5Zr0. 5O3 film capacitor with characteristics of flexibility and plasticity
Solanki et al. Evidence for a tricritical point coinciding with the triple point in (Pb 0.94 Sr 0.06)(Zr x Ti 1− x) O 3: A combined synchrotron x-ray diffraction, dielectric, and Landau theory study
JP2012151308A5 (ja) 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外線センサー