JP2011211099A - 電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法 - Google Patents

電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】圧力に対する耐久性の高い電子部品内蔵基板を提供することにある。
【解決手段】配線パターンと、複数の開口部が形成され、配線パターンに対面して配置された金属板と、開口部に囲われた領域のうち少なくとも1つの領域に配置された電子部品と、金属板の両面のうち、少なくとも配線パターンと対向する面に配置された第1樹脂部と、電子部品の周りに配置された第2樹脂部と、を有し、第2樹脂部は、第1樹脂部とは異なる組成である電子部品内蔵基板とすることで、上記課題を解決する。
【選択図】図1

Description

本発明は、電子部品を内蔵する電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
電子部品内蔵基板は、平面上に配置された複数の電子部品及び電子部品の周りに充填された樹脂で板状に形成された部材と、当該部材の少なくとも一方の面に配置された配線パターンとを有する。例えば、特許文献1には、少なくとも片面に部品を実装した回路基板をフィラー充填樹脂成形材料で封止し、フィラー充填樹脂成形材料からなる封止樹脂体の表面に金属導体を備えた部品内蔵回路板において、封止樹脂体の厚み精度が±100μm以内であることを特徴とする部品内蔵回路板が記載されている。また、特許文献2には、回路部品を実装した回路基板の上に上板を重ねて配置し、上板は下面を回路部品のうち最も高さの高いものに当接させ、回路基板と上板の間に充填した樹脂中に回路部品を封入した電子回路のパッケージ構造が記載されている。
また、電子部品内蔵基板としては、電子部品の配置位置と同一平面上に、電子部品の周囲を囲うようにコア部材を配置した基板もある。つまり、金属板に複数の開口部を形成し、その開口部に電子部品を配置した基板もある。例えば、特許文献3には、良好な電気伝導性、良好な熱伝導性および高い剛性を兼ね備えた材料からなる平板状のコア部材と、コア部材の少なくとも表面と裏面を覆う表面側樹脂層および裏面側樹脂層と、コア部材の表裏を貫通してコア部材に形成された無底穴とを備え、無底穴に電子部品を実装して用いられる複合多層基板が記載されている。このように金属板に開口部(無低穴)を形成し、その開口部に電子部品を配置し、電子部品の周囲を金属板で囲うことで、金属板を補強材として機能させ、基板の強度を向上させるという効果を得ることができる。
特開2005−311201号公報 特開平11−26651号公報 特開2003−347741号公報
電子部品内蔵基板は、最終製品として組み立てられる際に、支持体や、基板に取り付けるための加圧工程が必要な場合がある。また、使用時に基板に対して外部から負荷がかかり高圧状態、つまり、基板の内部の樹脂や電子部品に高い圧力が負荷された状態になる場合もある。ここで、特許文献3に記載されているような、複数の開口部が形成された金属板を設けた電子部品内蔵基板は、金属板とその金属板に対面する配線パターンとの間の樹脂の厚みが薄くなるため、金属板と樹脂とが密着しにくくなる。このため、加圧工程の際や使用時に外部から負荷がかかると、金属板と樹脂とが分離し、部品が故障するおそれがある。
また、電子部品内蔵基板は、例えば、電子部品と金属板を搭載した基板に未硬化の樹脂を充填した後、未硬化な樹脂を基板に平行な板材によりプレスしつつ硬化させて製造する。このように、未硬化な樹脂を基板に平行な板材によりプレス、つまり、未硬化の樹脂に力を付与すると、金属板上の樹脂が薄くなり、高さが不均一になったり、表面に配置される配線パターンと金属板との距離が規定よりも狭くなったりする。さらに、配線パターンと金属板との距離が狭くならないように加圧しない状態で樹脂を硬化させると、樹脂の厚みが不均一になる。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ICなど内蔵される電子部品に負荷される応力が少なく、製造時に電子部品に生じる圧力に対する耐久性の高い電子部品内蔵基板、及び、厚みが均一で耐久性の高い電子部品内蔵基板を製造することができる電子部品内蔵基板の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、電子部品内蔵基板であって、配線パターンと、複数の開口部が形成され、前記配線パターンに対面して配置された金属板と、前記開口部に囲われた領域のうち少なくとも1つの領域に配置された電子部品と、前記金属板の両面のうち、少なくとも前記配線パターンと対向する面に配置された第1樹脂部と、前記電子部品の周りに配置された第2樹脂部と、を有し、前記第2樹脂部は、前記第1樹脂部とは異なる組成であることを特徴とする。
ここで、前記第1樹脂部は、前記第2樹脂部よりもフィラー量が少ないことが好ましい。
また、前記第1樹脂部は、前記第2樹脂部よりも線膨張係数が大きいことが好ましい。
また、前記第1樹脂部は、前記金属板の両面に配置されていることが好ましい。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、電子部品内蔵基板の製造方法であって、未硬化の第2樹脂上に、複数の開口部が形成された板形状であり、かつ、該板形状の両面のうち少なくとも1面に第1樹脂が貼り付けられた金属板を、前記第2樹脂の表面と平行、かつ、前記第2樹脂との対向面とは逆の面が、前記第1樹脂が貼り付けられた面となるように、載置する工程と、前記開口部に囲われた領域の少なくとも1つに電子部品を載置する工程と、前記未硬化の前記第2樹脂を硬化させる第1硬化工程と、前記第1硬化工程で硬化された前記第2樹脂と前記金属板と前記電子部品が配置された領域にさらに前記第2樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記第1硬化工程で硬化された前記第2樹脂が配置されている面と反対側から、前記樹脂充填工程で充填された前記第2樹脂を加圧する樹脂加圧工程と、前記樹脂充填工程で充填された前記第2樹脂を硬化する第2硬化工程と、前記第2硬化工程で硬化された前記第2樹脂の表面に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を備えることを特徴とする。
ここで、前記金属板は、前記両面に前記第1樹脂が貼り付けられていることが好ましい。
また、前記第1樹脂は、前記第2樹脂よりもフィラー量が少ないことが好ましい。
また、前記第1樹脂は、前記第2樹脂よりも線膨張係数が大きいことが好ましい。
また、前記第1硬化工程で硬化される前記第2樹脂は、前記第2硬化工程で硬化される前記第2樹脂とは、異なる組成であることが好ましい。
本発明にかかる電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法は、高さを均一とし、耐久性を高くでき、かつ、歩留まりを高くすることができるという効果を奏する。
図1は、電子部品内蔵基板の一実施例の概略構成を示す断面図である。 図2は、図1に示す電子部品内蔵基板のII−II線断面斜視図である。 図3は、電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示すフロー図である。 図4−1は、第1樹脂付き金属板の製造方法を説明するための説明図である。 図4−2は、第1樹脂付き金属板の製造方法を説明するための説明図である。 図4−3は、第1樹脂付き金属板の製造方法を説明するための説明図である。 図4−4は、第1樹脂付き金属板の製造方法を説明するための説明図である。 図4−5は、第1樹脂付き金属板の製造方法を説明するための説明図である。 図4−6は、第1樹脂付き金属板の製造方法を説明するための説明図である。 図5−1は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図5−2は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図5−3は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図5−4は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図5−5は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図5−6は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図5−7は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図6−1は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図6−2は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図6−3は、電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。 図7は、電子部品内蔵基板の比較例の概略構成を示す断面図である。 図8は、電子部品内蔵基板の比較例の概略構成を示す断面図である。
以下、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための形態(以下、実施形態という)により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
以下に、本発明にかかる電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。
図1は、電子部品内蔵基板の一実施例の概略構成を示す断面図である。また、図2は、図1に示す電子部品内蔵基板のII−II線断面斜視図である。図1に示すように、電子部品内蔵基板10は、第1配線層12と、第2配線層14と、金属板16と、電子部品18と、第1樹脂20と、第2樹脂22と、を有する。なお、電子部品内蔵基板10は、板状部材の第1配線層12と、板状部材の第2配線層14との間に、金属板16と、電子部品18と、第1樹脂20と、第2樹脂22とが配置されている。
第1配線層12は、板状部材23と、内側配線24と、外側配線26とを有する。板状部材23は、薄い板状の部材である。板状部材23は、一定以上の強度がある絶縁体であればよく、例えば、ガラス繊維や、カーボン繊維に樹脂を含浸させた板状部材、いわゆるプリプレグを用いることができる。内側配線24は、板状部材23の第2配線層14側の面に配置されている配線パターンである。また、外側配線26は、板状部材23の内側配線24が配線されている面とは反対側の面に配置されている配線パターンである。内側配線24と、外側配線26とは、種々の導電体(例えば、金属)で形成することができる。また、板状部材23の内部には、内側配線24と外側配線26とを導通させる接続端子32が設けられている。これにより、内側配線24の一部と外側配線26との一部は、接続端子32により導通される。
第2配線層14は、第1配線層12と同様の構成であり、板状部材27と、内側配線28と、外側配線30とを有する。第2配線層14は、第1配線層12の内側配線24が配置されている面に、第1配線層12とは、対向して配置されている。板状部材27は、板状部材23と同様に、絶縁性を有し、かつ、一定以上の強度を有する薄い板状の部材である。内側配線28は、板状部材27の第1配線層12側の面に配置されている配線パターンである。また、外側配線30は、板状部材27の内側配線28が配線されている面とは反対側の面に配置されている配線パターンである。内側配線28と、外側配線30とは、種々の導電体(例えば、金属)で形成することができる。また、板状部材27の内部にも、内側配線28と外側配線30とを導通させる接続端子34が設けられている。これにより、内側配線28の一部と外側配線30との一部は、接続端子34により導通される。
金属板16は、図1及び図2に示すように、第1配線層12と第2配線層14との間に配置された部材である。金属板16は、板状部材であり、第1配線層12から第2配線層14に向かって伸びた開口部19が複数形成されている。つまり、金属板16は、複数の開口部19が形成された金属板(コア部材)である。また、金属板16に形成された開口部19には、後述する電子部品18や、接続端子42が配置されている開口部19aと、第2樹脂22のみが充填されている開口部19bとがある。つまり、金属板16に形成された開口部19で囲われた領域のうち、少なくとも1つの領域には電子部品18が配置されている。また、開口部19は、位置に応じて開口面積が異なるものもある。
電子部品18は、IC、コンデンサ、ダイオード等の電子部品であり、第1配線層12と第2配線層14との間に配置されている。電子部品18は、上述したように、金属板16の開口部19aに配置されている。つまり、電子部品18は、第1配線層12と、第2配線層14と、金属板16とで外周側が囲われている。また、電子部品18と第1配線層12の内側配線24との間には、接続端子36が設けられている。接続端子36は、電子部品18と内側配線24の一部とを導通させる。
第1樹脂20は、金属板16の第1配線層12と対向する面と、金属板16の第2配線層14と対向する面の2つの面に配置されている。第1樹脂20は、金属板16に対して密着している。
第2樹脂22は、第1配線層12と第2配線層14との間の他の部材が配置されていない領域に配置されている。つまり、第2樹脂22は、第1配線層12と第2配線層14との間の空間に充填されている。
ここで、第1樹脂20及び第2樹脂22には、シート状又はフィルム状に成型可能なものであれば特に制限されず使用可能であり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等、種々の樹脂を用いることができる。より、具体的には、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフェニレンエーテル(ポリフェニレンオキサイド)樹脂(PPE,PPO)、シアネートエステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ+活性エステル硬化樹脂、ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、(芳香族)ポリエステル樹脂、(芳香族)液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、若しくは、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム等のゴム材料やゴム成分を一部に含むような樹脂、又は、これらの樹脂に、ガラス繊維、アラミド繊維等の樹脂繊維等を配合した材料、或いは、これらの樹脂をガラスクロス、アラミド繊維、不織布等に含浸させた材料等が挙げられ、これらは、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。
また、第1樹脂及び第2樹脂としては、上述した樹脂に、添加剤として適宜のフィラーを加えてもよい。なお、フィラーとしては、特に制限されないが、例えば、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、硫酸バリウム、アルミナ、ガラスフレーク、ガラス繊維、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも1種の金属を含む金属酸化物粉末等が挙げられ、樹脂母材料と同様、これらも、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、また、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。さらに、これらの樹脂に、安定化剤等の適宜の他の添加剤を加えても構わない。なお、第2樹脂22は、第1樹脂20とは異なる組成である。また、第2樹脂22は、一部の樹脂を他の樹脂とは異なる組成としてもよい。具体的には、一方の配線層近傍の樹脂とその他の領域の樹脂とを異なる組成としてもよい。つまり、第2樹脂22を、複数の樹脂で構成してもよい。
ここで、第1樹脂は、金属板との密着性をより高くすることができるため、不定形や針状形状のフィラーを含むこと、及び/または、硫酸バリウムやタルクのフィラーを含むことも好ましい。また、第2樹脂は、流動性を向上させることができるため、球状のフィラーを含むことが好ましい。第2樹脂は、線膨張係数をより適切にできるため、シリカのフィラーを含むことがさらに好ましい。なお、フィラーは、形状と組成を別々に調整できるため、球状かつシリカのフィラーとすることができる。第2樹脂には、球状かつシリカのフィラーを用いることで、第2樹脂の絶縁性、線膨張係数、流動性を適切な値にすることができる。
ここで、電子部品内蔵基板10は、接続端子32、34に加え、各部を導通させる接続端子が配置されている。具体的には、接続端子38は、金属板16と第1配線層12との間に配置されており、金属板16と第1配線層12の内側配線24の一部とを導通させており、接続端子40は、金属板16と第2配線層14との間に配置されており、金属板16と第2配線層14の内側配線28の一部とを導通させている。さらに、接続端子42は、第1配線層12と第2配線層14との間に配置され、第1配線層12に配置された配線と、第2配線層14に配置された配線とを導通させている。なお、接続端子42は、金属板16と電子部品18とが配置されていない領域に形成されている。電子部品内蔵基板10は、接続端子32、34、36、38、40、42を組み合わせて配置することで、金属板16と、電子部品18と、内側配線24、28と、外側配線26、30とを任意の組み合わせで導通させることができる。本実施例の電子部品内蔵基板10は、基本的に以上のような構成である。
なお、電子部品内蔵基板10は、最終製品に組み込まれて、回路として使用される場合は、例えば、外側配線26、30が、他の電子部品と接続し、電流(電気信号)が流されることで使用される。また、電子部品内蔵基板10は、複数の基板が連結された状態で、最終製品に組み込まれる前に、切断されて、個別の基板として使用される場合もある。
なお、電子部品内蔵基板10は、第1樹脂20の厚みと金属板16との厚みの合計が、電子部品18の厚みよりも厚くなる。これにより、電子部品18と各配線層との間に第2樹脂を配置することができ、配線層と電子部品18との間で、接続端子を介さずに導通が発生することを抑制することができる。
ここで、第1樹脂20は、第2樹脂22よりもフィラー量が少ないこと、つまり、第1樹脂20のフィラー量<第2樹脂22のフィラー量とすることが好ましい。ここで、第2樹脂22のフィラー量を多くすることで、電子部品18周辺の絶縁性を高くすることができる。また、第1樹脂20のフィラー量を少なくすることで、第1樹脂20と金属板16との密着力をより大きくすることができる。これにより、金属板16に対して第1樹脂20をはがれにくくすることができ、かつ、電子部品18の周りの絶縁性を高くすることができる。これにより、加熱、加圧された場合や、金属板16の切断時に樹脂と金属板16とが剥離することを抑制することができる。
また、第1樹脂20は、第2樹脂22よりも線膨張係数を大きくこと、つまり、第1樹脂20の線膨張係数>第2樹脂22の線膨張係数とすることが好ましい。このように、第1樹脂20の方が線膨張係数を大きくすることで、用いるフィラー量を少なくすることができる。第2樹脂22を、第1樹脂20よりも線膨張を小さくすることでは、加熱時に内蔵された電子部品に生じる応力を小さくすることが出来る。
また、第2樹脂22は、第1樹脂20よりも電気絶縁性を高くすること、つまり、第1樹脂20の電気絶縁性<第2樹脂22の電気絶縁性とすることが好ましい。このように、第2樹脂22の方が電気絶縁性を高くすることで、電子部品18を確実に絶縁することができる。つまり、電子部品18が、接続端子以外の部分で配線層と導通することを抑制することができる。ここで、電気絶縁性を高くするためには、極性基を少なくしたり、シリカ等のフィラーの充填量を多くしたりする必要がある。ここで、電気絶縁性を高くすると、金属との密着性は低くなる。すなわち、電気絶縁性を低くすると、金属との密着性は高くなる。したがって、第2樹脂22より第1樹脂20の電気絶縁性を低くすることで、金属板16との密着性を高くすることができる。これにより、金属板16と樹脂とを剥離しにくくすることができる。
また、第2樹脂22は、第1樹脂20よりも弾性率を高くすることが好ましい。このように、第2樹脂22の弾性率を高くすることで基板の強度を高く維持することができる。なお、第1樹脂20が配置されている領域は、金属板16により一定の強度とすることができるため、弾性率を低くすることができる。
また、第1樹脂20は、極性基としてカルボン酸基を有することが好ましい。極性基を備えることで、金属板16との密着性を高くすることができる。また、極性基としてカルボン酸を有することで、金属板16の製造時にアルカリ現像が可能となる。つまり、第1樹脂20を形成した状態で金属板16の製造が可能となる。
また、第1樹脂20は、光硬化性と、熱硬化性の両方の特性を備えることが好ましい。これにより、電子部品内蔵基板を製造しやすくなる。具体的には、第1樹脂20が光硬化性と、熱硬化性の両方の特性を備えることで、第1樹脂20を、金属板16に開口部19を作製するためのマスクとして用いることができる。なお、第1樹脂20は、光硬化性と、熱硬化性の両方の特性を備えることが好ましいが、光硬化性と、熱硬化性の一方の特性のみを備える組成でもよい。
ここで、金属板16は、第1配線層12との距離と第2配線層14との距離を一定とすることが好ましい。つまり、電子部品内蔵基板10は、金属板16と第1配線層12との間の第1樹脂20及び第2樹脂22の厚みの合計と、金属板16と第2配線層14との間の第1樹脂20及び第2樹脂22の厚みの合計とを同一とすることが好ましい。これにより、撓みの発生を抑制することができる。
また、金属板16は、第1樹脂20の合計厚みよりも厚いことが好ましい。金属板の厚みを第1樹脂20以上とすることで、一定以上の強度を維持することができる。なお、金属板は、一定以上の強度を適切に維持できるため、100μm以上の厚みとすることが好ましい。第1樹脂20は、金属板16と内側配線24、28との間で絶縁性を維持できる厚みである必要がある。
また、電子部品内蔵基板10は、電子部品18と内側配線24との距離と電子部品18と内側配線28との距離の合計(つまり、電子部品18部分の第2樹脂22の厚み)よりも金属板の厚みを厚くすることが好ましい。金属板16を当該部分の第2樹脂22の厚みよりも厚くすることで、電子部品内蔵基板10の内部で、金属板16の強度を支配的な強度とすることができ、電子部品内蔵基板10でそりが発生することを抑制することができる。
また、本実施例では、よりよい効果を得ることができるため、複数の開口部が形成された金属板の両面に第1樹脂を配置したが、これに限定されず、金属板の一方の面のみに第1樹脂を配置してもよい。なお、この場合は、第2樹脂の厚みが薄い側に第1樹脂を配置することが好ましい。
また、上記実施例では、2つの内側配線と、2つの外側配線を設けた構成としたが、これに限定されず、少なくとも1つの内側配線があればよい。なお、内側配線が1つのみの場合は、第1樹脂は、金属板16と内側配線との間の面、つまり、金属板16の内側配線と対面している(向かい合っている)面のみに設ければよい。
次に、電子部品内蔵基板10の製造方法について説明する。ここで、図3は、電子部品内蔵基板の製造方法の一例を示すフロー図である。なお、電子部品内蔵基板10は、マニピュレータや樹脂硬化機能等、種々の機能を備える製造装置により製造することができる。なお、製造装置は、複数の装置に分離されていてもよい。また、各装置間の搬送や、部品の設置は、作業者が行っても良い。
電子部品内蔵基板10を製造する場合、製造装置は、ステップS12として、第1樹脂付き金属板を作製する。図4−1から図4−6を用いて、第1樹脂付き金属板の製造方法について説明する。ここで、図4−1から図4−6は、それぞれ第1樹脂付き金属板の製造方法を説明するための説明図である。まず、図4−1に示すように板状の金属材60、例えば、200μmのSUS430を準備する。なお、金属材は、樹脂20や22とのより密着性を得るために表面がエッチングなどにより粗化されていることが好ましい。
次に、製造装置は、図4−2に示すように、金属材60の両面(面積が最も広い2つの面)に樹脂膜62a、62bを貼り付ける。なお、樹脂膜62a、62bは、光硬化性と、熱硬化性を備える樹脂であり、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂皮膜を用いることができる。また、樹脂膜62a、62bは、硬化されていない状態で貼り付けられる。また、金属材60に樹脂膜62a、62bを貼り付ける方法としては、常圧ラミネーターにより貼り付ける方法がある。また、金属材60の材料としては、SUS400、SUS410、SUS430、SUS630、SUS631、SUS316、SUS304、42アロイ、インコネル、ニッケル、ニッケルクロムモリブデン鋼、鉄、鋳鉄、チタン、銅、銅合金等が挙げられる。
製造装置は、金属材60に樹脂膜62a、62bを貼り付けたら、図4−3に示すように、樹脂膜62aに対向する面にマスク64a、樹脂膜62bに対向する面にマスク64bを配置し状態で、樹脂膜62a、62bを露光する。ここで、マスク64a、マスク64bは、対称形状であり、金属材60を対象面として、樹脂膜62aと樹脂膜62bとは、同じ位置が露光され、同じ位置が未露光となる。ここで、樹脂膜62aと樹脂膜62bの露光された領域65a、65bは、硬化される。
製造装置は、樹脂膜62a、62bを露光した後、現像処理を行う。これにより、図4−4に示すように、金属材60の両面の、樹脂膜66a、66bは、露光された領域65a、65bに対応する部分のみが残った状態となる。その後、製造装置は、樹脂膜66a、66bをマスクとしてエッチングを行うことで、図4−5に示すように、金属材68は、樹脂膜66a、66bが配置されている領域のみが残る状態となる。つまり、金属材68は、樹脂膜66a、66bが配置されていない領域が開口部(貫通穴)69となる。その後、製造装置は、熱硬化処理を行うことで、図4−6に示すように、金属材68の両面に硬化された樹脂膜66a´、66b´が配置された部材となる。ここで、開口部69が形成された金属材68を、以下金属板とする。また、樹脂膜66a´、66b´は、第1樹脂となる。以上より、製造装置により上記工程で製造された部材は、第1樹脂付き金属板となる。
製造装置による製造方法の説明を続ける。ここで、図5−1から図5−7は、それぞれ電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。以下、図3及び図5−1から図5−7を用いて製造方法について説明する。製造装置は、図5−1に示すように、ステップS12で金属板70aの両面に第1樹脂70bが貼り付けられた第1樹脂付き金属板70を製造したら、ステップS14として、金属膜上に第2樹脂を塗布し、ステップS16として、第2樹脂を塗布した金属膜上に、第1樹脂付き金属板を載置する。これにより、図5−2に示すように、金属膜72の上に第2樹脂74が塗布され、その上に第1樹脂付き金属板70が載置された状態となる。なお、製造装置は、第1樹脂付き金属板70と、第2樹脂74が配置された金属膜72上とを、プレス機構を用いて一定時間、加圧することで、両者を密着させた状態とすることができる。また、金属膜72は、製造装置の支持台上に保持されている。
次に、製造装置は、ステップS18として電子部品を搭載する。具体的には、製造装置は、第2樹脂74が塗布された金属膜72上の、第1樹脂付き金属板70に形成されている開口部69のうち、所定の開口部69aに電子部品を搭載(載置)する。これにより、図5−3に示すように、電子部品76は、第2樹脂74上に配置される。また、電子部品76は、第1樹脂付き金属板70の開口部69aに囲われた領域に搭載される。
ここで、ステップS16で塗布する第2樹脂層は、シート状又はフィルム状に成型可能な樹脂であれば特に制限されず使用可能である。具体的には、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフェニレンエーテル(ポリフェニレンオキサイド)樹脂(PPE,PPO)、シアネートエステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ+活性エステル硬化樹脂、ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、(芳香族)ポリエステル樹脂、(芳香族)液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、若しくは、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム等のゴム材料やゴム成分を一部に含むような樹脂、又は、これらの樹脂に、ガラス繊維、アラミド繊維等の樹脂繊維等を配合した材料、或いは、これらの樹脂をガラスクロス、アラミド繊維、不織布等に含浸させた材料等が挙げられ、これらは、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。
また、第2樹脂の材料としては、上述した樹脂に、添加剤として適宜のフィラーを加えてもよい。なお、フィラーとしては、特に制限されないが、例えば、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、硫酸バリウム、アルミナ、ガラスフレーク、ガラス繊維、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも1種の金属を含む金属酸化物粉末等が挙げられ、樹脂母材料と同様、これらも、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、また、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。さらに、これらの樹脂に、安定化剤等の適宜の他の添加剤を加えても構わない。
なお、本実施形態では、ステップS22で充填する第2樹脂を、上述したステップS16で塗布した第2樹脂と同様の樹脂とするが本発明はこれに限定されない。ステップS22で充填する第2樹脂としては、ステップS16で塗布した第2樹脂とは、異なる組成の樹脂、つまり第3樹脂を用いてもよい。なお、ステップS22で充填する第3樹脂は、上述した第2樹脂として用いることができる樹脂を用いることができる。また、第3樹脂は、第2樹脂よりもフィラー量を多くすることが好ましい。このように第3樹脂のフィラー量を多くすることで、部品をより適切に固定することができる。また、第3樹脂、つまりステップS22で充填する樹脂は、流動性を向上させることができるため、球状のフィラーを含むことが好ましい。また、第3樹脂は、線膨張係数をより適切にできるため、シリカのフィラーを含むことがさらに好ましい。
製造装置は、ステップS18で電子部品を搭載したら、ステップS20として、第2樹脂を硬化する。これにより、電子部品76及び第1樹脂付き金属板70を所定の位置に固定することができる。なお、第2樹脂74は、電子部品76及び第1樹脂付き金属板70がずれない程度に保持できればよく、完全に硬化させる必要はない。
製造装置は、ステップS20で第2樹脂を硬化させたら、ステップS22として、第2樹脂を充填し、ステップS24として、充填した第2樹脂を硬化させる。具体的には、製造装置は、ステップS22で電子部品76及び第1樹脂付き金属板70が埋まる高さまで、第2樹脂を充填し、ステップS24で充填した樹脂を硬化させる。なお、本実施形態では、真空ラミネーターにより金属膜72が配置されている面と反対側の面(未硬化の第2樹脂と接する面)に金属膜78を貼り付けた後、第2樹脂を加熱、加圧することで、硬化させ。これにより、製造装置は、図5−4に示すように、電子部品76及び第1樹脂付き金属板70が第2樹脂74aによって埋まっており、かつ、金属膜72に対向する面に金属膜78が配置された基板を形成することができる。
金属膜72及び金属膜78は、エッチングなどにより粗化工程を施すことが好ましい。このように表面を粗化することで、金属膜と、第1樹脂及び/または2樹脂との密着性をより高くすることができる。なお、金属膜72、金属膜78を構成する材料は、特に制限されず、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、鉄(Fe)、チタン(Ti)、ステンレス鋼(SUS材)等の金属導電材料が挙げられる。また、これらのなかでは、導電率やコストの観点から銅(Cu)を用いることが好ましい。
次に、製造装置は、ステップS26として、配線層を形成する。具体的には、図5−4に示す基板を作製したら、まず、図5−5に示すように、接続端子を形成する位置にビア80a、80b、80cを形成する。ここで、ビア80aは、金属膜72から金属膜78まで貫通する穴であり、ビア80bは、金属膜72から、電子部品76または、第1樹脂付き金属板70の金属部分まで届く穴であり、ビア80cは、金属膜78から、第1樹脂付き金属板70の金属部分まで届く穴である。また、ビア80a、80b、80cは、レーザー加工やブラスト加工により形成することができる。
製造装置は、ビアを形成したら、導電ペーストの埋め込みもしくは、めっき処理を行い、形成したビア80a、80b、80cに金属を充填する。なお、めっき処理は、無電解めっきを行った後、電解めっきをおこなっても、無電解めっきのみを行っても良い。これにより、図5−6に示すように、基板に接続端子82a、82b、82cが形成される。ここで、接続端子82aは、金属膜72と金属膜78とを導通させ、接続端子82bは、金属膜72と電子部品76または、金属膜72と第1樹脂付き金属板70の金属板とを導通させ、接続端子82cは、金属膜78と第1樹脂付き金属板70の金属板とを導通させる。その後、製造装置は、金属膜72と金属膜78をパターニングすることで、図5−7に示すように、金属膜72aに開口部84aを形成し、金属膜78aに開口部84bを形成する。このように、金属膜の一部を除去することで、金属膜72a、78aは、ともに配線パターンとなる。なお、金属膜72a、78aは、共に内側配線となる。なお、パターニングの方法は特に限定されず、例えば、半導体プロセス(レジスト形成、露光、エッチング、マスク除去)により行っても、レーザー加工やブラスト加工により行ってもよい。
製造装置による製造方法の説明を続ける。ここで、図6−1から図6−3は、それぞれ電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための説明図である。以下、図3及び図6−1から図6−3を用いて製造方法について説明する。製造装置は、ステップS26で配線層を形成したら、ステップS28として、多層配線を形成する。具体的には、図6−1に示すように、金属膜72aの外側面に板状部材86を配置し、金属膜78aとの外側面に板状部材88を配置する。ここで、外側面とは、電子部品76と対向している面と反対側の面である。つまり露出している面である。また、板状部材86は、金属膜72aと接触する面とは反対側の面に金属膜90が貼り付けられている。また、板状部材88は、金属膜78aと接触する面とは反対側の面に金属膜92が貼り付けられている。また、金属膜と板状部材の貼り付け方法は特に限定されないが、例えば、加熱加圧により板状部材の樹脂を一部溶かすことで、貼り付けることができる。
製造装置は、その後、板状部材86、88にビアを形成し、そのビアに金属を充填することで、図6−2に示すように、板状部材86に接続端子94aを作製し、板状部材88に接続端子94bを作製する。なお、ビアの形成方法、ビアに金属を充填する方法は、上述した、ステップS26の配線層を形成する場合と同様の処理により作製することができる。製造装置は、接続端子94aを形成することで、金属膜72aの一部と金属膜90とを導通させ、接続端子94bを形成することで、金属膜78aの一部と金属膜92とを導通させることができる。
その後、製造装置は、金属膜90と金属膜92をパターニングすることで、図6−3に示すように、金属膜90aに開口部96aを形成し、金属膜92aに開口部96bを形成する。このように、金属膜の一部を除去することで、金属膜90a、92aは、ともに配線パターンとなる。なお、金属膜90a、92aは、共に外側配線となる。製造装置は、ステップS28で多層配線を形成したら、ステップS30として、製造した基板を所定の位置で切断する。なお、切断は、ダイサーを用いて切断することができる。製造装置は、以上の製造方法により、電子部品内蔵基板を製造する。
上述した製造方法のように、金属板の両面(板形状の最も面積が大きい2つの面)に第1樹脂の膜を形成し、第1樹脂付き金属板を用いて、電子部品内蔵基板を製造することで、金属板と内側配線との距離を一定距離以上に維持することができる。具体的には、金属板の両面には、第1樹脂の膜が形成されているため、製造時に一定圧力、一定温度で加圧、加熱し、金属板の直上の第2樹脂が薄くなっても、金属板が露出することを抑制することができる。これにより、金属板と金属膜(内側配線)との距離を一定以上とすることができ、意図しない位置(接続端子が配置されていない位置)で、金属板と金属膜とが導通することが抑制できる。また、圧力をかけた場合でも、金属板と金属膜との距離を一定以上とすることができるため、第2樹脂の硬化処理に圧力を付与しつつ、硬化を行うことができる。これにより、基板の一部が盛り上がることを抑制することができ、硬化後の基板の厚みをより均一にすることができる。また、圧力を付加しつつ、硬化させることができるため、ボイドの発生を抑制することができる。
以下、実験例を用いて説明する。ここで、図7及び図8は、それぞれ電子部品内蔵基板の比較例の概略構成を示す断面図である。実験では、第2樹脂を電子部品及び金属板が埋まるまで充填して、硬化を行う処理時の条件として、真空ラミネーター処理の条件を、温度110℃、圧力0.8MPa、処理時間を120秒とした。また、硬化処理のプレスの条件を圧力2MPa、温度180℃で、120分とした。この条件で、本実施例のように、第1樹脂付き金属板を用いて、電子部品内蔵基板を製造した。また、比較のために、図7に示す電子部品内蔵基板100aのように、金属板16aに第1樹脂を付けていない、つまり、金属板16aのみを配置した以外は、同一の条件でも電子部品内蔵基板を製造した。なお、第2樹脂としては、エポキシ樹脂を用いた。また、第2樹脂には、フィラーとして球状シリカを分散させた。
上記条件で製造した場合は、本実施形態のように、第1樹脂付き金属板を用いた電子部品内蔵基板は、内側配線と金属板との導通不良は確認されなかった。つまり、意図しない位置で内側配線と金属板とは導通しなかった。また、基板の厚みにもむらはなく、基板内にボイドの発生も確認されなかった。これに対して、図7に示す金属板16aに第1樹脂を付けていない電子部品内蔵基板100aは、第2配線層14aの内側配線と金属板16aとの距離が一定距離以下(本比較例では、5μm以下)となり、一部で、内側配線と金属板との導通不良は確認された。つまり、意図しない位置で内側配線と金属板とが導通していた。なお、第1配線層12aと金属板16aとの距離は、一定以上であった。
なお、第1樹脂としては、エポキシ樹脂とカルボン酸基含有エポキシ樹脂とを混合した樹脂を用いた。また、第1樹脂には、フィラーとしてタルクを用いた。
次に、他の比較例として、第1樹脂を付けていない金属板を用い、以下に示す条件でも電子部品内蔵基板を製造した。具体的には、真空ラミネーター処理の条件を、温度90℃、圧力0.5MPa、処理時間を30秒とした。また、硬化処理のプレスの条件を圧力0.5MPa、温度180℃で、120分とした。つまり、製造時に付加する圧力をより弱くした条件で電子部品内蔵基板を製造した。この条件で製造した電子部品内蔵基板は、図8に示す電子部品内蔵基板100bのように、第2配線層14bと金属板16bとの距離は一定以上とすることができたが、第1配線層12bと第2配線層14bとの間に、具体的には、金属板16bの第1配線層12b側の縁部分にボイド102が発生していた。また、電子部品内蔵基板100bの中央部と、端部とで厚みに差が発生していた。また、電子部品内蔵基板100bに対して吸水リフロー試験を行った結果、ボイド102を基点として、金属板と樹脂とが剥離した。
次に、電子部品内蔵基板100aをダイサーにより、設計時の切断位置で切断した結果、金属板と樹脂との界面(境界)で金属板と樹脂とが剥離した部分があった。さらに、切断した電子部品内蔵基板100aに対して、吸水リフロー試験を行った結果、金属板と樹脂との剥離部分において、界面が膨張した。
これに対して、本実施例の電子部品内蔵基板10をダイサーにより、設計時の切断位置で切断した結果、金属板と樹脂との界面(境界)で金属板と樹脂とが剥離した部分は、確認されなかった。また、切断した電子部品内蔵基板10に対して、吸水リフロー試験を行った結果、金属板と樹脂との界面で膨張している部分は確認されなかった。
以上のように、本実施例の製造方法によれば、一定以上の圧力をかけても、金属板と金属膜との距離を一定以上とできるため、一定以上の圧力を付加することができる。これにより、金属板と金属膜(配線)との間で導通不良が発生することを抑制しつつ、ボイドの発生を抑制でき、さらに、基板厚みを一定にすることができる。
なお、上記実施例では、図3のフロー図で、第1樹脂付き金属板を製造した後、電子部品内蔵基板を製造する方法としたが、第1樹脂付き金属板は、予め製造しておけばよい。また、上記実施例では、製造する基板を切断したが、基板は切断しなくてもよい。なお、基板を切断する場合は、切断位置の金属板は、一部に開口部を形成しておくことが好ましい。切断位置に開口部を形成しておくことで、切断時に切断する金属の量を少なくすることができ、短時間で切断を行うことが可能となる。
ここで、第1樹脂は、Tg(ガラス転移点)を100℃以下とすることが好ましい。第1樹脂のTg(ガラス転移点)を一定温度以下とすることで、切断時に第1樹脂にクラックが発生することを抑制することができ、また、第1樹脂と金属板との間での剥離をより発生しにくくすることができる。また、基板の切断をより簡単に行うことができる。
また、第1樹脂付き金属板の製造方法は特に限定されず、金属板に第1樹脂を貼り付けるようにしてもよいが、つまり、開口部を形成した状態の部材に第1樹脂を貼り付けるようにしてもよいが、本実施例のように、板状部材に第1樹脂を貼り付けた後、開口部を形成することが好ましい。このように、第1樹脂を先に貼り付けることで、金属板に均一の厚みで第1樹脂を貼り付けることができる。第1樹脂を均一な厚みにできることで、電子部品内蔵基板の厚みを均一にすることができる。
ここで、第1樹脂付き金属板70として、一方の面のみに第1樹脂が貼り付けられた金属板を用いる場合は、第1樹脂が上面(鉛直方向上側、金属膜78と対向する面)となる向きに金属板を配置することが好ましい。ここで、金属板の上面は、金属板を載置する際に、ステップS12で塗布する第2樹脂の表面と平行、かつ、当該第2樹脂との対向面、つまり金属膜とは逆の面となる面である。これにより、金属板の下面側には、硬化された第2樹脂が配置された構成となり、金属板の下面と金属膜72との距離を一定距離に維持しつつ、金属板と金属膜78との厚みも一定距離以上とすることができる。
また、第1樹脂付き金属板は、電子部材より厚くすることが好ましい。これにより、加圧した場合も電子部品と金属膜との間に一定距離を確保することができ、一定圧力以上で加圧しても電子部品に故障が発生することを抑制できる。
また、第1樹脂は、金属板の下側(鉛直方向下側の載置時に第2樹脂層と接する面)に配置されている部分を、金属板の上側に配置されている部分よりも薄くすることが好ましい。これにより、第2樹脂が硬化されて、一定厚みとなっている金属板の下側と金属膜との距離と、金属板の上側と金属膜との距離との差を小さくすることができる。つまり、加圧されて、金属板の上側と金属膜と間にある第2樹脂が少なくなっても、厚みの差を小さくすることができる。
また、上記実施形態では、第2樹脂の加圧硬化時に金属膜を貼り付け、その金属膜をパターニングして、配線を形成したがこれには限定されない。例えば、金属膜としてパターンとそのパターンを支持する薄膜とを用いてもよい。この場合は、パターンを形成したのち、第2樹脂の加圧、及び、硬化を行うことになる。
なお、上記実施例では、電子部品を一方の内側配線のみと導通(接続)している構成としたが、これに限定されず、両方の内側配線と導通させるようにしてもよい。この場合は、接続端子を電子部品の両面に設けるようにすればよい。
以上のように、本発明にかかる電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法は、IC等の電子部品を内蔵している電子部品内蔵基板及び、その製造方法に有用であり、特に薄型の電子部品内蔵基板、及び、その製造方法として用いることに適している。
10 電子部品内蔵基板
12 第1配線層
14 第2配線層
16 金属板
18 電子部品
20 第1樹脂
22 第2樹脂
23、27 板状部材
24、28 内側配線
26、30 外側配線
32、34、36、38、40、42 接続端子

Claims (9)

  1. 配線パターンと、
    複数の開口部が形成され、前記配線パターンに対面して配置された金属板と、
    前記開口部に囲われた領域のうち少なくとも1つの領域に配置された電子部品と、
    前記金属板の両面のうち、少なくとも前記配線パターンと対向する面に配置された第1樹脂部と、
    前記電子部品の周りに配置された第2樹脂部と、を有し、
    前記第2樹脂部は、前記第1樹脂部とは異なる組成であることを特徴とする電子部品内蔵基板。
  2. 前記第1樹脂部は、前記第2樹脂部よりもフィラー量が少ないことを特徴とする請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
  3. 前記第1樹脂部は、前記第2樹脂部よりも線膨張係数が大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品内蔵基板。
  4. 前記第1樹脂部は、前記金属板の両面に配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子部品内蔵基板。
  5. 未硬化の第2樹脂上に、複数の開口部が形成された板形状であり、かつ、該板形状の両面のうち少なくとも1面に第1樹脂が貼り付けられた金属板を、前記第2樹脂の表面と平行、かつ、前記第2樹脂との対向面とは逆の面が、前記第1樹脂が貼り付けられた面となるように、載置する工程と、
    前記開口部に囲われた領域のうち少なくとも1つの領域に電子部品を載置する工程と、
    前記未硬化の前記第2樹脂を硬化させる第1硬化工程と、
    前記第1硬化工程で硬化された前記第2樹脂と前記金属板と前記電子部品が配置された領域にさらに前記第2樹脂を充填する樹脂充填工程と、
    前記第1硬化工程で硬化された前記第2樹脂が配置されている面と反対側から、前記樹脂充填工程で充填された前記第2樹脂を加圧する樹脂加圧工程と、
    前記樹脂充填工程で充填された前記第2樹脂を硬化する第2硬化工程と、
    前記第2硬化工程で硬化された前記第2樹脂の表面に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を備えることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
  6. 前記金属板は、前記両面に前記第1樹脂が貼り付けられていることを特徴とする請求項5に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
  7. 前記第1樹脂は、前記第2樹脂よりもフィラー量が少ないことを特徴とする請求項5または6に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
  8. 前記第1樹脂は、前記第2樹脂よりも線膨張係数が大きいことを特徴とする請求項5から7のいずれか1項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
  9. 前記第1硬化工程で硬化される前記第2樹脂は、前記第2硬化工程で硬化される前記第2樹脂とは、異なる組成であることを特徴とする請求項5から8のいずれか1項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014076779A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 株式会社メイコー 部品内蔵基板の製造方法
KR20160057245A (ko) * 2014-11-13 2016-05-23 삼성전기주식회사 회로기판
KR20160134435A (ko) * 2015-05-15 2016-11-23 삼성전기주식회사 전자부품 패키지 및 패키지 온 패키지 구조
US10109588B2 (en) 2015-05-15 2018-10-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component package and package-on-package structure including the same
WO2019004266A1 (ja) * 2017-06-30 2019-01-03 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
CN111742623A (zh) * 2017-12-28 2020-10-02 株式会社藤仓 带金属片配线基板以及带金属片配线基板的制造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014076779A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 株式会社メイコー 部品内蔵基板の製造方法
JPWO2014076779A1 (ja) * 2012-11-14 2016-09-08 株式会社メイコー 部品内蔵基板の製造方法
KR20160057245A (ko) * 2014-11-13 2016-05-23 삼성전기주식회사 회로기판
JP2016096339A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 回路基板
KR102262906B1 (ko) * 2014-11-13 2021-06-09 삼성전기주식회사 회로기판
KR20160134435A (ko) * 2015-05-15 2016-11-23 삼성전기주식회사 전자부품 패키지 및 패키지 온 패키지 구조
JP2016219798A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 電子部品パッケージ及びパッケージオンパッケージ構造
US10109588B2 (en) 2015-05-15 2018-10-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component package and package-on-package structure including the same
KR102021886B1 (ko) * 2015-05-15 2019-09-18 삼성전자주식회사 전자부품 패키지 및 패키지 온 패키지 구조
WO2019004266A1 (ja) * 2017-06-30 2019-01-03 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
US11367677B2 (en) 2017-06-30 2022-06-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component module
CN111742623A (zh) * 2017-12-28 2020-10-02 株式会社藤仓 带金属片配线基板以及带金属片配线基板的制造方法

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