JP2011210350A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、半導体メモリ装置の初期動作時、内部回路の誤動作を防止することができる半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体メモリ装置は、オートリフレッシュ信号、電圧安定化信号及びフューズ制御信号に応じて、第1のカウンティングスタート信号、第2のカウンティングスタート信号及びカウンティング制御信号を生成するカウンティング制御部;及び、前記第1のカウンティングスタート信号に応じて、複数のカウントアドレスをカウントし、前記第2のカウンティングスタート信号及びカウンティング制御信号に応じて、前記複数のカウントアドレスのうち、特定のカウントアドレスのみをカウントするオートリフレッシュ用アドレスカウンティング部を含む。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係る半導体メモリ装置は、オートリフレッシュ信号、電圧安定化信号及びフューズ制御信号に応じて、第1のカウンティングスタート信号、第2のカウンティングスタート信号及びカウンティング制御信号を生成するカウンティング制御部;及び、前記第1のカウンティングスタート信号に応じて、複数のカウントアドレスをカウントし、前記第2のカウンティングスタート信号及びカウンティング制御信号に応じて、前記複数のカウントアドレスのうち、特定のカウントアドレスのみをカウントするオートリフレッシュ用アドレスカウンティング部を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体集積回路に関し、特に、半導体メモリ装置に関する。
一般に、半導体メモリ装置は、外部電圧を用いて、内部回路に必要な電圧レベルの内部電圧を生成する。このとき、内部回路の正常な動作を遂行するために、外部電圧が最初に半導体メモリ装置に印加された後、設定時間の間、内部電圧レベルがターゲットレベルに安定化するように、半導体メモリ装置が設計される。
半導体メモリ装置の高集積化に伴い、信号ライン又はパワーライン間の間隔が狭くなり、これにより、信号ライン及びパワーライン間のキャパシタンスが増加していた。したがって、半導体メモリ装置の内部電圧生成回路において、設定時間の間、内部電圧をターゲットレベルに生成しても、内部電圧を内部回路に伝達させるパワーラインの寄生キャパシタンスにより、ターゲットレベルの内部電圧が内部回路に伝達されず、半導体メモリ装置の誤動作が発生し得る。
本発明の目的は、半導体メモリ装置の初期動作時、内部回路の誤動作を防止することができる半導体メモリ装置を提供することにある。
本発明の一態様に係る半導体メモリ装置は、オートリフレッシュ信号、電圧安定化信号及びフューズ制御信号に応じて、第1のカウンティングスタート信号;第2のカウンティングスタート信号及びカウンティング制御信号を生成するカウンティング制御部;及び、前記第1のカウンティングスタート信号に応じて、複数のカウントアドレスをカウントし、前記第2のカウンティングスタート信号及びカウンティング制御信号に応じて、前記複数のカウントアドレスのうち、特定のカウントアドレスのみをカウントするオートリフレッシュ用アドレスカウンティング部を含む。
本発明の他の一態様に係る半導体メモリ装置は、オートリフレッシュ動作時、カウントされる複数のカウントアドレスを提供するオートリフレッシュ用カウンティング部;及び、半導体メモリ装置を活性化させる場合、前記複数のカウントアドレスのうち、既設定の上位ビットのカウントアドレスのみをカウントするように、前記オートリフレッシュカウンティング部を制御するカウンティング制御部を含む。
本発明に係る半導体メモリ装置によれば、半導体メモリ装置の初期動作時、半導体メモリ装置の各マット別にマットを活性化させることで、半導体メモリ装置の初期動作のエラーを防止し、半導体メモリ装置の動作信頼度を高めることができる。
本発明の一実施形態に係る半導体メモリ装置は、図1に示すように、カウンティング制御部100及びオートリフレッシュ用アドレスカウンティング部200を含む。
カウンティング制御部100は、オートリフレッシュ信号(auto_ref)、電圧安定化信号(V_stable)、フューズ制御信号(Fuse_ctrl)及び第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)のうち、特定のアドレス(例えば、第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>))に応じて、第1及び第2のカウンティングスタート信号(cnt_start1、cnt_start2)及びカウンティング制御信号(cnt_ctrl)を生成する。
例えば、カウンティング制御部100は、電圧安定化信号(V_stable)及びフューズ制御信号(Fuse_ctrl)が全部イネーブルされると、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)をイネーブルさせ、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がイネーブルされた後、設定時間が経過すれば、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)をイネーブルさせる。また、カウンティング制御部100は、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がディセーブルされ、オートリフレッシュ信号(auto_ref)がイネーブルされると、第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)をイネーブルさせる。
一方、カウンティング制御部100は、特定のアドレス(add_cnt<9:12>)のカウンティング値が、設定値に到達すれば、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)をディセーブルさせる。
このとき、フューズ制御信号(Fuse_ctrl)は、一般のフューズ回路の出力信号であって、フューズカッティングの可否によりイネーブル又はディセーブルされる信号である。また、電圧安定化信号(V_stable)は、外部電圧が非活性化状態である半導体メモリ装置に印加されて、半導体メモリ装置が活性化状態に転換される場合、パワーアップ信号(図示せず)がイネーブルされた後、設定時間が経過すれば、イネーブルされる信号である。
オートリフレッシュ用アドレスカウンティング部200は、第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)に応じて、第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)をカウントし、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)及びカウンティング制御信号(cnt_ctrl)に応じて、第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)のうち、特定のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)のみをカウントする。
例えば、オートリフレッシュ用アドレスカウンティング部200は、第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)がイネーブルされると、第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)をカウントし、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)及びカウンティング制御信号(cnt_ctrl)が全部イネーブルされると、特定のアドレス(add_cnt<9:12>)をカウントする。
カウンティング制御部100は、図2に示すように、カウンティング制御信号生成部110、第1のカウンティングスタート信号生成部120及び第2のカウンティングスタート信号生成部130を含む。
カウンティング制御信号生成部110は、電圧安定化信号(V_stable)、フューズ制御信号(Fuse_ctrl)及び特定のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)のカウンティング値に応じて、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)を生成する。例えば、電圧安定化信号(V_stable)及びフューズ制御信号(Fuse_ctrl)が全部イネーブルされると、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)をイネーブルさせ、特定のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)のカウンティング値が、設定値と同一になれば、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)をディセーブルさせる。
第1のカウンティングスタート信号生成部120は、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)及びオートリフレッシュ信号(auto_ref)に応じて、第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)を生成する。例えば、第1のカウンティングスタート信号生成部120は、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がディセーブルされ、オートリフレッシュ信号(auto_ref)がイネーブルされると、第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)をイネーブルさせる。
第2のカウンティングスタート信号生成部130は、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)に応じて、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)を生成する。例えば、第2のカウンティングスタート信号生成部130は、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がイネーブルされると、設定時間が経過した場合、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)をイネーブルさせる。
カウンティング制御信号生成部110は、図3に示すように、イネーブル制御部111及びディセーブル制御部112を含む。
イネーブル制御部111は、電圧安定化信号(V_stable)及びフューズ制御信号(Fuse_ctrl)が全部イネーブルされると、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)をイネーブルさせ、ディセーブル制御信号(dis_ctrl)がイネーブルされると、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)をディセーブルさせる。
ディセーブル制御部112は、特定のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)のカウンティング値が、設定値に到達すれば、ディセーブル制御信号(dis_ctrl)をイネーブルさせる。例えば、ディセーブル制御部112は、特定のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)のカウンティング値が、(1,1,1,1)すなわち最大値に到達すれば、ディセーブル制御信号(dis_ctrl)をイネーブルさせる。
イネーブル制御部111は、図4に示すように、第1のパルス生成部111−1及び信号レベル維持部111−2を含む。
第1のパルス生成部111−1は、電圧安定化信号(V_stable)及びフューズ制御信号(Fuse_ctrl)が全部イネーブルされると、第1のパルス(Pulse1)を生成する。第1のパルス生成部111−1は、第1及び第2のナンドゲート(ND11、ND12)、第1〜第3のインバータ(IV11、IV12、IV13)及び第1の遅延部(delay11)を含む。
第1のナンドゲート(ND11)には、電圧安定化信号(V_stable)及びフューズ制御信号(Fuse_ctrl)が入力される。第1のインバータ(IV11)には、第1のナンドゲート(ND11)の出力信号が入力される。第1の遅延部(delay11)には、第1のインバータ(IV11)の出力信号が入力される。第2のインバータ(IV12)には、第1の遅延部(delay11)の出力信号が入力される。第2のナンドゲート(ND12)には、第1及び第2のインバータ(IV11、IV12)の出力信号が入力される。第3のインバータ(IV13)には、第2のナンドゲート(ND12)の出力信号が入力されて、第3のインバータ(IV13)は第1のパルス(Pulse1)を出力する。
信号レベル維持部111−2は、第1のパルス(Pulse1)が生成されると、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)をイネーブルさせ、ディセーブル制御信号(dis_ctrl)がイネーブルされるまで、イネーブルされたカウンティング制御信号(cnt_ctrl)を維持させる。
信号レベル維持部111−2は、第1〜第4のトランジスタ(P11、P12、N11、P13)及び第4〜第6のインバータ(IV14〜IV16)を含む。第1のトランジスタ(P11)は、ゲートにフューズ制御信号(Fuse_ctrl)が入力され、ソースに外部電圧(VDD)が印加される。第2のトランジスタ(P12)は、ゲートに第1のパルス(Pulse1)が入力され、ソースに第1のトランジスタ(P11)のドレーンが連結される。第3のトランジスタ(N11)は、ゲートに第1のパルス(Pulse1)が入力され、ドレーンに第2のトランジスタ(P12)のソースが連結され、ソース接地端(VSS)が連結される。
第4のインバータ(IV14)には、ディセーブル制御信号(dis_ctrl)が入力される。第4のトランジスタ(P13)は、ゲートに第4のインバータ(IV14)の出力信号が入力され、ソースに外部電圧(VDD)が印加され、ドレーンに第2のトランジスタ(P12)及び第3のトランジスタ(N11)が連結しているノードが連結される。第5のインバータ(IV15)は、入力端に第2〜第4のトランジスタ(P12、N11、P13)が連結しているノードが連結され、出力端にカウンティング制御信号(cnt_ctrl)が出力される。第6のインバータ(IV16)は、入力端に第5のインバータ(IV15)の出力端が連結され、出力端に第5のインバータ(IV15)の入力端が連結される。
ディセーブル制御部112は、図5に示すように、終了信号生成部112−1、第2のパルス生成部112−2及びラッチ部112−3を含む。
終了信号生成部112−1は、特定のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)のカウンティング値が、設定値すなわち最大値(例えば、1,1,1,1)に到達すれば、イネーブルされたカウンティング制御信号(cnt_ctrl)を終了信号(end_s)として出力する。
終了信号生成部112−1は、第3〜第5のナンドゲート(ND21〜ND23)、第1及び第2のノアゲート(NR21、NR22)、第7〜第10のインバータ(IV21〜IV24)及び第1〜第4の制御インバータ(IVC21〜IVC24)を含む。第3のナンドゲート(ND21)には、特定のカウントアドレス(add_cnt<9>、add_cnt<10>)が入力される。第4のナンドゲート(ND22)には、特定のカウントアドレス(add_cnt<11>、add_cnt<12>)が入力される。
第1のノアゲート(NR21)には、第3及び第4のナンドゲート(ND21、ND22)の出力信号が入力される。第5のナンドゲート(ND23)には、第1のノアゲート(NR21)の出力信号及びクロック(CLK)が入力される。第7のインバータ(IV21)には、第5のナンドゲート(ND23)の出力信号が入力される。第8のインバータ(IV22)には、第7のインバータ(IV21)の出力信号が入力される。
第1の制御インバータ(IVC21)は、第1の制御端に第8のインバータ(IV22)の出力信号が入力され、第2の制御端に第7のインバータ(IV21)の出力信号が入力され、入力端にカウンティング制御信号(cnt_ctrl)が入力される。第9のインバータ(IV23)には、フューズ制御信号(Fuse_ctrl)が入力される。第2のノアゲート(NR22)には、第1の制御インバータ(IVC21)の出力信号及び第9のインバータ(IV23)の出力信号が入力される。
第2の制御インバータ(IVC22)は、第1の制御端に第7のインバータ(IV21)の出力信号が入力され、第2の制御端に第8のインバータ(IV22)の出力信号が入力され、入力端に第2のノアゲート(NR22)の出力信号が入力され、出力端に第1の制御インバータ(IVC21)及び第2のノアゲート(NR22)が連結しているノードが連結される。第3の制御インバータ(IVC23)は、第1の制御端に第7のインバータ(IV21)の出力信号が入力され、第2の制御端に第8のインバータ(IV22)の出力信号が入力され、入力端に第2のノアゲート(NR22)の出力信号が入力される。
第10のインバータ(IV24)には、第3の制御インバータ(IVC23)の出力信号が入力されて、第10のインバータ(IV24)は終了信号(end_s)を出力する。第4の制御インバータ(IVC24)は、第1の制御端に第8のインバータ(IV22)の出力信号が入力され、第2の制御端に第7のインバータ(IV21)の出力信号が入力され、入力端に第10のインバータ(IV24)の出力信号が入力され、出力端に第10のインバータ(IV24)の入力端が連結される。
第2のパルス生成部112−2は、終了信号(end_s)がイネーブルされると、第2のパルス(Pulse2)を生成する。
第2のパルス生成部112−2は、第2の遅延部(delay21)、第11のインバータ(IV25)及び第6のナンドゲート(ND24)を含む。第2の遅延部(delay21)には、終了信号(end_s)が入力される。第11のインバータ(IV25)には、第2の遅延部(delay21)の出力信号が入力される。第6のナンドゲート(ND24)には、終了信号(end_s)及び第11のインバータ(IV25)の出力信号が入力され、第6のナンドゲート(ND24)は第2のパルス(Pulse2)を出力する。
ラッチ部112−3は、第2のパルス(Pulse2)に応じて、ディセーブル制御信号(dis_ctrl)をイネーブルさせ、イネーブルされたディセーブル制御信号(dis_ctrl)を維持させる。このとき、ラッチ部112−3は、パワーアップ信号(pwrup)がイネーブルされると、初期化してディセーブル制御信号(dis_ctrl)をディセーブルさせる。
ラッチ部112−3は、第7及び第8のナンドゲート(ND25、ND26)、第12及び第13のインバータ(IV26、IV27)及び第3のノアゲート(NR23)を含む。第7のナンドゲート(ND25)には、第2のパルス(Pulse2)及び第8のナンドゲート(ND26)の出力信号が入力される。第12のインバータ(IV26)には、パワーアップ信号(pwrup)が入力される。第8のナンドゲート(ND26)には、第7のナンドゲート(ND25)の出力信号及び第12のインバータ(IV26)の出力信号が入力される。第3のノアゲート(NR23)には、第7のナンドゲート(ND25)の出力信号及びパワーアップ信号(pwrup)が入力される。第13のインバータ(IV27)には、第3のノアゲート(NR23)の出力信号が入力され、第13のインバータ(IV27)はディセーブル制御信号(dis_ctrl)を出力する。
図2に示す第1のカウンティングスタート信号生成部120は、図6に示すように、第14及び第15のインバータ(IV31、IV32)及び第9のナンドゲート(ND31)を含む。第14のインバータ(IV31)には、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)が入力される。第9のナンドゲート(ND31)には、オートリフレッシュ信号(auto_ref)及び第14のインバータ(IV31)の出力信号が入力される。第15のインバータ(IV32)には、第9のナンドゲート(ND31)の出力信号が入力され、第15のインバータ(IV32)から第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)が出力される。
図2に示す第2のカウンティングスタート信号生成部130は、図7に示すように、オシレータ131、クロック分周部132及びシフト部133を含む。
オシレータ131は、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がイネーブルされると、オシレータ信号(osc)を生成する。
クロック分周部132は、オシレータ信号(osc)を分周させ、分周オシレータ信号(osc_div)を生成する。
シフト部133は、設定時間(すなわち、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がイネーブルされた後、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)がイネーブルされるまでの時間)に対応する分周オシレータ信号(osc_div)の分周だけイネーブルされたカウンティング制御信号(cnt_ctrl)をシフトさせ、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)を生成する。
図1に示すオートリフレッシュ用アドレスカウンティング部200は、図8に示すように、第1のカウンティング部210、マルチプレクサ220及び第2のカウンティング部230を含む。
第1のカウンティング部210は、第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)がイネーブルされると、第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)のうち、特定のカウントアドレス、すなわち第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)を除いた第1〜第9のカウントアドレス(add_cnt<0:8>)をカウントする。
マルチプレクサ220は、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)に応じて、第1〜第9のカウントアドレス(add_cnt<0:8>)のうち、最上位カウントアドレス、すなわち、第9のカウントアドレス(add_cnt<8>)又は第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)を、選択信号(select_s)として出力する。例えば、マルチプレクサ220は、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がイネーブルされると、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)を選択信号(select_s)として出力し、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がディセーブルされると、第9のカウントアドレス(add_cnt<8>)を選択信号(select_s)として出力する。
第2のカウンティング部230は、選択信号(select_s)に応じて、特定のカウントアドレス、すなわち、第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)をカウントする。
第1のカウンティング部210は、図9に示すように、直列に連結している第1〜第9のビットカウンタ211〜219を含む。このとき、第1〜第9のビットカウンタ211〜219は、それぞれ第1〜第9のカウントアドレス(add_cnt<0:8>)を出力する。また、第1のカウンティング部210は、第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)がイネーブルされると、第1〜第9のカウントアドレス(add_cnt<0:8>)をアップカウントする。このとき、第1〜第9のビットカウンタ211〜219は、それぞれ第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)により活性化される。
第2のカウンティング部230は、図10に示すように、直列に連結している第10〜第13のビットカウンタ231〜234を含む。このとき、第10〜第13のビットカウンタ231〜234は、それぞれ第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)を出力する。また、第2のカウンティング部230は、選択信号(select_s)がイネーブルされると、第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)をアップカウントする。
このとき、第2のカウンティング部230を構成する第10〜第13のビットカウンタ231〜234は、第1及び第2のカウンティングスタート信号(cnt_start1、cnt_start2)の何れか一つでもイネーブルされると、活性化するように構成される。よって、第2のカウンティング部230は、第4のノアゲート(NR31)及び第14のインバータ(IV31)をさらに含む。第4のノアゲート(NR31)には、第1及び第2のカウンティングスタート信号(cnt_start1、cnt_start2)が入力される。第14のインバータ(IV31)には、第4のノアゲート(NR31)の出力が入力され、その出力を第10〜第13のビットカウンタ231〜234にそれぞれ出力する。
このように構成された本実施形態に係る半導体メモリ装置は、次の通り動作する。
非活性化した半導体メモリ装置に外部電圧(VDD)が印加されて半導体メモリ装置が活性化する場合、フューズ制御信号(Fuse_ctrl)がイネーブルされた状態であれば、電圧安定化信号(V_stable)がイネーブルされる時、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がイネーブルされる。カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がイネーブルされた後、設定時間が経過すれば、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)がイネーブルされる。
オートリフレッシュ用アドレスカウンティング部200は、第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)のうち、特定のカウントアドレス、すなわち、第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)のみをカウントする。このとき、カウントしていない第1〜第9のカウントアドレス(add_cnt<0:8>)は、初期値、すなわち(0,0,0,0,0,0,0,0,0)に維持される。
第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)が、最大値(例えば、(1,1,1,1))に到達すれば、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がディセーブルされる。
カウンティング制御信号(cnt_ctrl)がディセーブルされると、第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)もディセーブルされ、第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)が初期値(0,0,0,0)になる。
半導体メモリ装置が活性化され、第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)のうち、第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)がカウントされて最大値に到達した後、初期値になると、カウンティング制御信号(cnt_ctrl)及び第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)は、全部ディセーブルされる。
カウンティング制御信号(cnt_ctrl)及び第2のカウンティングスタート信号(cnt_start2)がディセーブルされると、半導体メモリ装置は、オートリフレッシュ信号(auto_ref)に応じて、第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)を生成する。第1のカウンティングスタート信号(cnt_start1)がイネーブルされると、第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)は、全部カウントされる。
本実施形態は、本発明の一態様に係る半導体メモリ装置を例示したもので、第1〜第13のカウントアドレス(add_cnt<0:12>)のうち、第10〜第13のカウントアドレス(add_cnt<9:12>)は、半導体メモリ装置のデータ格納領域を構成する各マットの位置を指定するアドレスとして用いられ、第1〜第9のカウントアドレス(add_cnt<0:8>)は、各マットのワードラインの位置を指定するアドレスとして用いられ、オートリフレッシュ動作を行うのに用いられる。
つまり、本実施形態によれば、非活性化した半導体メモリ装置が、最初に外部電圧が印加されて活性化する場合、各マットを指定するカウントアドレスを順次カウントし、各マットのワードラインの位置を指定するアドレスを初期値に固定させることで、各マットの最初のワードラインのみを順次イネーブルさせるように構成される。また、各マットの最初のワードラインのみを順次イネーブルさせた後には、オートリフレッシュ信号により、オートリフレッシュ動作時に用いられるカウントアドレスの全部をカウントすることで、オートリフレッシュ動作を行うことになる。
本実施形態に係る半導体メモリ装置は、半導体メモリ装置の初期動作時、半導体メモリ装置の各マット別にマットを活性化させることで、半導体メモリ装置の初期動作のエラーを防止し、半導体メモリ装置の動作信頼度を高めることができる。
なお、本発明の詳細な説明では具体的な一実施形態について説明したが、本発明の要旨から逸脱しない範囲内で多様に変形・実施が可能である。よって、本発明の範囲は、前述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものに基づいて定められるべきである。
100 カウンティング制御部
110 カウンティング制御信号生成部
120 第1のカウンティングスタート信号生成部
130 第2のカウンティングスタート信号生成部
200 オートリフレッシュ用アドレスカウンティング部
110 カウンティング制御信号生成部
120 第1のカウンティングスタート信号生成部
130 第2のカウンティングスタート信号生成部
200 オートリフレッシュ用アドレスカウンティング部
Claims (18)
- オートリフレッシュ信号、電圧安定化信号及びフューズ制御信号に応じて、第1のカウンティングスタート信号、第2のカウンティングスタート信号及びカウンティング制御信号を生成するカウンティング制御部;及び、
前記第1のカウンティングスタート信号に応じて、複数のカウントアドレスをカウントし、前記第2のカウンティングスタート信号及びカウンティング制御信号に応じて、前記複数のカウントアドレスのうち、特定のカウントアドレスのみをカウントするオートリフレッシュ用アドレスカウンティング部を含むことを特徴とする、半導体メモリ装置。 - 前記カウンティング制御部は、前記電圧安定化信号及び前記フューズ制御信号が全部イネーブルされたときに、前記カウンティング制御信号をイネーブルさせ、前記カウンティング制御信号がイネーブルされた後、設定時間が経過した場合に、前記第2のカウンティングスタート信号をイネーブルさせることを特徴とする、請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記カウンティング制御部は、前記カウンティング制御信号がディセーブルされ、前記オートリフレッシュ信号がイネーブルされたときに、前記第1のカウンティングスタート信号をイネーブルさせることを特徴とする、請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 前記カウンティング制御部は、前記特定のカウントアドレスのカウンティング値が、設定値に到達した場合に、前記カウンティング制御信号をディセーブルさせることを特徴とする、請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 前記カウンティング制御部は、
前記電圧安定化信号、前記フューズ制御信号及び前記特定のカウントアドレスのカウンティング値に応じて、前記カウンティング制御信号を生成するカウンティング制御信号生成部、
前記カウンティング制御信号及び前記オートリフレッシュ信号に応じて、前記第1のカウンティングスタート信号を生成する第1のカウンティングスタート信号生成部;及び、
前記カウンティング制御信号に応じて、前記第2のカウンティングスタート信号を生成する第2のカウンティングスタート信号生成部を含むことを特徴とする、請求項4に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1のカウンティングスタート信号生成部は、前記カウンティング制御信号がディセーブルされ、前記オートリフレッシュ信号がイネーブルされたときに、前記第1のカウンティングスタート信号をイネーブルさせることを特徴とする、請求項5に記載の半導体メモリ装置。
- 前記カウンティング制御信号生成部は、
前記電圧安定化信号及び前記フューズ制御信号が全部イネーブルされたときに、前記カウンティング制御信号をイネーブルさせ、ディセーブル制御信号がイネーブルされたときに、前記カウンティング制御信号をディセーブルさせる制御部;及び、
前記特定のカウントアドレスのカウンティング値が、前記設定値に到達した場合に、前記ディセーブル制御信号をイネーブルさせるディセーブル制御部を含むことを特徴とする、請求項5に記載の半導体メモリ装置。 - 前記イネーブル制御部は、
前記電圧安定化信号及び前記フューズ制御信号が全部イネーブルされたときに、パルスを生成するパルス生成部;及び、
前記パルスが生成されたときに、前記カウンティング制御信号をイネーブルさせ、前記ディセーブル制御信号がイネーブルされるまで、イネーブルされた前記カウンティング制御信号を維持させる信号レベル維持部を含むことを特徴とする、請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ディセーブル制御部は、
前記特定のカウントアドレスのカウンティング値が、前記設定値に到達した場合、イネーブルされた前記カウンティング制御信号を終了信号として出力する終了信号生成部;
前記終了信号がイネーブルされたときに、パルスを生成するパルス生成部;及び、
前記パルスに応じて、前記ディセーブル制御信号をイネーブルさせ、イネーブルされた前記ディセーブル制御信号を維持させるラッチ部を含むことを特徴とする、請求項7に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第2のカウンティングスタート信号生成部は、
前記カウンティング制御信号がイネーブルされたときに、オシレータ信号を生成するオシレータ;
前記オシレータ信号を分周させて、分周オシレータ信号を生成するクロック分周部;及び、
前記設定時間に対応する前記分周オシレータ信号の周期だけイネーブルされた前記カウンティング制御信号をシフトさせて、前記第2のカウンティングスタート信号を生成するシフト部を含むことを特徴とする、請求項5に記載の半導体メモリ装置。 - 前記オートリフレッシュ用アドレスカウンティング部は、
前記第1のカウンティングスタート信号がイネーブルされたときに、前記複数のカウントアドレスのうち、特定のカウントアドレスを除いたカウントアドレスをカウントする第1のカウンティング部;
前記カウンティング制御信号に応じて、前記特定のカウントアドレスを除いたカウントアドレスのうち、最上位カウントアドレス又は前記第2のカウンティングスタート信号を選択信号として出力するマルチプレクサ;及び、
前記選択信号に応じて、前記特定のカウントアドレスをカウントする第2のカウント部を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1のカウンティング部は、直列に連結している複数のビットカウンタを含み、
該各ビットカウンタの出力が、前記第1のカウンティング部の出力であることを特徴とする、請求項11に記載の半導体メモリ装置。 - 前記特定のカウントアドレスを除いたカウントアドレスのうち、最上位カウントアドレスは、前記複数のビットカウンタのうち、最終ビットカウンタの出力であることを特徴とする、請求項12に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2のカウンティング部は、直列に連結している複数のビットカウンタを含み、
該各ビットカウンタの出力が、前記第2のカウンティング部の出力であることを特徴とする、請求項11に記載の半導体メモリ装置。 - オートリフレッシュ動作時、カウントされる複数のカウントアドレスを提供するオートリフレッシュ用カウンティング部;及び、
半導体メモリ装置を活性化させる場合、前記複数のカウントアドレスのうち、既設定の上位ビットのカウントアドレスのみをカウントするように、前記オートリフレッシュカウンティング部を制御するカウンティング制御部を含むことを特徴とする、半導体メモリ装置。 - 前記カウンティング制御部は、前記半導体メモリ装置が活性化されたときに、イネーブルされる電圧安定化信号に応じて、前記複数のカウントアドレスのうち、既設定の上位ビットのカウントアドレスのみをカウントするように、前記オートリフレッシュカウンティング部を制御し、オートリフレッシュ信号に応じて、前記複数のカウントアドレスをカウントするように、前記オートリフレッシュカウンティング部を制御することを特徴とする、請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 前記カウンティング制御部は、
前記電圧安定化信号がイネーブルされたときに、カウンティング制御信号をイネーブルさせ、前記既設定の上位ビットのカウントアドレスのカウンティング値が、設定値と同一になった場合に、前記カウンティング制御信号をディセーブルさせるカウンティング制御信号生成部;
前記カウンティング制御信号がディセーブルされ、前記オートリフレッシュ信号がイネーブルされたときに、第1のカウンティングスタート信号を生成する第1のカウンティングスタート信号生成部;及び、
前記カウンティング制御信号がイネーブルされたときに、第2のカウンティングスタート信号をイネーブルさせる第2のカウンティングスタート信号生成部を含むことを特徴とする、請求項16に記載の半導体メモリ装置。 - 前記オートリフレッシュ用アドレスカウンティング部は、
前記第1のカウンティングスタート信号に応じて、前記複数のカウントアドレスのうち、既設定の上位ビットのカウントアドレスを除いたカウントアドレスをカウントする第1のカウンティング部;
前記カウンティング制御信号に応じて、前記第1のカウンティング部の出力のうち、最上位ビットのカウントアドレス又は前記第2のカウンティングスタート信号を選択信号として出力するマルチプレクサ;及び、
前記選択信号に応じて、前記既設定の上位ビットのカウントアドレスをカウントする第2のカウンティング部を含むことを特徴とする、請求項17に記載の半導体メモリ装置。
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