JP2011199254A - 電子グレード・シルク溶液、絶縁材料としてシルクプロテインを用いたotftおよびmimキャパシタ、およびそれらの製造方法 - Google Patents
電子グレード・シルク溶液、絶縁材料としてシルクプロテインを用いたotftおよびmimキャパシタ、およびそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011199254A JP2011199254A JP2010259647A JP2010259647A JP2011199254A JP 2011199254 A JP2011199254 A JP 2011199254A JP 2010259647 A JP2010259647 A JP 2010259647A JP 2010259647 A JP2010259647 A JP 2010259647A JP 2011199254 A JP2011199254 A JP 2011199254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- silk
- electrode
- solution
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/761—Biomolecules or bio-macromolecules, e.g. proteins, chlorophyl, lipids or enzymes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Abstract
【解決手段】有機薄膜トランジスタ(OTFT)のゲート絶縁層、あるいは金属−絶縁体−金属(MIM)キャパシタの絶縁体として、電子グレード・シルク溶液を基板上に形成されたゲート電極上、あるいはキャパシタ電極上にコートし乾燥させ、ゲート電極上あるいはキャパシタ電極上にシルクプロテインで作られたゲート絶縁層あるいはキャパシタ絶縁体を得る。
【選択図】なし
Description
[シルク溶液の製造]
先ず、10重量%のNa2CO3水溶液を用意し、加熱した。溶液が沸騰していた時に、カイコの繭(天然シルク)をそこに加え、溶液を30分〜1時間、沸騰し続けて、セリシン(sericin)を除いた。その後、セリシンを除いたシルクを脱イオン水で洗浄して、シルクに付着したアルカリ塩を除去した。乾燥工程の後、精製シルク、即ちフィブロインを得た。
図3Aに示す通り、基板30を用意し、基板30をソニケーション工程で脱イオン水により清浄した。本実施例において、基板30はPET製のプラスチック基板であった。
蒸着速度:1Å/s
蒸発速度:0.3Å/s
本実施例のトップコンタクトOTFTについて、電流電圧試験を実施した。OTFTの伝達特性の結果を図4に示し、種々のゲート電圧(VG)下でのアウトプット特性の結果を図5に示す。電流オン/オフ比(ION/OFF)、サブスレッショルド係数(subthreshold swing: S.S)、キャリア移動度および閾値電圧(VTH)を以下の表1に記載する。
図6Aに示す通り、基板30を用意し、続いて基板30上に、ゲート電極31およびゲート絶縁層32を逐次形成した。本実施例において、基板30、ゲート電極31、およびゲート絶縁層32の各々の製造方法および材料は、実施例1において説明したものと同様である。加えて、本実施例において、ゲート電極31の厚さは約100nmであり、ゲート絶縁層32の厚さは約500nmであった。
図7Aに示す通り、基板70を用意し、基板70上に第一の電極71を形成した。本実施例において、第一の電極71の製造方法および材料は、実施例1に説明したゲート電極の形成工程と同様である。本実施例において、基板70はプラスチック基板であり、第一の電極71の材料はAuであり、第一の電極71の厚さは約80nmであった。
本実施例のMIMキャパシタの誘電特性を評価し、評価結果を図8および図9に示すが、図8は、MIMキャパシタの、キャパシタンス−周波数特性を示す曲線であり、図9は、MIMキャパシタの、電場−漏れ電流特性を示す曲線である。計算後、シルクフィブロインの誘電定数(ε)は約7.2であり、MIMキャパシタの漏れ電流は、−0.1MV/cmの電場下で約10-7A/cm2である。これらの結果は、シルクフィブロインが良好な誘電材料であることを示す。
Claims (33)
- 基板;
基板上に配置されたゲート電極;
基板上に配置され、ゲート電極を覆うゲート絶縁層であって、ゲート絶縁層がシルクプロテインを含むもの;
有機半導体層;および
ソース電極およびドレイン電極
を含む、有機薄膜トランジスタであって;
有機半導体層、ソース電極およびドレイン電極がゲート絶縁層上に配置された、有機薄膜トランジスタ。 - 請求項1に記載の有機薄膜トランジスタであって、シルクプロテインが天然シルクプロテインである、有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1に記載の有機薄膜トランジスタであって、シルクプロテインがフィブロインである、有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1に記載の有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層が単層構造または多層構造を有する、有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1に記載の有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層の材料がペンタセンを含む、有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1に記載の有機薄膜トランジスタであって、基板がプラスチック基板、ガラス基板、水晶基板、またはシリコン基板である、有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1に記載の有機薄膜トランジスタであって、有機薄膜トランジスタがトップコンタクト有機薄膜トランジスタである場合、有機半導体層がゲート絶縁層の表面全体を覆い、ソース電極およびドレイン電極がそれぞれ有機半導体層上に位置する、有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1に記載の有機薄膜トランジスタであって、有機薄膜トランジスタがボトムコンタクト有機薄膜トランジスタである場合、ソース電極およびドレイン電極がそれぞれゲート絶縁層上に位置し、有機半導体層がゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極を覆う、有機薄膜トランジスタ。
- 以下の工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法:
(A)基板を用意する工程;
(B)基板上にゲート電極を形成する工程;
(C)ゲート電極がその上に形成された基板をシルク溶液でコートして、基板およびゲート電極上にゲート絶縁層を得る工程;および
(D)ゲート絶縁層上に、有機半導体層、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程。 - 請求項9に記載の方法であって、工程(C)が以下の工程を含む、方法:
(C1)シルク溶液を用意する工程;
(C2)ゲート電極がその上に形成された基板を、シルク溶液でコートする工程;および
(C3)基板およびゲート電極上にコートされたシルク溶液を乾燥させて、基板およびゲート電極上にゲート絶縁層を得る工程。 - 請求項9に記載の方法であって、シルク溶液が天然シルクプロテインを含有する水溶液である、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、シルク溶液がフィブロインを含有する水溶液である、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、有機半導体層の材料がペンタセンを含む、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、基板がプラスチック基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、工程(D)において、有機半導体層がゲート絶縁層の表面全体を覆い、かつソース電極およびドレイン電極が有機半導体層上に形成されて、トップコンタクト有機薄膜トランジスタを得る、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、工程(D)において、ソース電極およびドレイン電極がゲート絶縁層上に形成され、かつ有機半導体層がソース電極、ドレイン電極およびゲート絶縁層を覆って、ボトムコンタクト薄膜トランジスタを得る、方法。
- 基板;
基板上に配置された第一の電極;
基板上に配置され、第一の電極を覆う絶縁層であって、絶縁層がシルクプロテインを含むもの;および
絶縁層上に配置された第二の電極:
を含む、金属−絶縁体−金属キャパシタ。 - 請求項17に記載の金属−絶縁体−金属キャパシタであって、シルクプロテインが天然シルクプロテインである、金属−絶縁体−金属キャパシタ。
- 請求項17に記載の金属−絶縁体−金属キャパシタであって、シルクプロテインがフィブロインである、金属−絶縁体−金属キャパシタ。
- 請求項17に記載の金属−絶縁体−金属キャパシタであって、絶縁層が多層構造を有する、金属−絶縁体−金属キャパシタ。
- 請求項17に記載の金属−絶縁体−金属キャパシタであって、基板がプラスチック基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である、金属−絶縁体−金属キャパシタ。
- 以下の工程を含む、金属−絶縁体−金属キャパシタの製造方法:
(A)基板を用意する工程;
(B)基板上に第一の電極を形成する工程;
(C)第一の電極がその上に形成された基板をシルク溶液でコートして、基板および第一の電極上に絶縁層を得る工程;および
(D)絶縁層上に、第二の電極を形成する工程。 - 請求項22に記載の方法であって、工程(C)が以下の工程を含む、方法:
(C1)シルク溶液を用意する工程;
(C2)第一の電極がその上に形成された基板を、シルク溶液でコートする工程;および
(C3)基板および第一の電極上にコートされたシルク溶液を乾燥させて、基板および第一の電極上に絶縁層を得る工程。 - 請求項22に記載の方法であって、シルク溶液が天然シルクプロテインを含有する水溶液である、方法。
- 請求項22に記載の方法であって、シルク溶液がフィブロインを含有する水溶液である、方法。
- 請求項22に記載の方法であって、基板がプラスチック基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である、方法。
- シルクプロテインを含む、電子グレード・シルク溶液であって、電子グレード・シルク溶液のpHが3〜6である、電子グレード・シルク溶液。
- 請求項27に記載の電子グレード・シルク溶液であって、電子グレード・シルク溶液が、以下の工程によって製造される、電子グレード・シルク溶液:
(A)カイコの繭をアルカリ溶液中に入れ、アルカリ溶液を加熱して、シルクプロテインを得る工程;
(B)シルクプロテインをリン酸溶液に溶解する工程;および
(C)シルクプロテインを溶解しているリン酸溶液中のリン酸塩を除去して、シルク溶液を得る工程。 - 請求項28に記載の電子グレード・シルク溶液であって、工程(C)が、シルクプロテインと共に溶解したリン酸を水で透析して、リン酸塩を除去してシルク溶液を得る工程である、電子グレード・シルク溶液。
- 請求項28に記載の電子グレード・シルク溶液であって、工程(A)が、さらに以下の工程(A1)〜(A3)を含む、電子グレード・シルク溶液:
(A1)カイコの繭をアルカリ溶液に入れ、アルカリ溶液を沸騰させて、シルクプロテインを得る工程;
(A2)アルカリ溶液からシルクプロテインを取り出し、シルクプロテインを洗浄する工程;および
(A3)洗浄後、シルクプロテインを乾燥する工程。 - 請求項27の電子グレード・シルク溶液であって、アルカリ溶液が炭酸ナトリウムの溶液である、電子グレード・シルク溶液。
- 請求項27の電子グレード・シルク溶液であって、シルクプロテインが天然シルクプロテインである、電子グレード・シルク溶液。
- 請求項27の電子グレード・シルク溶液であって、シルクプロテインがフィブロインである、電子グレード・シルク溶液。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099107973 | 2010-03-18 | ||
TW99107973 | 2010-03-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011199254A true JP2011199254A (ja) | 2011-10-06 |
JP5269043B2 JP5269043B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=44085346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010259647A Expired - Fee Related JP5269043B2 (ja) | 2010-03-18 | 2010-11-22 | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8129716B2 (ja) |
EP (1) | EP2367214A3 (ja) |
JP (1) | JP5269043B2 (ja) |
TW (1) | TWI418073B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013533754A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-08-29 | タフツ・ユニバーシティ | 絹電子部品 |
KR101367007B1 (ko) * | 2011-11-09 | 2014-02-24 | 내셔널 청쿵 유니버시티 | 내부에 변성 알부민을 포함하는 유전체층을 구비한 전계 효과 트랜지스터 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI418072B (zh) * | 2010-05-28 | 2013-12-01 | Nat Univ Tsing Hua | 以紙做為基板並以蠶絲做為介電材料之有機薄膜電晶體及其製作方法 |
TWI433367B (zh) * | 2011-12-13 | 2014-04-01 | Nat Univ Tsing Hua | N型有機薄膜電晶體、雙載子場效應電晶體、及其製備方法 |
US8664648B2 (en) * | 2010-07-22 | 2014-03-04 | National Tsing Hua University | N-type organic thin film transistor, ambipolar field-effect transistor, and method of fabricating the same |
WO2013089867A2 (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-20 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Transient devices designed to undergo programmable transformations |
US9564217B1 (en) * | 2015-10-19 | 2017-02-07 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor memory device having integrated DOSRAM and NOSRAM |
CN107121471A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-09-01 | 苏州奥特科然医疗科技有限公司 | 一种酶标仪 |
CN109326722B (zh) * | 2018-10-16 | 2020-11-20 | 电子科技大学 | 一种基于有机场效应管红外探测器及其制备方法 |
CN110335820B (zh) * | 2019-07-11 | 2021-04-16 | 吉林建筑大学 | 蛋白质基底上p型薄膜晶体管制备方法 |
CN110379716B (zh) * | 2019-07-24 | 2021-08-20 | 吉林建筑大学 | 一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001048989A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-20 | Natl Inst Of Sericultural & Entomological Science | 結晶性絹超微粉末の製造方法 |
JP2006504852A (ja) * | 2002-11-01 | 2006-02-09 | トラスティーズ オブ タフツ カレッジ | テンプレート化した天然絹スメクティックゲル |
JP2007515391A (ja) * | 2003-04-10 | 2007-06-14 | タフツ ユニバーシティー | 濃縮された水性シルクフィブロイン溶液およびそれらの使用 |
WO2008085904A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Biodegradable electronic devices |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH064679B2 (ja) * | 1985-02-06 | 1994-01-19 | 鐘紡株式会社 | 粉末状絹フイブロインペプチド及びその製造法 |
CN1186822C (zh) * | 2002-09-23 | 2005-01-26 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 有机薄膜晶体管及制备方法 |
TWI229383B (en) * | 2004-04-13 | 2005-03-11 | Ind Tech Res Inst | The muti-passivation layers for organic thin film transistor |
EP1870910A1 (en) * | 2005-03-25 | 2007-12-26 | National Institute of Agrobiological Sciences | Dielectric body and method for producing same |
KR101364275B1 (ko) * | 2007-05-19 | 2014-02-18 | 삼성전자주식회사 | 히드록시기 포함 폴리머를 포함하는 유기 절연체 조성물 및이를 이용한 절연막 및 유기박막 트랜지스터 |
WO2009090979A1 (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Tokyo Electron Limited | キャパシタ、半導体装置、およびこれらの作製方法 |
US20110253984A1 (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Jenn-Chang Hwang | Electronic grade silk solution, otft and mim capacitor with silk protein as insulating material and methods for manufacturing the same |
-
2010
- 2010-04-15 US US12/761,008 patent/US8129716B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-15 TW TW099119523A patent/TWI418073B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-07-20 EP EP10170194.4A patent/EP2367214A3/en not_active Withdrawn
- 2010-11-22 JP JP2010259647A patent/JP5269043B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001048989A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-20 | Natl Inst Of Sericultural & Entomological Science | 結晶性絹超微粉末の製造方法 |
JP2006504852A (ja) * | 2002-11-01 | 2006-02-09 | トラスティーズ オブ タフツ カレッジ | テンプレート化した天然絹スメクティックゲル |
JP2007515391A (ja) * | 2003-04-10 | 2007-06-14 | タフツ ユニバーシティー | 濃縮された水性シルクフィブロイン溶液およびそれらの使用 |
WO2008085904A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Biodegradable electronic devices |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN7012005338; Perry P. YANEY et al.: 'Characterization of polymer, DNA-based, and silk thin film resistivities and of DNA-based films prep' Proceedings of SPIE Vol.7403, 2009 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013533754A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-08-29 | タフツ・ユニバーシティ | 絹電子部品 |
US9603243B2 (en) | 2010-04-12 | 2017-03-21 | Tufts University | Silk electronic components |
KR101367007B1 (ko) * | 2011-11-09 | 2014-02-24 | 내셔널 청쿵 유니버시티 | 내부에 변성 알부민을 포함하는 유전체층을 구비한 전계 효과 트랜지스터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110227046A1 (en) | 2011-09-22 |
TW201133971A (en) | 2011-10-01 |
TWI418073B (zh) | 2013-12-01 |
US8129716B2 (en) | 2012-03-06 |
EP2367214A3 (en) | 2014-05-14 |
JP5269043B2 (ja) | 2013-08-21 |
EP2367214A2 (en) | 2011-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5269043B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5798041B2 (ja) | プリント電子部品のための機能性材料 | |
JP5132053B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR100981558B1 (ko) | 양극성 유기 전계 효과 박층 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
KR20090016646A (ko) | 박층 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR20050039730A (ko) | 실록산 중합체 계면을 갖는 유기 박막 트랜지스터 | |
US8664648B2 (en) | N-type organic thin film transistor, ambipolar field-effect transistor, and method of fabricating the same | |
CN101101967A (zh) | 低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法 | |
TWI418072B (zh) | 以紙做為基板並以蠶絲做為介電材料之有機薄膜電晶體及其製作方法 | |
EP1533854A2 (en) | Organic thin film transistor comprising buffer layer | |
JP2010219530A (ja) | 有機薄膜トランジスタ、その作製方法、および、それに使用されるゲート絶縁層 | |
CN107644936B (zh) | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | |
US20130181191A1 (en) | Electronic devices including bio-polymeric material and method for manufacturing the same | |
KR20130079393A (ko) | 유기 반도체막 및 그 제조 방법, 그리고 콘택트 프린트용 스탬프 | |
CN102208533A (zh) | 蚕丝溶液、使用其制备的有机薄膜晶体管及电容及其制法 | |
US20130181192A1 (en) | Organic floating gate memory device having protein and method of fabricating the same | |
US20110253984A1 (en) | Electronic grade silk solution, otft and mim capacitor with silk protein as insulating material and methods for manufacturing the same | |
KR100788758B1 (ko) | 저전압 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
US10777662B2 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof | |
TWI433367B (zh) | N型有機薄膜電晶體、雙載子場效應電晶體、及其製備方法 | |
CN113964270A (zh) | 一种化学无电镀电极的柔性有机薄膜晶体管及制备方法 | |
KR102028437B1 (ko) | 유기절연체 표면처리 기술 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 | |
KR101607962B1 (ko) | 저온-용액공정으로 제조된 알루미나/폴리이미드 게이트 절연체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
CN207250570U (zh) | 一种有机薄膜晶体管 | |
CN102967634A (zh) | 基于阳极氧化铝薄膜共平面电极结构的电容湿敏传感器及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |