TWI418073B - 電子裝置用蠶絲溶液、使用其製備之具蠶絲蛋白介電層之有機薄膜電晶體裝置及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種電子裝置用蠶絲溶液、使用其製備之具蠶絲蛋白介電層之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法，尤指一種以水溶液製程製備之電子裝置用蠶絲溶液、使用其製備之具蠶絲蛋白介電層之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法
近年來，薄膜電晶體(TFT)之應用非常廣泛，可應用在感測器、電子標籤(RFID)及顯示裝置上。為了減少產品之製作成本且擴大產品之應用範圍，低成本、具可撓性、且可大面積生產之有機薄膜電晶體(OTFT)是研發的趨勢。
一般而言，有機薄膜電晶體可分為上接觸式有機薄膜電晶體及下接觸式有機薄膜電晶體。如圖1所示，上接觸式有機薄膜電晶體係包括：一基板10；一閘極11，係配置基板10上；一閘極介電層12，係配置於基板11上且覆蓋閘極11；一有機半導體層13，係完全覆蓋閘極介電層12；以及一源極14與一汲極15，係配置於有機半導體層13上。
此外，如圖2所示，下接觸式有機薄膜電晶體係包括：一基板10；一閘極11，係配置基板10上；一閘極介電層12，係配置於基板10上且覆蓋閘極11；一源極14與一汲極15，係配置於閘極介電層12上；以及一有機半導體層13，係完全覆蓋閘極介電層12、源極14以及汲極15。
習知之閘極介電層主要係採用濺鍍法將介電材料形成於基板及閘極上，故往往面臨設備價格昂貴且製程複雜等問題。此外，一般常用於有機薄膜電晶體之最佳的有機半導體層材料為五環素，但因常用之介電材料與五環素匹配不佳，使得五環素之載子移動率偏低。舉例而言，一般以氧化矽作為閘極介電層材料的五環素有機薄膜電晶體，其五環素載子移動率係小於0.5 cm2
/V-sec；且即便是使用目前已知較佳之氮化鋁介電材料做為閘極介電層材料時，五環素有機薄膜電晶體之五環素載子移動率仍無法高於2 cm2
/V-sec。因此，以現有的技術及材料，仍無法製作出具有高效率之有機薄膜電晶體。
因此，目前亟需研發合適的材料，能以簡單且便宜的製作方法，製作出有機薄膜電晶體，並可大幅提升有機薄膜電晶體之電晶體效率。
另一方面，金屬-絕緣層-金屬(metal-insulator-metal,MIM)電容結構，已被廣泛運用在數位與射頻電路上。目前，各種具有高介電常數之介電材料被不斷的研究，以使MIM電容結構具有更大的電容密度及較小的漏電流密度。
如圖2所示，一般常見之MIM電容結構係包括：一基板20；一第一電極21，係配置於基板20上；一絕緣層22，係配置於基板20上且覆蓋第一電極21；以及一第二電極23，係配置於絕緣層22上。其中，常用於MIM電容結構絕緣層之介電材料係如：氮化鈦(TiN)、二氧化鈦(TiO2
)、二氧化矽(SiO2
)及氮化矽(SiN)等。然而，若應用上述材料於MIM電容結構絕緣層時，需使用濺鍍法或真空沉積設備，以於金屬層上形成絕緣層，故往往造成製作成本增加且增加製程複雜度。
因此，目前亟需發展出一種MIM電容結構及其製作方法，以期能簡單且便宜的製作出MIM電容結構，而廣泛應用於各種數位及射頻電路上。
此外，無論是有機薄膜電晶體或MIM電容結構，若使用一般常用之介電材料，均需透過濺鍍法或真空沉積設備以形成閘極介電層或絕緣層，故往往大幅增加製作成本及製程複雜度。因此，目前亦需發展出一種電子裝置用之介電材料，其除了具有便宜且製程簡單之特徵外，更可適用於各種電子裝置。
本發明之主要目的係在提供一種有機薄膜電晶體裝置及其製作方法，俾能製作出具有高效率之有機薄膜電晶體。
本發明之另一目的係在提供一種金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法，俾能以簡單且便宜之製程製作出金屬-絕緣層-金屬電容結構。
本發明之再一目的係在提供一種電子裝置用蠶絲溶液，透過使用本發明之蠶絲溶液，可以簡單且便宜之製程製作出電子裝置之蠶絲蛋白介電層或絕緣層。
為達成上述目的，本發明係提供一種有機薄膜電晶體裝置，包括：一基板；一閘極，係配置於基板上；一閘極介電層，係配置於基板上且覆蓋閘極，其中閘極介電層之材料係包含一蠶絲蛋白；一有機半導體層；以及一源極、以及一汲極，其中，有機半導體層、源極、以及汲極係配置於閘極介電層上方。
此外，本發明更提供一種有機薄膜電晶體裝置之製作方法，包括下列步驟：(A)提供一基板；(B)形成一閘極於基板上；(C)塗佈一蠶絲溶液於形成有閘極之基板上，以於基板及閘極上形成一閘極介電層；以及(D)形成一有機半導體層、一源極、以及一汲極於閘極介電層上方。
為達成上述目的，本發明另提供一種金屬-絕緣層-金屬電容結構，包括：一基板；一第一電極，係配置於基板上；一絕緣層，係配置於基板上且覆蓋第一電極，其中絕緣層之材料係包含一蠶絲蛋白；以及一第二電極，係配置於絕緣層上。
此外，本發明更提供一種金屬-絕緣層-金屬電容結構之製作方法，包括下列步驟：(A)提供一基板；(B)形成一第一電極於基板上；(C)塗佈一蠶絲溶液於形成有第一電極之基板上，以於基板及第一電極上形成一介電層或一絕緣層；以及(D)形成一第二電極於介電層或絕緣層上。
另一方面，本發明亦提供一種電子裝置用蠶絲溶液，其包含一蠶絲蛋白、水，且蠶絲溶液之pH值係介於3~6。此外，本發明提供一種電子裝置用蠶絲溶液之製作方法，包括下列步驟：(A)將一蠶繭置入一鹼液中，且加熱鹼液，以製得一蠶絲蛋白；(B)溶解蠶絲蛋白於一磷酸溶液中；以及(C)將溶解有蠶絲蛋白之磷酸溶液中之磷酸根移除，以製得一蠶絲溶液。
於本發明之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法中，係透過使用一蠶絲溶液以於具有閘極或第一電極之基板上形成一包含有蠶絲蛋白之閘極介電層或絕緣層。相較於以往使用濺鍍或真空沉積法形成閘極介電層或絕緣層，本發明之製作方法可透過溶液製程形成，故製程相當簡單且便宜，並更有利於大面積生產。同時，蠶絲蛋白更具有便宜且取得便利等優點。另一方面，由於本發明之有機薄膜電晶體裝置中所使用之蠶絲蛋白的材料結構與有機半導體層材料很匹配，而可大幅提升有機薄膜電晶體裝置之電晶體特性。此外，於本發明之電子裝置用蠶絲溶液及其製作方法中，係可透過簡單且便宜之製作流程，製作出適用於各種電子產品之蠶絲溶液。同時，透過本發明之電子裝置用蠶絲溶液，可以水溶液製程製作出各種電子產品之絕緣層或介電層，藉此以減少電子裝置之製作成本及製程複雜度。
於本發明之電子裝置用蠶絲溶液及其製作方法、使用其製備之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構中，蠶絲蛋白可為一天然蠶絲蛋白，且較佳為一絲心蛋白(fibroin)。此外，於本發明之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構之製作方法中，蠶絲溶液可為一含天然蠶絲蛋白之水溶液；且較佳為一含絲心蛋白之水溶液。
於本發明之有機薄膜電晶體裝置之製作方法中，塗佈蠶絲溶液之步驟(C)可更包括下列步驟：(C1)提供一蠶絲溶液；(C2)將該形成有閘極之基板浸泡於蠶絲溶液中，以塗佈蠶絲溶液於形成有閘極之基板上；以及(C3)乾燥塗佈於基板之蠶絲溶液，以於基板及閘極上形成一閘極介電層。此外，於本發明之金屬-絕緣層-金屬電容結構之製作方法中，塗佈蠶絲溶液之步驟(C)可更包括下列步驟：(C1)提供一蠶絲溶液；(C2)將形成有第一電極之基板浸泡於蠶絲溶液中，以塗佈蠶絲溶液於該形成有第一電極之基板上；以及(C3)乾燥塗佈於基板之蠶絲溶液，以於基板及第一電極上形成一介電層或一絕緣層。因此，本發明之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構之製作方法中，僅需透過簡單之浸沾式塗佈法以及乾燥製程，即可形成一蠶絲薄膜，以做為閘極介電層或絕緣層。在此，乾燥製程可使用一般常用之方法，如風乾、烘烤製程等。另一方面，若僅做一次蠶絲溶液塗佈，則可形成單層結構之蠶絲薄膜；而若需要可重複進行步驟(C)，以形成多層結構之蠶絲薄膜。
此外，於本發明之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法中，基板可為一塑膠基板、一玻璃基板、一石英基板、或一矽基板；且較佳為一軟性基板，即塑膠基板。利用使用一塑膠基板，可使所形成之裝置具有可撓性。此外，包含閘極、汲極、源極、第一電極與第二電極等各電極可各自獨立選自由：鋁、銅、鉻、銀、鉑、金、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫(ITO)所組成之群組。
此外，於本發明之有機薄膜電晶體裝置及其製作方法中，有機半導體層之材料可包含一五環素(pentacene)、及其他可適用之材料；且較佳為有機半導體材料係為一五環素。
於本發明之有機薄膜電晶體裝置之製作方法中，步驟(D)中，有機半導體層係完全覆蓋閘極介電層，而源極與汲極係配置於有機半導體層上，以形成一上接觸式有機薄膜電晶體。
此外，於本發明之有機薄膜電晶體裝置之製作方法中，步驟(D)中，源極與汲極係配置於閘極介電層上，而有機半導體層係覆蓋閘極介電層、源極、以及汲極，以形成一下接觸式有機薄膜電晶體。
再者，於本發明之電子裝置用蠶絲溶液及其製作方法中，步驟(C)可為：將溶解有蠶絲蛋白之磷酸溶液與水進行透析以移除磷酸根，而製得一蠶絲溶液。其中，可將溶解有蠶絲蛋白之磷酸溶液置入一透析膜中，以進行透析反應。在此，透析膜之截留分子量可為10000~20000；較佳為，透析膜之截留分子量為12000~16000；且更佳為，透析膜之截留分子量為13000~15000。此外，步驟(A)係包括下列步驟(A1)至(A3)：(A1)將一蠶繭置入一鹼液中，且煮沸鹼液以得到一蠶絲蛋白；(A2)將蠶絲蛋白從鹼液中取出，並清洗蠶絲蛋白；以及(A3)烘乾清洗後之蠶絲蛋白。其中，鹼液較佳為一碳酸鈉水溶液。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可針對不同觀點與應用，在不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更。
首先，準備含有10 wt%之碳酸鈉水溶液，待加熱至沸騰後，將乾燥的蠶繭(天然蠶絲)加入，並煮沸30分鐘至1小時以去除蠶絲外層的絲膠(sericin)。而後，放入去離子水中清洗，以洗去蠶絲外層附著的鹼液。經烘乾後，可得到精練後之蠶絲蛋白，即絲心蛋白(fibroin)。
接著，將精練後之蠶絲蛋白放入20 ml的85 wt%磷酸(H3
PO4
)溶液，攪拌至溶解。而後，將溶有蠶絲蛋白之磷酸溶液置入一透析膜中(Spectra/Por 3透析膜，截留分子量(molecular weight cutoff)=14000)中與水進行透析3天，以去除多餘的磷酸根。藉由改變透析所使用之水體積及透析次數，除了可移除磷酸根外，更可藉此調整最後蠶絲溶液之pH值。在此，係將最後所得之蠶絲溶液的pH值控制在3~6之間。透析完成後，以濾紙濾除雜質，以得到一蠶絲水溶液。
首先，如圖3A所示，提供一基板30，並以去離子水超音波洗淨此基板30。於本實施例中，基板30係為一透明PET塑膠基板。
而後，將基板30置於一真空腔體內(圖中未示)，並使用一遮罩(圖中未示)以於基板30上蒸鍍一圖案化金屬層，以做為一閘極31，如圖3A所示。於本實施例中，閘極31之材料係為金，且其厚度約為80 nm。此外，形成閘極31之熱蒸鍍法製程條件係如下所示。
真空度：5x10-6
torr
蒸鍍速率：1/s
接著，將形成有閘極31之基板30浸泡於上述所製備之蠶絲水溶液中15分鐘，以將蠶絲水溶液塗佈於形成有閘極31之基板30上。而後，於60℃下烘乾塗佈於基板30上之蠶絲水溶液，則可形成一蠶絲薄膜，以做為一閘極介電層32，如圖3B所示。於本實施例中，由蠶絲薄膜所形成之閘極介電層32，其厚度約為400 nm。此外，亦可視需要，多次重複進行蠶絲水溶液塗佈及烘乾製程，以形成多層蠶絲薄膜結構。
而後，使用一陰影金屬遮罩(shadow metal mask)，於室溫下以熱蒸鍍法沉積五環素(pentacene)於閘極介電層32上，以做為一有機半導體層33，如圖3C所示。於本實施例中，有機半導體層33之厚度約為70 nm。此外，形成有機半導體層33之熱蒸鍍法製程條件係如下所示。
真空度：2x10-6
torr
蒸鍍速率：0.3/s
最後，使用另一遮罩(圖中未示)，並透過與形成閘極之相同製程條件，以於有機半導體層33上蒸鍍一圖案化金屬層，以做為源極34與汲極35，如圖3D所示。於本實施例中，源極34與汲極35之材料係為金，且其厚度約為80 nm。
如圖3D所示，經由上述製程後，則可得到本實施例之上接觸式有機薄膜電晶體裝置，其包括：一基板30；一閘極31，係配置於基板30上；一閘極介電層32，係配置於基板30上且覆蓋閘極31，其中閘極介電層32之材料係包含一蠶絲蛋白；一有機半導體層33，係完全覆蓋閘極介電層32；以及一源極34、以及一汲極35，其中源極34與汲極35係配置於有機半導體層33上。
將本實施例之上接觸式有機薄膜電晶體裝置進行電流-電壓試驗，其傳輸特性結果係如圖4所示，而在不同閘極電壓(VG
)下之輸出特性結果係如圖5所示。其中，電流開關比(current on-to-off ratio,ION/OFF
)、次臨界擺幅(subthreshold swing,S.S)、載子移動率(mobility)以及臨界電壓(threshold voltage,VTH
)係如下表1所示。
由圖4、圖5及表1之結果顯示，本實施例之以蠶絲蛋白做為閘極介電層之介電材料之有機薄膜電晶體裝置，閘極介電層材料其載子移動率可高達約40 cm2
/V-sec。相較於以往使用氮化矽或氮化鋁做為閘極介電層材料之有機薄膜電晶體裝置，本實施例因使用蠶絲蛋白做為閘極介電層材料，可大幅提升薄膜電晶體效率。
如圖6A所示，提供一基板30，並於基板30上方依序形成閘極31以及閘極介電層32。於本實施例中，基板30、閘極31以及閘極介電層32之材料及製備方法均與實施例1相同。此外，於本實施例中，閘極31厚度約為100 nm，而閘極介電層32厚度約為500 nm。
接著，如圖6B所示，透過使用與實施例1形成閘極之相同製程條件，於閘極介電層32上蒸鍍一圖案化金屬層，以做為源極34與汲極35。於本實施例中，源極34與汲極35之材料係為金，且其厚度約為100 nm。
最後，如圖6C所示，透過使用與實施例1形成有機半導體層之相同製程條件，於閘極介電層32、源極34與汲極35上形成一有機半導體層33。於本實施例中，有機半導體層33之材料係為五環素，且其厚度約為100 nm。
如圖6C所示，經由上述製程後，則可得到本實施例之下接觸式有機薄膜電晶體裝置，其包括：一基板30；一閘極31，係配置於基板30上；一閘極介電層32，係配置於基板30上且覆蓋閘極31，其中閘極介電層32之材料係包含一蠶絲蛋白；一源極34與一汲極35，係配置於閘極介電層32上；以及一有機半導體層33，係覆蓋閘極介電層32、源極34、以及汲極35。
如圖7A所示，提供一基板70，並於基板70上方形成一第一電極71。於本實施例中，第一電極71之製備方法與實施例1所述之閘極製作方法相同。於本實施例中，基板70係為一塑膠基板，而第一電極71之材料為金，且第一電極71之厚度約為80 nm。
而後，將形成有第一電極71之基板70浸泡於實施例1所製備之蠶絲水溶液中15分鐘，以將蠶絲水溶液塗佈於形成有第一電極71之基板70上。而後，於60℃下烘乾塗佈於基板70上之蠶絲水溶液，則可形成一蠶絲薄膜，以做為一絕緣層72，如圖7B所示。
最後，於真空度為5x10-6
torr之真空腔體(圖中未示)進行蒸鍍，以形成一厚度約為80 nm之第二電極73，如圖7C所示。於本實施例中，第二電極73之厚度約為80 nm。
如圖7C所示，經由上述製程後，則可得到本實施例之MIM電容結構，其包括：一基板70；一第一電極71，係配置於基板70上；一絕緣層72，係配置於基板70上且覆蓋第一電極71，其中絕緣層72之材料係包含一蠶絲蛋白；以及一第二電極73，係配置於絕緣層72上。
將本實施例所製得之MIM電容結構進行介電特性測試，其中，電容-頻率之特性係如圖8所示，而漏電流-電場之特性係如圖9所示。經測試後，可發現蠶絲蛋白之介電常數(ε)約為7.2，且在0.1 MV/cm之反偏電場下，漏電流約為10-7
A/cm2
。這些實驗結果可以證實，蠶絲蛋白確實是為一種良好之介電材料。
綜上所述，本發明之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法，因以蠶絲蛋白做為介電材料並透過水溶液製程製作閘極介電層或絕緣層，故可大幅減低製程複雜度及製作成本，且適用於大面積生產有機薄膜電晶體裝置或MIM電容結構。同時，於有機薄膜電晶體中，因蠶絲蛋白其載子移動率較高，故可與五環素有機半導體層之載子移動率更加匹配，進而大幅提升薄膜電晶體效率。另一方面，本發明之電子裝置用蠶絲溶液及其製作方法相當簡單，且可適用於各種電子裝置上。此外，相較於使用濺鍍或真空沉積法，若使用本發明之電子裝置用蠶絲溶液，除了可減少製作成本及製程複雜度外，更可生產大面積之介電層或絕緣層。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
10,20,30,70．．．基板
11,31．．．閘極
12,32．．．閘極介電層
13,33．．．有機半導體層
14,34．．．源極
15,35．．．汲極
21,71．．．第一電極
22,72．．．絕緣層
23,73．．．第二電極
圖1A係習知之上接觸式有機薄膜電晶體之示意圖。
圖1B係習知之下接觸式有機薄膜電晶體之示意圖。
圖2係習知之金屬/絕緣層/金屬電容結構之示意圖。
圖3A至3D係本發明實施例1之上接觸式有機薄膜電晶體之製作流程之剖面示意圖。
圖4係本發明實施例1之有機薄膜電晶體傳輸特性測試圖。
圖5係本發明實施例1之有機薄膜電晶體輸出特性測試圖。
圖6A至6C係本發明實施例2之下接觸式有機薄膜電晶體之製作流程之剖面示意圖。
圖7A至7C係本發明實施例3之MIM電容結構之製作流程之剖面示意圖。
圖8係本發明實施例3之MIM電容結構其電容對頻率之特性測試圖。
圖9係本發明實施例3之MIM電容結構其漏電流對電場之特性測試圖。
30．．．基板
31．．．閘極
32．．．閘極介電層
33．．．有機半導體層
34．．．源極
35．．．汲極
Claims (20)
- 一種有機薄膜電晶體裝置，包括：一基板；一閘極，係配置於該基板上；一閘極介電層，係配置於該基板上且覆蓋該閘極，其中該閘極介電層之材料係包含一蠶絲蛋白；一有機半導體層；以及一源極、以及一汲極，其中，該有機半導體層、該源極、以及該汲極係配置於該閘極介電層上方；且該有機半導體層之材料係包含一五環素(pentacene)。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體裝置，其中該蠶絲蛋白係為一天然蠶絲蛋白。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體裝置，其中該蠶絲蛋白係為一絲心蛋白(fibroin)。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體裝置，其中該閘極介電層係具有一單層結構或一多層結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體裝置，其中該基板係為一塑膠基板、一玻璃基板、一石英基板、或一矽基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體裝置，其中當該有機薄膜電晶體裝置係為一上接觸式有機薄膜電晶體時，該有機半導體層係完全覆蓋該閘極介電層，而該源極與該汲極係配置於該有機半導體層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機薄膜電晶體裝置，其中當該有機薄膜電晶體裝置係為一下接觸式有機薄膜電晶體時，該源極與該汲極係配置於該閘極介電層上，而該有機半導體層係覆蓋該閘極介電層、該源極、以及該汲極。
- 一種有機薄膜電晶體裝置之製作方法，包括下列步驟：(A)提供一基板；(B)形成一閘極於該基板上；(C)塗佈一蠶絲溶液於該形成有閘極之基板上，以於該基板及該閘極上形成一閘極介電層；以及(D)形成一有機半導體層、一源極、以及一汲極於該閘極介電層上方；其中該有機半導體層之材料係包含一五環素。
- 如申請專利範圍第8項所述之製作方法，其中步驟(C)係包括下列步驟：(C1)提供一蠶絲溶液；(C2)將該形成有閘極之基板浸泡於該蠶絲溶液中，以塗佈該蠶絲溶液於該形成有閘極之基板上；以及(C3)乾燥該塗佈於基板之蠶絲溶液，以於該基板及該閘極上形成一閘極介電層。
- 如申請專利範圍第8項所述之製作方法，其中該蠶絲溶液係為一含天然蠶絲蛋白之水溶液。
- 如申請專利範圍第8項所述之製作方法，其中該蠶絲溶液係為一含絲心蛋白之水溶液。
- 如申請專利範圍第8項所述之製作方法，其中該基板係為一塑膠基板、一玻璃基板、一石英基板、或一矽基板。
- 如申請專利範圍第8項所述之製作方法，於步驟(D)中，該有機半導體層係完全覆蓋該閘極介電層，而該源極與該汲極係配置於該有機半導體層上，以形成一上接觸式有機薄膜電晶體。
- 如申請專利範圍第8項所述之製作方法，於步驟(D)中，該源極與該汲極係配置於該閘極介電層上，而該有機半導體層係覆蓋該閘極介電層、該源極、以及該汲極，以形成一下接觸式有機薄膜電晶體。
- 一種電子裝置用蠶絲溶液之製備方法，係包括下列步驟：(A)將一蠶繭置入一鹼液中，且加熱該鹼液，以製得一蠶絲蛋白；(B)溶解該蠶絲蛋白於一磷酸溶液中；以及(C)將溶解有該蠶絲蛋白之該磷酸溶液中之磷酸根移除，以製得一蠶絲溶液；其中，該蠶絲溶液包含一蠶絲蛋白，且該蠶絲溶液之pH值係介於3~6。
- 如申請專利範圍第15項所述之蠶絲溶液，其中步驟(C)係為：將溶解有該蠶絲蛋白之該磷酸溶液與水進行透析以移除磷酸根，而製得一蠶絲溶液。
- 如申請專利範圍第15項所述之蠶絲溶液，其中於步驟(A)係包括下列步驟(A1)至(A3)：(A1)將一蠶繭置入一鹼液中，且煮沸該鹼液以得到一蠶絲蛋白；(A2)將該蠶絲蛋白從該鹼液中取出，並清洗該蠶絲蛋白；以及(A3)烘乾清洗後之該蠶絲蛋白。
- 如申請專利範圍第15項所述之蠶絲溶液，其中該鹼液係為一碳酸鈉水溶液。
- 如申請專利範圍第15項所述之蠶絲溶液，其中該蠶絲蛋白係為一天然蠶絲蛋白。
- 如申請專利範圍第15項所述之蠶絲溶液，其中該蠶絲蛋白係為一絲心蛋白(fibroin)。
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